模擬電子技術(shù)-第二章-1ppt課件

1、第二章第二章 雙極型晶體管雙極型晶體管及其放大電路及其放大電路vBipolar Junction Transistor 縮寫 BJTv簡稱晶體管或三極管v雙極型 器件v兩種載流子多子、少子ecb發(fā)射極發(fā)射極基極基極集電極集電極發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)N+PNcbeNPNPNPcbe(a) NPN管的原理構(gòu)造表示圖管的原理構(gòu)造表示圖(b) 電路符號電路符號2-1 雙極型晶體管的任務(wù)原理雙極型晶體管的任務(wù)原理base collector emitterP集電極基極發(fā)射極集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電區(qū)(a)NPNcebPNPcebb基區(qū)ec(b)N襯底N型外延PNcebSi

2、O2絕緣層集電結(jié)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射結(jié)集電區(qū)(c)NN(c)平面管構(gòu)造剖面圖圖圖2-1 晶體管的構(gòu)造與符號晶體管的構(gòu)造與符號 解釋解釋v三個電極三個電極 v發(fā)射極，基極，集電極發(fā)射極，基極，集電極v發(fā)射極箭頭方向是指發(fā)射結(jié)正偏時發(fā)射極箭頭方向是指發(fā)射結(jié)正偏時的電流方向的電流方向v三個區(qū)三個區(qū) v發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)(重?fù)诫s重?fù)诫s)，基區(qū)，基區(qū)(很薄很薄)，集電，集電區(qū)結(jié)面積大區(qū)結(jié)面積大v兩個兩個PN結(jié)結(jié)v發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)(eb結(jié)結(jié)),集電結(jié)集電結(jié)(cb結(jié)結(jié))v晶體管處于放大形狀的任務(wù)條件晶體管處于放大形狀的任務(wù)條件內(nèi)部條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)重?fù)诫s發(fā)射區(qū)重?fù)诫s(故管子故管子e、 c極不能互換極不能互換)基區(qū)很薄基區(qū)很

3、薄(幾個幾個m)集電結(jié)面積大集電結(jié)面積大外部條件外部條件 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)(eb結(jié)結(jié))正偏正偏集電結(jié)集電結(jié)(cb結(jié)結(jié))反偏反偏 2-1-1 放大形狀下晶體管中載流子的傳輸過程放大形狀下晶體管中載流子的傳輸過程CUceNPNbUBBRB圖圖22 晶體管內(nèi)載流子的運動和各極電流晶體管內(nèi)載流子的運動和各極電流RCC15VcICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN 2-1-1 放大形狀下晶體管中載流子的傳輸過程放大形狀下晶體管中載流子的傳輸過程圖圖22 晶體管內(nèi)載流子的運動和各極電流晶體管內(nèi)載流子的運動和各極電流動畫演示動畫演示內(nèi)部機(jī)理內(nèi)部機(jī)理v晶體管任務(wù)的內(nèi)部機(jī)理

4、：晶體管任務(wù)的內(nèi)部機(jī)理：v-“非平衡載流子的傳輸非平衡載流子的傳輸在發(fā)射結(jié)處在發(fā)射結(jié)處v以以NPN為例。為例。veb結(jié)正偏，分散運動漂移運動。結(jié)正偏，分散運動漂移運動。v發(fā)射區(qū)和基區(qū)多子電子和空穴的相互注入。發(fā)射區(qū)和基區(qū)多子電子和空穴的相互注入。但發(fā)射區(qū)但發(fā)射區(qū)e區(qū)高摻雜，向區(qū)高摻雜，向P區(qū)的多子分散區(qū)的多子分散電子為主電子為主IEn,另有另有P區(qū)向區(qū)向N區(qū)的多子區(qū)的多子空穴分散，故相互注入是不對稱的。分散空穴分散，故相互注入是不對稱的。分散(IEP)可忽略。可忽略。v以上構(gòu)成了發(fā)射結(jié)電流的主體。以上構(gòu)成了發(fā)射結(jié)電流的主體。在基區(qū)內(nèi)在基區(qū)內(nèi)v基區(qū)很薄。基區(qū)很薄。v一部分一部分 (N區(qū)分散到區(qū)分

5、散到P區(qū)的不平衡載流區(qū)的不平衡載流子電子與基區(qū)內(nèi)的空穴多子的子電子與基區(qū)內(nèi)的空穴多子的復(fù)合運動復(fù)合電流復(fù)合運動復(fù)合電流IBN 。v大多數(shù)不平衡載流子延續(xù)分散到大多數(shù)不平衡載流子延續(xù)分散到cb結(jié)邊結(jié)邊緣處。緣處。v以上構(gòu)成了基極電流以上構(gòu)成了基極電流 IBN的主體。的主體。在集電結(jié)處在集電結(jié)處v集電結(jié)反偏。集電結(jié)反偏。v故故 漂移運動分散運動。漂移運動分散運動。v集電結(jié)自建電場對非平衡載流子集電結(jié)自建電場對非平衡載流子電子的劇烈吸引作用電子的劇烈吸引作用(搜集作用構(gòu)搜集作用構(gòu)成成ICN。v另外有基區(qū)和集電區(qū)本身的少子漂移另外有基區(qū)和集電區(qū)本身的少子漂移電子和空穴，構(gòu)成反向飽和漏電流電子和空穴，構(gòu)

6、成反向飽和漏電流ICBO 。非平衡載流子傳輸三步曲非平衡載流子傳輸三步曲(以以NPN為例為例) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)的多子注入發(fā)射區(qū)向基區(qū)的多子注入 (分散運動分散運動為主為主基區(qū)的基區(qū)的 復(fù)合復(fù)合 和和 繼續(xù)分散繼續(xù)分散集電結(jié)對非平衡載流子的搜集作用漂集電結(jié)對非平衡載流子的搜集作用漂移為主移為主偏置要求偏置要求v 對對 NPN管管 要求要求 UC UB UE UC UEUB偏置要求偏置要求v 對對 PNP管管 要求要求 UC UB UE UC UEUB2-1-2 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系CBOBNBIIICNBNENEIIIICBOCNCIIICBEIIIbceIBICIEcICeIENPNIBRC

7、UCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN晶體管主要功能晶體管主要功能:電流控制電流控制current control電流放大電流放大current amplify 一、直流電流放大系數(shù)：一、直流電流放大系數(shù)：普通普通20020共射極共射極CBOBCBOCBNCNIIIIII含義：基區(qū)每復(fù)合一個電子，就有含義：基區(qū)每復(fù)合一個電子，就有個電個電子分散到集電區(qū)去。子分散到集電區(qū)去。IBNIICNEN共基極共基極1ECBOCENCNIIIII普通普通99.097.01EEECNECNIIIIII11CNCNCNBNCNENCNIIIIIII兩者關(guān)系：兩者關(guān)系：IBNIICNEN二、二、

8、IC、 IE、 IB、三者關(guān)系：、三者關(guān)系：cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN 假設(shè)忽略假設(shè)忽略 ICBO，IEP , 那么那么,BCII,ECII22 晶體管伏安特性曲線及參數(shù)晶體管伏安特性曲線及參數(shù)全面描畫晶體管各極電流與極間電壓關(guān)系的曲線。全面描畫晶體管各極電流與極間電壓關(guān)系的曲線。圖圖23晶體管的三種根本接法組態(tài)晶體管的三種根本接法組態(tài)(a)cebiBiC輸出輸出回路回路輸入輸入回路回路(b)ecbiBiEceiEiCb(c)(a)共發(fā)射極；共發(fā)射極；(b)共集電極；共集電極；(c)共基極共基極 221 晶體管共發(fā)射極特性曲線晶體管共發(fā)射

9、極特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線AmAVViBiCUCCUBBRCRBuBEuCE丈量電路丈量電路共發(fā)射極輸出特性曲線：輸出電流共發(fā)射極輸出特性曲線：輸出電流iC與輸出電與輸出電壓壓uCE的關(guān)系曲線的關(guān)系曲線(以以iB為參變量為參變量)常數(shù)BiCECufi)(圖圖25 共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)iBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBEIB40 A30 A20 A10 A0 AcICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN動畫演示動畫演示1. 放大區(qū)放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)

10、反偏集電結(jié)反偏2uCE 變化對變化對 IC 的影響很小恒流特性的影響很小恒流特性1iB 對對iC 的控制造用很強(qiáng)。的控制造用很強(qiáng)。用交流電流放大倍數(shù)來描畫：用交流電流放大倍數(shù)來描畫：常數(shù)CEuBCII在數(shù)值上近似等于在數(shù)值上近似等于問題：特性圖中問題：特性圖中=？即即IC主要由主要由IB決議，與輸出環(huán)路的外電路無關(guān)。決議，與輸出環(huán)路的外電路無關(guān)?；鶇^(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)(厄爾利效應(yīng)厄爾利效應(yīng)) cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICNuCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuB

11、EuCE c結(jié)反向電壓結(jié)反向電壓 c結(jié)寬度結(jié)寬度 基區(qū)寬度基區(qū)寬度 基區(qū)中電子與空穴復(fù)合的時機(jī)基區(qū)中電子與空穴復(fù)合的時機(jī) iC uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBE基調(diào)效應(yīng)闡明：輸出交流電阻基調(diào)效應(yīng)闡明：輸出交流電阻rCE=uCE/iCQUCEQUA(厄爾利電壓厄爾利電壓)CQACQCEQAceIUIUUrICQ2. 飽和區(qū)飽和區(qū) 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置。處于正向偏置。由于集電結(jié)正偏，由于集電結(jié)正偏，不利于集電極搜集電不利于集電極搜集電子，子，ICN比放大區(qū)的比放大區(qū)的ICN小。小。cICeIE

12、NPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC11 i B 一定時，飽和區(qū)一定時，飽和區(qū)i C 比放大區(qū)的小比放大區(qū)的小2U CE一定時一定時 i B 增大，增大，i C 基基 本不變飽和區(qū)本不變飽和區(qū)臨界飽和：臨界飽和：UCE = UBE，即，即UCB=0C結(jié)零偏。結(jié)零偏。uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBEIcCeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1飽和時，飽和時，c、e間的電壓稱為飽和壓降，記作間的電壓稱為飽和壓降，記作UCE(sat)。小功率小功率Si管管 UCE(

13、sat) = 0.3V；小功率小功率Ge管管 UCE(sat) = 0.1V。三個電極間的電壓很小，管子完全導(dǎo)通，三個電極間的電壓很小，管子完全導(dǎo)通， 相相當(dāng)一個開關(guān)當(dāng)一個開關(guān)“閉合閉合Turn on。uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBE3. 截止區(qū)截止區(qū)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置于反向偏置,三個電極三個電極均為反向電流，所以均為反向電流，所以數(shù)值很小。數(shù)值很小。 管子不通，相當(dāng)于一管子不通，相當(dāng)于一個個“開關(guān)翻開開關(guān)翻開Turn off。i B = -i CBO 此時此時i E =0 以下稱為截

14、止區(qū)。以下稱為截止區(qū)。工程上以為：工程上以為：i B =0 以下即為截止區(qū)。以下即為截止區(qū)。cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIENICNIBEO 二、共發(fā)射極輸入特性曲線二、共發(fā)射極輸入特性曲線常數(shù)CEuBEBufi)(AmAVViBiCUCCUBBRCRBuBEuCEcICeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1iB/AuBE/V060900.50.70.930UCE0 UCE1圖圖26 共發(fā)射極輸入特性曲線共發(fā)射極輸入特性曲線 10 UCE 1 時，隨著時，隨著 UCE 添加，曲線右添加，曲線右移，特別在移，特別在 0 UCE1

15、時，進(jìn)入放大區(qū)，曲線近似時，進(jìn)入放大區(qū)，曲線近似重合。重合。 iB/AuBE/V060900.50.70.930UCE0 UCE1三、溫度對晶體管特性曲線的影響三、溫度對晶體管特性曲線的影響T ，uBE：CmVmVTuBE)/5 . 22(T ， ICBO ：1012122TTCBOCBOIIT ， ：C/).(T1502-2-2 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù) 1、電流放大系數(shù)、電流放大系數(shù)1. 共射直流放大系數(shù)共射直流放大系數(shù)反映靜態(tài)時集電極電流與基極電流之比。反映靜態(tài)時集電極電流與基極電流之比。2. 共射交流放大系數(shù)共射交流放大系數(shù)反映動態(tài)時的電流放大特性。反映動態(tài)時的電流放大特性。由

16、于由于ICBO、ICEO 很小，很小，因此因此在以后的計算中，不用區(qū)分。在以后的計算中，不用區(qū)分。4.共基交流放大系數(shù)共基交流放大系數(shù) 3.共基直流放大系數(shù)共基直流放大系數(shù)常數(shù)BuECII由于由于ICBO、ICEO 很小，很小，因此因此在以后的計算中，不用區(qū)分。在以后的計算中，不用區(qū)分。2 極間反向電流極間反向電流v極間反向電流極間反向電流 是指管子各電極之間是指管子各電極之間的反向漏電流參數(shù)。的反向漏電流參數(shù)。C、B間反向飽和漏電流間反向飽和漏電流v ICBO發(fā)射極開路時，集電極發(fā)射極開路時，集電極基極間的反向基極間的反向電流，稱為集電極反向飽和電流。電流，稱為集電極反向飽和電流。 管子管子

17、C、E間反向飽和漏電流間反向飽和漏電流1IICBOCEO基極開路時，集電極基極開路時，集電極發(fā)射極間的反向電流發(fā)射極間的反向電流，稱為集電極穿透電流。，稱為集電極穿透電流。管子反向飽和漏電流管子反向飽和漏電流v硅管比鍺管小。硅管比鍺管小。v此值與本征激發(fā)有關(guān)。此值與本征激發(fā)有關(guān)。v取決于溫度特性少子特性。取決于溫度特性少子特性。3、 結(jié)電容結(jié)電容發(fā)射結(jié)電容發(fā)射結(jié)電容Ce 集電結(jié)電容集電結(jié)電容Cc 4.極限參數(shù)極限參數(shù)v運用時不應(yīng)超越管子的極限參數(shù)運用時不應(yīng)超越管子的極限參數(shù)值。否那么運用時能夠損壞。值。否那么運用時能夠損壞。 3 D G 6 C 規(guī)格號規(guī)格號 序號序號 高頻小功率高頻小功率 N

18、PN型硅資料型硅資料 三極管三極管U(BR)CBO =115V,U(BR)CEO =60V，U(BR)EBO=8V。1反向擊穿電壓反向擊穿電壓UUUEBO)BR(CEO)BR(CBO)BR(2集電極最大允許電流集電極最大允許電流vICM 留有一定的余量。留有一定的余量。vICM 指指下降到額定值的下降到額定值的2/3時時 的的IC值。值。vICM3集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗PCMv vCECCuiPCECMCuPi uCE工作區(qū)iC0安全I(xiàn)CMU(BR)CEOPCM圖圖27 晶體管的平安任務(wù)區(qū)晶體管的平安任務(wù)區(qū) 功耗線功耗線23 晶體管任務(wù)形狀分析及偏置電路晶體管任務(wù)形狀分析及偏置電

19、路運用晶體管時，首先要將晶體管設(shè)置在適運用晶體管時，首先要將晶體管設(shè)置在適宜的任務(wù)區(qū)間，如進(jìn)展語音放大需將晶體管設(shè)置宜的任務(wù)區(qū)間，如進(jìn)展語音放大需將晶體管設(shè)置在放大區(qū)，如運用在數(shù)字電路，那么晶體管任務(wù)在放大區(qū)，如運用在數(shù)字電路，那么晶體管任務(wù)在飽和區(qū)或截止區(qū)。在飽和區(qū)或截止區(qū)。 因此，如何設(shè)置和分析晶體管的任務(wù)形狀是因此，如何設(shè)置和分析晶體管的任務(wù)形狀是晶體管運用的一個關(guān)鍵。晶體管運用的一個關(guān)鍵。 231 晶體管的直流模型晶體管的直流模型由外電路偏置的晶體管，其各極直流電由外電路偏置的晶體管，其各極直流電流和極間直流電壓所對應(yīng)的伏安特性曲線上的流和極間直流電壓所對應(yīng)的伏安特性曲線上的一個點。一

20、個點。 靜態(tài)任務(wù)點簡稱靜態(tài)任務(wù)點簡稱Q點：點：靜態(tài)任務(wù)電壓、電流。在下標(biāo)再加個靜態(tài)任務(wù)電壓、電流。在下標(biāo)再加個Q表表示，如示，如IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ (a) 輸入特性近似輸入特性近似 圖圖28晶體管伏安特性曲線的折線近似晶體管伏安特性曲線的折線近似uBE0iBUBE(on)0uCEiCUCE(sat)IB 0(b) 輸出特性近似輸出特性近似飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)(a)ebc(b)ebcIBIBUBE(on)(c)ebcUBE(on)UCE(sat) 圖圖29晶體管三種形狀的直流模型晶體管三種形狀的直流模型(a)截止形狀模型；截止形狀模型；(b)放大形狀模型；放大形狀

21、模型；(c)飽和形狀模型飽和形狀模型 例例1 晶體管電路如圖晶體管電路如圖210(a)所示。假設(shè)知晶所示。假設(shè)知晶體管任務(wù)在放大形狀，體管任務(wù)在放大形狀，=100，試計算晶體管的，試計算晶體管的IBQ，ICQ和和UCEQ。(a) 電路電路ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k (b)直流等效電路直流等效電路圖圖210晶體管直流電路分析晶體管直流電路分析eRBUBE(on)bIBQIBQcICQUCCRCUCEQUBB 解解 由于由于UBB使使e結(jié)正偏，結(jié)正偏，UCC使使c結(jié)反偏，所結(jié)反偏，所以晶體管可以任務(wù)在放大形狀。這時用圖以晶體管可以任務(wù)在放大形狀。這時用圖29(b

22、)的模型替代晶體管，便得到圖的模型替代晶體管，便得到圖2-10(b)所示的直所示的直流等效電路。由圖可知流等效電路。由圖可知)(onBEBBQBBURIUVRIUUmIImRUUICCQCCCEQBQCQBonBEBBBQ63212202. 010002. 02707 . 06)(故有故有(a) 電路電路ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k例例2：假設(shè)：假設(shè)UBB從零添加，闡明晶體管的任務(wù)區(qū)從零添加，闡明晶體管的任務(wù)區(qū)間以及間以及IBQ、ICQ、UCEQ的變化情況？的變化情況？ 當(dāng)當(dāng)UBB從從00.7V之間時，之間時，兩個結(jié)都反偏，管子進(jìn)入兩個結(jié)都反偏，管子進(jìn)入截止區(qū)

23、。截止區(qū)。IBQ=ICQ0。UCEQUCC。 分析：分析：(a) 電路電路ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k當(dāng)當(dāng)UBB繼續(xù)增大，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)發(fā)偏，管繼續(xù)增大，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)發(fā)偏，管子進(jìn)入放大區(qū)。隨著子進(jìn)入放大區(qū)。隨著IBQ的增大，的增大，ICQ=IBQ也也增大。增大。UCEQ=UCC- ICQRC不斷下降。不斷下降。 (a) 電路電路ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k當(dāng)當(dāng)UBB增大到增大到UCEQUBE(on)那么發(fā)射結(jié)正偏，下面關(guān)那么發(fā)射結(jié)正偏，下面關(guān)鍵是判別集電結(jié)是鍵是判別集電結(jié)是 正偏正偏還是反偏。還是反偏。假設(shè)假定為放大

24、形狀：那么直流等效電路如圖假設(shè)假定為放大形狀：那么直流等效電路如圖2-11(b)所示，所示，RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)IB圖圖2-11(b) 放大形狀下的等效電路放大形狀下的等效電路 UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB+(1+)IBQRE)()1 ()(ECCQEECCCEQEQBQCQEBOnBEEEBBBQRRIUUUIIIRRUUUI)(onBECEQUU若方法方法1：那么晶體管處于放大形狀；那么晶體管處于放大形狀；那么晶體管處于飽和形狀；那么晶體管處于飽和形狀；)(onBECEQUU若ECOnBEEECCsatCRRUUUI)()()()(satCs

25、atBII)(satBBQII若)(satBBQII若方法方法2：那么晶體管處于放大形狀；那么晶體管處于放大形狀；那么晶體管處于飽和形狀；那么晶體管處于飽和形狀； 圖圖211晶體管直流分析的普通性電路晶體管直流分析的普通性電路RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)(c)飽和形狀下的等效電路飽和形狀下的等效電路UCE(sat)ECQBQsatCECCQEECCECQBQonBEBBQEEBBRIIURIUURIIURIUU)()()()(晶體管處于飽和形狀時：晶體管處于飽和形狀時：例例2 晶體管電路及其輸入電壓晶體管電路及其輸入電壓ui的波形如圖的波形如圖2-12(a),(b)所示。知所示

26、。知=50，試求，試求ui作用下輸出電壓作用下輸出電壓uo的值，并畫出波形圖。的值，并畫出波形圖。 R33kUCC5VRB39kuiuo(a)電路電路 圖圖212例題例題2電路及電路及ui,uo波形圖波形圖05tuo/ /V0.3(c) uo波形圖波形圖03tui/ /V(b) ui波形圖波形圖R33kUCC5VRB39kuiuo=50 解解:當(dāng)當(dāng)ui=0時，時，UBE=0，那么晶體管截止。此，那么晶體管截止。此時，時，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。當(dāng)。當(dāng)ui =3V時，時，晶體管導(dǎo)通且有晶體管導(dǎo)通且有m028. 0504 . 1Im06. 0I)sat(CBQ 而集電極臨界飽和電

27、流為而集電極臨界飽和電流為 由于由于 m06. 0397 . 03RUuIB)on(BEiBQm4 . 137 . 05RUUIC)on(BECC)sat(C所以晶體管處于飽和。所以晶體管處于飽和。ICQIC(sat)=1.4mA，uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。uo波形如圖波形如圖212(c)所示。所示。補(bǔ)充例題補(bǔ)充例題1電路電路補(bǔ)充例題補(bǔ)充例題1 晶體管電路如以下圖所示。知晶體管電路如以下圖所示。知=100，試判別晶體管的任務(wù)形狀。，試判別晶體管的任務(wù)形狀。5VRBUBBRERCUCC500K1K2K 12V1.先判別晶體管能否處于截止形狀：先判別晶體管能否處于截止形狀：CCB

28、BonBEBBUUUU且,)(晶體管不處于截止形狀；晶體管不處于截止形狀；2.再判別晶體管是處于放大形狀還是飽和形狀：再判別晶體管是處于放大形狀還是飽和形狀： UBB - UBE(on) =IBQRB+(1+)IBQREmARRUUIEBOnBEBBBQ2)(1072. 01015007 . 05)1 ()(onBECEQUU晶體管處于放大形狀；晶體管處于放大形狀；mAIIBQCQ72. 01072. 01002VRRIUUECCQCCCEQ10372. 012)(補(bǔ)充例題補(bǔ)充例題2電路電路補(bǔ)充例題補(bǔ)充例題2 晶體管電路如以下圖所示。知晶體管電路如以下圖所示。知=100，試判別晶體管的任務(wù)形狀

29、。，試判別晶體管的任務(wù)形狀。5VRBUBBRCUCC50K2K 12V1.先判別晶體管能否處于截止形狀：先判別晶體管能否處于截止形狀：CCBBonBEBBUUUU且,)(晶體管不處于截止形狀；晶體管不處于截止形狀；2.再判別晶體管是處于放大形狀還是飽和形狀：再判別晶體管是處于放大形狀還是飽和形狀： UBB - UBE(on) =IBQRBmARUUIBOnBEBBBQ2)(106 . 8507 . 050CEQU晶體管不能夠處于放大區(qū)，而應(yīng)任務(wù)在飽和區(qū)；晶體管不能夠處于放大區(qū)，而應(yīng)任務(wù)在飽和區(qū)；mAIIBQCQ6 . 8106 . 81002VRIUUCCQCCCEQ2 . 526 . 812

30、 233 放大形狀下的偏置電路電路方式簡單電路方式簡單 偏置下的任務(wù)點在環(huán)境溫度變化或改換管子偏置下的任務(wù)點在環(huán)境溫度變化或改換管子時，應(yīng)力求堅持穩(wěn)定，應(yīng)一直堅持在放大區(qū)。時，應(yīng)力求堅持穩(wěn)定，應(yīng)一直堅持在放大區(qū)。對信號的傳輸損耗應(yīng)盡能夠小對信號的傳輸損耗應(yīng)盡能夠小 一、固定偏流電路圖圖213固定偏流電路固定偏流電路RBUCCRC單電源供電。單電源供電。UEE=0，UBB由由UCC提供提供 只需合理選擇只需合理選擇RB，RC的阻值，晶體管將處于的阻值，晶體管將處于放大形狀。放大形狀。圖圖213固定偏流電路固定偏流電路RBUCCRC缺陷：任務(wù)點穩(wěn)定性差；缺陷：任務(wù)點穩(wěn)定性差；IBQ固定，當(dāng)固定，當(dāng)

31、、ICBO等變化等變化ICQ、UCEQ的變化的變化任務(wù)點產(chǎn)任務(wù)點產(chǎn)生較大的漂移生較大的漂移使管子進(jìn)入飽和或截止區(qū)使管子進(jìn)入飽和或截止區(qū) BCCBonBECCBQRURUUI)(,IIBQCQCCQCCCEQRIUU優(yōu)點：電路構(gòu)造簡單。優(yōu)點：電路構(gòu)造簡單。二、電流負(fù)反響型偏置電路二、電流負(fù)反響型偏置電路 圖圖214 電流負(fù)反響型偏置電路電流負(fù)反響型偏置電路RBUCCRCRE在固定偏置電路的發(fā)射極加一個在固定偏置電路的發(fā)射極加一個RE電阻電阻 假設(shè)假設(shè) ICQIEQ UEQ(=IEQRE) EB)on(BECCBQR)(RUUI1ICQ IBQ UBEQ(= UBQ -UEQ)RBUCCRCRE負(fù)反響機(jī)制負(fù)反響機(jī)制任務(wù)點計算式：任務(wù)點計算式：BQCQIIECCQCCCEQRRIUU三、分壓式偏置電路三、分壓式偏置電路(a)電路電路RB1UCCRCRERB2圖