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文檔簡介

1、MOSFET特性參數(shù)EAS的解析一、 EAS與EAR的定義EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。EAR重復(fù)雪崩能量, 標定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。二、如何通過測試波形判斷是否發(fā)生雪崩上圖（a）開關(guān)電源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止時約有300V的沖擊電壓加在漏極和源極之間，并出現(xiàn)振鈴。上圖（b）對時間軸進行了放大，由圖可以清楚的看出由

2、于柵極電壓下降，管子截止，ID減小的同時VDS升高并在295V處VDS電壓波形出現(xiàn)平頂（鉗位）。這種電壓被鉗位的現(xiàn)象即是雪崩狀態(tài)，所以當(dāng)功率MOSFET發(fā)生雪崩時，漏源極電壓幅值會被鉗位至有效擊穿電壓的水平。圖1所示為開關(guān)電源中典型的雪崩波形。源漏電壓（CH3）被鉗制在1kV，并能看到經(jīng)整流的電流（CH4）。圖1 器件擊穿，800V額定值MOSFET圖2 反激變換器中典型的雪崩情況三、 如何計算雪崩能量四、 在什么的應(yīng)用條件下要考慮雪崩能量對于那些在MOSFET的D和S極產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，MOSFE

3、T關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸出短路時，初級中會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。五、 雪崩擊穿（EAS/EAR）的保護 如上圖所示，可在變壓器（感性負載）兩端并接RCD吸收回路，以降低反向尖峰電壓，避免出現(xiàn)雪崩擊穿現(xiàn)象；串聯(lián)柵極電阻，并設(shè)置為合適值，以抑制dv/dt，增加關(guān)斷時間，從而抑制反向尖峰電壓，但是這又會增加關(guān)斷損耗，所以柵極電阻要設(shè)置在一個合適值；也可在MOS

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