手機(jī)電池培訓(xùn)

1、手機(jī)電池培訓(xùn)資料一、生產(chǎn)主要物料A、電路板； B、保護(hù)板； C、外殼；二、物料功能1、電芯規(guī)格及測(cè)試方法（以TOSHIBA 383562為例）： 外觀尺寸電芯總長(zhǎng)62mm電芯厚度35mm電芯寬度36mm38 35 62 測(cè)試工具：游標(biāo)卡尺 標(biāo)稱容量750mAh 測(cè)試儀器：力興電池程控測(cè)試儀 A充電條件：1C5A（750mAh）恒流充電，當(dāng)壓限4.2V時(shí)轉(zhuǎn)恒壓充電，到充 電電流0.01 1C5A（即7.5mA）時(shí)停止； B靜置12H； C放電條件0.21C5A（150mA）恒流放電終止電壓3.0V止； 開(kāi)路電壓3.7V 測(cè)試儀器：電壓表； 荷電保持能力375mAh； 測(cè)試儀器：力興電池程控測(cè)試儀

2、； 測(cè)試條件：20±5； A充電條件：1C5A（750mAh）恒流充電，當(dāng)電壓限4.2V時(shí)轉(zhuǎn)恒流充電，電 流0.01 1C5A（即7.5mA）時(shí)停止； B開(kāi)路擱置30D； C 0.25 1C5A（150mA）放電給止電壓3.0V； 內(nèi)阻65m; 測(cè)試儀器：內(nèi)阻測(cè)試儀； 測(cè)試讀數(shù)減測(cè)試儀器線損為實(shí)際阻值； 循環(huán)壽命300次； A在20±5條件下以1C5A充電至壓降4.2V時(shí)轉(zhuǎn)恒壓充電，到充電電流 20mA時(shí)停止充電； B擱置0.51H進(jìn)行下一充放電循環(huán)，直至連續(xù)2次放電時(shí)間小于36min， 循環(huán)壽命終止。2、保護(hù)板 保護(hù)板是由電子電路組成，通常包括控制IC、CMOS開(kāi)關(guān)管、N

3、TC、ID存儲(chǔ) 器等，其中控制IC在-25+85的環(huán)境下，時(shí)刻準(zhǔn)確的監(jiān)控著電芯的電 壓和充放電回路的電流（即檢測(cè)電路），在一切正常的情況下，它控制CMOS 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，使電芯與保護(hù)板整個(gè)回路處于正常工作狀態(tài)，而當(dāng)電芯電壓或 回路中電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，約在1530ms內(nèi)（不同CMOS有不同的響應(yīng)時(shí) 間），具體需查閱SMOS技術(shù)規(guī)格書(shū)，將SMOS關(guān)斷，即將整個(gè)放電回路關(guān)斷， 保護(hù)電芯與使用者的安全。 NTC是負(fù)溫度系數(shù)，電阻全稱是Negative temperature Coetficient，當(dāng) 溫度上升時(shí)其阻值減小，主要控制電池充電時(shí)，當(dāng)充電飽合時(shí)，電池達(dá)到 一定的溫度，NTC關(guān)閉充電回路起到保護(hù)

4、板電芯由于過(guò)充造成的損壞。 ID電阻主要用于識(shí)別電池是否與手機(jī)配套，起到識(shí)別電池真?zhèn)蔚淖饔谩?功能： A過(guò)充保護(hù)：當(dāng)電池充電電壓超過(guò)設(shè)定值VDD，翻轉(zhuǎn)Cout輸出變?yōu)榈碗娖剑?V2的G2端截止，充電停止；當(dāng)電池電壓低于設(shè)定值V2時(shí)，CONT輔出“H” 電平，V2G2腳工作可繼續(xù)向電池充電； B過(guò)放保護(hù)：當(dāng)電池電壓因放電而降低至設(shè)定值VDD時(shí)，V2 Dout腳由H電 平變?yōu)長(zhǎng)電平；CMOS G1腳關(guān)斷，電芯放電回路停止放電，以防止過(guò)放 而對(duì)電芯造成傷害。 手機(jī)鋰電池用保護(hù)板線路板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)： 目的： 系統(tǒng)控制保護(hù)板的質(zhì)量，使保護(hù)板的認(rèn)證、來(lái)料檢驗(yàn)做到有據(jù)可依，且 正確、客觀地評(píng)估保護(hù)板優(yōu)劣，并將保

5、護(hù)板的品質(zhì)不良控制到最低限度。 適用范圍： 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了手機(jī)鋰電池用保護(hù)線路板（簡(jiǎn)稱保護(hù)板）的技術(shù)要求、試 驗(yàn)方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于德賽能源科技有限公司手機(jī)鋰電池用保護(hù)板，其它保護(hù)板 也可參考使用。 技術(shù)要求、試驗(yàn)方法： 一般保護(hù)板必須進(jìn)行的常規(guī)檢驗(yàn)，其項(xiàng)目：A外觀B結(jié)構(gòu)尺寸C元器件 要求D過(guò)充保護(hù)電壓E過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓F過(guò)放保護(hù)電壓G過(guò)放保護(hù)板恢復(fù) 電壓H自耗電I內(nèi)阻J耐壓性能K短路性能L過(guò)流性能； 認(rèn)證性或要求較高的保護(hù)板進(jìn)行的型式及可靠性檢驗(yàn)，其項(xiàng)目：A/短路 沖擊B荷持電流能力C過(guò)放,過(guò)放,短路,過(guò)流保護(hù)延遲時(shí)間D高溫基本性能測(cè) 試E低溫基本性能測(cè)試F高溫環(huán)境適應(yīng)性G低溫環(huán)境適應(yīng)性H恒定

6、濕熱溫度 I振動(dòng)試驗(yàn)I鹽霧試驗(yàn)J抗靜電試驗(yàn)； .1 測(cè)試環(huán)境 溫度：1535 相對(duì)濕度：45%75% .2 外觀要求： 保護(hù)板外表面應(yīng)清潔、無(wú)污垢，基材板無(wú)破損、毛邊及彎曲變形；線 路無(wú)裸露及斷裂；元器件無(wú)連焊、偏離焊盤，各元件引腳焊點(diǎn)應(yīng)光亮，錫 量均勻；板面元器件標(biāo)識(shí)應(yīng)清晰可辨。 .3 結(jié)構(gòu)尺寸要求： 送樣認(rèn)證（或來(lái)料檢驗(yàn)）保護(hù)板結(jié)構(gòu)尺寸應(yīng)符合保護(hù)板結(jié)構(gòu)尺寸圖 所規(guī)定。 .4 元器件要求： 送樣認(rèn)證（或來(lái)料檢驗(yàn)）保護(hù)板所用元器件應(yīng)符合保護(hù)板原理圖、 保護(hù)板用BOM .5 過(guò)充保護(hù)電壓： 過(guò)充保護(hù)電壓是電芯電壓達(dá)到保護(hù)線路中IC預(yù)定上限控制電壓時(shí)保 護(hù)電路動(dòng)用，切斷充電回路，防止電芯發(fā)生過(guò)充電

7、。or10K+-AK1P+ B+P- B-VK模擬電芯實(shí)際電芯 測(cè)試保護(hù)板過(guò)充保護(hù)電壓原理圖如下： 圖1 過(guò)充保護(hù)電壓檢測(cè)原理圖AV當(dāng) 表最高值為IC上限控制電壓時(shí)，此時(shí) 表瞬間擺動(dòng)歸0。（如負(fù)載V為實(shí)際電芯，則調(diào)整RP阻值，開(kāi)始給電芯快速充電，當(dāng) 表達(dá)到4.0V時(shí)調(diào)整VARP使充電電流在2050mA之間，待 表讀數(shù)為0時(shí)，觀察 表的讀數(shù)即為保護(hù)板上限控制電壓） 另外，過(guò)充保護(hù)電壓檢測(cè)也可是用專用測(cè)試儀檢測(cè)。（如LT-100鋰電保護(hù)板測(cè)試儀） 注：具體過(guò)充保護(hù)電壓值參見(jiàn)各型號(hào)保護(hù)板檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)書(shū)。 .6 過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓： 過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓是電芯電壓回路到IC的過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓規(guī)定值 時(shí)，保護(hù)電路

8、動(dòng)作，開(kāi)通充電回路，讓外部電路給電芯補(bǔ)充電。 測(cè)試保護(hù)板過(guò)充恢復(fù)電壓原理圖同圖1（過(guò)充保護(hù)電壓檢測(cè)原理圖） 當(dāng)模擬電池兩端的電壓消耗降低到過(guò)充保護(hù)自恢復(fù)電壓（ 表顯示 數(shù)值）， 表有電流指示，外電路恢復(fù)給模擬電池充電。（如負(fù)載為實(shí)際 電壓，當(dāng)電芯電壓自耗到過(guò)充保護(hù)自恢復(fù)電壓，外電路恢復(fù)給電芯充電）。 另外，過(guò)充保護(hù)自恢復(fù)電壓檢測(cè)也可專用測(cè)試儀檢測(cè)（如LT-100鋰 電保護(hù)板測(cè)試儀） 注明：A 某些保護(hù)板沒(méi)有過(guò)充保護(hù)恢復(fù)功能，這是由IC本身電路的 特性所決定，如RICOH的R5421N152F、R5421N139F能自恢復(fù)，而R542N112C 不能自恢復(fù)。 B 具體過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓值參見(jiàn)各型號(hào)

9、保護(hù)板檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)書(shū)。 .7 過(guò)放保護(hù)電壓： 過(guò)放保護(hù)電壓是電芯電壓達(dá)到保護(hù)線路中IC預(yù)定下限控制電壓時(shí)保 護(hù)電路動(dòng)作，切斷放電回路，防止電芯發(fā)生過(guò)放電。 測(cè)試保護(hù)板過(guò)放保護(hù)電壓原理圖如下：RP201505B+ P+B- P-實(shí)際電芯1K模擬電池VA 圖2 過(guò)放保護(hù)電壓檢測(cè)原理圖AV 當(dāng) 表最低值為IC下限控制電壓時(shí)，此時(shí) 表瞬間擺動(dòng)歸0。（如電源為實(shí)際電芯，則調(diào)整RP阻值，讓電芯快速放電，當(dāng)A表讀數(shù)為0時(shí)，觀察V表的讀數(shù)即為保護(hù)板下限控制電壓） 另外，過(guò)放保護(hù)電壓檢測(cè)也可用專用測(cè)試儀檢測(cè).（如LT-100鋰電保護(hù)板測(cè)試儀）注：具體過(guò)放保護(hù)電壓值參見(jiàn)各型號(hào)保護(hù)板檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)書(shū)。 .8過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓：

10、 過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓是電芯電壓回升到IC的過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓規(guī)定值 時(shí)，保護(hù)線路動(dòng)作，開(kāi)通放電回路，當(dāng)負(fù)載電阻去除后，P+、P-端有電壓 輸出。 測(cè)試保護(hù)板過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓原理圖同圖2（過(guò)放保護(hù)電壓檢測(cè)原理 圖）。 另外，過(guò)放保護(hù)自恢復(fù)電壓檢測(cè)也可用專用測(cè)試儀檢測(cè)（如LT-100 鋰電保護(hù)板測(cè)試儀）。 注明：A 某些保護(hù)板沒(méi)有過(guò)放保護(hù)恢復(fù)功能，這是由IC內(nèi)部電路的 特性所決定，如RICOH的R5421N152F、R5421N139F能自恢復(fù)，而R5420N112C 不能自恢復(fù)； B 具體過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓值參見(jiàn)各型號(hào)保護(hù)板檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)書(shū)； C 過(guò)放自恢復(fù)性能要看負(fù)載清除后電芯電壓“返彈”情況，如“返彈”

11、 速度迅速，則立即恢復(fù)；如“返彈”速度緩慢，則等到電芯電壓恢復(fù)到過(guò) 放保護(hù)恢復(fù)電壓，才能恢復(fù)。如電芯電壓不能恢復(fù)到過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓， 則需補(bǔ)充電后才能“激活”恢復(fù)。 .9 自耗電流： 保護(hù)板連電芯在靜態(tài)狀況下耗電電流。 測(cè)試保護(hù)板自耗電流原理圖如下：4VB+ P+B- P-實(shí)際電芯等效電芯A 圖3 自耗電流檢測(cè)原理圖A當(dāng)E在3.6V4.0V時(shí), 表的數(shù)值應(yīng)小于6A。（如電源為實(shí)際電芯，用不同電壓值電芯也可測(cè)試）另外：自耗電流也可用專用測(cè)試儀檢測(cè)。（如LT100鋰電保護(hù)板測(cè)試儀） .10 內(nèi)阻： 電路導(dǎo)通（充電、放電）時(shí)保護(hù)板主回路中的等效阻抗值。 A 放電內(nèi)阻： 測(cè)試電路圖如下：RP 20/1

12、0W4VB+ P+B- P-實(shí)際電芯等效電芯V1V2A 圖4 放電內(nèi)阻檢測(cè)原理圖V2V1V2V1A 調(diào)節(jié)RP，使 數(shù)據(jù)值為500mA，讀 、 數(shù)值的絕對(duì)值，將 、絕對(duì)值之和除以500mA所得數(shù)值即保護(hù)板的等效放電內(nèi)阻。 B 充電內(nèi)阻： 測(cè)試電路圖如下：4.5VRP 20/10WB+ P+B- P-V1V2A 圖5 充電內(nèi)阻檢測(cè)原理圖V1V2V2V1A 調(diào)節(jié)RP，使 數(shù)據(jù)值為500mA，讀 、 數(shù)值的絕對(duì)值，將 、絕對(duì)值之和除以500mA，所得數(shù)值即保護(hù)板的等效充電內(nèi)阻。另外：保護(hù)板內(nèi)阻檢測(cè)也可用專用測(cè)試儀（如LT-100鋰電保護(hù)板測(cè)試儀）加萬(wàn)用表計(jì)算出的。注明：A 具體內(nèi)阻值參見(jiàn)各型號(hào)保護(hù)板檢

13、驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)書(shū)（因MOSFET規(guī)格及布線不同）。 B保護(hù)板內(nèi)阻主要受MOSFET控制，且MOSFET隨通過(guò)的電流不同阻值呈非 線性變化。 .11 短路沖擊： 保護(hù)板連電芯后P+、P-羰連續(xù)反復(fù)短路，以便鑒別IC及MOSFET的 抗短路沖擊能力。 測(cè)度保護(hù)板短路沖擊原理圖如下：等效電芯 4V10002000mAhor4V(30A電流輸出能力)B+ P+B- P-實(shí)際電芯金屬導(dǎo)線(0.1) 圖6 短路沖擊檢測(cè)原理圖用金屬導(dǎo)線連續(xù)接通P+、P-端30次（間隔時(shí)間小于3秒），測(cè)試后檢測(cè)保護(hù)板的基本性能（過(guò)充、過(guò)放、短路、內(nèi)阻、自耗電、耐壓），如正常，則短路沖擊性能OK，如異常，則短路沖擊性能NG。 .12

14、荷持電流能力： 保護(hù)電路能持續(xù)通過(guò)大電流的能力。 測(cè)試保護(hù)板持電流能力原理圖如下：3.64VRPB+ P+B- P-AV11KV2 圖7 放電荷持電流檢測(cè)原理圖5V3.6VRPB+ P+B- P-AV11KV2 圖8 充電荷持電流檢測(cè)原理圖A調(diào)節(jié)RP，使 電流為1.52A，并維持15分鐘，不應(yīng)出現(xiàn)任何異常，IC、MOSFET及其它元器件表面溫度不超過(guò)50，測(cè)試后檢測(cè)保護(hù)板的基本性能（過(guò)充、過(guò)放、短路、內(nèi)阻、自耗電、耐壓），如正常，則荷持電流性能OK，如異常，則荷持電流性能NG。 .13 耐壓性能： 保護(hù)板線路中元器件的抗電壓能力，主要是通過(guò)加壓后的漏電流指 標(biāo)來(lái)反應(yīng)。 測(cè)試保護(hù)板耐壓原理圖如下

15、：B+ P+B- P-A 圖9 （B+、B-）端耐壓原理圖E=±7.5VB+ P+B- P-A/mA 圖10 （P+、P-）端耐壓原理圖A如圖9加上±8V電壓后持續(xù)3分鐘，3分鐘后讀數(shù)取 表上的數(shù)值，+8V時(shí)A數(shù)值應(yīng)6A，-8V時(shí)A數(shù)值也應(yīng)6A。A如圖10加上±7.5V電壓后持續(xù)3分鐘，3分鐘后讀數(shù)取 表上的數(shù)值，±7.5V時(shí)A數(shù)值應(yīng)5A，-7.5V時(shí)A數(shù)值也應(yīng)5A。 .14 短路性能： 保護(hù)板連電芯后在P+、P-端用小于0.1電阻短接，保護(hù)線路應(yīng)動(dòng) 作，切斷短路回路。 測(cè)試保護(hù)板短路性能原理圖如下：or4V(30A電流輸出能力)B+ P+B- P-實(shí)際

16、電芯0.1電阻(or導(dǎo)線)等效電芯V 4V10002000mAh 圖11 短路測(cè)試原理圖 當(dāng)0.1電阻（or導(dǎo)線）接通電路后，V表由數(shù)值跳變到0。VVV注明：某些保護(hù)板沒(méi)有短路恢復(fù)功能，這是由IC內(nèi)部電路特性決定的，如RICOH的R5421N152F，R5421N139F能自恢復(fù)，而R5420N112C不能自恢復(fù)。能自恢復(fù)的，在短路消除后 有數(shù)值，且等于 電芯電壓，不能恢復(fù)的， 沒(méi)有數(shù)值。 .15 過(guò)流性能： 保護(hù)板組成的電路中出現(xiàn)過(guò)流時(shí)，保護(hù)線路應(yīng)動(dòng)作，切斷保護(hù)線路， 以免過(guò)大的電流損壞電芯及保護(hù)板線路本身元器件。 測(cè)試保護(hù)板過(guò)流性能原理圖如下：RPB+ P+B- P-A1K3.6VRP1K

17、B+ P+B- P-A44V 圖12 過(guò)流測(cè)試原理圖AA調(diào)節(jié)RP，保護(hù)線路應(yīng)在 表顯示25A數(shù)值內(nèi)切斷回路， 表顯示為0。注明：過(guò)流電流值的大小受IC的過(guò)流檢測(cè)電壓值及MOSFET內(nèi)阻值發(fā)生變化，且MOSFET內(nèi)阻值是動(dòng)態(tài)的，隨電流的大小發(fā)生變化。 .16 過(guò)充、過(guò)放、短路、過(guò)流延時(shí)時(shí)間： （過(guò)充、過(guò)放、短路、過(guò)流）延遲時(shí)間是保護(hù)線路執(zhí)行保護(hù)所需的 滯后時(shí)間，是保護(hù)動(dòng)作線路靈敏度的一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)。5VRP+-EB+ P+B- P-A5VCH1CH2 圖13 過(guò)充、過(guò)放延遲測(cè)試原理圖CH1CH2調(diào)節(jié)E、RP、觀 跳低、 跳高之時(shí)間差。此時(shí)間差即為過(guò)流（或短路）延遲時(shí)間。過(guò)流、短路延遲測(cè)試原理圖如下

18、：RP5V+-B+ P+B- P-ACH1CH230mRPorK 圖14 過(guò)流、短路延遲測(cè)試原理圖CH1CH2 調(diào)節(jié)RP（orK），觀察 跳低、 跳高之時(shí)間差。此時(shí)間即為過(guò)流（或短路）延時(shí)時(shí)間。注明：A 過(guò)充、過(guò)放、短路、過(guò)流延遲時(shí)間參見(jiàn)各型號(hào)保護(hù)板規(guī)格書(shū)； B CH1、CH2接示波器。 .17 高溫測(cè)試試驗(yàn)： 在試驗(yàn)溫度45、65、85環(huán)境下，測(cè)試保護(hù)板的基本電性能（過(guò) 充、過(guò)放、耐壓、自耗電、內(nèi)阻、短路），其性能應(yīng)正常，但比在常溫有 所偏移。（因各種不同型號(hào)的IC偏移量）。 .18 低溫測(cè)試試驗(yàn)： 在試驗(yàn)溫度-15、-20、-25、-30環(huán)境下，測(cè)試保護(hù)板的基 本電性能（過(guò)充、過(guò)放、耐壓、

19、自耗電、內(nèi)阻、短路），其性能應(yīng)正常， 但比在常溫有所偏移。（因各種不同型號(hào)的IC偏移量不相同，可參考各 型號(hào)IC性能參數(shù)-溫度特性對(duì)照?qǐng)D或表）。 .19 高溫環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)： 將保護(hù)板置于65±2環(huán)境中持續(xù)24H，取出后立即（15分鐘內(nèi)） 進(jìn)行保護(hù)板基本性能測(cè)試，各項(xiàng)性能參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合常溫下的指標(biāo)規(guī)定 要求。 .20 低溫環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)： 將保護(hù)板置于-20±3環(huán)境下持續(xù)24H，取出后立即（15分鐘內(nèi)） 進(jìn)行保護(hù)板基本性能測(cè)試，各項(xiàng)性能參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合常溫下的指標(biāo)規(guī)定 要求。 .21 恒定溫?zé)嵩囼?yàn)： 將保護(hù)板置于40±2，溫度90%95%，試驗(yàn)持續(xù)24H。取出后 即

20、（15分鐘內(nèi)）進(jìn)行保護(hù)板基本性能測(cè)試，各項(xiàng)性能參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合常 溫下的指標(biāo)規(guī)定要求。 .22 振動(dòng)試驗(yàn)： 將保護(hù)板置于試驗(yàn)頻率為1055HZ，振幅為0.35mm，每個(gè)方向上掃 頻循環(huán)次數(shù)為10次。試驗(yàn)結(jié)束后測(cè)試保護(hù)板各項(xiàng)性能指標(biāo)，其性能參數(shù) 指標(biāo)應(yīng)符合指標(biāo)規(guī)定要求。 .23 鹽霧實(shí)驗(yàn)： 將保護(hù)板置于35，PH=7，5%的含鹽量的霧氣環(huán)境中擱置48H。試 驗(yàn)結(jié)束后，檢查保護(hù)板是否補(bǔ)腐蝕（尤其是金手指觸片），測(cè)試保護(hù)板各 項(xiàng)性能參數(shù)，其性能參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合常規(guī)指標(biāo)規(guī)定要求。 .24 靜電試驗(yàn)： 按照IEC1000-4-2規(guī)定，運(yùn)用+/-15KV，輸入電阻330hms且輸入電 容150PF的靜電弧放電

21、或+/-8KV的靜電槍直接接觸，對(duì)保護(hù)板的輸入、 輸出端（B+、B-及P+、P-）各進(jìn)行10次測(cè)試，試驗(yàn)結(jié)束后測(cè)試保護(hù)板各 項(xiàng)性能參數(shù)，其性能參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合常規(guī)指標(biāo)規(guī)定要求。3、外殼 材料：ABS或ABS/PC ABS材料：丙烯睛丁二烯苯乙烯，三無(wú)共聚物； H H H H H H H H C - C - C - C= C - C - C - C H H H H H H C6H6 分子式： CCH3CH3OCOOn PC：聚碳酸脂： 材料性質(zhì) A ABS/PC：PC耐勢(shì)韌性好，尺寸穩(wěn)定； ABS加工性好，成本低； B ABS：加工性好，成本低，機(jī)械性能好； 缺點(diǎn)：耐溶劑性差，日曬易脆裂，阻燃性差

22、。 材料檢測(cè) A注塑入水部分是否彼鋒過(guò)高造成內(nèi)腔高度減小，影響電芯裝配； B五金窗口位是否有彼鋒，影響五金裝入； C保護(hù)板定位部分裝配公差是否過(guò)大，造成觸片偏痊，如保護(hù)板定位孔與 膠殼定位柱配合公差不應(yīng)大于0.05mm，電芯內(nèi)腔寬度長(zhǎng)度是否會(huì)影響到 電芯裝配，計(jì)算時(shí)要考慮到焊線高度、形狀與焊接面的形狀與寬度以及溶 接深度； D來(lái)料檢測(cè)時(shí)不僅僅要檢測(cè)尺寸公差是否合格，在正常生產(chǎn)過(guò)程中很多問(wèn) 題是由于裝配公差造成了產(chǎn)品裝配后不良，在分析因裝配造成的不良品時(shí), 對(duì)塑膠殼、保護(hù)板、電芯的尺寸裝配后的位置尺寸及公差均要做細(xì)致的分 析，并記錄下所測(cè)試后數(shù)據(jù)，用以支持分析結(jié)果。三、電池生產(chǎn)中需注意的問(wèn)題1、

23、 金屬點(diǎn)焊工位：首先要確認(rèn)材料使用是否正確，有無(wú)變更，如電芯型號(hào)、鎳片尺寸、PTC、 FUSE規(guī)格；定位夾具定位是否準(zhǔn)確，點(diǎn)焊是否牢固，一般鎳片點(diǎn)焊后拔脫力應(yīng)大于2Kg, 并可保持5S以上；確認(rèn)員工是否有上崗證。 2、焊接工位： 首先確認(rèn)烙鐵尖溫度是否符合工藝要求，一般在350±20； 確認(rèn)方法：烙鐵溫度表； 確認(rèn)烙鐵是否適合焊盤尺寸及焊接夾具定位是否準(zhǔn)確； 方法：取35PCS員工焊接后產(chǎn)品裝殼后觀察觸片是否偏位； 確認(rèn)員工焊接方法是否易產(chǎn)生錫渣在電池內(nèi)；如： A清潔烙鐵頭時(shí)； B抽出烙鐵角度不對(duì)或速度過(guò)快； C焊接后是否馬上拿起并 在生產(chǎn)線上； D是否在焊盤邊貼有海棉膠、膠紙、牛皮

24、絕緣紙等易吸附錫珠的材料； E確認(rèn)員工在焊接電池時(shí)，電池放置的方向是否正確（要求焊接位置面向 員工）； 保護(hù)板是否在如面亂堆亂放，以免劃傷觸片。 3、初檢工位： 確認(rèn)儀器參數(shù)設(shè)置是否正確； 確認(rèn)員工是否完全記清該品種電池需要測(cè)試的項(xiàng)目及參數(shù)； 確認(rèn)卡座是否壓傷劃傷觸片。4、合蓋： 確認(rèn)合蓋后上下殼是否容易偏位造成超聲塑焊不良；5、超聲塑焊： 確認(rèn)焊接后電池套面縫隙是否合格，一般應(yīng)0.2mm，除有特別要求； 確認(rèn)本機(jī)頻率是否合格（按TESTER電流表指針），以免機(jī)器頻率過(guò)高振壞 保護(hù)板上元件； 確認(rèn)電池外觀，應(yīng)無(wú)壓傷、變形、脫漆等不良； 確認(rèn)工作臺(tái)是否穩(wěn)定。6、終檢： 確認(rèn)儀器參數(shù)設(shè)置是否正確；

25、 確認(rèn)員工已完全掌握所需測(cè)試參數(shù)； 終檢、初檢工位均需用不良電池確認(rèn)機(jī)器設(shè)備是否正常； 確認(rèn)卡座是否壓傷觸片。7、其它： 電池生產(chǎn)過(guò)程中，經(jīng)常出現(xiàn)問(wèn)題的工位一般在焊接與超聲塑焊工位，塑焊工位一直是我廠生產(chǎn)的瓶頸，所以關(guān)注員工實(shí)際操作是每一個(gè)PE在日常工作中應(yīng)特別注意的問(wèn)題。 如SC03在生產(chǎn)過(guò)程中常常會(huì)出現(xiàn)PCBA上VSC線條燒斷現(xiàn)象，開(kāi)始一直以為PCBA本身設(shè)計(jì)所造成的質(zhì)量問(wèn)題，但經(jīng)對(duì)PCBA分析才發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)問(wèn)題，經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)觀察發(fā)現(xiàn)，該生產(chǎn)員工在焊接鎳片上保護(hù)板時(shí)，烙鐵尖左右滑動(dòng)時(shí)烙鐵尖碰到正極焊盤邊沿的XXX電阻VSS端造成正極與負(fù)極短路，燒斷PCBA上負(fù)極線條。四、IE技術(shù) 1、問(wèn)題的定義：

26、在解決問(wèn)題的過(guò)程中定義所遇到的問(wèn)題是最重要的步驟之一，此步驟可以幫 助我們對(duì)癥下藥，但我們往往忽略了此步驟，例如：復(fù)印機(jī)壞了是一個(gè)常常發(fā)生 的問(wèn)題，但如果改寫成復(fù)印機(jī)弄骨葬了印出來(lái)的紙，問(wèn)題的定義就明確了；明確 的問(wèn)題可以指引解決過(guò)程的正確方向，反之則會(huì)引導(dǎo)我們誤入歧途，人旦方向錯(cuò)誤，則你下面所進(jìn)行的全部工作是“徒勞無(wú)功”，例如：“缺乏QC人員”與“貨品未經(jīng)QC出貨了“，是完全的兩回事。 在訂義問(wèn)題陳述時(shí)應(yīng)避免下列事項(xiàng)： 有系統(tǒng)地陳述疑問(wèn)點(diǎn)，因疑點(diǎn)并不一定是問(wèn)題的所在； 將問(wèn)題歸諸于某人的暗示或某種動(dòng)機(jī)； 數(shù)據(jù)的建立與準(zhǔn)確性； 客觀的描述不可接受的狀況。2、使用4W 2H方法，明確、簡(jiǎn)潔、客觀

27、的陳述問(wèn)題，并以問(wèn)題在什么狀況下發(fā) 生為導(dǎo)向； WHAT 什么事情 WHERE 在何處發(fā)生 WHEN 何時(shí)發(fā)生 HOW 如何發(fā)生 WHO 與誰(shuí)有關(guān) HOW MUCH/MANY 發(fā)生的次數(shù)及數(shù)量3、分析原因： 分析問(wèn)題在什么情況下發(fā)生以得到原因，而對(duì)策則為原因之相反；對(duì)于經(jīng)常發(fā)生的問(wèn)題或數(shù)據(jù)性之間題可采用：特性要因圖 檢查法 柏接圖等方法找到原因，對(duì)于偶然發(fā)生的問(wèn)題或非數(shù)據(jù)性問(wèn)題或采用：特性要因圖 系統(tǒng)圖 5W+4H之方式，以找出原因，如員工對(duì)作業(yè)程序的理解及對(duì)方法的理解錯(cuò)誤。 特性要因圖： 籍由分析整個(gè)過(guò)程以確認(rèn)區(qū)別及定義問(wèn)題根本原因的方法，因?yàn)槠洳捎梅?枝方式故又名魚(yú)骨圖； 柏拉圖： 柏拉圖

28、又名重點(diǎn)分析圖，作業(yè)方法如下： A 決定統(tǒng)計(jì)項(xiàng)目 B 設(shè)計(jì)統(tǒng)計(jì)表 C 決定日期收集數(shù)據(jù) D統(tǒng)計(jì)各種數(shù)據(jù) E 各項(xiàng)目按數(shù)據(jù)大小順序排列 F 求各項(xiàng)目之百分比 G 繪入縱軸及橫軸 H 繪上柱形圖 I 記入折線 J 記入數(shù)據(jù)履歷 系統(tǒng)圖： 為了達(dá)成所決定的目的與目標(biāo)，依據(jù)目標(biāo)系列做有系統(tǒng)的尺開(kāi)，以尋求最適當(dāng)?shù)氖侄闻c方法。圖例：特性要因圖客退與析讓特性要因圖 標(biāo)識(shí)不符電腦檔案錯(cuò)誤*客戶倒閉客戶因素銷售不良訂單取消訂單變更訂單錯(cuò)誤訂單問(wèn)題發(fā)票原圖，資料輸入錯(cuò)誤單據(jù)書(shū)寫錯(cuò)誤*外觀不良規(guī)格不符耗電嚴(yán)重產(chǎn)品品質(zhì) *品牌不符交貨晚，市場(chǎng)已無(wú)需求未依訂單出貨 其 它客退與析讓 柏拉圖 系統(tǒng)圖 治標(biāo)：ECN造成產(chǎn)品

29、、物料庫(kù)存來(lái)料執(zhí)行ECN會(huì)簽 治標(biāo)：ECN朝今夕改引起執(zhí)行ECN會(huì)簽，并由品保單位最高主管確認(rèn)ECN發(fā)生后為何造成后續(xù)單位困難 后續(xù)單位補(bǔ)于棄命 未有專人負(fù)責(zé)（WHO）由高層指定部門及擔(dān)當(dāng)人 負(fù)責(zé) 治本事物流程 未能收集足夠資歷料收集、參考成功之公司之運(yùn) 未建立 作“控人” 決策未確認(rèn)部門主管會(huì)議達(dá)成共識(shí)設(shè)定時(shí)間表 技術(shù)/品質(zhì)部與生產(chǎn)部距離太遠(yuǎn)尋找適合的廠房 治本 責(zé)權(quán)劃分不清做工作分析制定工作說(shuō)明書(shū) 經(jīng)理人員未盡責(zé)尋找專業(yè)經(jīng)理人 專職專責(zé)實(shí)行問(wèn)責(zé)制4、訂立改善目標(biāo) 在制定對(duì)策前一定在制定改善的目標(biāo)，不然的話很難確認(rèn)所制定的對(duì)策是否適當(dāng)及有效，并要注意以下兩點(diǎn)： 目標(biāo)不宜過(guò)高； 制定之標(biāo)應(yīng)在自身能力范圍能達(dá)成的范圍內(nèi)。5、對(duì)策的制定： 有創(chuàng)意的解決 重要原因 選出解決的方案 方案+分析+數(shù)據(jù)6、決策分析： 首先要定義問(wèn)題的目的，即決策目標(biāo)，也就是明確決策的細(xì)節(jié)； 其次要了解決策限