2016中級維修電工四級模擬練習題(4)電子技術(shù)與電氣測量.docVIP

四、電子技術(shù)與電氣測量1.測量電壓時應將電壓表（B）電路。A、串聯(lián)接入 B、并聯(lián)接入 C、并聯(lián)接入或串聯(lián)接入 D、混聯(lián)接入2.測量電流時應將電流表（A）電路。A、串聯(lián)接入 B、并聯(lián)接入 C、并聯(lián)接入或串聯(lián)接入 D、混聯(lián)接入3.當二極管外加電壓時，反向電流很小，且不隨（D）變化。A.正向電流 B.正向電壓 C.電壓 D.反向電壓4.點接觸型二極管應用于（C ）。A、整流 B、穩(wěn)壓 C、開關(guān) D、光敏5.點接觸型二極管可工作于(A )電路。 A、高頻 B、低頻 C、中頻 D、全頻6.三極管是由三層半導體材料組成的，有三個區(qū)域，中間的一層為（A）。A、基區(qū) B、柵區(qū) C、集電區(qū) D、發(fā)射區(qū)7用萬用表檢測某二極管時，發(fā)現(xiàn)其正、反電阻均約等于1K，說明該二極管(A)。 A、已經(jīng)擊穿 B、完好狀態(tài) C、內(nèi)部老化不通 D、無法判斷82.0 級準確度的直流單臂電橋表示測量電阻的誤差不超過(B )。A、0.2% B、2% C、20% D、0.02%9.調(diào)節(jié)電橋平衡時，若檢流計指針向標有“-”的方向偏轉(zhuǎn)時，說明（C）A、通過檢流計電流大、應增大比較臂的電阻B、通過檢流計電流小、應增大比較臂的電阻C、通過檢流計電流小、應減小比較臂的電阻D、通過檢流計電流小、應減小比較臂的電阻10.調(diào)節(jié)電橋平衡時，若檢流計指針向標有“+”的方向偏轉(zhuǎn)時，說明 (A)。A、通過檢流計電流大、應增大比較臂的電阻 B、通過檢流計電流小、應增大比較臂的電阻 C、通過檢流計電流小、應減小比較臂的電阻 D、通過檢流計電流大、應減小比較臂的電阻11.直流雙臂電橋的測量誤差為（）A、 B、 C、 D、12.直流單臂電橋測量幾歐姆電阻時，比率應選為(A )。 A、0.001 B、0.01 C、0.1 D、113.直流單臂電橋測量十幾歐電阻時，比率應選為（B）A.0.001 B.0.01 C.0.1 D.114.直流單臂電橋用于測量中值電阻，直流雙臂電橋測量電阻在（B）歐以下A.10 B.1 C.20 D.3015.直流單臂電橋測量小阻值電阻時，不能排除(A)，而直流雙臂電橋則可以。A、接線電阻及接觸電阻 B、接線電阻及橋臂電阻 C、橋臂電阻及接觸電阻 D、橋臂電阻及導線電阻16. 直流雙臂電橋達到平衡時，被測電阻值為（A）A.倍率度數(shù)與可調(diào)電阻相乘 B. 倍率度數(shù)與橋臂電阻相乘C. 橋臂電阻與固定電阻相乘 D. 橋臂電阻與可調(diào)電阻相乘17.直流雙臂電橋工作時，具有(A )的特點。 A、電流大 B、電流小 C、電壓大 D、電壓小18.直流單臂電橋使用（C）伏直流電源。A、6 B、5 C、4.5 D、319.直流雙臂電橋為了減少接線及接觸電阻的影響，在接線時要求（A）。A、電流端在電位端外側(cè) B、電流端在電位端內(nèi)側(cè) C、電流端在電阻端外側(cè) D、電流端在電阻端的內(nèi)側(cè)。20、示波器中（B）經(jīng)過偏轉(zhuǎn)板時產(chǎn)生偏移A、電荷 B、高速電子束 C、電壓 D、電流21.表示數(shù)字萬用表抗干擾能力的共模抑制比可達(A)A.80120Db B.80Db C.120Db D.4060Db22.示波器的Y軸通道對被測信號進行處理，然后加到示波器的（B）偏轉(zhuǎn)板上。A.水平 B.垂直 C.偏上 D.偏下23.示波器的X軸通道對被測信號進行處理，然后加到示波器的（A）偏轉(zhuǎn)板上。A.水平 B.垂直 C.偏上 D.偏下24.數(shù)字存儲示波器的頻帶最好是測試信號帶寬的（C）倍A.3 B.4 C.6 D525.（B）適合現(xiàn)場工作且要用電池供電的示波器A、臺式示波器 B、手持示波器 C、模擬示波器 D、數(shù)字示波器26.晶體管特性圖示儀零電流開關(guān)是測試管子的（B）A.擊穿電壓、導通電流 B. 擊穿電壓、穿透電流C.反偏電流、穿透電流 D.反偏電壓、導通電流27.晶體管毫伏表測試頻率范圍一般為（D）.。A.5Hz 20MHz B.1KHz10MHz C.500Hz20MHz D.100Hz10MKz28.晶體管型號KS20-8中的8表示(A)A.允許的最高電壓800V B. 允許的最高電壓80VC.允許的最高電壓8V D.允許的最高電壓8Kv29晶體管毫伏表最小量程一般為(B)。 A、10mV B、1mV C、1V D、0.1V30.下列不是晶體管毫伏表的特性是(B )。 A、測量量限大 B、靈敏度低 C、輸入阻抗高 D、輸出電容小31.晶體管毫伏表專用輸入電纜線，其屏蔽層、線芯分別是(B )。A、信號線、接地線 B、接地線、信號線 C、保護線、信號線 D、保護線、接地線32.低頻信號發(fā)生器的輸出有(B )輸出。 A、電壓、電流 B、電壓、功率 C、電流、功率 D、電壓、電阻33.低頻信號發(fā)生器的頻率范圍為(A)。A、20HZ200KHZ B、100HZ1000KHZ C、200HZ2000KHZ D、10HZ2000KHZ34.信號發(fā)生器輸出CMOS 電平為(A)伏。 A、315 B、3 C、5 D、1535.信號發(fā)生器的幅值衰減20dB其表示輸出信號（C）倍。A、衰減20 B、衰減1 C、衰減10 D、衰減10036.測量交流電流應選用（B）電流表。A、磁電系 B、電磁系 C、感應系 D、整流系37.根據(jù)儀表取得讀數(shù)的方法可分為(D )。 A、指針式 B、數(shù)字式 C、記錄式 D、以上都是38.根據(jù)儀表測量對象的名稱分為(A )等。 A、電壓表、電流表、功率表、電度表 B、電壓表、歐姆表、示波器 C、電流表、電壓表、信號發(fā)生器 D、功率表、電流表、示波器39.電工儀表按工作原理分為(D )等。A、磁電系 B、電磁系 C、電動系 D、以上都是40.兆歐表的接線端標有( A)。 A、接地E、線路L、屏蔽G B、接地 N、導通端L、絕緣端G C、接地 E、導通端L、絕緣端G D、接地 N、通電端G、絕緣端L41.當測量電阻值超過量程時，手持式數(shù)字萬用表將顯示（A）A、1 B、 C、0 D、42.手持式數(shù)字萬用表的電源電壓為（D）伏。A、6 B、5 C、4 D、943.78及79系列三端集成穩(wěn)壓電路的封裝通常采用（A）A.TO-220 、TO-202 B.TO-110 、TO-202 C.TO-220 、TO-101 D.TO-110 、TO-22044CW7806 的輸出電壓、最大輸出電流為( A)伏。 A、6V、1.5A B、6V、1A C、6V、0.5A D、6V、0.1A45.CW78L05型三端集成穩(wěn)壓器件的輸出電壓及最大輸出電流為（B）。A、5V、1A B、5V、0.1A C、5V、0.5A D、5V、1.5A46一般三端集成穩(wěn)壓電路工作時，要求輸入電壓比輸出電壓至少高(A )V。 A、2 B、3 C、4 D、1.547.三端集成穩(wěn)壓器件CW317的輸出電壓為（D）伏。A.1.25 B.5 C.20 D.1.253748.三端集成穩(wěn)壓電路W317，其輸出電壓范圍為（A）V。A、1.2537 B、17 C、7 D、649.符合有“1”得“0”，全“0”得“1”的邏輯關(guān)系的邏輯門是（D）。A.或門 B與門 C.非門 D.或非門50.符合有“0”得“0”，全“1”得“1”的邏輯關(guān)系的邏輯門是(B )。A、或門 B、與門 C、非門 D、或非門51.符合有“1”得“1”，全“0”得“0”的邏輯關(guān)系的邏輯門是（A）。A、或門 B、與門 C、非門 D、與非門52.符合有“0”得“1”，全“1”得“0”的邏輯關(guān)系的邏輯門是（D）。A、或門 B、與門 C、非門 D、與非門53.云母制品屬于（A）.A.固體絕緣材料 B.液體絕緣材料 C.氣體絕緣材料 D.導體絕緣材料54.雙向晶閘管是（A）半導體結(jié)構(gòu)。A.四層 B.五層 C.三層 D.兩層55.單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)中有(B )個基極。 A、1 B、2 C、3 D、456.單結(jié)晶體管兩個基極的文字符合是（D）。A. C1、C2 B.D1、D2 C.E1、E2 D.B1、B257.單結(jié)晶體管發(fā)射極的文字符號是(C)。A、C B、D C、E D、F58.單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)中有(C )個PN結(jié)。 A、4 B、3 C、1 D、259.單結(jié)晶體管是一種特殊類型的(D )。 A、場效管 B、晶閘管 C、三極管 D、二極管60普通晶閘管邊上P 層的引出極是(D )。 A、漏極B、陰極C、門極D、陽極61普通晶閘管的額定電流是以工頻(C )電流的平均值來表示的。A、三角波B、方波C、正弦半波D、正弦全波62.普通晶閘管的額定電壓是用（B）表示的。A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、最小值63.電容器上標注的符號22，表示該電容數(shù)值為( B)。A、0.2 B、2.2 C、22 D、0.2264.電容器上標注的符號224表示其容量為22，其單位是(D )。A、F B、f C、mF D、pF65.使用電解電容時(B )。A、負極接高電位，正極接低電位 B、正極接高電位，負極接低電位C、負極接高電位，負極也可以接高電位 D、不分正負極66.集成運放通常有(B )部分組成。A、3 B、4（輸入極、中間極、輸出極、偏置電路） C、5 D、667.理想集成運放輸出電阻為(C)A.10 B.100 C.0 D.1K68.集成運放開環(huán)電壓放大倍數(shù)通常在（C）dB。A、60 B、80 C、80140 D、10069.理想集成運放的差模輸入電阻為(D)。A、1M歐姆 B、2M歐姆 C、3M歐姆 D、無窮大70.下列不是集成運放的非線性應用的是(C )。 A、過零比較器B、滯回比較器C、積分應用D、比較器72集成運放輸入電路通常由(D )構(gòu)成。A、共射放大電路 B、共集電極放大電路 C、共基極放大電路 D、差動放大電路73單片集成功率放大器件的功率通常在(B )瓦左右。 A、10 B、1 C、5 D、874.適合高頻電路應用的電路是(C )。 A、共射極放大電路 B、共集電極放大電路 C、共基極放大電路 D、差動放大電路75.通常信號發(fā)生器能輸出的信號波形有(D )。 A、正弦波 B、三角波 C、矩形波 D、以上都是76.為了增加帶負載能力，常用共集電極放大電路的（B）特性。A.輸入電阻大 B.輸入電阻小 C.輸出電阻大 D.輸出電阻小77輸入電阻最小的放大電路是(C )。 A、共射極放大電路B、共集電極放大電路 C、共基極放大電路D、差動放大電路78.能用于傳遞交流信號，電路結(jié)構(gòu)簡單的耦合方式是(A )。A、阻容耦合 B、變壓器耦合 C、直接耦合 D、電感耦合79.要穩(wěn)定輸出電壓，減少電路輸入電阻應選用(B )負反饋。A、電壓串聯(lián) B、電壓并聯(lián) C、電流串聯(lián) D、電流并聯(lián)80.要穩(wěn)定輸出電流，減小電路輸入電阻應選用(D )負反饋。A、電壓串聯(lián) B、電壓并聯(lián) C、電流串聯(lián) D、電流并聯(lián)81.要穩(wěn)定輸出電流，增大電路輸入電阻應選用(C)負反饋。A、電壓串聯(lián) B、電壓并聯(lián) C、電流串聯(lián) D、電流并聯(lián)串聯(lián)反饋使電路的輸入電阻增加；并聯(lián)反饋使電路的輸入電阻減小；82.射極輸出器 的輸出電阻小，說明該電路的（A）。A帶負載能力強 B. 帶負載能力差 C。減輕前級或信號源負載 D.取信號能力強83.共射極放大電路的輸出電阻比共基極放大電路的輸出電阻是(B)。A.大 B.小 C.相等 D.不定84.能用于傳遞交流信號且具有阻抗匹配的耦合方式是(B )。A、阻容耦合 B、變壓器耦合 C、直接耦合 D、電感耦合85.串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的取樣電路 與負載的關(guān)系為(B)連接。A.串聯(lián) B.并聯(lián) C.混連 D.星型86串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的調(diào)整管接成(B )電路形式。 A、共基極 B、共集電極 C、共射極 D、分壓式共射極87.常用的穩(wěn)壓電路有（D）等。A、穩(wěn)壓管并聯(lián)型穩(wěn)壓電路 B、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路 C、開關(guān)型穩(wěn)壓電路 D、以上都是88.基本放大電路中，經(jīng)過晶體管的信號有( B)。 A、直流成分 B、交流成分 C、交直流成分 D、高頻成分89. 處于截止狀態(tài)的三極管，其工作狀態(tài)為(B )。A、射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 B、射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏C、射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 D、射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏90.分壓式偏置共射放大電路，穩(wěn)定工作點效果受（C）影響。A.RC B.RB C.RE D.Uce91.固定偏置共射放大電路出現(xiàn)截止失真，是(B )。 A、RB 偏小 B、RB 偏大 C、Rc 偏小D、 Rc 偏大92.分壓式偏置共射極放大電路，更換大管子，其靜態(tài)值會（C）A、增大 B、變小 C、不變 D、無法確定93基極電流iB 的數(shù)值較大時，易引起靜態(tài)工作點Q 接近(B)。A、截止區(qū)B、飽和區(qū)C、死區(qū)D、交越失真94固定偏置共射極放大電路，已知RB=300K，RC=4K，Vcc=12V，=50，則UCEQ 為(B)V 。A、6 B、4 C、3 D、895.分壓式偏置共射放大電路，當溫度升高時，其靜態(tài)值IBQ 會(B ) 。A、增大 B、變小 C、不變 D、無法確定96分壓式偏置共射極放大電路，穩(wěn)定工作點效果受(C)影響。A、RC B、RB C、RE D、UCC97.基極電流iB 的數(shù)值較大時，易引起靜態(tài)工作點Q 接近(B)。A、截止區(qū)B、飽和區(qū)C、死區(qū)D、交越失真98.放大電路的靜態(tài)工作點的偏低易導致信號波形出現(xiàn)（A）失真。A、截止 B、飽和 C、交越 D、非線性99.下列集成運放的應用能將矩形波變成尖頂脈沖波的是（C）A、比例應用 B、加法應用 C、微分應用 D、比較強100.多級放大電路之間，常用共集電極放大電路，是利用其(C )特性。A、輸入電阻大、輸出電阻大B、輸入電阻小、輸出電阻大C、輸入電阻大、輸出電阻小D、輸入電阻小、輸出電阻小101.單相橋式整流電路的變壓器二次側(cè)電壓為20 伏，每個整流二極管所承受的最大反向電 壓為( B)。A、20V B、28V C、40V D、 56V102.RC選頻振蕩電路適合( B)KHz以下的低頻電路。 A、1000 B、200 C、100 D、50103RC 選頻振蕩電路，當電路發(fā)生諧振時，選頻電路的幅值為( D)。A、2 B、1 C、1/2 D、1/3104.RC選頻振蕩電路，當電路發(fā)生諧振時，選頻電路的相位移為（D）度。A、90 B、180 C、0 D、-90105.RC選頻振蕩電路，能測試電路振蕩的放大電路的放大倍數(shù)至少為（B）。A.10 B.3 C.5 D.20106.LC 選頻振蕩電路，