計(jì)算機(jī)硬件基礎(chǔ)知識(shí)及故障處理.ppt

計(jì)算機(jī)主要硬件原理及故障處理 周琦 1 硬盤的基礎(chǔ)知識(shí)及常見故障處理2 CPU基礎(chǔ)知識(shí)及常見故障處理3 內(nèi)存的基礎(chǔ)知識(shí)及常見故障處理4 操作系統(tǒng)常見故障及處理5 計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)基本知識(shí) 1 硬盤的基礎(chǔ)知識(shí)及故障處1 1硬盤的組成原理1 2硬盤故障及處理 1 1 1硬盤的組成原理硬盤基本上由控制電路板和盤體兩大部分組成 控制電路板由接口 DSP處理器 ROM 緩存 磁頭驅(qū)動(dòng)電路和盤片電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等組成 接口有電源接口和數(shù)據(jù)接口及硬盤內(nèi)部的盤片電機(jī)接口 磁頭接口 電源接口提供硬盤工作所需要的電流 數(shù)據(jù)接口提供與計(jì)算機(jī)交換數(shù)據(jù)的通道 盤片電機(jī)接口提供盤片電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)所需的電流 磁頭接口用于提供電路板到磁頭和音圈電機(jī)的信號(hào)連接 DSP處理器用于控制信號(hào)和數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換 編碼等操作 ROM中存儲(chǔ)了硬盤初始化操作的部分程序 有的ROM為獨(dú)立的芯片 可能是EPROM FLASH等 有的集成到了DSP中 緩存用于暫存盤體和接口交換的數(shù)據(jù) 以解決接口速度和硬盤內(nèi)部讀寫速度的差別 緩存的大小對硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率有一定的影響 隨著硬盤的不斷發(fā)展 緩存的容量也在不斷增大 磁頭驅(qū)動(dòng)電路負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)磁頭準(zhǔn)確定位和對磁頭信號(hào)進(jìn)行整形放大等 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路負(fù)責(zé)精確控制盤片的轉(zhuǎn)速 盤體由盤腔 上蓋 盤片電機(jī) 盤片 磁頭 音圈電機(jī)和其它的輔助組件組成 盤腔一般由鋁合金鑄造后機(jī)械加工而成 盤體的其它組件都直接或間接安裝在盤腔上面 盤腔上還有將硬盤安裝到其它設(shè)備上的螺絲孔 上蓋一般由鋁合金或軟磁金屬材料加工而成 有的是單層的 有的是由多層材料粘合而成 它的主要作用是與盤腔一起構(gòu)成一個(gè)相對密封的整體 基本上都是用螺釘與盤腔連接 為了保證密封 上蓋與盤腔的結(jié)合面一般都有密封墊圈 盤片電機(jī)的主要作用就是帶動(dòng)盤片旋轉(zhuǎn) 在控制電路板上的盤片電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的控制下 盤片電機(jī)帶動(dòng)盤片以設(shè)定的速度轉(zhuǎn)動(dòng) 盤片電機(jī)的轉(zhuǎn)速由原來低于4000轉(zhuǎn) 分 發(fā)展到現(xiàn)在的10000轉(zhuǎn) 分 甚至15000轉(zhuǎn) 分 盤片轉(zhuǎn)速的提高直接決定著硬盤的尋道時(shí)間 當(dāng)然 在提高轉(zhuǎn)速的同時(shí) 硬盤的發(fā)熱量 振動(dòng) 噪聲等也會(huì)對硬盤的穩(wěn)定工作產(chǎn)生影響 所以一些新的技術(shù)也不斷應(yīng)用到盤片電機(jī)上 由最初的滾珠軸承電機(jī)發(fā)展到現(xiàn)在的液態(tài)軸承電機(jī) 硬盤的盤片是硬盤的核心組件之一 不同的硬盤可能有不同的盤片數(shù)量 所有的數(shù)據(jù)都是存儲(chǔ)在盤片上的 盤片是在鋁合金或玻璃基底上涂敷很薄的磁性材料 保護(hù)材料和潤滑材料等多種不同功能的材料層加工而成 其中磁性材料的物理性能和磁層結(jié)構(gòu)直接影響著數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)密度和所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性 為了提高存儲(chǔ)密度 防止超順磁效應(yīng)的發(fā)生 各相關(guān)機(jī)構(gòu)進(jìn)行了大量的研究工作 不斷改進(jìn)磁層的物理性能和磁層結(jié)構(gòu) 磁記錄層的記錄方式也由以前的縱向磁記錄發(fā)展到現(xiàn)在的垂直磁記錄 在硬盤出廠前 會(huì)在盤片上寫入伺服信息 將硬盤的盤面劃分成一個(gè)一個(gè)的同心圓 稱為磁道 多個(gè)盤片的相同位置的磁道形成了一個(gè)同心圓柱 這就是硬盤的柱面 在每個(gè)磁道上又劃分出相同存儲(chǔ)容量的扇區(qū)作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的最小單位 要讓硬盤正常工作 硬盤必須有相應(yīng)的初始化和管理程序 其中有部分寫在盤片的特定區(qū)域 這就是我們常說的固件區(qū) 對于不同的硬盤 這個(gè)區(qū)域的物理位置是不同的 所記錄的程序的數(shù)量和功能也有差別 由于生產(chǎn)過程中不可能保證整個(gè)盤片完全一致 必然有少部分扇區(qū)無法穩(wěn)定讀寫數(shù)據(jù) 這就是我們所說的壞道 在每個(gè)硬盤出廠前都要進(jìn)行老化試驗(yàn) 將壞道的位置寫入硬盤固件區(qū)的工廠壞道表 p List 中 同時(shí)在硬盤使用過程中 有少量的扇區(qū)由于種種原因可能也無法正確讀寫數(shù)據(jù) 這些壞道的位置也可以寫入到硬盤固件區(qū)的增長壞道表 G List 中 磁頭也是硬盤的核心組件 磁頭的性能對硬盤的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度和內(nèi)部傳輸率有很大的影響 磁頭最早應(yīng)用的是鐵磁物質(zhì) 1979年發(fā)明了薄膜磁頭 使硬盤進(jìn)一步減小體積 增大容量 提高讀寫速度成為了可能 80年代末期IBM研發(fā)了MR磁阻磁頭 后來又研發(fā)了GMR巨磁阻磁頭 現(xiàn)在的硬盤都是采用GMR磁頭 是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù) 磁頭在工作的過程中并不與盤片接觸 而是在盤片高速旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)的空氣動(dòng)力的作用下以很低的高度在盤片上面飛行 為了提高磁頭的靈敏度 磁頭的飛行高度在不斷降低 磁頭一般跟金屬磁頭臂 音圈電機(jī)線圈和預(yù)放電路等組成一個(gè)組件 磁頭在音圈電機(jī)的帶動(dòng)下根據(jù)讀寫數(shù)據(jù)的需要做往復(fù)運(yùn)動(dòng)來定位數(shù)據(jù)所在的磁道 由于磁頭需要靠盤片旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)的空氣動(dòng)力來飛行 那么在硬盤不工作或盤片電機(jī)的轉(zhuǎn)速還沒有達(dá)到預(yù)定值時(shí) 磁頭無法飛行 而磁頭的讀寫面和盤片都很光滑 如果他們直接接觸必然導(dǎo)致粘連而妨礙盤片起轉(zhuǎn)或?qū)е麓蓬^和盤片損傷 為此磁頭在不工作時(shí)需要停泊在數(shù)據(jù)區(qū)以外的區(qū)域 硬盤有兩種方式來滿足這個(gè)要求 第一種方式是在盤片內(nèi)側(cè)開辟一個(gè)環(huán)形的磁頭停泊區(qū) 磁頭不工作時(shí)停泊在這個(gè)地方 為了防止粘連 停泊區(qū)被有意加工成帶有一定粗糙度的區(qū)域 以便磁頭停泊在這里時(shí)磁頭和盤片之間有一定的空氣 但這樣必然導(dǎo)致硬盤啟停時(shí)磁頭和盤片要發(fā)生較嚴(yán)重的摩擦而損傷磁頭 所以硬盤還有一個(gè)啟停次數(shù)的指標(biāo) 第二種方式是在盤片的外面安裝一個(gè)磁頭停泊架 當(dāng)磁頭不工作時(shí)停泊在停泊架上 這樣正常情況下磁頭永遠(yuǎn)也不會(huì)和盤片表面接觸 也就不存在啟停次數(shù)的問題 為了防止硬盤不工作時(shí)發(fā)生意外 不同的硬盤還設(shè)計(jì)了不同的磁頭鎖定機(jī)構(gòu) 當(dāng)硬盤不工作或盤片沒有達(dá)到預(yù)定轉(zhuǎn)速時(shí) 磁頭鎖定機(jī)構(gòu)將磁頭鎖定在停泊位置 有時(shí)我們在晃動(dòng)硬盤時(shí)硬盤里有響聲 就是由磁頭鎖定機(jī)構(gòu)發(fā)出的 為了防止磁頭工作時(shí)出現(xiàn)意外而導(dǎo)致磁頭撞擊盤片電機(jī)的主軸或移動(dòng)到盤片或停泊架以外 還設(shè)計(jì)有磁頭限位裝置 音圈電機(jī)由一到兩個(gè)高磁場強(qiáng)度的磁體及外圍的磁鋼組成封閉磁場和音圈電機(jī)線圈組成 在磁頭驅(qū)動(dòng)電路的控制下 依讀寫數(shù)據(jù)的要求 帶動(dòng)磁頭在盤片上方作往復(fù)運(yùn)動(dòng)使磁頭定位在需要的數(shù)據(jù)磁道上 硬盤通電以后 DSP首先運(yùn)行ROM中的程序 部分硬盤會(huì)檢查各部件的完整性 然后盤片電機(jī)起轉(zhuǎn) 當(dāng)轉(zhuǎn)速達(dá)到預(yù)定轉(zhuǎn)速時(shí) 磁頭開始動(dòng)作定位到盤片的固件區(qū) 讀取硬盤的固件程序和壞道表 固件區(qū)在硬盤上的物理位置并不是一定的 完全由硬盤的設(shè)計(jì)決定 同時(shí) 并不是所有的固件都一定要寫在盤片上 在硬盤的所有固件中 只有硬盤的密碼是一定寫在其固件區(qū)的 部分硬盤會(huì)先將ROM中記憶的系列號(hào)與盤片上的進(jìn)行比較 如果不一致 硬盤會(huì)終止初始化工作 如果固件的關(guān)鍵扇區(qū)或文件損壞 硬盤可能出現(xiàn)敲盤 不能被BIOS識(shí)別或識(shí)別錯(cuò)誤等故障 當(dāng)所有必須的固件正常讀出后 磁頭會(huì)定位到硬盤的0柱面 0磁頭 1扇區(qū) 也就是我們常說的0道 一般來說 硬盤的0磁頭位于靠近盤片電機(jī)也就是硬盤的底部 而0道靠近盤片的邊緣 然后我們才能對硬盤進(jìn)行操作 1 2 1硬盤故障及處理 1 什么是硬盤的邏輯鎖以及如何解除 硬盤邏輯鎖 是一種很常見的惡作劇手段 中了邏輯鎖之后 無論使用什么設(shè)備都不能正常引導(dǎo)系統(tǒng) 甚至是軟盤 光驅(qū) 掛雙硬盤都一樣沒有任何作用 邏輯鎖 的上鎖原理 計(jì)算機(jī)在引導(dǎo)DOS系統(tǒng)時(shí)將會(huì)搜索所有邏輯盤的順序 當(dāng)DOS被引導(dǎo)時(shí) 首先要去找主引導(dǎo)扇區(qū)的分區(qū)表信息 然后查找各擴(kuò)展分區(qū)的邏輯盤 邏輯鎖 修改了正常的主引導(dǎo)分區(qū)記錄 將擴(kuò)展分區(qū)的第一個(gè)邏輯盤指向自己 使得DOS在啟動(dòng)時(shí)查找到第一個(gè)邏輯盤后 查找下個(gè)邏輯盤總是找到自己 這樣一來就形成了死循環(huán) 下面介紹兩種比較簡單和安全的處理方法 方法一 修改DOS啟動(dòng)文件首先準(zhǔn)備一張啟動(dòng)盤 然后在其他正常的機(jī)器上使用二進(jìn)制編輯工具 推薦UltraEdit 修改軟盤上的IO SYS文件 修改前記住先將該文件的屬性改為正常 具體是在這個(gè)文件里面搜索第一個(gè) 55AA 字符串 找到以后修改為任何其他數(shù)值即可 用這張修改過的系統(tǒng)軟盤你就可以順利地帶著被鎖的硬盤啟動(dòng)了 不過這時(shí)由于該硬盤正常的分區(qū)表已經(jīng)被破壞 你無法用 Fdisk 來刪除和修改分區(qū) 這時(shí)你可以用Diskman等軟件恢復(fù)或重建分區(qū)即可 方法二 巧設(shè)BIOS用DM解鎖 DM軟件是不依賴于主板BIOS的硬盤識(shí)別安裝軟件 所以在不能識(shí)別大硬盤的老主板上也可用DM來安裝使用大容量硬盤 就算在BIOS中將硬盤設(shè)為 NONE DM也可識(shí)別并處理硬盤 首先要找到和硬盤配套的DM軟件 然后把DM拷到一張系統(tǒng)盤上 安上被鎖硬盤 開機(jī) 按住DEL鍵 進(jìn)CMOS設(shè)置 將所有IDE硬盤設(shè)為NONE 保存設(shè)置 重啟動(dòng) 這時(shí)系統(tǒng)即可 帶鎖 啟動(dòng) 啟動(dòng)后運(yùn)行DM 你會(huì)發(fā)現(xiàn)DM可以繞過BIOS 識(shí)別出硬盤 選中該硬盤 分區(qū)格式化 不過這種方法的弱點(diǎn)是硬盤上的數(shù)據(jù)將全部丟失 怎樣修復(fù)DBR引導(dǎo)記錄 當(dāng)機(jī)器啟動(dòng)的時(shí)候 屏幕上顯示 VerifyingDMAPoolData 時(shí)死機(jī) 如果用軟盤啟動(dòng)試圖訪問邏輯盤時(shí) DIR命令后將顯示如下信息 InvalidmediatypereadingdriveC Abort Retry Fail 如果是主引導(dǎo)扇區(qū)MBR故障 往往在使用軟盤啟動(dòng)試圖列表邏輯盤目錄的時(shí)候報(bào)出 Invaliddrivespecification 的錯(cuò)誤信息 所以這是由于DOS引導(dǎo)記錄DBR損壞造成的無法啟動(dòng) 解決DOS引導(dǎo)記錄故障可以用DOS Windows系統(tǒng)的命令SYS重新傳輸系統(tǒng)來解決 具體方法是 使用相應(yīng)操作系統(tǒng)的相同版本軟盤啟動(dòng)機(jī)器 然后在DOS提示符下鍵入命令 A SYSC 當(dāng)屏幕上出現(xiàn) Systemtransferred 的提示信息 則說明系統(tǒng)傳輸成功 這個(gè)命令將重寫DBR記錄和三個(gè)系統(tǒng)文件 IO SYS MSDOS SYS COMMAND COM 但不覆蓋或改變硬盤上的其他文件 因此 這個(gè)命令的使用非常安全 啟動(dòng)機(jī)器后 可以正常引導(dǎo)操作系統(tǒng)了 如果執(zhí)行 A SYSC 命令的時(shí)候出現(xiàn) Nosystemdefaultdrive 的信息 則說明A盤上沒有相應(yīng)的三個(gè)系統(tǒng)文件 傳輸系統(tǒng)的另外一個(gè)方法是使用DOS格式化命令 FORMATC S 不過 這種方法將會(huì)導(dǎo)致該盤上原有的所有文件全部丟失 3 硬盤零扇區(qū)損壞 系統(tǒng)提示 TRACK0BAD DISKUNUSABLE 對于硬盤0扇區(qū)損壞處理的基本思路是設(shè)法把損壞的0扇區(qū)屏蔽起來 并且用1扇區(qū)來代替 使用PCTOOLS9 0中的DiskEdit 運(yùn)行DE 打開Select菜單 這時(shí)會(huì)出現(xiàn)PartitionTable 選中并進(jìn)入 之后出現(xiàn)硬盤分區(qū)表信息 1分區(qū)就是C盤 該分區(qū)是從硬盤的0柱面開始的 那么 將1分區(qū)的BeginningCylinder的0改成1就可以了 保存后退出 重新啟動(dòng) 記住按Delete鍵進(jìn)入CMOS設(shè)置 重新執(zhí)行 IDEAUTODETECT 保存后退出 重新分區(qū) 格式化即可能修復(fù) 4 硬盤引導(dǎo)故障如何處理 開機(jī)時(shí)總會(huì)顯示 Primarymasterharddiskfail CMOS提示按F1 但按F1后就顯示 DISKBOOTFAIL 始終不能進(jìn)入系統(tǒng) 從系統(tǒng)提示可以看出故障原因是硬盤引導(dǎo)出錯(cuò) 出現(xiàn)這種錯(cuò)誤的原因一般有三種可能 硬盤主引導(dǎo)記錄被破壞 如果你的硬盤被分為多個(gè)分區(qū) 可能是引導(dǎo)分區(qū)的引導(dǎo)扇區(qū)被破壞 從硬件的角度看 電源工作不穩(wěn)定或者容量不足 第一和第二兩種故障可能是病毒所致或者是硬盤讀寫過程中掉電所致 具體處理辦法如下 把故障硬盤作為第二硬盤掛到其它計(jì)算機(jī)上面 看看能否正常讀寫 如果能夠正常讀寫說明分區(qū)表本身還是好的 可以用帶以下參數(shù)的FDISK命令修復(fù) FDISK命令有三個(gè)幫助文檔未見的參數(shù) 分別為 MBR PRI EXT 其作用是重寫主引導(dǎo)記錄 重寫DOS基本分區(qū)引導(dǎo)記錄和重寫DOS擴(kuò)展分區(qū)引導(dǎo)記錄 如果分區(qū)表損壞 可以用諾頓磁盤修復(fù)軟件進(jìn)行恢復(fù) 也可以用FDISK命令重新分區(qū)處理 但是這樣做之前應(yīng)該對盤中的原有數(shù)據(jù)作備份 否則盤中原有的數(shù)據(jù)就被徹底破壞了 5 開機(jī)時(shí)提示 InvalidPartitionTable 錯(cuò)誤 使用軟盤可以啟動(dòng) 并能夠識(shí)別硬盤 出現(xiàn)這種故障的可能是硬盤主引導(dǎo)記錄的分區(qū)表出現(xiàn)了錯(cuò)誤 例如被病毒破壞 出現(xiàn)了多個(gè)啟動(dòng)分區(qū)等等 對于此類問題 最安全有效的方法是使用以前備份的正確分區(qū)表覆蓋當(dāng)前內(nèi)容 如果以前沒有進(jìn)行過備份 可以嘗試使用軟件進(jìn)行修復(fù) 例如諾頓的 磁盤醫(yī)生 NDD 根據(jù)程序的提示對磁盤進(jìn)行檢查 修復(fù)即可 如果是病毒導(dǎo)致的錯(cuò)誤 首先應(yīng)使用殺毒軟件清除病毒 如果提示 解決分區(qū)表錯(cuò)誤 還有一個(gè)有效但比較危險(xiǎn)的方法 使用Fdisk重新分區(qū) 但一定要和原來的分區(qū)情況完全一樣 否則磁盤數(shù)據(jù)將完全丟失 分區(qū)后不進(jìn)行格式化 直接使用NDD之類的軟件進(jìn)行修復(fù) 這樣 磁盤上的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失 僅相當(dāng)于用正確的分區(qū)信息覆蓋了存在錯(cuò)誤的分區(qū)表 6 系統(tǒng)無法正常啟動(dòng) 出現(xiàn)錯(cuò)誤提示 ErrorLoadingOperatingSystem 錯(cuò)誤信息大意為 加載操作系統(tǒng)失敗 出現(xiàn)此錯(cuò)誤現(xiàn)象的原因一般是DOS引導(dǎo)記錄出現(xiàn)錯(cuò)誤 系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí) 主引導(dǎo)程序檢查分區(qū)表后 會(huì)根據(jù)分區(qū)表中的數(shù)據(jù)讀取DOS引導(dǎo)記錄 如果無法正確讀取 就會(huì)給出上面提到的錯(cuò)誤提示 對于此故障 可以嘗試使用NDD等磁盤工具進(jìn)行修復(fù) 如果使用軟件不能修復(fù) 就只能重新進(jìn)行高級格式化了 FormatC s 格式化后可以使用數(shù)據(jù)恢復(fù)軟件對磁盤上的數(shù)據(jù)進(jìn)行恢復(fù) 但存在丟失部分或者全部數(shù)據(jù)的可能 7 開機(jī)后屏幕顯示 Deviceerror 然后又顯示 Non Systemdiskordiskerror Replaceandstrikeanykeywhenready 說明硬盤不能啟動(dòng) 用軟盤啟動(dòng)后 在A 后鍵入C 屏幕顯示 Invaliddrivespecification 系統(tǒng)不認(rèn)硬盤 故障分析及處理 造成該故障的原因一般是CMOS中的硬盤設(shè)置參數(shù)丟失或硬盤類型設(shè)置錯(cuò)誤造成的 進(jìn)入CMOS 檢查硬盤設(shè)置參數(shù)是否丟失或硬盤類型設(shè)置是否錯(cuò)誤 如果確是該種故障 只需將硬盤設(shè)置參數(shù)恢復(fù)或修改過來即可 如果忘了硬盤參數(shù)不會(huì)修改 也可用備份過的CMOS信息進(jìn)行恢復(fù) 如果你沒有備份CMOS信息 有些高檔微機(jī)的CMOS設(shè)置中有 HDDAUTODETECTION 硬盤自動(dòng)檢測 選項(xiàng) 可自動(dòng)檢測出硬盤類型參數(shù) 若無此項(xiàng) 只好打開機(jī)箱 查看硬盤表面標(biāo)簽上的硬盤參數(shù) 照此修改即可 8 硬盤為什么頻繁出現(xiàn)壞簇 硬盤出現(xiàn)壞簇的可能性很多 除了硬盤本身質(zhì)量不好的因素外 同計(jì)算機(jī)的其它硬件設(shè)施和周圍環(huán)境都有關(guān)系 所以無法簡單地判斷硬盤質(zhì)量是否存在問題 建議從以下幾個(gè)方面找找原因 1 電源是否穩(wěn)定 除了檢查計(jì)算機(jī)電源輸出是否穩(wěn)定以外 還要注意盡量避免和功率較大的電器 冰箱 空調(diào)等 在同一電路上 這些電器的啟動(dòng)電流相當(dāng)大 啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的脈沖會(huì)使微機(jī)電壓突然變化 很容易損壞硬盤 2 檢查計(jì)算機(jī)工作的環(huán)境 避免在有震動(dòng) 煙霧 灰塵較重 不適當(dāng)溫度和濕度的環(huán)境下工作 3 檢查硬盤是否已經(jīng)有了物理壞道 可以在格式化后檢查是否有壞簇來判斷 如有物理損傷 最好和經(jīng)銷商聯(lián)系解決問題 4 盡量避免長時(shí)間不停地讀寫硬盤 可以考慮以增加內(nèi)存的方式 避免系統(tǒng)使用硬盤做文件交換區(qū)而不停地讀寫硬盤 5 定期檢查硬盤使用情況 定期地做磁盤掃描 硬盤整理工作 值得注意的是 硬盤整理的次數(shù)不易太頻繁 過于頻繁反而易造成硬盤損壞 整理間隔應(yīng)根據(jù)硬盤使用的情況來定 硬盤使用率不是很高的話 一般兩三月可以整理硬盤一次 小結(jié) 綜上所述 硬盤不能啟動(dòng)大都是由于硬盤上的主引導(dǎo)記錄 DOS引導(dǎo)記錄 三個(gè)系統(tǒng)隱含文件出現(xiàn)錯(cuò)誤導(dǎo)致的 因此平時(shí)要養(yǎng)成備份主引導(dǎo)記錄 DOS引導(dǎo)記錄的好習(xí)慣 關(guān)鍵時(shí)刻才能順利解決問題 預(yù)防軟件引發(fā)的硬盤六大 硬傷 硬盤是計(jì)算機(jī)中最重要的存儲(chǔ)介質(zhì) 關(guān)于硬盤的維護(hù)保養(yǎng) 相信每個(gè)用過電腦的朋友都有所了解 不過 隨著寬帶逐漸普及 大硬盤不斷降價(jià) 硬盤的負(fù)荷也就更大了 在我們看高清晰DVDRip影片 不間斷地BT下載 使用Windows的系統(tǒng)還原功能等等的時(shí)候 這些軟件的應(yīng)用無形中也給硬盤帶來了絕對的 硬傷 硬傷一 編碼錯(cuò)誤的DVDRip現(xiàn)在網(wǎng)上由DVD轉(zhuǎn)錄壓縮的DVDRip格式的影片一般只有700MB 1 3GB大小 影片清晰度和DVD相差無幾 所以相當(dāng)受人歡迎 不過 播放這種格式的影片時(shí)硬盤負(fù)荷也非常大 因?yàn)椴シ臘VDRip就是一個(gè)不斷解碼解壓縮 再輸送到顯示系統(tǒng)的過程 特別是在遇到有編碼錯(cuò)誤的DVDRip文件時(shí) Windows會(huì)出現(xiàn)磁盤占用率非常高的現(xiàn)象 此時(shí) 硬盤燈會(huì)不斷地閃爍 系統(tǒng)響應(yīng)極慢 有時(shí)候甚至?xí)罊C(jī) 很多用戶在此時(shí)非常不耐煩 直接按下機(jī)箱上的Reset鍵甚至是直接關(guān)閉計(jì)算機(jī)電源 在硬盤磁頭沒有正常復(fù)位的情況下 這種操作相當(dāng)危險(xiǎn) 在WindowsXP中自動(dòng)預(yù)覽一些體積較大的ASF WMV等文件時(shí) 如果出現(xiàn)系統(tǒng)速度突然變慢 硬盤燈不斷閃爍等現(xiàn)象 罪魁禍?zhǔn)兹匀皇且曨l文件錯(cuò)誤編碼 緩解方案 解決編碼錯(cuò)誤遇到編碼錯(cuò)誤的視頻文件 最好的方法是通過正常途徑向系統(tǒng)發(fā)出關(guān)機(jī)或重新啟動(dòng)指令 耐心等待系統(tǒng)自己處理完畢后重新啟動(dòng)計(jì)算機(jī) 然后上網(wǎng)搜索一些專門修復(fù)編碼錯(cuò)誤的軟件來修復(fù)這些影片 再進(jìn)行觀看 硬傷二 BT下載BT下載是寬帶時(shí)代新興的P2P交換文件模式 各用戶之間共享資源 互相當(dāng)種子和中繼站 由于每個(gè)用戶的下載和上傳幾乎是同時(shí)進(jìn)行 因此下載的速度非?？?不過 它會(huì)將下載的數(shù)據(jù)直接寫進(jìn)硬盤 因此對硬盤的占用率比FTP下載要大得多 此外 BT下載事先要申請硬盤空間 在下載較大的文件時(shí) 一般會(huì)有2 3分鐘時(shí)間整個(gè)系統(tǒng)優(yōu)先權(quán)全部被申請空間的任務(wù)占用 其他任務(wù)反應(yīng)極慢 有些人為了充分利用帶寬 還會(huì)同時(shí)進(jìn)行幾個(gè)BT下載任務(wù) 此時(shí)就非常容易出現(xiàn)由于磁盤占用率過高而導(dǎo)致的死機(jī)故障 緩解方案 加大系統(tǒng)緩存對于像BT這種線程沒優(yōu)化好 同時(shí)讀取和寫入硬盤的軟件 如果一定要使用 可以通過修改注冊表的方式加大磁盤緩存 以減小硬盤讀寫的頻率 以WindowsXP為例 單擊 開始 運(yùn)行 鍵入Regedit后回車 打開注冊表編輯器 依次展開 HKEY LOCAL MacHINE SYSTEM CurrentControlset Control SessionManager MemoryManagement 分支 新建DWord值 將它命名為 Iopagelocklimit 并將其值設(shè)置為 4000 十六進(jìn)制 即16MB 或 8000 即32MB 這樣硬盤的讀寫頻率會(huì)降低不少 對于BT造成的CPU占用率過高問題 可以通過調(diào)節(jié)任務(wù)的優(yōu)先級來解決 在Windows2000 XP下同時(shí)按下 Ctrl Alt Delete 組合鍵 選擇 任務(wù)管理器 然后單擊 進(jìn)程 選項(xiàng)卡 用鼠標(biāo)右鍵單擊 Btdownloadgui exe 選擇 設(shè)置優(yōu)先級 下低于 標(biāo)準(zhǔn) 的一個(gè)級別即可 硬傷三 PQMagic轉(zhuǎn)換的危險(xiǎn)PQMagic是大名鼎鼎的分區(qū)魔術(shù)師 能在不破壞數(shù)據(jù)的情況下自由調(diào)整分區(qū)大小及格式 不過 PQMagic剛剛推出的時(shí)候 一般用戶的硬盤也就2GB左右 而現(xiàn)在60GB 80GB的硬盤已是隨處可見 PQMagic早就力不從心了 除了容量因素影響外 PQMagic調(diào)整硬盤分區(qū)時(shí) 大量的時(shí)間都花在校驗(yàn)數(shù)據(jù)和檢測硬盤上 可以看出 在這種情況下 無損分區(qū) 是很難保證的 由于轉(zhuǎn)換的速度很慢 耗時(shí)過長 轉(zhuǎn)換調(diào)整過程中 很容易因?yàn)橛?jì)算機(jī)斷電 死機(jī)等因素造成數(shù)據(jù)丟失 這種損失通常是一個(gè)或數(shù)個(gè)分區(qū)丟失 或是容量變得異常 嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致整個(gè)硬盤的數(shù)據(jù)無法讀取 緩解方案 加速PQMagic的操作在PQMagic中打開 常規(guī) 選項(xiàng)下的 PartitionMagic優(yōu)選設(shè)置 將 忽略FAT上的OS 2EA錯(cuò)誤 和 跳過壞扇區(qū)檢查 這兩個(gè)選項(xiàng)均選中 忽略校驗(yàn)數(shù)據(jù)和檢測硬盤的過程 自然會(huì)大大加快PQMagic的速度 當(dāng)然 在使用PQMagic對分區(qū)進(jìn)行操作之前 我們應(yīng)該先用磁盤掃描工具檢查和消除硬盤上的錯(cuò)誤 然后再進(jìn)行分區(qū)轉(zhuǎn)換操作 此外 最好不要用PQMagic調(diào)整帶數(shù)據(jù)的分區(qū) 更不要在調(diào)整分區(qū)容量時(shí)進(jìn)行分區(qū)格式轉(zhuǎn)換 硬傷四 硬盤保護(hù)軟件造成的異常容易造成硬盤異常的 還有硬盤保護(hù)軟件 比如 還原精靈 由于很多人不注意在重裝系統(tǒng)或是重新分區(qū)前將它正常卸載 往往會(huì)發(fā)生系統(tǒng)無法完全安裝等情況 此時(shí)再想安裝并卸載 還原精靈 卻又提示軟件已經(jīng)安裝 無法繼續(xù) 陷入死循環(huán)中 這種故障是由于 還原精靈 接管了INT13中斷 在操作系統(tǒng)之前就控制了硬盤的引導(dǎo) 用FDISK MBR指令也無法解決 本來這只是軟件的故障 但很多人經(jīng)驗(yàn)不足 出了問題會(huì)找各種分區(qū)工具 試驗(yàn) 甚至輕率地低級格式化 在這樣的折騰之下 硬盤很可能提前夭折 緩解方案 巧妙卸載 還原精靈 如果你在重裝系統(tǒng)前忘記了正確卸載 還原精靈 導(dǎo)致無法分區(qū)及安裝系統(tǒng) 那么可嘗試使用以下方法來解決問題 在光驅(qū)中放入 還原精靈 安裝光盤 找到卸載程序Uninst exe并執(zhí)行它 當(dāng)出現(xiàn) 不能運(yùn)行在 要重新啟動(dòng)計(jì)算機(jī)嗎 的提示時(shí) 單擊 確定 重新啟動(dòng)后再安裝 還原精靈 然后再將它卸載 此方法在 還原精靈 5 0 2002 2003等版本上均驗(yàn)證通過 硬傷五 頻繁地整理磁盤碎片磁盤碎片整理和系統(tǒng)還原本來是Windows提供的正常功能 不過如果你頻繁地做這些操作 對硬盤是有害無利的 磁盤整理要對硬盤進(jìn)行底層分析 判斷哪些數(shù)據(jù)可以移動(dòng) 哪些數(shù)據(jù)不可以移動(dòng) 再對文件進(jìn)行分類排序 在正式安排好硬盤數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)前 它會(huì)不斷隨機(jī)讀取寫入數(shù)據(jù)到其他簇 排好順序后再把數(shù)據(jù)移回適當(dāng)位置 這些操作都會(huì)占用大量的CPU和磁盤資源 緩解方案 采用NTFS格式分區(qū)由于NTFS分區(qū)本身的簇很小 不容易產(chǎn)生磁盤碎片 微軟在文件分配表和目錄索引上也作了特殊處理 萬一出錯(cuò)后恢復(fù)文件也較容易 如果要保證系統(tǒng)兼容性 最好不要將引導(dǎo)分區(qū)設(shè)置為NTFS格式 硬傷六 WinXP的自動(dòng)重啟WindowsXP的自動(dòng)重啟功能可以自動(dòng)關(guān)閉無響應(yīng)的進(jìn)程 自動(dòng)退出非法操作的程序 從而減少用戶的操作步驟 不過 這個(gè)功能也有一個(gè)很大的問題 它會(huì)在自動(dòng)重新啟動(dòng)前關(guān)閉硬盤電源 在重新啟動(dòng)機(jī)器的時(shí)候再打開硬盤電源 這樣一來 硬盤在不到10秒的時(shí)間間隔內(nèi) 受到電流兩次沖擊 很可能會(huì)發(fā)生突然 死亡 的故障 為了節(jié)省一些能源而設(shè)置成讓系統(tǒng)自動(dòng)關(guān)閉硬盤 對硬盤來說也是弊大于利的 緩解方案 1 禁用自動(dòng)重啟功能在WindowsXP中用鼠標(biāo)右鍵單擊 我的電腦 選擇 屬性 然后單擊 高級 選項(xiàng)卡 單擊 啟動(dòng)和故障恢復(fù) 按鈕 在打開的界面中將 系統(tǒng)失敗 下面的 自動(dòng)重新啟動(dòng) 前的復(fù)選框清空 2 關(guān)閉硬盤節(jié)能功能先在BIOS中的電源選項(xiàng)中將硬盤節(jié)能全部設(shè)置為 DISABLED 然后在Windows的 控制面板電源選項(xiàng) 中 將 電源方案 下面的 關(guān)閉硬盤 系統(tǒng)待機(jī) 設(shè)置為 從不 要讓系統(tǒng)關(guān)機(jī)和休眠 還是手工控制好一些 2 CPU及其常見故障處理 2 1CPU的基礎(chǔ)知識(shí)2 2CPU常見故障及排除方法 2 1CPU的基礎(chǔ)知識(shí)1 什么是CPU的主頻 外頻 倍頻 主頻 就是CPU的時(shí)鐘頻率 英文全稱為CPUClockSpeed 簡單地說也就是CPU運(yùn)算時(shí)的工作頻率 一般說來 主頻越高 一個(gè)時(shí)鐘周期里面完成的指令數(shù)也越多 當(dāng)然CPU的速度也就越快了 很多人認(rèn)為CPU的主頻指的是CPU運(yùn)行的速度 實(shí)際上這個(gè)認(rèn)識(shí)是很片面的 CPU的主頻表示在CPU內(nèi)數(shù)字脈沖信號(hào)震蕩的速度 與CPU實(shí)際的運(yùn)算能力是沒有直接關(guān)系的 當(dāng)然 主頻和實(shí)際的運(yùn)算速度是有關(guān)的 但是目前還沒有一個(gè)確定的公式能夠?qū)崿F(xiàn)兩者之間的數(shù)值關(guān)系 而且CPU的運(yùn)算速度還要看CPU的流水線的各方面的性能指標(biāo) 由于主頻并不直接代表運(yùn)算速度 所以在一定情況下 很可能會(huì)出現(xiàn)主頻較高的CPU實(shí)際運(yùn)算速度較低的現(xiàn)象 因此主頻僅僅是CPU性能表現(xiàn)的一個(gè)方面 而不代表CPU的整體性能 外頻是CPU的基準(zhǔn)頻率 單位也是MHz 外頻是CPU與主板之間同步運(yùn)行的速度 而且目前的絕大部分電腦系統(tǒng)中外頻也是內(nèi)存與主板之間的同步運(yùn)行的速度 在這種方式下 可以理解為CPU的外頻直接與內(nèi)存相連通 實(shí)現(xiàn)兩者間的同步運(yùn)行狀態(tài) 倍頻系數(shù)是指CPU主頻與外頻之間的相對比例關(guān)系 在相同的外頻下 倍頻越高CPU的頻率也越高 這三者關(guān)系十分密切 主頻 外頻 倍頻 外頻和倍頻決定了CPU將軍內(nèi)部交流速度 2 什么是前端總線 FSB 頻率 前端總線 FrontSideBus 頻率 即總線頻率 是直接影響CPU與內(nèi)存直接數(shù)據(jù)交換速度 由于數(shù)據(jù)傳輸最大帶寬取決于所有同時(shí)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)的寬度和傳輸頻率 即數(shù)據(jù)帶寬 總線頻率 數(shù)據(jù)位寬 8 外頻與前端總線 FSB 頻率的區(qū)別 前端總線的速度指的是數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?外頻是CPU與主板之間同步運(yùn)行的速度 也就是說 100MHz外頻特指數(shù)字脈沖信號(hào)在每秒鐘震蕩一千萬次 而100MHz前端總線指的是每秒鐘CPU可接受的數(shù)據(jù)傳輸量是100MHz 64bit 8Byte bit 800MB s 3 什么是CPU緩存 CPU緩存 CacheMemory 是位于CPU與內(nèi)存之間的臨時(shí)存儲(chǔ)器 它的容量比內(nèi)存小的多 但是交換速度卻比內(nèi)存要快得多 緩存的出現(xiàn)主要是為了解決CPU運(yùn)算速度與內(nèi)存讀寫速度不匹配的矛盾 因?yàn)镃PU運(yùn)算速度要比內(nèi)存讀寫速度快很多 這樣會(huì)使CPU花費(fèi)很長時(shí)間等待數(shù)據(jù)到來或把數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存 在緩存中的數(shù)據(jù)是內(nèi)存中的一小部分 但這一小部分是短時(shí)間內(nèi)CPU即將訪問的 當(dāng)CPU調(diào)用大量數(shù)據(jù)時(shí) 就可避開內(nèi)存直接從緩存中調(diào)用 從而加快讀取速度 由此可見 在CPU中加入緩存是一種高效的解決方案 這樣整個(gè)內(nèi)存儲(chǔ)器 緩存 內(nèi)存 就變成了既有緩存的高速度 又有內(nèi)存的大容量的存儲(chǔ)系統(tǒng)了 緩存對CPU的性能影響很大 主要是因?yàn)镃PU的數(shù)據(jù)交換順序和CPU與緩存間的帶寬引起的 緩存的工作原理是當(dāng)CPU要讀取一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí) 首先從緩存中查找 如果找到就立即讀取并送給CPU處理 如果沒有找到 就用相對慢的速度從內(nèi)存中讀取并送給CPU處理 同時(shí)把這個(gè)數(shù)據(jù)所在的數(shù)據(jù)塊調(diào)入緩存中 可以使得以后對整塊數(shù)據(jù)的讀取都從緩存中進(jìn)行 不必再調(diào)用內(nèi)存 正是這樣的讀取機(jī)制使CPU讀取緩存的命中率非常高 大多數(shù)CPU可達(dá)90 左右 也就是說CPU下一次要讀取的數(shù)據(jù)90 都在緩存中 只有大約10 需要從內(nèi)存讀取 這大大節(jié)省了CPU直接讀取內(nèi)存的時(shí)間 也使CPU讀取數(shù)據(jù)時(shí)基本無需等待 總的來說 CPU讀取數(shù)據(jù)的順序是先緩存后內(nèi)存 目前緩存基本上都是采用SRAM存儲(chǔ)器 SRAM是英文StaticRAM的縮寫 它是一種具有靜志存取功能的存儲(chǔ)器 不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路 每隔一段時(shí)間 固定要對DRAM刷新充電一次 否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失 因此SRAM具有較高的性能 但是SRAM也有它的缺點(diǎn) 即它的集成度較低 相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積 但是SRAM卻需要很大的體積 這也是目前不能將緩存容量做得太大的重要原因 它的特點(diǎn)歸納如下 優(yōu)點(diǎn)是節(jié)能 速度快 不必配合內(nèi)存刷新電路 可提高整體的工作效率 缺點(diǎn)是集成度低 相同的容量體積較大 而且價(jià)格較高 只能少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率 按照數(shù)據(jù)讀取順序和與CPU結(jié)合的緊密程度 CPU緩存可以分為一級緩存 二級緩存 部分高端CPU還具有三級緩存 每一級緩存中所儲(chǔ)存的全部數(shù)據(jù)都是下一級緩存的一部分 這三種緩存的技術(shù)難度和制造成本是相對遞減的 所以其容量也是相對遞增的 當(dāng)CPU要讀取一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí) 首先從一級緩存中查找 如果沒有找到再從二級緩存中查找 如果還是沒有就從三級緩存或內(nèi)存中查找 一般來說 每級緩存的命中率大概都在80 左右 也就是說全部數(shù)據(jù)量的80 都可以在一級緩存中找到 只剩下20 的總數(shù)據(jù)量才需要從二級緩存 三級緩存或內(nèi)存中讀取 由此可見一級緩存是整個(gè)CPU緩存架構(gòu)中最為重要的部分 一級緩存 Level1Cache 簡稱L1Cache 位于CPU內(nèi)核的旁邊 是與CPU結(jié)合最為緊密的CPU緩存 也是歷史上最早出現(xiàn)的CPU緩存 由于一級緩存的技術(shù)難度和制造成本最高 提高容量所帶來的技術(shù)難度增加和成本增加非常大 所帶來的性能提升卻不明顯 性價(jià)比很低 而且現(xiàn)有的一級緩存的命中率已經(jīng)很高 所以一級緩存是所有緩存中容量最小的 比二級緩存要小得多 二級緩存是CPU性能表現(xiàn)的關(guān)鍵之一 在CPU核心不變化的情況下 增加二級緩存容量能使性能大幅度提高 而同一核心的CPU高低端之分往往也是在二級緩存上有差異 由此可見二級緩存對于CPU的重要性 CPU產(chǎn)品中 一級緩存的容量基本在4KB到64KB之間 二級緩存的容量則分為128KB 256KB 512KB 1MB 2MB等 一級緩存容量各產(chǎn)品之間相差不大 而二級緩存容量則是提高CPU性能的關(guān)鍵 二級緩存容量的提升是由CPU制造工藝所決定的 容量增大必然導(dǎo)致CPU內(nèi)部晶體管數(shù)的增加 要在有限的CPU面積上集成更大的緩存 對制造工藝的要求也就越高 雙核心CPU的二級緩存比較特殊 和以前的單核心CPU相比 最重要的就是兩個(gè)內(nèi)核的緩存所保存的數(shù)據(jù)要保持一致 否則就會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤 為了解決這個(gè)問題不同的CPU使用了不同的辦法 Intel雙核心處理器的二級緩存目前Intel的雙核心CPU主要有PentiumD PentiumEE CoreDuo三種 其中PentiumD PentiumEE的二級緩存方式完全相同 PentiumD和PentiumEE的二級緩存都是CPU內(nèi)部兩個(gè)內(nèi)核具有互相獨(dú)立的二級緩存 其中 8xx系列的Smithfield核心CPU為每核心1MB 而9xx系列的Presler核心CPU為每核心2MB 這種CPU內(nèi)部的兩個(gè)內(nèi)核之間的緩存數(shù)據(jù)同步是依靠位于主板北橋芯片上的仲裁單元通過前端總線在兩個(gè)核心之間傳輸來實(shí)現(xiàn)的 所以其數(shù)據(jù)延遲問題比較嚴(yán)重 性能并不盡如人意 CoreDuo使用的核心為Yonah 它的二級緩存則是兩個(gè)核心共享2MB的二級緩存 共享式的二級緩存配合Intel的 Smartcache 共享緩存技術(shù) 實(shí)現(xiàn)了真正意義上的緩存數(shù)據(jù)同步 大幅度降低了數(shù)據(jù)延遲 減少了對前端總線的占用 性能表現(xiàn)不錯(cuò) 是目前雙核心處理器上最先進(jìn)的二級緩存架構(gòu) 今后Intel的雙核心處理器的二級緩存都會(huì)采用這種兩個(gè)內(nèi)核共享二級緩存的 Smartcache 共享緩存技術(shù) AMD雙核心處理器的二級緩存Athlon64X2CPU的核心主要有Manchester和Toledo兩種 他們的二級緩存都是CPU內(nèi)部兩個(gè)內(nèi)核具有互相獨(dú)立的二級緩存 其中 Manchester核心為每核心512KB 而Toledo核心為每核心1MB 處理器內(nèi)部的兩個(gè)內(nèi)核之間的緩存數(shù)據(jù)同步是依靠CPU內(nèi)置的SystemRequestInterface 系統(tǒng)請求接口 SRI 控制 傳輸在CPU內(nèi)部即可實(shí)現(xiàn) 這樣一來 不但CPU資源占用很小 而且不必占用內(nèi)存總線資源 數(shù)據(jù)延遲也比Intel的Smithfield核心和Presler核心大為減少 協(xié)作效率明顯勝過這兩種核心 不過 由于這種方式仍然是兩個(gè)內(nèi)核的緩存相互獨(dú)立 從架構(gòu)上來看也明顯不如以Yonah核心為代表的Intel的共享緩存技術(shù)SmartCache 4 什么是超線程技術(shù) 超線程技術(shù)即 HyperThreading 它可以把系統(tǒng)中的單一物理處理器虛擬成為兩顆邏輯處理器 從而提高系統(tǒng)的工作效率 負(fù)載相對較高的服務(wù)器和工作站一般會(huì)采用對稱多處理器 SMP 的設(shè)計(jì) 以便在執(zhí)行多線程或多任務(wù)操作時(shí)具備更強(qiáng)的運(yùn)算能力 不過 靠增加處理器的數(shù)量來提升臺(tái)式機(jī)性能顯然是不現(xiàn)實(shí)的 畢竟這會(huì)大大增加系統(tǒng)的成本 而Intel推出的這種能夠虛擬多處理器的超線程技術(shù) 無疑是一個(gè)很理想的解決方案 按照Intel官方的說法 超線程技術(shù)可以給系統(tǒng)帶來近30 的性能提升 在實(shí)際應(yīng)用中真的會(huì)有這么大的提高嗎 由于NetBurst架構(gòu)中的運(yùn)算單元沒有被充分地利用 寄存器中的數(shù)據(jù)只能順次地被發(fā)送到運(yùn)算單元中 因此有很多時(shí)間被消耗在調(diào)入數(shù)據(jù)的等待中 引入超線程技術(shù)后 通過往處理器中添加額外的寄存器 可以在更短的時(shí)間內(nèi)把多個(gè)線程的數(shù)據(jù)交錯(cuò)地發(fā)送到運(yùn)算單元中 從而在一定程度上提高系統(tǒng)的工作效率 但是這種設(shè)計(jì)畢竟不同于真正的雙處理器系統(tǒng) 不可能實(shí)現(xiàn)性能的倍增 即便是提升30 的說法 也是體現(xiàn)在一些特殊的應(yīng)用中 如果單單是CPU支持超線程技術(shù)而沒有芯片組 軟件進(jìn)行協(xié)同作戰(zhàn)的話 超線程技術(shù)也是英特爾的一句空話而已 那有哪些芯片組支持超線程技術(shù)呢 Intel方面有850E 845GE 845PE 845GV 845G 845E 新款的845GE 845PE芯片組均可正常支持超線程技術(shù)的使用 而早前的845E以及850E芯片組只要升級BIOS就可以解決支持的問題 5 怎樣超頻才能讓系統(tǒng)穩(wěn)定 其實(shí)超頻的定義是泛指各種電腦周邊的工作速度超過或是降低廠商設(shè)定的預(yù)設(shè)值的意思 并非單獨(dú)指CPU運(yùn)算速度而言 關(guān)于這一點(diǎn)有很多朋友搞錯(cuò)了 其實(shí)CPU的 超頻 只是超頻過程中的一個(gè)主要的小步驟而已 如果只是更改CPU的設(shè)定 其它的設(shè)定沒有更改還是使用原本的設(shè)定值 電腦當(dāng)然會(huì)不穩(wěn)定 因此更改CPU的設(shè)定 其它硬體也必須配合更改設(shè)定 電腦才會(huì)穩(wěn)定 也才算超頻成功 當(dāng)然 在這個(gè)過程是必須花時(shí)間和精力去測試的 并不是改完可以跑就沒事了 其實(shí)廠商在CPU出廠之前也可是經(jīng)過了一連串相當(dāng)繁雜的測試之后確定符合該廠出廠穩(wěn)定的標(biāo)準(zhǔn) 因此朋友們要將電腦超頻使用的話 一定要多花一點(diǎn)時(shí)間作測試 確知穩(wěn)定之后才可正常使用 2 2CPU的常見故障及處理1 CPU故障應(yīng)該怎樣判斷 CPU是電腦中很重要的配件 是一臺(tái)電腦的心臟 同時(shí)它也是集成度很高的配件 可靠性較高 正常使用時(shí)故障率并不高 但是倘若安裝或使用不當(dāng)則可能帶來很多意想不到的麻煩 與CPU有關(guān)的故障是比較好判斷的 一般情況下 CPU出現(xiàn)故障后極容易判斷 往往有以下表現(xiàn) 1 加電后系統(tǒng)沒有任何反映 也就是我們經(jīng)常所說的主機(jī)點(diǎn)不亮 2 電腦頻繁死機(jī) 即使在CMOS或DOS下也會(huì)出現(xiàn)死機(jī)的情況 這種情況在其它配件出現(xiàn)問題 如內(nèi)存等之后也會(huì)出現(xiàn)這種情況 可以利用排除法查找故障出處 3 電腦不斷重啟 特別是開機(jī)不久便連續(xù)出現(xiàn)重啟的現(xiàn)象 4 電腦性能下降 而且下降的程度相當(dāng)大 如果出現(xiàn)上述現(xiàn)象 我們就應(yīng)懷疑這種現(xiàn)象可能與CPU有關(guān)了 CPU故障的處理思路如下 a CPU是否被燒毀 壓壞打開機(jī)箱檢查 取下風(fēng)扇 拿出CPU然后用肉眼檢查CPU是否有被燒毀 壓壞的痕跡 現(xiàn)在采用的封裝CPU 其核心 如P 銅礦 AMD的毒龍 雷鳥 十分嬌嫩 在安裝風(fēng)扇時(shí) 稍不注意 便很容易被壓壞 CPU損壞還有一種現(xiàn)象就是針腳折斷 現(xiàn)在無論是毒龍 雷鳥 還是P P4 采用的都是Socket架構(gòu) CPU通過針腳直接插入主板上的CPU插槽 盡管號(hào)稱是 零插拔力 插槽 但如果插槽質(zhì)量不好 CPU插入時(shí)的阻力還是很大 大家在拆卸或者安裝時(shí)應(yīng)注意保持CPU的平衡 尤其安裝前要注意檢查針腳是否有彎曲 不要一味地用蠻力壓或拔 否則就有可能折斷CPU針腳 b 風(fēng)扇運(yùn)行是否正常CPU運(yùn)行是否正常與CPU風(fēng)扇關(guān)系很大 風(fēng)扇一旦出故障 則很可能導(dǎo)致CPU因溫度過高而被燒壞 平時(shí)使用時(shí) 我們不應(yīng)忽視對CPU風(fēng)扇的保養(yǎng) 比如在氣溫較低的情況下 風(fēng)扇的潤滑油容易失效 導(dǎo)致運(yùn)行噪音大 甚至風(fēng)扇壞掉 這時(shí)我們就應(yīng)該將風(fēng)扇拆下清理并加油 c CPU安裝是否正確注意檢查CPU是否插入到位 尤其是對采用Slot1插槽的CPU 如P 及老P 安裝時(shí)容易安裝不到位 現(xiàn)在的CPU都有定位措施 但仍要檢查CPU插座的固定桿是否固定到位 d 跳線 電壓設(shè)置是否正確尤其是在采用硬跳線的老主板上 稍不注意就可能將CPU的有關(guān)參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤 因此在安裝CPU前 我們應(yīng)細(xì)心閱讀主板說明書 認(rèn)真檢查主板跳線是否正常并與CPU匹配 當(dāng)然現(xiàn)在大多數(shù)主板都能自動(dòng)識(shí)別CPU的類型 然后把CPU的外頻 倍頻及電壓 設(shè)置項(xiàng)改為 Auto 跳線設(shè)置 e 借助Debug卡Debug卡通過讀取80H地址內(nèi)的POSTCODE 并經(jīng)譯碼器譯碼 最后由數(shù)碼管顯示出來 這樣就可以通過Debug卡上顯示的十六進(jìn)制代碼判斷出問題的部件是不是CPU了 而不用僅依靠計(jì)算機(jī)主板那幾聲單調(diào)的警告聲來粗略判斷硬件錯(cuò)誤了 當(dāng)電腦出現(xiàn)運(yùn)行不穩(wěn)定 通電后不能啟動(dòng)等現(xiàn)象時(shí) 如果排除了電源 內(nèi)存以及軟件病毒等因素引發(fā)故障的可能性以后 接下來就需要檢查CPU是否有問題了 由CPU造成的故障表現(xiàn)雖然是多種多樣 但歸納起來也無外乎頻繁死機(jī) 開機(jī)自檢顯示的工作頻率反復(fù)變化 因超頻過度而無法開機(jī) 以及系統(tǒng)加電后沒有任何反應(yīng)等幾種方式 1 頻繁死機(jī)這種故障現(xiàn)象比較常見 主要原因一般是由散熱系統(tǒng)工作不良 CPU與插座接觸不良 BIOS中有關(guān)CPU高溫報(bào)警設(shè)置錯(cuò)誤等造成的 采取的對策主要也是圍繞CPU散熱 插接件是否可靠和檢查BIOS設(shè)置來進(jìn)行 例如 檢查風(fēng)扇是否正常運(yùn)轉(zhuǎn) 必要時(shí)甚至可以更換大排風(fēng)量的風(fēng)扇 檢查散熱片與CPU接觸是否良好 導(dǎo)熱硅脂涂敷得是否均勻 取下CPU檢查插腳與插座的接觸是否可靠 進(jìn)入BIOS設(shè)置調(diào)整溫度保護(hù)點(diǎn)等 2 開機(jī)自檢顯示的工作頻率不正常具體的表現(xiàn)為開機(jī)后CPU工作頻率降低 屏幕顯示 DefaultsCMOSSetupLoaded 的提示 在重新設(shè)置CMOS中的CPU參數(shù)之后 系統(tǒng)可恢復(fù)正常顯示 但故障會(huì)再次出現(xiàn) 產(chǎn)生這種情況與CMOS電池或主板的相應(yīng)電路有關(guān) 遇此故障可遵循先易后難的檢修原則 首先測量主板電池的電壓 如果電壓值低于3伏特 應(yīng)考慮更換CMOS電池 假如更換電池沒多久 故障又出現(xiàn) 則是主板CMOS供電回路的元器件存在漏電 此時(shí)需將主板送修 3 超頻過度造成的無法開機(jī)過度超頻之后 電腦啟動(dòng)時(shí)可能出現(xiàn)散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)正常 而硬盤燈只亮了一下便沒了反應(yīng) 顯示器也維持待機(jī)狀態(tài)的故障 由于此時(shí)已不能進(jìn)入BIOS設(shè)置選項(xiàng) 因此 也就無法給CPU降頻了 遇到這種情況的處理方法有兩種 1 打開機(jī)箱并在主板上找到給CMOS放電的跳線 一般都安排在鈕扣電池的附近 將其設(shè)置在 CMOS放電 位置或者把電池?fù)傅?稍微等待幾分鐘時(shí)間后 再將跳線或電池復(fù)位并重啟電腦即可 2 現(xiàn)在較新的主板大多具有超頻失敗的專用恢復(fù)性措施 比如 可以在開機(jī)時(shí)按住del鍵不放 此時(shí)系統(tǒng)啟動(dòng)后便會(huì)自動(dòng)進(jìn)入BIOS設(shè)置選項(xiàng) 隨后即可進(jìn)行降頻操作 而在一些更為先進(jìn)的主板中 還可在超頻失敗后主動(dòng) 自行恢復(fù) CPU的默認(rèn)運(yùn)行頻率 4 系統(tǒng)加電沒有反應(yīng)一般在遇到這種故障時(shí)可采用 替換法 來確定故障的具體部位 假如消除了主板 電源引發(fā)故障的可能性 則可確定是CPU的問題并多為內(nèi)部電路損壞 倘若如此的話 就只能通過更換CPU來解決了 提示 有些人認(rèn)為CPU散熱風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速越高 散熱的效果越好 其實(shí)這種認(rèn)識(shí)是比較片面的 事實(shí)上風(fēng)扇的散熱能力與扇葉的多少 角度 有效排風(fēng)面積 排風(fēng)量都有著直接的聯(lián)系 而提高轉(zhuǎn)速雖可以提高排風(fēng)量 但會(huì)帶來噪音增大 壽命縮短等問題 因此 在選擇散熱風(fēng)扇時(shí)應(yīng)該綜合考慮 3 內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí)及故障處理3 1內(nèi)存的基礎(chǔ)知識(shí)3 2內(nèi)存常見故障分析及處理 3 1內(nèi)存的基礎(chǔ)知識(shí) 1 什么是內(nèi)存 內(nèi)存其實(shí)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路 按存儲(chǔ)信息的功能可分為只讀存儲(chǔ)器ROM ReadOnlyMemory 可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM ErasableProgrammableROM 和隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM RandomAccessMemory ROM中的信息只能被讀出 而不能被操作者修改或刪除 故一般用于存放固定的程序 如監(jiān)控程序 匯編程序等 EPROM和一般的ROM不同點(diǎn)在于它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內(nèi)容 一般用于軟件的開發(fā)過程 RAM就是我們平常所說的內(nèi)存 主要用來存放各種現(xiàn)場的輸入 輸出數(shù)據(jù) 中間計(jì)算結(jié)果 以及與外部存儲(chǔ)器交換信息和作堆棧用 它的存儲(chǔ)單元根據(jù)具體需要可以讀出 也可以寫入或改寫 由于RAM由電子器件組成 所以只能用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù) 一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電 其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失 現(xiàn)在的RAM多為MOS型半導(dǎo)體電路 它分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種 靜態(tài)RAM靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息 動(dòng)態(tài)RAM則靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息 由于動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高 功耗低 成本也低 適于作大容量存儲(chǔ)器 所以電腦的主內(nèi)存通常采用動(dòng)態(tài)RAM 而高速緩沖存儲(chǔ)器 Cache 則使用靜態(tài)RAM 如CPU中的L2緩存 2 什么是內(nèi)存芯片 也稱 內(nèi)存顆粒 內(nèi)存顆粒加上一些輔助電路再焊在PCB板上就成了一根內(nèi)存條 生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商不多 主要有NEC Hynix APACER SAMSUNG等公司 這些公司除了自己生產(chǎn)成品內(nèi)存條之外 還提供內(nèi)存芯片給其它廠商 于是市場上便有了眾多內(nèi)存品牌 芯片廠商會(huì)在芯片上用激光等方法標(biāo)上品牌 型號(hào)等參數(shù) 因此 理論上我們就能通過識(shí)別這些參數(shù)來了解該內(nèi)存條的容量 工作頻率等信息 3 什么是SPD芯片 SPD的全稱是 SerialPresenceDetect 即 連續(xù)存在偵測 SPD保存了該條內(nèi)存的各種性能參數(shù) 如容量 芯片廠商 工作速度 是否具備ECC校驗(yàn)等等 這些內(nèi)容都是內(nèi)存廠商輸入進(jìn)去的 最后保存在一個(gè)可擦除只讀存儲(chǔ)器 EEPROM 芯片中 當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)后 主板芯片組會(huì)根據(jù)SPD提供的信息 自動(dòng)在主板BIOS中將與內(nèi)存相關(guān)的參數(shù)設(shè)置好 保證內(nèi)存條的正常使用 可見SPD的重要性非同一般 4 什么是SDRAM和DDRSDRAM SDRAM SynchronousDRAM 即 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 這是賽揚(yáng) P 時(shí)代使用范圍最廣泛也是最普通的內(nèi)存了 內(nèi)存其實(shí)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路 DDRSDRAM也就是采用了DDR DoubleDataRateSDRAM雙數(shù)據(jù)速度 技術(shù)的SDRAM 與普通SDRAM相比 它們的時(shí)鐘周期是一樣的 但DDRSDRAM能在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù) 而SDRAM只在信號(hào)的上升沿時(shí)讀取數(shù)據(jù) 因此理論上DDRSDRAM可提供雙倍于SDRAM的速度 這樣也將帶來雙倍的性能 5 什么是DDRII DDR II內(nèi)存將是現(xiàn)有DDR I內(nèi)存的換代產(chǎn)品 它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)為400MHz或更高 從JEDEC 電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合會(huì)議 組織者闡述的DDR II標(biāo)準(zhǔn)來看 針對PC等市場的DDR II內(nèi)存將擁有400 533 667MHz等不同的時(shí)鐘頻率 高端的DDR II內(nèi)存將擁有800 1000MHz兩種頻率 DDR II內(nèi)存將采用240針腳的FBGA封裝形式 最初的DDR II內(nèi)存將采用0 13微米的生產(chǎn)工藝 內(nèi)存顆粒的電壓為1 8V 容量密度為512MB DDR II采用了和DDR I內(nèi)存一樣的指令 但是新技術(shù)將使DDR II內(nèi)存擁有4到8路脈沖的寬度 DDR II標(biāo)準(zhǔn)還提供了4位 8位512MB內(nèi)存1KB的尋址設(shè)置 以及16位512MB內(nèi)存2KB的尋址設(shè)置 DDR II內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)還包括了4位預(yù)取數(shù) pre fetchof4bits 性能 DDR I技術(shù)的預(yù)取數(shù)位只有2位 6 SDRAM與DDRSDRAM有何區(qū)別 DDRSDRAM DoubleDataRateSDRAM 是由JEDEC組織制定的內(nèi)存架構(gòu) 事實(shí)上它是由傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存延伸出來的新技術(shù) SDRAM內(nèi)存只在時(shí)鐘周期的上升沿傳輸數(shù)據(jù) PC133SDRAM傳輸速度為133MHz 數(shù)據(jù)帶寬為1064MB s 而DDRSDRAM內(nèi)存的數(shù)據(jù)線由于采用特殊的電路 它在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù) 同SDRAM一樣 DDRSDRAM也是采用64位并行數(shù)據(jù)總線 在133MHz的時(shí)鐘頻率下 其數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達(dá)PC133的兩倍 為2128MB s即 133MHz 2 64bit 8 2128MB s 因此 從理論上說 DDRSDRAM的性能比傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存提升了一倍 從芯片的外觀上就能看出DDRSDRAM和傳統(tǒng)SDRAM由于電氣結(jié)構(gòu)和電壓