晶體缺陷線缺陷 教育學(xué)習(xí)

第1-6章晶體缺陷,所謂晶體缺陷是指實際晶體與理想晶體之間的點陣結(jié)構(gòu)的差異。晶體缺陷按其在空間的幾何圖像，可分為：,在空間一個方向上尺寸很小，另外兩個方向上尺寸較大，如晶面、界面、表面等。,在空間三維各方向上尺寸都很小，亦稱零維缺陷，如空位、間隙原子和異類原子等。,在兩個方向上尺寸很小，又稱一維缺陷，主要有位錯。,（1）點缺陷,（2）線缺陷,（3）面缺陷,1,優(yōu)選內(nèi)容,復(fù)習(xí)：點缺陷,一、點缺陷的類型-空位和間隙原子,空位,晶體結(jié)構(gòu)中原來應(yīng)該有原子的某些結(jié)點上因某種原因出現(xiàn)了原子空缺而形成。,肖特基空位,脫位原子進(jìn)入其它空位或逐漸遷移至晶面或界面。肖特基空位僅形成空位。,弗蘭克空位,脫位原子擠入節(jié)點的間隙，同時形成間隙原子從而產(chǎn)生間隙原子-空位對。,間隙原子,晶體結(jié)構(gòu)中間隙處因某種原因存在的同種原子。,2,優(yōu)選內(nèi)容,一般晶體中的肖脫基和弗蘭克空位,肖脫基空位,弗蘭克空位,間隙原子,一般晶體（如金屬晶體）中，肖特基空位比弗蘭克空位多得多。,一、點缺陷的類型-空位和間隙原子,3,優(yōu)選內(nèi)容,離子晶體中的肖特基和弗蘭克空位,肖特基空位,弗蘭克空位,一、點缺陷的類型-空位和間隙原子,對于離子晶體，當(dāng)正負(fù)離子尺寸差異較大、結(jié)構(gòu)配位數(shù)較低時，小離子易于移入相鄰的間隙而產(chǎn)生弗蘭克空位；而若離子尺寸相差較小、配位數(shù)較高、排列較密集時，則易于形成肖特基空位。,4,優(yōu)選內(nèi)容,一、點缺陷的類型-外來原子,異類原子進(jìn)入到晶體中而形成。根據(jù)其與基體原子尺寸的差異，既可進(jìn)入間隙位置，又可置換晶格的某些結(jié)點。,異類原子在晶體中的存在情況,5,優(yōu)選內(nèi)容,二、點缺陷的產(chǎn)生,1、平衡點缺陷及其濃度,點缺陷的產(chǎn)生一方面使晶體的內(nèi)能升高，另一方面卻使體系的混亂度增加，使熵值增加。,設(shè)N為晶體的原子總數(shù)，n為晶體中的點缺陷數(shù)，為該類型缺陷的形成能。則點缺陷數(shù)形成后其自由能的變化為：,A=UTS=nTS,由此不難得出其A-n關(guān)系曲線。,6,優(yōu)選內(nèi)容,Ce=ne/N=Aexp(-/kT),二、點缺陷的產(chǎn)生,其中：Ce-某類型點缺陷的平衡濃度；N晶體的原子總數(shù)；A-材料常數(shù)，其值常取1；T-體系所處的熱力學(xué)溫度；k-玻爾茲滿常數(shù)，k值為8.6210-5ev/K。-該類型缺陷的形成能。,1、平衡點缺陷及其濃度,7,優(yōu)選內(nèi)容,二、點缺陷的產(chǎn)生,1、平衡點缺陷及其濃度,在一定溫度下并非所有的原子都能離開平衡位置形成缺陷，只有比原子的平均能量高出缺陷形成能的那部分原子才能形成點缺陷。,點缺陷在晶體中必然會存在。在一定的溫度條件下，晶體中存在一定濃度的點缺陷以使其處于最低的能量狀態(tài)，使結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。,溫度升高，則晶體中原子的熱運動加劇，點缺陷濃度增大。,8,優(yōu)選內(nèi)容,2、過飽和點缺陷,二、點缺陷的產(chǎn)生,（2）過飽和點缺陷可通過高溫淬火、輻照、冷加工等產(chǎn)生。,（1）指晶體中點缺陷的數(shù)目明顯超過其平衡值、處于過飽和狀態(tài)。,3、點缺陷與材料的行為,（1）點缺陷的存在及其運動是晶體中擴(kuò)散得以實現(xiàn)的根本原因；,（2）點缺陷導(dǎo)致材料物理和力學(xué)性能的改變。材料在使用過程中點缺陷的濃度的變化可使材料的性能發(fā)生相應(yīng)改變，從而對其使用產(chǎn)生影響。,9,優(yōu)選內(nèi)容,第二節(jié)位錯的基本概念,人們最初認(rèn)為晶體是通過剛性滑移而產(chǎn)生塑性變形的。,一、位錯概念的引入,晶體的這種滑動方式需同時破壞滑移面上所有原子鍵。,理論計算所需臨界切應(yīng)力:m=G/30,1、理想晶體的剛性滑移模型,10,優(yōu)選內(nèi)容,實際上使晶體產(chǎn)生滑移所需的臨界切應(yīng)力只為理論值的百分之一到萬分之一。,實際晶體的內(nèi)部一定存在著某中缺陷-位錯，晶體的滑移正是借助于其內(nèi)部位錯的運動來實現(xiàn)，從而使材料在遠(yuǎn)低于其理論屈服強(qiáng)度時就產(chǎn)生滑移。,位錯是晶體中存在的原子面的錯排，即晶體中存在的不完全的原子面，是一種線缺陷。,一、位錯概念的引入,2、實際晶體中存在位錯的假設(shè),11,優(yōu)選內(nèi)容,赫希（Hirsch）等應(yīng)用相襯法在TEM中直接觀察到了晶體中的位錯。,（Ni，F(xiàn)e）Al金屬間化合物中亞晶界處位錯的TEM,12,優(yōu)選內(nèi)容,3、實際晶體中的位錯滑移模型,晶體的滑移借助于晶體中存在的一半原子面而產(chǎn)生的位錯的運動來完成。晶體滑移的任一瞬間僅需破壞一個原子鍵。計算所需切應(yīng)力與實際值相符，晶體中存在位錯的假設(shè)成立！,一、位錯概念的引入,13,優(yōu)選內(nèi)容,二、位錯的基本類型刃型位錯,刃型位錯的原子模型,晶體中原子面的錯排-半原子面的出現(xiàn)而形成，有正、負(fù)位錯之分。,稱半原子面的邊緣線EF為位錯線。,半原子面的存在在晶體中產(chǎn)生畸變，畸變區(qū)為以半原子面的邊緣線EF為中心的線型區(qū)域。,14,優(yōu)選內(nèi)容,刃型位錯的位錯線垂直于滑移方向！,位錯線不能終止于晶體內(nèi)部，只能在晶體表面露頭、終止于晶界或相界、與其它位錯線相交、自行形成封閉的環(huán)！P26幾種形狀的位錯線1-35,位錯線是未滑移區(qū)與已滑移區(qū)的邊界！,晶體的局部滑移形成刃型位錯示意圖,15,優(yōu)選內(nèi)容,二、位錯的基本類型螺型位錯,螺型位錯有左右之分！,螺型位錯的位錯線與滑移方向平行！,BC左邊晶體上下完全吻合，而aa右邊晶體在作用下上下正好滑移一個晶格常數(shù)，過渡區(qū)晶體滑移小于一個晶格常數(shù)而產(chǎn)生畸變。BC為位錯線！,位錯線是未滑移區(qū)與已滑移區(qū)的邊界！位錯線不能終止于晶體內(nèi)部，只能在晶體表面露頭、終止于晶界或相界、與其它位錯線相交、自行形成封閉的環(huán)！,16,優(yōu)選內(nèi)容,二、位錯的基本類型混合位錯,混合位錯的位錯線與滑移方向既不垂直也不平行！,混合位錯可看出是刃型為位錯和螺型位錯的組合或疊加！可分解成刃型位錯和螺型位錯兩部分！,位錯線,17,優(yōu)選內(nèi)容,18,優(yōu)選內(nèi)容,三、位錯的柏氏矢量,用來反映位錯點陣畸變特征的物理參量。,（2）引入柏氏矢量后，可以使對位錯的描述大大簡化。,（1）柏氏矢量表示可以很容易地表征出位錯產(chǎn)生的畸變的方向和大小。,（3）柏氏矢量可通過在位錯線周圍和理想晶體中以相同的方法和路徑作柏氏回路而求得。,位錯的能量，應(yīng)力場，位錯受力等，都與b有關(guān)。,19,優(yōu)選內(nèi)容,柏氏矢量的確定方法,刃型位錯柏氏矢量的確定方法,20,優(yōu)選內(nèi)容,螺位錯的確定方法p29圖1-40,21,優(yōu)選內(nèi)容,柏氏矢量的意義,位錯的柏氏矢量描述了位錯線上原子的畸變特征，畸變發(fā)生的方向和大小（位錯的畸變能與柏氏矢量的平方成正比）。,柏氏矢量給出了位錯滑移后晶體上、下部產(chǎn)生相對位移的方向和大小-滑移矢量。,對于任意位錯，不管其形狀如何，只要知道了它的柏氏矢量，就可得知晶體滑移的大小和方向。,任何一根位錯，位錯線上各點的柏氏矢量都相同。即對一條位錯線而言，其柏氏矢量是固定不變的，此即位錯的柏氏矢量的守恒性。,22,優(yōu)選內(nèi)容,刃型位錯的柏氏矢量與位錯線垂直！,螺型位錯的柏氏矢量與位錯線平行！,混合位錯的柏氏矢量與其位錯線既不平行也不垂直而呈一定角度！,柏氏矢量的意義,混合位錯可分解成刃型分量和螺型分量。,23,優(yōu)選內(nèi)容,柏氏矢量的表示方法,位錯的柏氏矢量的表示方法與晶向指數(shù)相似。用晶向指數(shù)表示柏氏矢量的方向，利用其模表示柏氏矢量的大小。,立方晶體,柏氏矢量為：,其大小為：,24,優(yōu)選內(nèi)容,四位錯的運動,位錯的滑移：指位錯在外力作用下，在滑移面上的運動，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。位錯的攀移：指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。,25,優(yōu)選內(nèi)容,位錯滑移的滑移面為位錯線與柏氏矢量所決定的平面，對刃型位錯而言是唯一的，而對螺型位錯來說卻不是唯一的。,1、位錯的滑移,指位錯在切應(yīng)力的作用下，當(dāng)切應(yīng)力達(dá)到某一臨界值時，沿著一定的晶面-滑移面、在一定的方向-滑移方向上進(jìn)行的移動。,位錯滑移時其位錯線實際運動方向為位錯線的法線方向，位錯通過后晶體所產(chǎn)生的滑移方向與柏氏矢量方向相同。,不論刃位錯或螺位錯，使位錯滑移的切應(yīng)力方向與位錯的柏氏矢量方向一致。,位錯的滑移必須在某一滑移面上切應(yīng)力達(dá)到某一臨界值后才能發(fā)生。,26,優(yōu)選內(nèi)容,（1）刃型位錯運動方向、切應(yīng)力方向及晶體滑移方向的關(guān)系,1、位錯的滑移,27,優(yōu)選內(nèi)容,（2）螺型位錯運動方向、切應(yīng)力方向及晶體滑移方向的關(guān)系,1、位錯的滑移,28,優(yōu)選內(nèi)容,問題1刃型位錯滑移后圓形標(biāo)記如何變化？,原始標(biāo)記,刃型滑移后！,29,優(yōu)選內(nèi)容,問題2螺型位錯滑移后圓形標(biāo)記如何變化？,原始標(biāo)記,螺型滑移后！,30,優(yōu)選內(nèi)容,問題3：位錯環(huán)怎樣滑移？,混合位錯，位錯環(huán)所在平面平行于柏氏矢量，可滑移!,位錯環(huán)沿法線方向向外擴(kuò)展至晶體外消失或向內(nèi)收縮湮滅。,位錯環(huán)滑移消失晶體產(chǎn)生滑移臺階。,晶體的滑移方向與柏氏矢量方向一致。,31,優(yōu)選內(nèi)容,問題4：位錯環(huán)怎樣滑移？,位錯環(huán)所在平面垂直與柏氏矢量，該位錯環(huán)不能滑移。,此時位錯環(huán)只能進(jìn)行攀移。,柏氏矢量與位錯線垂直，刃型位錯。,32,優(yōu)選內(nèi)容,刃位錯的運動,螺位錯的運動,混合位錯的運動,33,優(yōu)選內(nèi)容,位錯的滑移特點總結(jié),34,優(yōu)選內(nèi)容,2、位錯的攀移,（1）位錯的攀移存在正攀移（原子離開半原子面）和負(fù)攀移兩種情況。,指刃位錯的位錯線沿著其半原子面的上下運動。,（2）位錯的攀移受應(yīng)力和溫度的影響。,（3）只有刃型位錯才能進(jìn)行攀移，螺型位錯不能攀移。,（4）位錯的攀移比滑移困難得多，因此位錯的主要運動形式為滑移。,（5）位錯攀移時常常形成許多割階。,35,優(yōu)選內(nèi)容,圖刃位錯攀移示意圖,（a）正攀移（半原子面縮短）,(b)未攀移,（c）負(fù)攀移（半原子面伸長）,常溫下位錯靠熱激活來攀移是很困難的。但是，在許多高溫過程如蠕變、回復(fù)、單晶拉制中，攀移卻起著重要作用。位錯攀移在低溫下是難以進(jìn)行的，只有在高溫下才可能發(fā)生。,36,優(yōu)選內(nèi)容,3、作用在位錯線上的力,指沿著位錯線前進(jìn)方向上使位錯運動的力，一般用Fd表示。,晶體滑移時，作用于微元位錯dL上的力Fd所做的功為：FddLds,（1）位錯滑移時作用在位錯線上的力,因為：FddLds=bdLds,外加切應(yīng)力所做的功為：bdLds,所以有：Fd=b,Fd垂直于位錯線沿位錯線運動方向一致！,（2）位錯滑移時作用在位錯線上的力,F力的方向永遠(yuǎn)垂直于位錯線，并且指向滑移面上的未滑移區(qū),Fd=b,37,優(yōu)選內(nèi)容,6.位錯的交割,在滑移面上運動的某一位錯，必與穿過此滑移面上的其它位錯相交截，該過程即為“位錯交割”。位錯相互切割后，將使位錯產(chǎn)生彎折，生成位錯折線，這種折線有兩種：割階：垂直滑移面的折線扭折：在滑移面上的折線,38,優(yōu)選內(nèi)容,位錯的交割-（1）兩根互相垂直刃型位錯的交截a.柏氏矢量互相平行，產(chǎn)生扭折，可消失,AB，xy兩根相互垂直的刃型位錯線b1/b2，交截后各自產(chǎn)生一小段PP和QQ的折線，它們均位于原來兩個滑移面上，為“扭折”。在運動過程中，這種折線在線張力的作用下可能被拉長而消失。,39,優(yōu)選內(nèi)容,（1）兩根互相垂直刃型位錯的交截b、b1b2，當(dāng)xy位錯線與不動的AB位錯交截后，AB產(chǎn)生一個長度與b1相等的刃型割階PP，PP折線位于Pxy滑移面上,40,優(yōu)選內(nèi)容,位錯交割的小結(jié),位錯交截后產(chǎn)生“扭折”或“割階”?！芭ふ邸笨梢允侨行?、亦可是“螺型”，可隨位錯線一道運動，幾乎不產(chǎn)生阻力，且它可因位錯線張力而消失?！案铍A”都是刃型位錯，有滑移割階和攀移割階，割階不會因位錯線張力而消失。,41,優(yōu)選內(nèi)容,一般情況下，金屬退火后，位錯密度為103-104m/cm3。,五、位錯密度,單位體積晶體中所包含的位錯線的總長度或穿越單位截面積的位錯線的數(shù)目（單位為m-2）。,=S/V或=n/A,一般情況下，金屬強(qiáng)化后的位錯密度為10141016m/cm3。,晶須中的位錯密僅為10m/cm3左右。,42,優(yōu)選內(nèi)容,1、基本假設(shè)條件,第三節(jié)位錯的能量及交互作用,一、位錯的應(yīng)變能（與產(chǎn)生此位錯所需要做的功數(shù)值相等）,符合虎克定律，非塑性形變將晶體看成連續(xù)的介質(zhì)；將晶體看成各向同性。,當(dāng)材料在外力作用下不能產(chǎn)生位移時，它的幾何形狀和尺寸將發(fā)生變化，這種形變稱為應(yīng)變（Strain）。材料發(fā)生形變時內(nèi)部產(chǎn)生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗外力，定義單位面積上的這種反作用力為應(yīng)力（Stress）。或物體由于外因(受力、濕度變化等)而變形時，在物體內(nèi)各部分之間產(chǎn)生相互作用的內(nèi)力，以抵抗這種外因的作用，并力圖使物體從變形后的位置回復(fù)到變形前的位置。按照應(yīng)力和應(yīng)變的方向關(guān)系，可以將應(yīng)力分為正應(yīng)力和切應(yīng)力，正應(yīng)力的方向與應(yīng)變方向平行，而切應(yīng)力的方向與應(yīng)變垂直。,43,優(yōu)選內(nèi)容,為了說明連續(xù)介質(zhì)中存在內(nèi)應(yīng)力，必然引導(dǎo)到位錯的概念。沃耳泰拉設(shè)想如下的操作：將介質(zhì)沿一任意面S剖開，施加外力于S面的兩側(cè)，使之產(chǎn)生剛性的相對位移。如果相對位移的操作造成空隙，則用同樣介質(zhì)填補起來；如果介質(zhì)重疊起來了，則將重疊部分挖去。然后將割面重新膠合起來，撤去外力。這樣一來，物體內(nèi)部就有內(nèi)應(yīng)力存在。這里的相對位移可以是平移或旋轉(zhuǎn)。沃耳泰拉曾經(jīng)設(shè)想了六類基本組態(tài),如圖1沃耳泰拉位錯示意圖,44,優(yōu)選內(nèi)容,2、螺型位錯的應(yīng)變能計算,螺型位錯的圓柱體模型,圍繞一個螺位錯的晶體圓柱體區(qū)域有應(yīng)力場存在。,G切變模量,45,優(yōu)選內(nèi)容,3、刃型位錯的應(yīng)變能,位錯的應(yīng)變能相當(dāng)大。為降低應(yīng)變能，位錯在晶體中各種行為十分活躍，在晶體的塑性變形和強(qiáng)化方面扮演重要角色。,位錯作為線性缺陷，所引起的熵增遠(yuǎn)比空位小，不可能抵消應(yīng)變能的增加，位錯的存在肯定使體系的自由能增加，故位錯為不平衡缺陷。,刃位錯上面的原子處于壓應(yīng)力狀態(tài)，為壓應(yīng)力場，刃位錯下面的原子處于張應(yīng)力狀態(tài)，為張應(yīng)力場。,46,優(yōu)選內(nèi)容,七、位錯的線張力,1、位錯線上的張力在數(shù)值上等于其位錯能，即T=aGb2,2、線張力使位錯自動縮短或保持直線狀態(tài)，（位錯引起畸變，導(dǎo)致能量升高）平衡時，單根位錯保持直線和最短；三根位錯相交時，節(jié)點處位錯的線張力相互平衡。其空間呈網(wǎng)絡(luò)狀分布。,3、當(dāng)位錯兩端被固定，受外力而彎曲時，有下列關(guān)系存在：=Gb/2R,47,優(yōu)選內(nèi)容,位錯的增殖1.（F-R源）,AB位錯線段兩端固定，在外加切應(yīng)力作用下變彎并向外擴(kuò)張，當(dāng)兩端彎出來的線段相互靠近時，由于兩者分屬左、右螺型，抵消并形成一閉合位錯環(huán)和環(huán)內(nèi)一小段彎曲位錯線，然后繼續(xù)。已知使位錯線彎曲至曲率半徑為R時所需切應(yīng)力為：,退火狀態(tài)金屬的位錯密度為106108/cm2。冷加工狀態(tài)金屬的位錯密度為10101012/cm2，說明位錯增殖。,48,優(yōu)選內(nèi)容,驅(qū)動力-體系的自由能下降；影響因素-原子大小、溫度等結(jié)果-固溶強(qiáng)化、柯垂耳氣團(tuán)。,2、位錯與點缺陷的交互作用,擇優(yōu)分布在刃型位錯的張力區(qū)并緊靠位錯線的點缺陷形成所謂的科垂耳氣團(tuán),49,優(yōu)選內(nèi)容,3、兩平行螺位錯間的相互作用,同方向位錯相互排斥；異方向位錯相互吸引。,作用力大?。?50,優(yōu)選內(nèi)容,4、兩平行刃位錯間的相互作用,位于同一滑移面上的同號位錯相互排斥而遠(yuǎn)離；異號位錯相互吸引，相互接近而抵消。不在同一滑移面上的同號位錯排列成穩(wěn)定形態(tài)。,刃位錯的穩(wěn)定排列方式,51,優(yōu)選內(nèi)容,b前=b后即反應(yīng)前、后位錯在三維方向的分矢量之和必須相等。,八、位錯的分解與合成（p43）,1、位錯反應(yīng),位錯分解和合成的總稱。其驅(qū)動力為體系自由能的降低。,（1）位錯反應(yīng)的條件,b2前b2后即位錯反應(yīng)后的能量必須降低。,幾何條件,能量條件,例題：p5311,52,優(yōu)選內(nèi)容,2、實際晶體中位錯的柏氏矢量,柏氏矢量等于點陣矢量的位錯稱為全位錯或單位位錯。,（3）位錯的柏氏矢量越小，則其具有的能量越低，位錯就越穩(wěn)定。大位錯可以通過位錯反應(yīng)分解成小位錯；全位錯可以通過位錯反應(yīng)分解成不全位錯。,柏氏矢量小于點陣矢量的位錯稱為不全位錯。,（1)全位錯,面心立方點陣和體心立方點陣的全位錯為？,（2）不全位錯,p41,圖1不同取向晶體位錯組態(tài)的形成原因位錯運動與滑移系選擇：(a)潛在柏氏矢量；(b)滑移與剪切系統(tǒng)；(c)位錯組態(tài)的運動；(d),(e),(f)滑移與剪切系統(tǒng)的選擇。,53,優(yōu)選內(nèi)容,一個柏氏矢量為2a的大位錯分解成兩個柏氏矢量為a的小位錯的反應(yīng),大位錯分解成小位錯,54,優(yōu)選內(nèi)容,3、面心立方晶體中全位錯的分解及擴(kuò)展位錯,（1）肖克萊不全位錯,面心立方晶體中位錯的滑移面為111面，滑移面上的全位錯為。,面心立方晶體中的全位錯為可分解成兩個不全位錯。此不全位錯稱為肖克萊不全位錯。,55,優(yōu)選內(nèi)容,（2）肖克萊不全位錯反應(yīng)及其條件,Thompson四面體，用于FCC結(jié)構(gòu)中位錯的表述,56,優(yōu)選內(nèi)容,分解后的兩個肖克萊不全位錯包含有相同的分量，它們之間相互排斥彼此分開；而另一方面由于該兩位錯是由一全位錯分解而成的，在其三個位錯的連接處始終存在一節(jié)點，從而使兩分位錯終保持聯(lián)系，成為不可分割的位錯對。上述矛盾的結(jié)果產(chǎn)生了擴(kuò)展位錯：即形成了一對不全位錯及其中間夾的層錯帶。,（3）擴(kuò)展位錯的形成,57,優(yōu)選內(nèi)容,（4）堆垛層錯及其能量,兩分位錯之間的層錯帶中原子的正常排列遭到破壞，使面心立方的ABCABCABC的堆垛方式出現(xiàn)了錯亂，出現(xiàn)ABCACABC，稱為層錯-堆垛層錯。,由于層錯的存在而使位錯的能量得到了進(jìn)一步的升高，這部分能量稱為層錯能。記為。,58,優(yōu)選內(nèi)容,面心立方晶體中全位錯的滑移,位錯全滑移后原子的堆垛方式?jīng)]有改變！,59,優(yōu)選內(nèi)容,面心立方晶體中不全位錯的滑移,位錯不全滑移后原子的堆垛方式發(fā)生了改變！,60,優(yōu)選內(nèi)容,（5）擴(kuò)展位錯的寬度,層錯能的作用使層錯區(qū)收縮。,兩個分位錯之間的作用力使兩位錯分開。,當(dāng)而者之間達(dá)到平衡時即形成了穩(wěn)定的擴(kuò)展位錯。,此時擴(kuò)展位錯的寬度（平衡寬度）d為:,可見，擴(kuò)展位錯的寬度與層錯能成反比。,61,優(yōu)選內(nèi)容,如何認(rèn)識晶體缺陷在材料科學(xué)中的重要意義？,晶體缺陷名為缺陷，但實際上是材料科學(xué)與工程的重要基礎(chǔ)，例如完美的晶體人們難以改變其性質(zhì)，而