導(dǎo)光板hotspot及亮暗線分析

1、導(dǎo)光板HOTSPOT及亮暗線分析應(yīng)用隨著背光模組薄型化的潮流影響，導(dǎo)光板的厚度因?yàn)楣I(yè)設(shè)計(jì)要求下越來越輕薄，相對的led使用數(shù)量對於耗能與待機(jī)時(shí)間就造成絕對的關(guān)係。透過Optisworks的微結(jié)構(gòu)建構(gòu)功能與SOLIDWORKS參數(shù)功能，可以快速完成入光結(jié)構(gòu)建構(gòu)與修改調(diào)整。再結(jié)合 OPTISWORKS的逆向追跡應(yīng)用更可以有效掌握亮暗線或區(qū)域?qū)廑E作用現(xiàn)象。清楚解析原因，提出有效解決方案。薄型Monitor BLU Hotspot 分析單側(cè)入光： (下側(cè)40顆LED入光)導(dǎo)光板微結(jié)構(gòu)：導(dǎo)光板加上蝕刻網(wǎng)點(diǎn)後，出光量增加。(此為側(cè)視圖，黃色線條為光線出光) 入光處無微結(jié)構(gòu)： (無微結(jié)構(gòu)狀態(tài)，光線發(fā)散角

2、度集中) 入光處無U溝結(jié)構(gòu)之模擬結(jié)果： 模擬結(jié)果與實(shí)際情形相近，出現(xiàn)紅線框選的現(xiàn)象。 入光處做U型溝槽：為使LED光源角度更均勻發(fā)散，我們於入光處加上U型溝槽微結(jié)構(gòu)。(加上微結(jié)構(gòu)後,光線發(fā)散角度變大) 入光處含U溝結(jié)構(gòu)之模擬結(jié)果：由此發(fā)現(xiàn)於入光處增加U溝後，下方間隔暗線消失了。另右下角原一亮線因整體下方亮度提高，現(xiàn)在形成一明顯暗區(qū)。 模擬結(jié)果比對： 接下來針對右下角暗區(qū)部分，推測應(yīng)與右下角的連接器有關(guān)。而我們可利用Optiswork獨(dú)有的光逆追跡來印證該推論，並尋求解決方案。 光逆追跡(亮區(qū))：原始設(shè)計(jì)將右下角網(wǎng)點(diǎn)放大，以求改良暗區(qū)部分，但實(shí)際情形顯示其效果未如預(yù)期。 光逆追跡(暗區(qū))：可發(fā)現(xiàn)

3、右下角連接器擋住部分LED出光。此外，透過逆追跡發(fā)現(xiàn)暗區(qū)光線大都來自側(cè)壁的反射光，故欲改善出光效果，建議於側(cè)邊增加微結(jié)構(gòu)。 Tablet BLU Hotspot 分析下側(cè)兩角入光：(面板上視圖) 導(dǎo)光板微結(jié)構(gòu)： 導(dǎo)光板增加蝕刻網(wǎng)點(diǎn)：下側(cè)兩角入光(修改前)：導(dǎo)光板入光處無微結(jié)構(gòu)，可看出入光擴(kuò)散角度小。 模擬結(jié)果：(紅線框選處為明顯暗區(qū))由於入光發(fā)散角度小，導(dǎo)致出光集中於中間與上側(cè)，形成左、右及下側(cè)暗區(qū)。 利用逆追跡來判斷暗區(qū)形成原因，以及如何有效改善。光逆追跡(設(shè)計(jì)變更前)：框選左側(cè)暗區(qū)，根據(jù)逆追跡顯示該區(qū)域光線幾乎一半來自於右側(cè)LED光源。所以最有效改善方式為增加左側(cè)LED發(fā)散角度，以補(bǔ)該區(qū)不足光源。 下側(cè)兩角入光(修改前)：透過入光處增加V-Cut結(jié)構(gòu)，使入射光源發(fā)散角度增加。修改光源入射處結(jié)構(gòu)後，再次模擬並透過逆追跡觀察暗區(qū)改善情形。 模擬結(jié)果(增加V-Cut後)：可發(fā)現(xiàn)與先前未增加V-Cut時(shí)，有著明顯差異。透過入射光發(fā)散角度增加，亮暗區(qū)對比下降。 光逆追跡(設(shè)計(jì)變更後)： 由逆追跡發(fā)現(xiàn)，該暗區(qū)來自左側(cè)LED光源增加。 光逆追跡(入光處作用情形)：由左側(cè)暗