MOSFET功放電路

1、目 錄場效應(yīng)管功率放大電路1場效應(yīng)管80W音頻功率放大電路1一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路圖2100W的MOSFET功率放大器2場效應(yīng)管(MOSFET)組成的25W音頻功率放大器電路圖4一種單電源供電的MOSFET功放電路6100W的V-MOSFET功率放大器電路6100W場效應(yīng)管功率放大電路8全對(duì)稱MOSFET OCL功率放大器電路圖9場效應(yīng)管功率放大電路如圖所示電路是采用功率MOSFET管構(gòu)成的功率放大器電路。電路中差動(dòng)第二級(jí)采用2SJ77*率MOSFET，電流鏡像電路采用2SK214。其工作電流為6mA，但電源電壓較高(為±50V)，晶體管會(huì)發(fā)熱，因此要接人小

2、型散熱器。場效應(yīng)管80W音頻功率放大電路一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路圖100W的MOSFET功率放大器電路圖關(guān)于電路電容C8是阻止直流電壓，如果從輸入源的輸入直流去耦電容。如果暢通，將改變這個(gè)直流電壓偏置值S后續(xù)階段。電阻R20限制輸入電流到Q1 C7 -繞過任何輸入的高頻噪聲。晶體管Q1和Q2的形式輸入差分對(duì)和Q9和Q10來源1毫安左右建成的恒流源電路。預(yù)設(shè)R1用于調(diào)整放大器的輸出電壓。電阻R3和R2設(shè)置放大器的增益。第二差的階段是由晶體管，第三季度和Q6，而晶體管Q4和Q5形式電流鏡，這使得第二個(gè)差分對(duì)漏一個(gè)相同的電流。這樣做是為了提高線性度和增益。Q7和Q8在AB類模

3、式運(yùn)行的功率放大級(jí)的基礎(chǔ)上。預(yù)設(shè)R8可用于調(diào)整放大器的靜態(tài)電流。電容C3和電阻R19組成的網(wǎng)絡(luò)，提高了高頻率穩(wěn)定度和防止振蕩的機(jī)會(huì)。F1和F2是安全的保險(xiǎn)絲。電路設(shè)置設(shè)置在中點(diǎn)R1開機(jī)前，然后慢慢調(diào)整為了得到一個(gè)最低電壓（比50mV）輸出。下一步是成立的靜態(tài)電流，并保持在最低電阻預(yù)設(shè)的R8和萬用表連接跨標(biāo)記點(diǎn)電路圖X和Y的調(diào)整R8使萬用表讀取16.5mV對(duì)應(yīng)50mA的靜態(tài)電流。注意事項(xiàng)質(zhì)量好的印刷電路板組裝的電路。 使用一個(gè)45 / -45 V直流，3A的雙電源供電電路。 電源電壓不得超過55 / -55 V直流。 連接揚(yáng)聲器前，檢查零信號(hào)放大器的輸出電壓，在任何情況下不應(yīng)該大于50mV。如果

4、是大于50mV，檢查電路中的任何錯(cuò)誤。另一套更換Q1，Q2，也可以解決問題。 Q7和Q8適合2 ° C / W的散熱片。Q7和Q8都必須被隔離，使用云母片。很容易在市場上幾乎所有的功率晶體管/幾乎所有封裝形式的MOSFET散熱器安裝包。 所有電阻R10，R11和R19的其他1 / 4瓦的金屬膜電阻。R10和R11是5W線繞型，而R19是一個(gè)3W線繞類型。場效應(yīng)管(MOSFET)組成的25W音頻功率放大器電路圖功放電路技術(shù)參數(shù):輸出功率:25V,8ohm負(fù)載.靈敏度: 200mV 輸入 25W 輸出頻率響應(yīng):30Hz to 20KHz -1dBTHD 1KHz: 0.1W 0.014%

5、 1W 0.006% 10W 0.006% 20W 0.007% 25W 0.01% THD: 0.1W 0.024% 1W 0.016% 10W 0.02% 20W 0.045% 25W 0.07%音頻功放電路:R1,R4 = 47K 1/4W 電阻 R2 = 4K7 1/4W 電阻 R3 = 1K5 1/4W 電阻 R5 = 390R 1/4W 電阻 R6 = 470R 1/4W 電阻 R7 = 33K 1/4W 電阻 R8 = 150K 1/4W 電阻 R9 = 15K 1/4W 電阻 R10 = 27R 1/4W 電阻 R11 = 500R 1/2W R12,R13,R16 = 10R

6、 1/4W 電阻 R14,R15 = 220R 1/4W 電阻 R17 = 8R2 2W 電阻 R18 = R22 4W 電阻 (wirewound) C1 = 470nF 63V 薄膜電容器 C2 = 330pF 63V 薄膜電容器 C3,C5 = 470uF 63V 電解電容器 C4,C6,C8,C11 = 100nF 63V 薄膜電容器s C7 = 100uF 25V 電解電容器C9 = 10pF 63V 薄膜電容器C10 = 1uF 63V 薄膜電容器 Q1-Q5 = BC560C 45V100mA 低噪聲高增益PNP三極管Q6 = BD140 80V 1.5A PNP三極管Q7 =

7、BD139 80V 1.5A NPN 三極管 Q8 = IRF532 100V 12A N溝道場效應(yīng)管Q9 = IRF9532 100V 10A P溝道場效應(yīng)管電源電路Parts:R1 = 3K3 1/2W 電阻 C1 = 10nF 1000V 薄膜電容器 C2,C3 = 4700F 50V 電解電容器 C4,C5 = 100nF 63V 薄膜電容器 D1 200V 8A 整流橋,讀都也可以用四個(gè)整流二極管D2 綠色發(fā)光二極管（電源指示燈）F1,F2 3.15A 保險(xiǎn)絲 電源變壓器次級(jí)輸出雙25V (中間抽頭). PL1 插座 SW1 開關(guān)注意事項(xiàng)Can be directly connect

8、ed to CD players, tuners and tape recorders. Simply add a 10K Log potentiometer (dual gang for stereo) and a switch to cope with the various sources you need.Q6 & Q7 must have a small U-shaped heatsink.Q8 & Q9 must be mounted on heatsink.Adjust R11 to set quiescent current at 100mA (best mea

9、sured with an Avo-meter in series with Q8 Drain) with no input signal.A correct grounding is very important to eliminate hum and ground loops. Connect in the same point the ground sides of R1, R4, R9, C3 to C8. Connect C11 at output ground. Then connect separately the input and output grounds at pow

10、er supply ground.一種單電源供電的MOSFET功放電路Q2作為恒流源，Q1作為甲類功放管。 100W的V-MOSFET功率放大器電路  下面是 100W的V-MOSFET功率放大器電路的電路圖 材料清單：· R1=27Kohm · R2-11=4.7Kohm · R3-4=5.6Kohm · R5=47Kohm · R6=1Kohm · R7-10-21=22Kohm · R8=12ohm · R9=1Mohm · R12=33ohm · R13-20=82o

11、hm · R14=33ohm · R15=2.7Kohm · R16=270ohm · R17-19=680ohm · R18=33Kohm · R22-23=0.33ohm 5W · R24=8.2ohm · R25=10ohm 1W · TR1=470ohm trimmer · TR2=4.7Kohm trimmer · C1=1uF 63V mkt · C2=1nF 100V* · C3=100uF 16V · C4=100nF 100V* 

12、3; C5-7=22uF 16V · C6=4.7pF ceramic · C8=47uF 16V · C9=1nF 100V* · C10-11=100uF 100V · C12-14=100nF 250V mkt · C13=150nF 100V mkt · C15=100uF 35V · D1=12V 0.5W Zener · D2.5=8.2V 1W Zener · L1=20 turns 0.6mm on R25 · Q1-2=BC 547 · Q3=2N5460

13、fet · Q4-5=MPSA93 · Q6-8-11=BC182 · Q7-10=MPSA43 · Q9=BC212 · Q12=2SK134 or 2SK135 · Q13=2SJ49 or 2SJ50(責(zé)任編輯：電路圖) 100W場效應(yīng)管功率放大電路 上傳者：dolphin    MOSFET功放電路主要應(yīng)用于大功率AV電路中。如圖所示為100W的MOSFET功放電路。該電路的輸入級(jí)采用JEFT輸入型運(yùn)放TL071，其輸入阻抗大、轉(zhuǎn)換速率高。VTl和VT3為運(yùn)放TL071的互補(bǔ)恒流源負(fù)載。VT4和VT5組成典型的推動(dòng)級(jí)，其線性好、響應(yīng)快。輸出級(jí)VT6和VT7采用MOSFET管，其音色優(yōu)美，放大倍數(shù)約為5。C1選用金屬化聚丙烯電容，以避免產(chǎn)生失真。該放大器的技術(shù)指標(biāo)為；全功率時(shí)的頻響為15Hz125kHz，轉(zhuǎn)換速率為25V/s，輸