模擬電子技術(shù) 習(xí)題

1、習(xí)題第一章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)習(xí)題1、PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將_A_。A、變窄 B、基本不變 C、變寬 D、不能確定2、如下圖，二極管D是理想的，R=2K，流過電阻的電流I=_A_。A、5mA B、0mA C、10mA D、不能確定3、三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏的情況下，則屬于：、死區(qū) 、截止區(qū)、放大區(qū) 、飽和區(qū)4、溫度升高時，三極管的放大系數(shù)ß：A.增大 B.減小C.不變 D.無法判斷5、工作在放大區(qū)的某三極管，當(dāng)IB從20uA增大到40uA時，IC從1mA變成2mA，則它的ß值為：A10 B.50C.100 D.5006、某三極管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電

2、流等于20uA，則集電極電流等于（）.0.98 mA .1.02 mA.0.8 mA .1.2 mA7、半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的載流子有_C_。 A、電子 B、空穴 C、電子和空穴 D、不能確定8、_C_能將電信號轉(zhuǎn)換為光信號。A、穩(wěn)壓二極管 B、阻尼二極管 C、發(fā)光二極管 D、整流二極管9、本征半導(dǎo)體中，自由電子的濃度_C_空穴的濃度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能確定10、太陽能電池是利用半導(dǎo)體的 B 。A、熱敏性 B、光敏性 C、參雜性 D、以上都是11、N型半導(dǎo)體帶電性為 C 。A、正電 B、負(fù)電 C、中性 D、無法確定12、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是：A電子 B.空穴 C.正離

3、子 D.負(fù)離子13、本征半導(dǎo)體中摻入五價元素后成為：A本征半導(dǎo)體 B.N型半導(dǎo)體CP型半導(dǎo)體 D.無法確定14、PN結(jié)未加外部電壓時，擴(kuò)散電流（）漂移電流。A.大于 B.小于C等于 D.無法判斷15、硅二極管的導(dǎo)通電壓為：A0.7V B.0.1VC0.3V D.0.5V16、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在：A死區(qū) B.正向?qū)▍^(qū)C. 反向截止區(qū) D.反向擊穿區(qū)17、三極管電流放大作用的外部條件是： 、發(fā)射結(jié)加反向電壓，集電結(jié)加反向電壓、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加正向電壓、發(fā)射結(jié)加反向電壓，集電結(jié)加正向電壓18、半導(dǎo)體三極管是一種（ ）器件。A、電流控制電流 B、

4、電流控制電壓 C、電壓控制電壓 D、電壓控制電流19、 雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（ ）。A、電壓 B、溫度 C、輸入 D、雜質(zhì)濃度20、 PN結(jié)反向偏置時，空間電荷區(qū)（ ）。A、不變 B、變窄 C、變寬 D、不能確定21、二極管的最高反向工作電壓是75V，則它的擊穿電壓是_。A、50V B、100V C、150V D、200V22、 在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度_空穴濃度。A、大于 B、小于 C、等于 D、不等于23、 PN結(jié)的主要特性（ ）。A、單向?qū)щ娦?B、雙向?qū)щ?C、正偏 D、反偏24、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 。A、正向?qū)?B、反向截止 C、反向擊穿 D、無法

5、確定25、下面不屬于模擬信號的是 D ？A、壓力 B、溫度 C、流量 D、人數(shù)26、某放大電路中，晶體管三個電極的電流如下圖所示，測出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=1.83mA，由此可知對應(yīng)電極是_A_。A、發(fā)射極 B、基極 C、集電極 D、不能確定27、雙極型晶體管BJT具有放大作用的外部條件是_D_。A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 B、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏 D、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏28、NPN型雙極型晶體管工作在放大狀態(tài)時，各極電位關(guān)系為UC_UB_UE。A A、> > B、< < C、= < D、< >29

6、、當(dāng)雙極型晶體管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時，雙極型晶體管處于_B_。A、截止?fàn)顟B(tài) B、飽和狀態(tài) C、放大狀態(tài) D、無法確定30、IB、IC、IE分別表示晶體管三個極的電流，這三個電流之間的關(guān)系是_C_。A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、無法確定31、測量放大電路某三極管BJT的各電極電位為6V、11.3V、12V，則此三極管為_B_。A、PNP 鍺三極管 B、PNP 硅三極管 C、NPN 鍺三極管 D、NPN 硅三極管32、二極管兩端反向偏置電壓增高時，在達(dá)到_D_電壓以前，通過的電流很小。A、死區(qū) B、最大 C、短路 D、擊穿33、雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少子的濃度與_

7、D_有關(guān)。A、晶體缺陷 B、摻雜工藝 C、雜質(zhì)濃度 D、溫度34、如圖所示電路中，二極管D所處的狀態(tài)是_C_。A、擊穿狀態(tài) B、截止?fàn)顟B(tài) C、導(dǎo)通狀態(tài) D、無法確定35、測量三極管三個電極對地電位如圖所示，則三極管的工作狀態(tài)為_C_。 A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、擊穿狀態(tài) 36、工作在放大區(qū)的三極管，當(dāng)IB從20A增大至40A時，IC從1mA變?yōu)?mA，其值約為_A_。 A、50 B、100 C、500 D、100037、如圖2所示電路中，二極管D所處的狀態(tài)是（ ）。圖2A、擊穿狀態(tài) B、截止?fàn)顟B(tài) C、導(dǎo)通狀態(tài) D、無法確定38、由理想二級管組成的電路如圖所示，其A、B兩端的

8、電壓為（ ）。A、-12V B、+6V C、-6V D、+12V39、PNP型雙極型晶體管工作在放大狀態(tài)時，各極電位關(guān)系為UC_UB_UE。 A、> > B、< < C、= < D、< >40、兩個穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值分別為7V和9V，將它們組成如圖所示電路，設(shè)輸入電壓 U1值是20V，則輸出電壓 U0為 。A、7V B、9V C、0V D、8V41. 使用萬用表直流電壓擋，測的電路中晶體管各極相對于某一參考點(diǎn)的電位如圖3所示，則該晶體管工作在_。A、飽和狀態(tài) B、放大狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、倒置狀態(tài)圖342、 在某放大電路中，測得三極管三個電極的靜態(tài)電

9、位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C. PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管如下圖所示，已知三極管工作在放大狀態(tài)，回答題43-441XYZ+3V+3.6V+9V圖443、該管腳Y為：A.發(fā)射極 B.基極 C.集電極 D.無法判斷44、該管子的類型為A.PNP鍺管 B.PNP硅管 C.NPN鍺管 D.NPN硅管已知如圖5所示，回答題45-46.45.三極管剩下的管腳的電流為：A.3.9mA，方向向下 B.3.9mA，方向向上C.4.1mA，方向向下 D.4.1mA，方向向上46.最左邊的管腳是：A.基極 B.發(fā)射極 C.集電極 D

10、.不一定 圖547、PN結(jié)的主要特性是_A_。A、單向?qū)щ娦?B、雙向?qū)щ?C、正偏 D、反偏48、下圖所示各晶體管處于放大工作狀態(tài)，已知各電極直流電位如圖所示，則該晶體管的類型為_A_。 A、NPN 硅管 B、NPN 鍺管C、PNP 硅管 D、PNP 鍺管49、上題中，x、y、z 代表的電極分別為 A 。A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b 50、NPN三極管放大工作狀態(tài)時，電流的方向是_D_。A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出51、某晶體三極管集電極電流為1mA，基極電流為20A，則

11、發(fā)射極電流為_B_mA。 A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 52、半導(dǎo)體三極管是一種_A_器件。A、電流控制電流 B、電流控制電壓 C、電壓控制電壓 D、電壓控制電流53、測得雙極型晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.08mA，4.8mA和4.88mA，則該管的為_D_。 A、40 B、50 C、80 D、6054、兩個穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值分別為8V和10V，將它們組成如圖所示電路，設(shè)輸入電壓U1值是12V，則輸出電壓U0為_D_。A、10V B、12V C、9V D、8V55、P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是_，少數(shù)載流子是_。A、自由電子 正離子 B、空穴 負(fù)離子 C、空穴 自由電子

12、 D、自由電子 空穴56、半導(dǎo)體三極管是一種 器件。A、電流控制電流 B、電流控制電壓 C、電壓控制電壓 D、電壓控制電流57、當(dāng)二極管兩端正向偏置電壓大于 時，二極管才能導(dǎo)通。A、反向擊穿電壓 B、飽和電壓 C、正向?qū)▔航?D、門坎電壓58、二極管電路如圖所示，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V ，則輸出電壓值為 。A、2V B、0V C、1.3V D、-1.3V59、雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子的濃度與 有關(guān)。A、晶體缺陷 B、摻雜工藝 C、雜質(zhì)濃度 D、溫度60、某放大電路中,晶體管三個電極的電流如圖所示，測出，由此可知對應(yīng)電極是 。A、發(fā)射極 B、基極 C、集電極 D、不能確定61、測量三極管三個電

13、極對地電位如圖所示，則三極管的工作狀態(tài)為 。A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、擊穿狀態(tài)62、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，則晶體管工作在_。A、放大區(qū) B、截止區(qū) C、飽和區(qū) D、以上都不對63、測量放大電路某三極管的各電極電位為6V、11.3V、12V，則此三極管為_。A、PNP 鍺三極管 B、PNP 硅三極管 C、NPN 鍺三極管 D、NPN 硅三極管64、某放大電路晶體管發(fā)射極電流為1mA，基極電流為20A，則集電極電流為 mA。A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.265、二極管兩端反向偏置電壓增高時，在達(dá)到 電壓以前，通過的電流很小A、死區(qū) B、最大 C、短路 D、擊

14、穿66、PN結(jié)反向偏置時，空間電荷區(qū)_。A、變寬 B、變窄 C、基本不變 D、不能確定67、二極管的最高反向工作電壓是50V，則它的擊穿電壓是 。A、50V B、100V C、150V D、200V68、下面不屬于模擬信號的是 A、溫度 B、人數(shù) C、流量 D、壓力 69、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 A、正向?qū)?#160; B、反向截止  C、反向擊穿   D、無法確定 70、下圖所示各晶體管處于放大工作狀態(tài)，已知各電極直流電位如圖所示，則該晶體管的類型為_。       &

15、#160;  A、NPN 硅管 B、NPN 鍺管 C、PNP 硅管 D、PNP 鍺管71、上題中，x，y，z代表的電極分別為 A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b72、在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子為_B_。A、空穴 B、自由電子 C、正離子 D、負(fù)離子73、在本征半導(dǎo)體中加入 C 元素可以獲得P型半導(dǎo)體。A、五價 B、四價 C、三價 D、任何雜質(zhì)74、本征半導(dǎo)體中，自由電子的濃度_C_空穴的濃度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能確定75、穩(wěn)壓二極管通常工作在_A_狀態(tài)下，能夠穩(wěn)定電壓。A、反向擊穿區(qū) B、正向?qū)▍^(qū) C、反向截止區(qū) D、正向截

16、止區(qū)76、當(dāng)PN結(jié)反向加電時（反偏），下列結(jié)論正確的是_A_。A、外電場加強(qiáng)內(nèi)電場，耗盡層變寬 B、外電場加強(qiáng)內(nèi)電場，耗盡層變窄C、外電場削弱內(nèi)電場，耗盡層變窄 D、外電場削弱內(nèi)電場，耗盡層變寬77、半導(dǎo)體二極管的最主要特性是_A_。A、單向?qū)щ娦?B、溫度特性 C、擊穿特性D、導(dǎo)通后管壓降不變特性78、NPN型晶體管工作在放大狀態(tài)時，各極電位關(guān)系為UE _UB_ UC。（B）A、 >，> B、 <，< C、 <，= D、 不能確定79、二極管電路如圖所示，二極管D1和D2的工作狀態(tài)是_A_。A、D1、D2均截止 B、D1、D2均導(dǎo)通C、D1導(dǎo)通、D2截止 D、D

17、2導(dǎo)通、D1截止80、如下圖，硅穩(wěn)壓二極管VS的穩(wěn)定電壓是6V,則電路的輸出電壓為_B_。A、10V B、6V C、16V D、-6V81、IB、IC、IE分別表示晶體管三個極的電流，這三個電流之間的關(guān)系是_C_。A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、無法確定82、測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.08mA，4.8mA和4.88mA，則該管的為_D_。 A、40 B、50 C、80 D、6083、NPN三極管放大工作狀態(tài)時，電流的方向是_D_。A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出

18、84、測量某放大電路三極管的各電極電位為6V、11.3V、12V，則此三極管為_B_。A、PNP 鍺三極管 B、PNP 硅三極管 C、NPN鍺三極管 D、NPN 硅三極管85、下列不屬于半導(dǎo)體材料的是（）。A、硅 B、碳 C、鍺 86、（）能將光信號轉(zhuǎn)換為電信號。A、穩(wěn)壓二極管 B、光敏二極管 C、發(fā)光二極管 87、在半導(dǎo)體中摻入五價元素后的半導(dǎo)體為（ ）。A、 本征半導(dǎo)體 B、P型半導(dǎo)體 C、 N型半導(dǎo)體 88、半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)體導(dǎo)電最重要的區(qū)別是：半導(dǎo)體有（）載流子，金屬導(dǎo)體有（）載流子 。A、 兩種 三種B、 兩種 一種C、 一種 兩種D、 一種 三種 89、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是（）A

19、、 自由電子 B、空穴C、 正離子 D、負(fù)離子90、平衡PN結(jié)的擴(kuò)散電流（）漂移電流。A、大于B、等于 C、小于91、PN結(jié)反向偏置的連接方法為（）。A、 P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負(fù)極 B、 P區(qū)接電源負(fù)極，N區(qū)接電源正極 C、 以上都不對92、硅二極管的導(dǎo)通電壓為（）V。A、0.1 B、0.3 C、0.5 D、0.7 93、穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時，應(yīng)工作在（）。A、死區(qū) B、正向偏置區(qū) C、反向截至區(qū) D、反向擊穿區(qū)94、在放大電路中，用電壓表測得三極管中UCE為0.3V，它工作在（）。A.截止 B. 放大 C.飽和 95、溫度升高時，下面關(guān)于三極管的參數(shù)變化描述錯誤的是_。A、增大 B、

20、ICBO增大 C、UBE增大 D、IC增大96、處于放大狀態(tài)的NPN型晶體管，各電極的電位關(guān)系是（）。A、UB>UC>UE B、UE>UB>UC C、UC>UB>UE D、UC>UE>UB97.電路中晶體管各極相對于某一參考點(diǎn)的電位如下圖所示，則該晶體管工作在_。A、飽和狀態(tài) B、放大狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、倒置狀態(tài)98、某設(shè)備中二極管的反向最高工作電壓為200V，它的反向擊穿電壓要求為_。A、50V B、100V C、200V D、400V99、工作在放大區(qū)的三極管，測得IE=3.06mA，IB=60uA，其值為( )。A.50 B.51 C.

21、500 D.510第二章 基本放大電路 習(xí)題1、某一NPN管組成的單管共射放大電路，輸入電壓為正弦波時，輸出電壓波形如下圖示，該輸出電壓波形屬于_B_。A、截止失真 B、飽和失真 C、頻率失真 D、交越失真2、關(guān)于放大B電路交流通路的畫法，下列說法正的是_B_。A、電容視為短路，電源視為開路 B、電容視為短路，電源視為短路C、電容視為開路，電源視為開路 D、電容視為開路，電源視為短路3、NPN管共射基本放大電路，當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置的過高，輸出電壓正弦波形會產(chǎn)生_，可以通過_基極電阻RB改善靜態(tài)工作點(diǎn)。CA、頂部失真 增大 B、頂部失真 減小 C、底部失真 增大 D、底部失真 減小4、在單級共集放

22、大電路中，若輸入電壓為正弦波，則輸出電壓與輸入電壓的相位_A_ 。 A、同相 B、相差90度 C、相差180度 D、相差270度5、對于電壓放大電路，為獲得較高的輸出電壓信號，我們希望_A_。A、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越小越好； B、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越小越好；C、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越大越好；D、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越大越好；6、關(guān)于共集放大電路，下列說法錯誤是的_A_。A、電壓增益較大 B、輸入電阻較大C、輸出電阻較小 D、輸入輸出同相7、下列電路名稱中，_D_與其他不同。A、共集放大電路 B、射極輸出器 C、電壓跟隨器 D、電流跟隨

23、器8、引起放大電路輸出波形飽和失真的主要原因是_C_ 。 A、輸入電阻太小 B、靜態(tài)工作點(diǎn)過低C、靜態(tài)工作點(diǎn)過高 D、輸出電阻太大9、在單級共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波，則輸出與輸入電壓的相位_C_ 。 A、同相 B、相差90度 C、反相 D、相差270度10、引起放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的主要因素是_C_ 。 A、元器件參數(shù)老化 B、電源電壓波動 C、溫度變化 D、以上都不是11、某放大電路的輸出電阻RO為2K，測得負(fù)載開路時輸出電壓為3V，當(dāng)接上2K的負(fù)載后，輸出電壓為_D_ 。A、0 B、2V C、3V D、1.5V12、關(guān)于電壓放大電路交流通路的畫法，下列說法正確的是_B_。 A

24、、電容C視為短路，直流電源VCC視為開路；B、電容C視為短路，直流電源VCC視為短路； C、電容C視為開路，直流電源VCC視為開路； D、電容C視為開路，直流電源VCC視為短路；13、 以下關(guān)于射極輸出器的特點(diǎn)描述錯誤的是 。A、具有電壓放大作用 B、具有電流放大作用C、輸入電阻高 D、輸出電阻低14、對于電壓放大電路，為獲得較高的輸出電壓信號，我們希望_。A、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越小越好； B、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越小越好；C、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越大越好；D、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越大越好；15、飽和失真是由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過_而產(chǎn)生的

25、；截止失真是由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過_A_而產(chǎn)生的。A、高 低 B、低 高 C、高 高 D、低 低16、共射極放大電路的輸出信號加在 _D_之間。A基極和集電極 B射極 C基極和射極 D射極和集電極17、共射極放大電路的輸出信號加在 _D_之間。A、基極和集電極 B、發(fā)射極 C、基極和發(fā)射極 D、發(fā)射極和集電極18、在單管放大電路中，若ui接至b極，uo接至c極，則該放大電路為（ A ）組態(tài)。A、共射極 B、共集電極 C、共基極19、NPN管共射基本放大電路，當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置的過低，會產(chǎn)生_，可以通過_基極電阻RB改善靜態(tài)工作點(diǎn)。 D A、飽和失真 增大 B、飽和失真 減小 C、截止失真 增大 D

26、、截止失真 減小20、如下圖所示基本共射電路，當(dāng)=50時，IB=20A，IC=1mA, 若只更換=100的晶體管，而其他參數(shù)不變時，則IB和IC分別是_B_ 。A、10A, 1mA B、20A, 2mA C、30A, 3mA D、40A, 4mA21.在單級共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波，則輸出與輸入電壓的相位A.同相 B.正交 C.反相 D.不一定已知如圖1所示，若減小RP，完成題目22-27。 圖122.基極電流IBQ將：A.增大 B.減小 C.不變 D.無法判斷23. 管壓降UCEQ將：A.增大 B.減小 C.不變 D. 無法判斷24.Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線：A.上移 B.下移 C.不變

27、 D. 無法判斷25.三極管輸入電阻rbe將：A.增大 B.減小 C.不變 D. 無法判斷26.輸出電阻Ro將：A.增大 B.減小 C.不變 D. 無法判斷27.當(dāng)RP減小到一定程度時，電路有可能：A.產(chǎn)生飽和失真 B.產(chǎn)生截止失真C.不受影響 D.以上都有可能28、飽和失真是由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過 而產(chǎn)生的；截止失真是由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過_而產(chǎn)生的。A、高 高 B、低 高 C、高 低 D、低 低29、某一NPN管組成的單管共射放大電路，輸入電壓為正弦波時，輸出電壓波形如圖所示，該輸出電壓波形屬于 。A、截止失真 B、飽和失真 C、頻率失真 D、交越失真30、在三種組態(tài)的放大電路中既能夠放大電流

28、，又能夠放大電壓的是 。A、共基極放大電路 B、共集電極放大電路 C、共發(fā)射極放大電路 D、射極輸出器31、放大器的輸出電阻 負(fù)載電阻。A、不包含 B、包含 32、若在輸出特性曲線上做出直流負(fù)載線MN如第二大題計算題圖中數(shù)據(jù)所示，則M點(diǎn)和N點(diǎn)的值分別為 。A、9mA 6V B、12V 3mA C、6V 9mA D、3mA 12V33、直流負(fù)載線MN的斜率是 。A、 B、 C、 D、34、若在輸出特性曲線上做出交流負(fù)載線，則其斜率應(yīng)為 。A、 B、 C、 D、35、若增大基極偏置電阻Rb，則輸出信號會出現(xiàn) 。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、線性失真三極管放大電路如圖所示，請選擇36

29、38題答案。36、該三極管放大電路的名稱，以下說法不正確的是 。A、共集電極放大電路 B、射極輸出器 C、電壓跟隨器 D、共發(fā)射極放大電路37、該放大電路的電壓放大倍數(shù)和輸入輸出相位關(guān)系，正確的說法是 。A、電壓放大倍數(shù)為，且輸出信號與輸入信號相位相反B、電壓放大倍數(shù)為，且輸出信號與輸入信號同相位C、電壓放大倍數(shù)約為1，且輸出信號與輸入信號同相位D、電壓放大倍數(shù)約為-1，且輸出信號與輸入信號相位相反38、該放大電路的輸入電阻 ，輸出電阻_，多用于輸入級、輸出級或緩沖級。A、高 高 B、高 低 C、低 高 D、低 低39、某一NPN管組成的單管共射放大電路，輸入電壓為正弦波時，輸出電壓波形如下圖

30、所示，該輸出電壓波形屬于_B_。A、截止失真 B、飽和失真 C、頻率失真 D、交越失真如圖所示晶體三極管放大電路，設(shè)晶體管=37.5，UBE忽略不計，完成第4045題選擇答案。 40、該放大電路屬于_A_。 A、共發(fā)射極放大電路 B、共集電極放大電路 C、共基極放大電路 D、分壓式偏置放大電路 41、靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ_B_。 A、20A B、40A C、60A D、80A 42、靜態(tài)工作點(diǎn)ICQ_C_。 A、0.5mA B、1mA C、1.5mA D、2mA 43、靜態(tài)工作點(diǎn)UCEQ_C_。 A、12V B、9V C、6V D、3V 44、三極管動態(tài)輸入電阻rbe_D_。 A、400 B、65

31、0 C、1.2K D、950 45、該電路的電壓放大倍數(shù)Au_B_。 A、-70 B、-79 C、-158 D、-169 46、對于電壓放大電路，為獲得較高的輸出電壓信號，我們希望_A_。A、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越小越好； B、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越小越好；C、輸入電阻Ri越大越好，輸出電阻Ro越大越好；D、輸入電阻Ri越小越好，輸出電阻Ro越大越好；47、共發(fā)射極基本放大電路中，集電極電阻Rc的作用是_B_。A、限制集電極電流的大小B、將輸出電流的變化量轉(zhuǎn)化為輸出電壓的變化量C、防止信號源被短路D、保護(hù)直流電源48、基本共射放大電路最常用的調(diào)整靜態(tài)工作點(diǎn)的方法是調(diào)

32、節(jié)_B_。A、RC B、Rb C、UCC D、 圖6已知如圖6所示，UCC=12V，Rc=2K,ß=50，要使US=0時，UCE=4V，完成題目49-51.49.此時，IC=_A.6mA B.3mA C.2mA D.4mA50.IB=_A.0.08mA B.1mA C.1.5mA D.0.04mA51.Rb=_A.100k B.150K C.120k D.80k52.若用示波器觀察到的u0的波形如圖7，則表示：圖7A.輸出波形正常 B. 出現(xiàn)了截止失真 C.出現(xiàn)了飽和失真 D.既有飽和失真也有截止失真53.如果想調(diào)整圖7輸出波形，可以將Rb:A.增大 B.減小 C.保持不變 D.去掉

33、圖8已知如圖8所示，ß=80,完成題目54-56。54.放大電路的輸入電阻Ri=_A. 1K B.1.6K C.600K D.3 K55. 放大電路的輸出電阻Ro=_A.1.5 K B.6 K C.3 K D.600 K56.放大倍數(shù)Au=_A.-240 B.-40 C.-150 D.-75如圖所示晶體管放大電路，設(shè) =100 ，RB=300K，RC=2K，RL=2K，VCC=12V，忽略不計，完成第5766題選擇答案。57、靜態(tài)工作點(diǎn)I BQ_B_。A、20A B、40AC、60A D、80A58、靜態(tài)工作點(diǎn)I CQ_D_。A、6mA B、8mAC、2mA D、4mA59、靜態(tài)工作

34、點(diǎn)UCEQ_C_。A、0V B、2V C、4V D、8V60、三極管動態(tài)輸入電阻rbe約為_D_。A、730 B、625 C、1.6K D、95061、該電路的電壓放大倍數(shù)Au_C_。A、-160 B、-62.5 C、-105 D、-13762、輸入電阻Ri_A_。A、950 B、730 C、300 K D、1.6 K63、輸出電阻Ro_B_。A、950 B、2K C、1K D、300 K64、若在輸出特性曲線上做出直流負(fù)載線，則其斜率是_C_。A、 B、C、 D、65、若輸出電壓波形如下圖，_A_基極偏置電阻Rb，可以消除失真。A、增大 B、減小 C、無法確定66、該放大電路屬于_A_。A、

35、共發(fā)射極放大電路 B、共集電極放大電路 C、共基極放大電路 D、分壓式偏置放大電路67、 某放大電路的輸出電阻為2 K，測得未接負(fù)載時輸出電壓為5V，當(dāng)接上2 K的負(fù)載時，輸出電壓為 V。A、0 B、2.5 C、3 D、568、某放大電路的電壓增益為80 dB，它的電壓放大倍數(shù)為（）。A.100 B. 1000 C. 10000 D 100000如圖所示晶體管放大電路，設(shè) =100 ，RB=400K，RC=2K，RL=2K，VCC=12V，忽略不計，完成第6976題選擇答案。69、靜態(tài)工作點(diǎn)I BQ_。A、10A B、20AC、30A D、40A70、靜態(tài)工作點(diǎn)I CQ_。A、6mA B、8m

36、AC、2mA D、4mA71、靜態(tài)工作點(diǎn)UCEQ_。A、0V B、2V C、4V D、6V72、三極管動態(tài)輸入電阻rbe約為_。A、730 B、625 C、1.17K D、95073、該電路的電壓放大倍數(shù)Au_。A、-79 B、-86 C、-103 D、-12074、輸入電阻Ri_。A、950 B、730 C、400 K D、1.17 K75、輸出電阻Ro_。A、950 B、1.5K C、1K D、3 K76、若輸出電壓波形如下圖， 基極偏置電阻Rb，可以消除失真。A、增大 B、減小 C、無法確定77、關(guān)于放大電路交流通路的畫法，下列說法正確的是_。A、電容視為短路，電源視為開路B、電容視為短

37、路，電源視為短路C、電容視為開路，電源視為開路D、電容視為開路，電源視為短路78、基本共射放大電路最常用的調(diào)整靜態(tài)工作點(diǎn)的方法是調(diào)節(jié)（）。A、Rc B、RB C、UCC第三章 多級放大和功率放大電路 習(xí)題1、組成多級放大器的主要目的是_C_。A、提高輸入電阻 B、提高輸出電阻 C、提高放大能力 D、展寬頻帶2、關(guān)于多級放大電路，下列說法錯誤的是_D_。A、多級放大電路的前一級輸出信號，可以看成是后一級的輸入信號B、多級放大電路的輸入電阻為從第一級看進(jìn)去的輸入電阻C、后一級的輸入電阻是前一級的負(fù)載電阻D、多級放大電路的輸入電阻為第一的輸入電阻，肯定與最終負(fù)載無關(guān)3、要想使多級放大電路的各級電路的

38、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定、相互獨(dú)立，應(yīng)該選擇_A_方式。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、變壓器耦合 D、無法確定4、 要求放大直流信號或者變化緩慢的信號，應(yīng)該選用_B_耦合方式。A. 阻容 B. 直接 C. 變壓器 D.變壓器或阻容5.多級直接耦合放大器中，影響零點(diǎn)漂移最嚴(yán)重的是_。 、第一、二級 、中間級、輸出級 、第三極6.一個兩級放大電路，測得第一級的電壓增益為25dB,第二級的電壓增益為30dB,則總的電壓增益為：A.750Db B.55dB C.5dB D.不確定7.兩級放大電路，Au1=-30，Au2=-50，若輸入電壓U1=5mv，則輸出電壓Uo為_A.0.4V B.-0.4VC.7.5V

39、 D.-7.5V8.阻容耦合放大電路能放大：A.直流信號 B.交流信號 C.交直流信號 D.以上都不能9.多級放大電路級數(shù)越多，則_：A.放大倍數(shù)越大，通頻帶越寬B.放大倍數(shù)越小，通頻帶越寬C.放大倍數(shù)越小，通頻帶越窄D.放大倍數(shù)越大，通頻帶越窄10.產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因，最重要的是：A.溫度 B.放大電路的放大倍數(shù)C.電源電壓的波動 D.通頻帶11、兩個相同的單級共射放大電路，空載時電壓放大倍數(shù)均為30，現(xiàn)將它們連成一個兩級放大電路，則總的電壓放大倍數(shù)為_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于90012、一個三級放大電路，測得第一級的電壓增益為0dB，第二級的電壓增益為4

40、0dB，第三級的電壓增益為20dB，則總的電壓增益為_B_。 A、0dB B、60dB C、80dB D、800dB 13、組成多級放大器的主要目的是_C_。A、提高輸入電阻 B、提高輸出電阻C、提高放大能力 D、展寬頻帶14、要想使多級放大電路的各級電路的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定、相互獨(dú)立，應(yīng)該選擇_A_方式。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、變壓器耦合 D、無法確定15、集成運(yùn)放的耦合方式是_C_。A、阻容耦合 B、變壓器耦合 C、直接耦合 D、光電耦合16、 在相同條件下，多級阻容耦合放大電路在輸出端的零點(diǎn)漂移與直接耦合電路相比_B_A. 大 B. 小 C. 相同 D.無法確定17、關(guān)于差動放大器的

41、描述哪種說法錯誤? CA、差動放大器可以克服零點(diǎn)漂移B、差動放大器要求電路兩邊完全對稱C、差動放大器差模輸出為0D、差動放大器共模輸出為018、關(guān)于差動放大器的描述哪種說法錯誤? CA、差動放大器可以克服零點(diǎn)漂移B、差動放大器要求電路兩邊完全對稱C、差動放大器差模輸出為0D、差動放大器共模輸出為019、兩個相同的單級共射放大電路，空載時電壓放大倍數(shù)均為30，現(xiàn)將它們連成一個兩級放大電路，則總的電壓放大倍數(shù)為_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于90020、在相同條件下，多級阻容耦合放大電路在輸出端的零點(diǎn)漂移與直接耦合電路相比_B_A. 大 B. 小 C. 相同 D.無法

42、確定21、一個三級放大電路，測得第一級的電壓增益為0dB，第二級的電壓增益為40dB，第三級的電壓增益為20dB，則總的電壓增益為 。A、0dB B、60dB C、80dB D、800dB22、為了克服零點(diǎn)漂移，通常采用下列哪種電路？ A、共基極放大電路 B、共集電極放大電路 C、共發(fā)射極放大電路 D、差動放大電路23、多級放大器的輸出電阻等于 。A、各級放大器輸出電阻的串聯(lián) B、各級放大器輸入電阻的串聯(lián)C、第一級放大器的輸出電阻 D、最末一級放大器的輸出電阻24、關(guān)于多極放大電路的耦合方式錯誤的是（）。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、變壓器耦合 D、二極管耦合25、 制作集成電路需采用（）的

43、多級放大電路。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、變壓器耦合 D、二極管耦合26、多級放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)飄移最大的因素是（）。A. 電源波動B. 外部干擾信號 C. 信號失真 D. 溫度27、關(guān)于差動放大電路的特點(diǎn)，描述錯誤的是（）。A、能夠抑制零點(diǎn)漂移B、適合放在放大電路的中間級C、具有差模信號放大作用D、具有共模信號抑制作用28、直接耦合多級放大電路的特點(diǎn)描述錯誤的是（）。A. 適合做集成電路B. 可以放大直流信號 C. 零點(diǎn)漂移大 D. 各級靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響29、一個兩級放大電路，測得兩級電壓增益分別為60dB和40dB，則總的電壓增益為（ ）A、20dB B、60dB C、100dB D、

44、2400 dB30、 放大電路低頻區(qū)放大倍數(shù)降低的原因是（ ）。A.輸入輸出端的耦合電容B.三極管的極間分布電容C.放大電路輸入電阻太大 D.無法確定31、 在相同條件下，多級阻容耦合放大電路在輸出端的零點(diǎn)漂移與直接耦合電路相比（ ）A. 大 B. 小 C. 相同 D.無法確定第四章 放大電路中的反饋 習(xí)題1、放大電路為穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)引入_A_。A、直流負(fù)反饋 B、交流負(fù)反饋 C、交流正反饋 D、直流正反饋2、放大電路為穩(wěn)定增益，應(yīng)引入_A_。A、交流負(fù)反饋 B、直流負(fù)反饋 C、交流正反饋 D、直流正反饋3.對于放大電路，所謂開環(huán)是指 。 A無信號源 B無反饋通路 C無電源 D無負(fù)載4.

45、在輸入量不變的情況下，若引入反饋后 ，則說明引入的反饋是負(fù)反饋。A輸入電阻增大B輸出量增大 C凈輸入量增大D.凈輸入量減小5. 欲得到電流電壓轉(zhuǎn)換電路，應(yīng)在放大電路中引入 A電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B電壓并聯(lián)負(fù)反饋C電流串聯(lián)負(fù)反饋 D電流并聯(lián)負(fù)反饋6. 交流負(fù)反饋是指 。A阻容耦合放大電路中所引入的負(fù)反饋B只有放大交流信號時才有的負(fù)反饋 C在交流通路中的負(fù)反饋D. 在直流通路中的負(fù)反饋7. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)引入 A直流負(fù)反饋 B交流負(fù)反饋 C直流正反饋 D交流正反饋8. 為了穩(wěn)定放大倍數(shù)，應(yīng)引入 A直流負(fù)反饋 B交流負(fù)反饋 C直流正反饋 D交流正反饋9. 為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應(yīng)引入 負(fù)反饋A電壓 B電流 C串聯(lián) D并聯(lián)10.若反饋深度|1+AF|>1,則放大電路工作于：A.正反饋 B.負(fù)反饋 C.自激振蕩