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LED常用詞匯中英文對照1 backplane 背板 : ?5 k3 c Z. ?- c n Y! 2 Band gap voltage reference 帶隙電壓參考 , g) x/ % |) n$ u7 3 benchtop supply 工作臺電源 ! J$ B0 o# Y/ / h4 Block Diagram 方塊圖 5 Bode Plot 波特圖 - A7 v7 t+ ?3 W5 |2 U6 Bootstrap 自舉 # 6 C* 9 i& t- Q( z% X7 l7 Bottom FET Bottom FET 1 6 * 0 s6 h% y8 bucket capcitor 桶形電容 2 C. k# 5 x, w0 f# h9 chassis 機(jī)架 0 Z8 K5 l/ 9 k3 E10 Combi-sense Combi-sense 8 w, X. F5 t4 M11 constant current source 恒流源 # m2 U6 a1 f5 y t+ n3 e/ C. * l; J# 12 Core Sataration 鐵芯飽和 . s& D2 I+ I13 crossover frequency 交叉頻率 7 l! D! o* N; l14 current ripple 紋波電流 4 U0 ?* y+ h6 ?4 S6 i4 V15 Cycle by Cycle 逐周期 $ c! ? w3 v- B F16 cycle skipping 周期跳步 $ l& v) x, VD. M) F* D# t17 Dead Time 死區(qū)時間 t) X% V g& d. 9 x( 18 DIE Temperature 核心溫度 e4 ( , f; ?. L+ V% l8 a19 Disable 非使能，無效，禁用，關(guān)斷 & L( w4 o, C8 ( Z20 dominant pole 主極點 _: p5 P6 X8 % ( B21 Enable 使能，有效，啟用 1 M9 N l2 8 H# f! C22 ESD Rating ESD額定值 4 I. B8 S& E+ Q% n( w: q: H23 Evaluation Board 評估板 0 8 T4 6 P0 z/ k24 Exceeding the specifications below may result in permanent damage to the device, or device malfunction. Operation outside of the parameters specified in the Electrical Characteristics section is not implied. . y3 v! H( m% v7 Y0 u9 B6 A超過下面的規(guī)格使用可能引起永久的設(shè)備損害或設(shè)備故障。建議不要工作在電特性表規(guī)定的參數(shù)范圍以外。 + g- y# O) e* K! k0 w% s25 Failling edge 下降沿 7 I4 l3 / v* z5 u J2 w26 figure of merit 品質(zhì)因數(shù) % D: o A9 Q! |, 27 float charge voltage 浮充電壓 + 6 Q& OZL: G7 o28 flyback power stage 反馳式功率級 / k5 3 q2 fM/ e29 forward voltage drop 前向壓降 U( Y9 H( u& a30 free-running 自由運行 xJ: T# X|0 ?6 J6 G$ u, z31 Freewheel diode 續(xù)流二極管 # X- % B! |0 w32 Full load 滿負(fù)載 33 gate drive 柵極驅(qū)動 8 Q$ # m$ o6 T34 gate drive stage 柵極驅(qū)動級 0 % n U# ) Y9 O- n( T% y2 w35 gerber plot Gerber 圖 2 k) Z$ M2 M8 / C$ X# w: |3 uH36 ground plane 接地層 7 f! A; T) k9 J$ N 37 Henry 電感單位：亨利 % D; J4 p6 d- PK7 p! o7 J4 Z38 Human Body Model 人體模式 0 N y1 C% f& N. J0 A; U4 E7 w39 Hysteresis 滯回 4 1 - 8 S/ N) 40 inrush current 涌入電流 7 _: Q5 a. m! z. e4 Z41 Inverting 反相 9 a: R5 k4 I7 v- L42 jittery 抖動 / e5 s: a* b, f7 g v43 Junction 結(jié)點 + P K* # Z, W1 _: O5 T44 Kelvin connection 開爾文連接 5 b$ % D8 I; C% ?45 Lead Frame 引腳框架 ) ) h7 |. S$ F# f9 h. e7 H, * T46 Lead Free 無鉛 5 % wp) y F! p- h47 level-shift 電平移動 ) z$ c( 9 y$ a5 7 N0 ?48 Line regulation 電源調(diào)整率 - ! * L4 K3 49 load regulation 負(fù)載調(diào)整率 ! C4 3 B, s5 m8 u50 Lot Number 批號 W% _9 _9 W7 H/ O51 Low Dropout 低壓差 6 R/ u$ N2 L/ N) L52 Miller 密勒 53 node 節(jié)點 G, l R* A3 ?/ H# l X4 i! f1 54 Non-Inverting 非反相 ! P/ a, w+ o( Z1 F2 i9 a55 novel 新穎的 7 S/ I* R1 a! V56 off state 關(guān)斷狀態(tài) _6 a2 i* s- F6 i57 Operating supply voltage 電源工作電壓 2 n% k% d, n( Br/ C0 H58 out drive stage 輸出驅(qū)動級 + R1 o- _6 . i1 p59 Out of Phase 異相 $ OX2 . o2 Ul3 yA- d$ S60 Part Number 產(chǎn)品型號 K& m/ v/ b7 R7 Q) Y5 Q( V61 pass transistor pass transistor 3 H( ?5 W6 h8 A62 P-channel MOSFET P溝道MOSFET - X9 h4 G+ E0 t( H F6 Z: a$ uq7 C63 Phase margin 相位裕度 ) x; g! o. ! o! T4 7 4 s64 Phase Node 開關(guān)節(jié)點 & S1 S: P U- W0 C; & k4 Y4 j/ e65 portable electronics 便攜式電子設(shè)備 j9 1 m; y L. M% O66 power down 掉電 5 u& m0 I- T5 ws+ 67 Power Good 電源正常 0 7 g# n& e* ) v- J68 Power Groud 功率地 0 S5 V/ ; n+ q. 6 ?/ J2 X69 Power Save Mode 節(jié)電模式 ( g: N& E3 8 M+ N0 Q) b4 y70 Power up 上電4 L0 l2 n3 l e. w( v( u) n 71 pull down 下拉 p6 O6 b! B4 L$ V72 pull up 上拉 ! q; o, q- p* ?; q73 Pulse by Pulse 逐脈沖（Pulse by Pulse） 8 m3 , c w4 l3 _74 push pull converter 推挽轉(zhuǎn)換器 & u7 5 L3 X1 s75 ramp down 斜降 k; w: L$ f$ i! I9 x76 ramp up 斜升 ( hy8 6 d+ c2 m3 y! h9 Y77 redundant diode 冗余二極管 J0 iU9 w# + L78 resistive divider 電阻分壓器 1 + B; , f: D+ J/ E79 ringing 振 鈴 : j1 T, n5 s, N5 d& E3 f6 f80 ripple current 紋波電流 6 s2 c* , M3 J( c. d) k81 rising edge 上升沿 7 J. y( l8 Z7 XK82 sense resistor 檢測電阻 9 A7 n- b! S: g& Z! T) X83 Sequenced Power Supplys 序列電源 9 F1 U9 i0 V( b/ s84 shoot-through 直通，同時導(dǎo)通 S g3 y9 P6 L3 k: j85 stray inductances. 雜散電感 8 B V! M+ 2 4 s1 F86 sub-circuit 子電路 aW9 D1 t. V87 substrate 基板 ! c d9 * x |88 Telecom 電信 l/ C( D* E2 I* C$ u5 h5 ; l& V4 |89 Thermal Information 熱性能信息 + z5 5 y9 / 2 u& h. x t6 90 thermal slug 散熱片 : d# _( O3 O+ w NS$ N& X4 O2 I91 Threshold 閾值 2 X0 i/ K3 / ?4 s % c92 timing resistor 振蕩電阻 $ t3 B( r* Q0 8 S, p/ q93 Top FET Top FET 0 V. q Q0 : o$ f B: v) 5 # q! A94 Trace 線路，走線，引線 / e8 8 Y7 t4 x95 Transfer function 傳遞函數(shù) $ x. b: R8 . E8 c0 d96 Trip Point 跳變點 ( C. ?5 s/ u5 z# L) _% i97 turns ratio 匝數(shù)比，Np / Ns。（初級匝數(shù)/次級匝數(shù)） % p8 e- Q# h$ y) 8 O$ v1 & D% v98 Under Voltage Lock Out (UVLO) 欠壓鎖定 0 T! P3 ?3 J. i( j1 w1 b7 : y% V6 99 Voltage Reference 電壓參考 g. 4 H: Q6 w4 # R100 voltage-second product 伏秒積 9 Z7 S& 1 ; w# / x* q101 zero-pole frequency compensation 零極點頻率補(bǔ)償 : r2 C7 _1 H R; a5 102 beat frequency 拍頻 ; v; t4 G+ N: , b$ b! ?5 ?4 103 one shots 單擊電路 4 D! l) P. B$ * I( z104 scaling 縮放 ) p% Q/ n4 k$ G- v* - I/ H105 ESR 等效串聯(lián)電阻106 Ground 地電位 7 y4 . p5 A- F6 j3 o: h8 107 trimmed bandgap 平衡帶隙 $ Q v# q4 W/ B: E108 dropout voltage 壓差 . a9 F( / a: 5 |/ r109 large bulk capacitance 大容量電容 f2 % l6 V4 j8 8 _110 circuit breaker 斷路器 : c- T% t, I: J111 charge pump 電荷泵 ! r l5 u4 F# u9 i5 112 overshoot 過沖% j o2 V. J, E% nC3 ) + a1 3 W& Q$ N7 X3 T S# r$ N) I. U) N. J+ O* ?. 3 ?1） 元件設(shè)備 & Q$ 7 Q% z% s/ X3 _/ Z: I0 U- M* G4 Q三繞組變壓器：three-column transformer ThrClnTrans / o; U8 J8 w) Q4 y雙繞組變壓器：double-column transformer DblClmnTrans & b( b! ) w9 q* T電容器：Capacitor 7 k2 z, g# j& d5 m/ z- D( m并聯(lián)電容器：shunt capacitor 7 g_% P- p) _4 l* y+ g電抗器：Reactor * 3 I* + l W母線：Busbar % K2 u9 j/ B9 e) s J* 輸電線：TransmissionLine - 8 S. O7 G+ q6 R- A$ m發(fā)電廠：power plant 5 _; c, P, f& W% , u4 斷路器：Breaker 7 C4 6 h0 . a刀閘(隔離開關(guān))：Isolator 2 B( h6 z& S# n! x4 j/ l分接頭：tap I3 g; h# a+ Z電動機(jī)：motor 4 A! X: J: b. J; |- （2） 狀態(tài)參數(shù) , Y- K9 B3 q+ U y O# e- ) w8 B p有功：active power 7 a) q5 |4 Q9 n 無功：reactive power 1 u7 j2 X3 ) e S z! l電流：current $ 7 M, d M! ?6 R- ?容量：capacity R* a% A$ A: 8 k- 1 M1 電壓：voltage + W0 c7 Y- |+ R. A1 y1 檔位：tap position 9 r$ m- g+ n) |4 n p T% u/ m有功損耗：reactive loss + s, K) o7 W2 ho8 / Q. 無功損耗：active loss 2 x6 m3 I6 W! j1 j8 功率因數(shù)：power-factor 5 X2 o/ L/ T 0 e4 V( c, |, $ t. m功率：power a& G; D* y! i: - t8 g2 R! c功角：power-angle ( U3 . 2 p2 Y SI5 m電壓等級：voltage grade 4 - a# c: c4 O1 # C空載損耗：no-load loss % 8 C7 i2 e4 B$ D ) h5 q鐵損：iron loss 3 Q4 S! L3 p0 g) T銅損：copper loss I R7 p- f) L! i2 d7 c空載電流：no-load current # R$ f7 m X+ ?( 阻抗：impedance . Q1 E9 d# Z7 P) / 3 B) M Z正序阻抗：positive sequence impedance 3 X0 u0 V0 ?2 S! e c負(fù)序阻抗：negative sequence impedance * J5 Q, H5 I. q5 e) I) p6 零序阻抗：zero sequence impedance % N P* |/ d n* _! b% 9 M- k! 電阻：resistor ( Z/ v 8 c4 |電抗：reactance ; c4 F8 p& J0 電導(dǎo)：conductance ; m$ w: Wp. r ?9 Q f電納：susceptance ) N$ j+ T2 d6 o5 N無功負(fù)載：reactive load 或者QLoad ) k( F& t% z z5 2 r有功負(fù)載: active load PLoad . s$ a6 Y( X3 Z, , y C3 T4 T遙測：YC(telemetering) . O& U* # X6 1 X遙信：YX 9 K7 V; L; g: F1 ct勵磁電流(轉(zhuǎn)子電流)：magnetizing current 7 r2 L7 b+ d, E) h6 K定子：stator ; gm+ S# I( Y/ E功角：power-angle ) ?) ) w) p* P上限:upper limit + Y! O. o8 M2 W$ Z下限：lower limit ; , F) X5 |2 U# D并列的：apposable # R?2 ?- 2 e& k7 B高壓: high voltage ) J% T X+ g4 g% m B低壓：low voltage 4 h9 x8 a5 r& + v中壓：middle voltage 3 K) c% U9 q* Z4 T9 h3 k o電力系統(tǒng) power system $ z7 | ?0 i% P( D e; l發(fā)電機(jī) generator F5 1 M6 w5 d勵磁 excitation : k K7 r/ Y$ ; N! ?* I勵磁器 excitor 2 I7 Z3 Z: i1 B# X電壓 voltage c4 5 b! w4 y/ E) F q4 O* r% w電流 current % w& a5 h1 z2 Z0 X母線 bus 9 D4 s6 j; d6 V+ ) A( _變壓器 transformer , j( _9 N& F% * x5 I4 t+ K3 Q& _升壓變壓器 step-up transformer 2 Y2 T0 ?2 N2 m8 P, _$ f高壓側(cè) high side $ S+ jB& 3 s( W輸電系統(tǒng) power transmission system / G9 D2 u, f4 / j( d輸電線 transmission line z7 p( G$ k7 u* H+ a固定串聯(lián)電容補(bǔ)償fixed series capacitor compensation 7 y! * C+ J+ W4 L* Q8 o5 P) T穩(wěn)定 stability w+ f2 E w1 9 R7 Z- S電壓穩(wěn)定 voltage stability $ r9 w$ A: X3 K功角穩(wěn)定 angle stability 9 O% u n( f- O( l3 w0 C8 m暫態(tài)穩(wěn)定 transient stability - U1 ; I( Z+ ! o0 V6 T1 w電廠 power plant / , W s0 R& K& F能量輸送 power transfer # 0 o8 |( m, M交流 AC ) T) s- . H8 e8 v8 b+ v裝機(jī)容量 installed capacity 7 g# ! Q: ) z9 r. f& z電網(wǎng) power system 1 s1 w2 Q f. V T落點 drop point + I b, S3 l, |( c) r3 ?開關(guān)站 switch station 3 M3 ?8 a/ A8 y* w# g2 j雙回同桿并架 double-circuit lines on the same tower ; O* G y3 S: m/ a變電站 transformer substation 8 G7 e% h) p9 ZN! b& q& g補(bǔ)償度 degree of compensation |: 1 $ I. O* n8 Q( Y0 Z& ; k高抗 high voltage shunt reactor T V N% s2 i- Z9 O. w6 ?無功補(bǔ)償 reactive power compensation 7 j0 ! R* Z! W故障 fault * j0 a3 k. _9 X4 ! s0 t. V調(diào)節(jié) regulation 8 Q0 J& Z. f$ N1 r1 R裕度 magin ! m: Y0 g6 O+ R; K, 三相故障 three phase fault % _. z9 p9 BQ- M故障切除時間 fault clearing time 2 h: o) H0 Q2 sz k; k極限切除時間 critical clearing time + T9 0 U3 q T切機(jī) generator triping / - E; l# c2 v z8 B高頂值 high limited value ( MS5 N/ 6 k強(qiáng)行勵磁 reinforced excitation / ) L) P4 _# v5 v線路補(bǔ)償器 LDC(line drop compensation) 3 C: T1 N4 B- w. S0 q* 2 t機(jī)端 generator terminal * . 1 / ) s1 j1 s靜態(tài) static (state) . m: s& Z G. 動態(tài) dynamic (state) % F& G2 9 ( 2 t4 N/ u y3 H6 L單機(jī)無窮大系統(tǒng) one machine - infinity bus system : s: T9 T2 0 a; p! P z! d機(jī)端電壓控制 AVR / B) % Y# , L$ P9 h5 l電抗 reactance l: 7 M( - % T* Z, i H5 S電阻 resistance ! # Z1 t3 ?* / T+ h/ % 功角 power angle : _c Z$ P G# S有功（功率） active power ) s+ m9 h! d, g. $ Wj無功（功率） reactive power / C& Q) f- ?: r4 O( Q0 O功率因數(shù) power factor . l: $ 0 J) 9 A6 p& 9 O無功電流 reactive current Y* P% h4 A5 L2 , K+ V3 D下降特性 droop characteristics 8 eL3 : q7 g. b斜率 slope 7 _% Q+ 1 n& h! r8 C) E+ v$ M額定 rating * s. h* C& F1 G+ , d1 u _1 |變比 ratio . G1 b9 E: f v, X# T( : V+ I參考值 reference value 0 H, K c; & J. N電壓互感器 PT % t- x, i( S( I4 e% F分接頭 tap 9 I. J2 S1 N P3 P R# d下降率 droop rate 0 zF+ ( L; i$ k# ! * X4 b仿真分析 simulation analysis # U% : v# - O! e s5 X& q; e傳遞函數(shù) transfer function 4 q2 d m. 5 z1 q$ 2 |0 M( Q* n框圖 block diagram : 7 a& D , # % f. u6 ?受端 receive-side 3 V3 c Y) M) i- S! l0 T. u裕度 margin 7 T# k( Z8 m/ 3 X5 D同步 synchronization 4 Yo4 / e7 B, I) v* h/ a失去同步 loss of synchronization 4 C$ % ?: j) - m, w! R# O阻尼 damping 9 k: - C6 Z# Wc搖擺 swing 0 l6 J5 t, TO- T保護(hù)斷路器 circuit breaker 7 k, V1 G6 r. m6 m, F 8 y電阻：resistance / N: D5 C7 e# s- ! J. x3 ?電抗：reactance ! _1 f4 B& i# TA阻抗：impedance 3 D: q* ( B, P4 Q電導(dǎo)：conductance / 9 u0 V6 E8 q m8 R! n5 l電納：susceptance印制電路printed circuit0 1 L: * h: D印制線路 printed wiring 0 W: & c3 8 |: 6 m# y印制板 printed board 4 D- W( H v% 8 We印制板電路 printed circuit board 6 _2 E0 Q! x C& Z5 O印制線路板 printed wiring board C- G1 V# K; u$ L( w* V) P印制元件 printed component 9 o6 t d: M3 I印制接點 printed contact B% W4 p/ ?5 v* rh+ 印制板裝配 printed board assembly % & i5 q& d) 2 L板 board# e* Q1 P* _b) u剛性印制板 rigid printed board # x: ( n) i; d7 g& W* U撓性印制電路 flexible printed circuit 6 # U r. Y$ l4 W7 7 s3 U撓性印制線路 flexible printed wiring + W) T% e! r4 u齊平印制板 flush printed board 7 R1 f5 r4 9 w; L& B* n1 W金屬芯印制板 metal core printed board ( 2 t% F; J B- M N9 ?S1 / B4 2 金屬基印制板 metal base printed board * L6 K$ # N; Q/ x2 Z; - w* c多重布線印制板 mulit-wiring printed board 5 b7 w% Q M4 ( x2 D塑電路板 molded circuit board ! b; M& I2 x! # I0 i. z散線印制板 discrete wiring board # e1 C# C; _4 : Z+ N3 D2 O$ t微線印制板 micro wire board 6 h9 j+ V8 Q* o8 D1 b積層印制板 buile-up printed board 4 S; e- s1 t / oU表面層合電路板 surface laminar circuit : N5 u+ t2 H$ O, 2 - t4 R埋入凸塊連印制板 B2it printed board $ f1 4 0 u/ f! 4 w! c, I載芯片板 chip on board 3 S7 c 5 D0 WD. 埋電阻板 buried resistance board 1 b- p: l, t; V/ l, 1 O1 H母板 mother board 1 x4 e1 g6 c$ L# e0 W子板 daughter board 0 i6 7 9 W# D背板 backplane 2 o) D5 r, g_& : k裸板 bare board 3 F3 % D+ 4 a# M- Q+ |9 z鍵盤板夾心板 copper-invar-copper board 0 s! T+ C, $ F+ _- e動態(tài)撓性板 dynamic flex board + I7 i& m! f7 D; - o# V靜態(tài)撓性板 static flex board 8 U: / u L% Y8 H6 q2 |可斷拼板 break-away planel # j+ / a& Q0 X電纜 cable : K& W* O3 e/ t! S( s q撓性扁平電纜 flexible flat cable (FFC) 6 N( y6 a: s% 9 C3 o薄膜開關(guān) membrane switch , T2 s) I w) x0 x混合電路 hybrid circuit % x M8 U0 W7 r1 d: I3 v厚膜 thick film * M9 z; p# s4 H厚膜電路 thick film circuit . l6 v?2 : ! n1 _+ E薄膜 thin film ) K3 d/ F d5 V* D% ?薄膜混合電路 thin film hybrid circuit 3 b# Q1 F7 ) ?4 _互連 interconnection : x5 n l0 V2 q7 N/ | l導(dǎo)線 conductor trace line Ul/ t0 G. ) gK* N j- E齊平導(dǎo)線 flush conductor 4 , S, s! A J0 l& O* b5 傳輸線 transmission line 8 h* l, E i$ S% s5 o跨交 crossover % h; X3 O7 e/ q% 9 w! |5 y板邊插頭 edge-board contact + Q0 H4 e( h9 f, h8 ?增強(qiáng)板 stiffener 6 m/ 8 O. D% T4 p. O2 f基底 substrate # h. O# 6 hO p# i! k9 p. 基板面 real estate , l& g- N- ( I/ f3 j導(dǎo)線面 conductor side % N& b. A7 5 q7 u# X元件面 component side - T% t K! L* S& c( E焊接面 solder side $ C* I0 K* ; N i導(dǎo)電圖形 conductive pattern + 1 x& K, W) z6 w9 W* j. b5 F% I- V! 非導(dǎo)電圖形 non-conductive pattern 7 u n+ o% X% P7 Hc基材 base material ! J/ Y( l0 Z9 q) X% k層壓板 laminate ; j+ 7 m; _( 4 I4 t覆金屬箔基材 metal-clad bade material 2 f3 + J- * u7 F0 B覆銅箔層壓板 copper-clad laminate (CCL) - b5 M1 4 d/ $ x復(fù)合層壓板 composite laminate ! 3 h0 m# N7 P+ 5 a& g薄層壓板 thin laminate : x& t$ 2 & A: U基體材料 basis material & c4 H1 B- d( * W: z預(yù)浸材料 prepreg 2 l( r, w6 7 U& z4 % C* Q粘結(jié)片 bonding sheet 3 T/ a9 , B5 H( q: l$ k; L預(yù)浸粘結(jié)片 preimpregnated bonding sheer . d+ I b. f/ s, ?( , G環(huán)氧玻璃基板 epoxy glass substrate 7 D/ B2 o8 N- S: B9 _. z% K; A: e預(yù)制內(nèi)層覆箔板 mass lamination panel # _5 * $ L6 C內(nèi)層芯板 core material # U7 d0 P7 Tc6 q8 F b# L9 i 粘結(jié)層 bonding layer 1 D$ C& y( i: |5 z& G7 R# e粘結(jié)膜 film adhesive & k( r- q6 J/ A; L; Q無支撐膠粘劑膜 unsupported adhesive film : a G; y2 u: Y8 E覆蓋層 cover layer (cover lay) / X. w4 X- x4 5 dF?增強(qiáng)板材 stiffener material 6 H3 g7 x8 q1 j/ S* F9 R! h* X銅箔面 copper-clad surface ( u9 b8 a% Y+ A, Z1 o) G去銅箔面 foil removal surface 8 a( p: $ e: v3 L8 i層壓板面 unclad laminate surface 4 s- s6 v0 P9 , s基膜面 base film surface $ p8 C$ M! u# A9 r8 E膠粘劑面 adhesive faec 0 u1 ?0 t/ & 4 w7 e, R原始光潔面 plate finish 1 t! n0 A) Z7 M- B粗面 matt finish , e5 r3 B5 x. f: C4 n剪切板 cut to size panel 0 Y* W6 ? _, 9 Z2 6 J6 u, w超薄型層壓板 ultra thin laminate ! n+ c1 v% N ?k, c! hA階樹脂 A-stage resin . I |! X. a u# S1 fB階樹脂 B-stage resin $ l K9 ?1 W3 m( s5 gC階樹脂 C-stage resin . E, O- B4 i, f環(huán)氧樹脂 epoxy resin . H% Sgy; a$ k: i/ E酚醛樹脂 phenolic resin $ V A p8 A) p& e; |. y4 G9 Q) S聚酯樹脂 polyester resin 8 i% L+ r4 N. o3 J聚酰亞胺樹脂 polyimide resin ) l: P! b) K B& D雙馬來酰亞胺三嗪樹脂 bismaleimide-triazine resin ! 0 S) B/ H0 D2 g! H丙烯酸樹脂 acrylic resin 7 i1 ( p- v5 m三聚氰胺甲醛樹脂 melamine formaldehyde resin 0 M5 X) K; ! Q2 Q, 多官能環(huán)氧樹脂 polyfunctional epoxy resin # K2 l N* |3 - I( F溴化環(huán)氧樹脂 brominated epoxy resin 5 r0 o6 c4 Y5 H8 h環(huán)氧酚醛 epoxy novolac 6 T8 mY& d* T2 J氟樹脂 fluroresin # U7 d/ e: + f0 S6 L$ U硅樹脂 silicone resin 1 N) Z * K9 r- z2 r$ n1 S硅烷 silane 7 U* h: F: H4 w聚合物 polymer ( % - q5 T+ c無定形聚合物 amorphous polymer ! J5 F2 S3 B6 m4 2 N結(jié)晶現(xiàn)象 crystalline polamer 3 _ + W; W雙晶現(xiàn)象 dimorphism . Q$ z3 4 ; P3 J9 y共聚物 copolymer 0 V( p7 B3 N, k* c) H: N合成樹脂 synthetic / I- & I|0 x2 i8 W: e3 q! Q8 熱固性樹脂 thermosetting resin熱塑性樹脂 thermoplastic resin e6 |- 6 J( % l, K* q感光性樹脂 photosensitive resin ! j6 F) w) 9 w) I5 T6 m- V環(huán)氧值 epoxy value 4 G c) | P: P9 W雙氰胺 dicyandiamide , s: i, O/ f: x; o1 w. N粘結(jié)劑 binder : z, I5 h0 # 0 y) Z% I# 膠粘劑 adesive + K9 o1 l k, I Q3 a固化劑 curing agent 9 4 i5 p/ l3 i# M阻燃劑 flame retardant : z- h0 l6 / x. Q3 9 R遮光劑 opaquer - T/ |+ j5 F( s增塑劑 plasticizers 9 k. & b& w* W; ?3 B不飽和聚酯 unsatuiated polyester 1 L6 K0 V$ H6 # A! m7 p聚酯薄膜 polyester I# W1 l ! R( S/ D聚酰亞胺薄膜 polyimide film (PI) / 2 G4 w6 . l8 0 - Y7 D, o聚四氟乙烯 polytetrafluoetylene (PTFE) 9 3 4 q+ B/ R9 V9 W( H1 P vh增強(qiáng)材料 reinforcing material ! A- F5 x5 A) 折痕 crease 4 LJ k7 w+ x1 x8 J云織 waviness 8 d7 |; 1 c ; x魚眼 fish eye 5 q- * 0 F, U2 O毛圈長 feather length 5 N4 h6 h( d( 6 |& u% z厚薄段 mark 3 F, b r- 裂縫 split # , _0 t( I4 , H1 捻度 twist of yarn A9 _( f$ ?5 g8 H浸潤劑含量 size content . W+ A1 1 i- 1 R# d5 q. z Y+ w浸潤劑殘留量 size residue $ T( ?. V8 K/ u; w2 I! D/ w0 b處理劑含量 finish level ; F z0 gOL/ t+ B( q5 I) c2 f6 n- O偶聯(lián)劑 couplint agent ) x& q8 M7 x( 2 t4 X/ 斷裂長 breaking length 6 z0 e7 y! D f1 ) R0 m2 D& b 吸水高度 height of capillary rise 8 V3 p, P3 v. f; m2 m濕強(qiáng)度保留率 wet strength retention 3 J- z1 j1 K $ j$ ys: * a$ P白度 whitenness 7 N6 z. Q$ A q v$ O9 $ d- O導(dǎo)電箔 conductive foil - y5 , U$ E) $ 銅箔 copper foil + m4 N& A5 r9 5 M W壓延銅箔 rolled copper foil ( lw# 9 M( - i! J8 O) o* X4 + k+ D光面 shiny side, V4 N& W0 O2 p粗糙面 matte side0 z4 K3 l- W1 P1 T7 B7 z$ c! g! X& G處理面 treated side$ 3 y& q. F% n. K0 V防銹處理 stain proofing$ A. S8 v+ k6 L( A4 1 M$ 雙面處理銅箔 double treated foil F+ Y( |/ s* P4 E/ ; L模擬 simulation ! i5 S I: r邏輯模擬 logic simulation - X, E. y3 p* A9 3 G電路模擬 circit simulation - g/ f; Z% D Y, O時序模擬 timing simulation 9 CH& q3 R3 N$ C, K3 n模塊化 modularization 5 C6 Y% o( R* U- u: M0 設(shè)計原點 design origin 6 l4 d2 A: a% N, Z G優(yōu)化（設(shè)計） optimi