《電力電子技術及試卷》

1、【精品文檔】如有侵權，請聯(lián)系網(wǎng)站刪除，僅供學習與交流電力電子技術及試卷.精品文檔.紅河學院2016-2017學年秋季學期電力電子技術課程期中考試試卷 考試單位：工學院 考試日期： 年 月 日題 號一二三四五六總分得 分得 分評卷人一、填空題(每小題2分，共30分)1、電力電子技術的誕生是以1957年美國通用公司研制出第一個 標志的。2、電力電子器件一般總是工作在 ，以減小本身的損耗，提高效率。3、全控型器件電路的主要控制方式為 。4、電力電子器件的損耗包括 、 和 。5、晶閘管的開通是靠在其雙晶體管模型中形成強烈的 ，使兩個晶體管進入完全飽和狀態(tài)，從而使晶閘管導通。6、IGBT內(nèi)部寄生著一個晶

2、閘管，可能引發(fā)IGBT的柵極對集電極電流失去控制作用，導致集電極電流增大，造成器件功耗過高而損壞，這種現(xiàn)象稱為 。7、電力電子器件的驅(qū)動電路采用的隔離技術有 和 。8、晶閘管的緩沖電路一般采用 。9、可控整流電路采用的控制方式是 。10、單相橋式全控整流電路，帶直流電動機負載工作時，會出現(xiàn)電流斷續(xù)情況，將導致電動機的機械特性變軟，為了克服這個缺點，一般在主電路中直流輸出側(cè)串聯(lián)一個 。11、單相橋式半控整流電路，如果輸出端不并聯(lián)續(xù)流二極管，會出現(xiàn) 。12、可控整流電路中，交流側(cè)n次諧波電流的有效值比基波電流的有效值等于 。得 分評卷人二、選擇題(每小題2分，共18分)1、下列器件中，（ ）屬于半

3、控型器件。A、SR；B、SCR；C、GTO；D、MOSFET2、IGBT是一種由（ ）組成的復合型器件；A、SCR和BJT；B、SCR和MOSFET；C、GTO和MOSFET；D、MOSFET和BJT；3、若晶閘管電流有效值是157A，且其陽極和陰極間電壓為60sint V，則其額定電流和額定電壓分別為（ ）。A、100A，60V；B、157A，60V；C、100A，30V；D、157A，30V；4、單相橋式全控整流電路，帶阻感負載工作時，當=30°時，晶閘管的導通角為（ ）。A、60°；B、120°；C、150°；D、180°；5、單相橋式全

4、控整流電路，帶阻感負載工作時，的移相范圍是（ ）。A、0°90°；B、0°120°；C、0°150°；D、0°180°；6、三相半波可控整流電路中，為了避免3次諧波流入電網(wǎng)且獲得零線，變壓器的接法為（ ）。A、-；B、-；C、-；D、-；7、三相半波可控整流電路帶電阻性負載工作時，晶閘管承受的最高正向電壓和最高反向電壓為（ ）。A、均為；B、 ；C、均為；D、；8、三相半波可控整流電路帶阻感性負載工作時，輸出電壓的平均值為（ ）。A、；B、；C、；D、9、三相橋式可控整流電路工作在有源逆變狀態(tài)時，逆變角的范圍是（

5、）。A、0°90°；B、0°120°；C、0°150°；D、0°180°得 分評卷人三、判斷題(每小題1分，共9分)1、電力電子技術可以看成是弱電控制強電的技術，是弱電控制強電的接口。（ ）2、MOSFET是一種電流控制型器件。（ ）3、電力晶體管的集電極電壓升高到某一數(shù)值時，會出現(xiàn)雪崩擊穿現(xiàn)象，這會使管子永久損壞。（ ）4、智能功率模塊IPM一般指IGBT及其輔助器件與其保護和驅(qū)動電路的封裝集成，也稱智能IGBT。（ ）5、電力電子器件的保護包括：過壓保護、過流保護。（ ）6、晶閘管的串聯(lián)是為了提高總體的耐壓能力

6、，而并聯(lián)則是為承擔較大的電流。（ ）7、單相半波可控整流電路結(jié)構(gòu)簡單，輸出電壓脈動大，不存在變壓器鐵心直流磁化問題。（ ）8、一般情況下，整流電路帶阻感性負載時晶閘管的導通角比帶電阻性負載時大，所以整流電路輸出電壓平均值也增大了。（ ）9、m脈波整流電路變壓器二次側(cè)電流所含諧波次數(shù)為mk次，而輸出直流電壓和電流所含諧波次數(shù)為mk±1次。（ ）得 分評卷人四、計算題(10分)單相橋式全控整流電路，帶反電勢阻感負載，R=1，L=，E=40V，當=60°時求、與的值。得 分評卷人五、作圖計算題(23分)三相橋式全控整流電路，帶阻感性負載，R=10，L=，要求：（1）請作出=0°、30°、60°、90°時整流電路輸出電壓的波形，并作出=30°時流過晶閘管VT1的電流波形和變壓器二次側(cè)a相電流的波形。（2）計算=30°時、和（3）=30°時，求晶閘管的額定電壓和額定電流；（4）計算此電路在=0°時的功率因素