【統(tǒng)整復(fù)習(xí)一】電晶體基本概念

1、【統(tǒng)整複習(xí)一】電晶體基本概念【觀念】老師解說(shuō)電晶體的三個(gè)接腳分別稱(chēng)為(A)射極、源極、基極 (B)射極、源極、集極 (C)射極、集極、基極 (D)射極、集極、源極學(xué)生演練若有一電晶體位於作用區(qū)，則其、的關(guān)係為何？(A) (B) (C) (D)老師解說(shuō)對(duì)電晶體而言，下列公式何者為正確?(A) (B) (C) (D)學(xué)生演練有一電晶體，給予適當(dāng)偏壓後，量得、，則Ic之值為(A)1.01mA (B)0.505mA (C)0.99mA (D)0.707mA老師解說(shuō)若定義流入雙極性電晶體各極電流為正值，已知基極、集極上的電流分別為0.3mA與2.1mA，則射極電流為(A)1.8mA (B)2.4mA (

2、C)1.8mA (D)2.4mA學(xué)生演練某一電晶體工作在作用區(qū)內(nèi)，若其值為49，射極電流，且忽略所有的逆向電流，則其基極電流為(A)1.96mA (B)0.98mA (C)0.04mA (D)0.01mA老師解說(shuō)關(guān)於電晶體頻率速度的特性之?dāng)⑹?，下列何者為真?A)PNP型高於NPN型 (B)NPN型高於PNP型 (C)NPN型與PNP學(xué)生演練在不考慮漏電流之關(guān)係時(shí)，下列有關(guān)BJT之描述何者錯(cuò)誤?(A) (B) (C) (D)小試身手若有一電晶體位於作用區(qū)，則其、的關(guān)係為何？(A) (B) (C) (D)小試身手電洞流動(dòng)的方向即為(A)電流方向 (B)電子流方向 (C)在PNP型中，為電子流方向

3、 (D)在NPN型中，為電子流方向小試身手下列有關(guān)電晶體之描述何者錯(cuò)誤？(A)BJT之構(gòu)造是對(duì)稱(chēng)的，因此射極與集極可對(duì)調(diào)使用 (B)FET優(yōu)點(diǎn)之一為其（低頻）輸入阻抗甚高 (C)若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區(qū) (D)為使BJT具有線(xiàn)性放大作用，必需偏壓在作用區(qū)（active region）小試身手一般未特別附加說(shuō)明，所指的電晶體是(A)雙極性接面電晶體 (B)三極性接面電晶體 (C)單極性接面電晶體 (D)場(chǎng)效應(yīng)電晶體【統(tǒng)整複習(xí)二】三層接面之比較【觀念】老師解說(shuō)接面電晶體其三層間摻雜濃度為(A)EBC(B)CBE(C)BEC(D)CE

4、B。學(xué)生演練電晶體的三層半導(dǎo)體中，電阻係數(shù)中，最大的是，最小的是?！窘y(tǒng)整複習(xí)三】、與IE、IB、IC【觀念】老師解說(shuō)一NPN電晶體共射極放大器，若 、，則其值為(A)98 (B)99 (C)100 (D)101學(xué)生演練有一電晶體，給予適當(dāng)偏壓後，測(cè)得、，則該電晶體的參數(shù)為(A)0.90 (B)0.99 (C)90 (D)99老師解說(shuō)假設(shè)由 0.98變化至0.985，則增加的百分率為(A)5% (B)34% (C)49% (D)98%學(xué)生演練於工作區(qū)工作之共射極電晶體放大器，若，則2a+b應(yīng)為(A)151 (B)154 (C)301 (D)304老師解說(shuō)有一電晶體，給予適當(dāng)偏壓後，測(cè)得、，試問(wèn)此

5、電晶體的參數(shù)值為多少？(A)0.49 (B)49 (C)0.98 (D)98學(xué)生演練有一電晶體，給予適當(dāng)偏壓後，量得、，此電晶體的、參數(shù)值為多少？(A)= 100、= 0.99 (B)= 0.99、= 100 (C)= 99、= 0.99 (D)= 0.99、= 99老師解說(shuō)下列有關(guān)雙極性電晶體的特性參數(shù)何者錯(cuò)誤?(A)值接近1 (B) (C)值通常在數(shù)十以上 (D)學(xué)生演練有值為0.99的電晶體，若射極電流化2mA，固定，則集極電流變化為(A)0.02mA (B)0.495mA (C)1.98mA (D)3.96mA老師解說(shuō)若電晶體之值由0.96變化至0.98，則值的變化為(A)由24至49

6、 (B)由48至49 (C)由24至48 (D)由96至98學(xué)生演練若電晶體之值為0.98，則其值應(yīng)為(A)88 (B)49 (C)66 (D)99老師解說(shuō)有一電晶體，給予適當(dāng)偏壓後，測(cè)得、，則該電晶體的參數(shù)為(A)0.90 (B)0.99 (C)90 (D)99學(xué)生演練共射極接法之電晶體的由0.95變至0.958，則值由(A)19增至23 (B)25增至46 (C)30增至58 (D)45增至72小試身手某電晶體= 100 ，測(cè)得基極電流，集極電流，則此電晶體作用於何區(qū)？(A)工作區(qū) (B)飽和區(qū) (C)截止區(qū) (D)負(fù)電阻區(qū)有一電晶體，其集極電流為2mA，若= 0.96，則基極電流為(A)

7、0.15mA (B)0.13mA (C)0.1mA (D)0.08mA、的關(guān)係式為(A)=+1 (B)= 1 (C) (D)在一共射極電晶體電路中，射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路之電流增益為 （A）500 （B）60 （C）61 （D）49?！窘y(tǒng)整複習(xí)四】偏壓判別【觀念】老師解說(shuō)一NPN電晶體偏壓於活動(dòng)區(qū)，則(A) (B) (C) (D)學(xué)生演練若NPN電晶體操作於飽和區(qū)（Saturation region）模式下，則此NPN電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關(guān)係為何？(A) (B) (C) (D)老師解說(shuō)若NPN電晶體操作於作用區(qū)（Active region）模式下，則此N

8、PN電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關(guān)係為何？(A) (B) (C) (D)學(xué)生演練若電晶體位於截止區(qū)（Cutoff Region），則各接面的偏壓特性為何？(A)EB接面順偏、CB接面順偏 (B)EB接面順偏、CB接面逆偏 (C)EB接面逆偏、CB接面順偏 (D)EB接面逆偏、CB接面逆偏老師解說(shuō)若電晶體位於飽和區(qū)（Saturation Region），則各接面的偏壓特性為何？ (A)EB接面順偏、CB接面順偏 (B)EB接面順偏、CB接面逆偏 (C)EB接面逆偏、CB接面順偏 (D)EB接面逆偏、CB接面逆偏學(xué)生演練電晶體位於飽和區(qū)時(shí)，下列各極間偏壓狀況何者正確?(A)BE順偏，CB反偏

9、 (B)BE反偏，CB反偏 (C)BE反偏，CB順偏 (D)BE順偏，CB順偏老師解說(shuō)有一NPN電晶體偏壓於工作區(qū)，則(A) (B) (C) (D)學(xué)生演練若電晶體位於飽和區(qū)，則電壓特性為(A)順偏，順偏 (B)順偏，逆偏 (C)逆偏，逆偏 (D)逆偏，順偏老師解說(shuō)若電晶體位於作用區(qū)，則電壓特性為(A)順偏，順偏 (B)順偏，逆偏 (C)逆偏，逆偏 (D)逆偏，順偏學(xué)生演練電晶體當(dāng)放大器使用時(shí)，此時(shí)電晶體各接面的偏壓情形是(A)B-E接面順向偏壓、C-B接面順向偏壓 (B)B-E接面順向偏壓、C-B接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向偏壓、C-B接面逆向偏壓 (D)B-E接面逆向偏壓、C-B接面

10、順向偏壓【統(tǒng)整複習(xí)五】工作區(qū)域判別【觀念】老師解說(shuō)電晶體使用於放大電路時(shí)，應(yīng)處?kù)?A)作用區(qū) (B)飽和區(qū) (C)截止區(qū) (D)飽和區(qū)與截止區(qū)學(xué)生演練電晶體截止時(shí)是在(A)IE = 0且IB = 0(B)IB =0且IC為最大(C)IE>IC(D)IB>IC。老師解說(shuō)設(shè)電晶體之射極電流，基極電流，若= 0.99，則此時(shí)電晶體工作於(A)作用區(qū) (B)飽和區(qū) (C)截止區(qū) (D)不一定學(xué)生演練下列敘述何者錯(cuò)誤?(A)BJT當(dāng)開(kāi)關(guān)使用時(shí)是工作於飽和區(qū)(Saturation region)或截止區(qū)(Cut off region) (B)BJT當(dāng)放大器使用時(shí)是工作於作用區(qū)(Active r

11、egion) (C)BJT在作用區(qū)(Active region)的偏壓方式是B-E接面順向偏壓，B-C接面逆向偏壓 (D)BJT在飽和區(qū)(sATURATION REGION)的偏壓方式是B-E接面逆向偏壓，B-C接面逆向偏壓老師解說(shuō)若將雙極性電晶體當(dāng)成開(kāi)關(guān)使用，則此電晶體工作於那兩區(qū)？(A)作用區(qū)與截止區(qū) (B)飽和區(qū)與作用區(qū) (C)飽和區(qū)與截止區(qū) (D)作用區(qū)、飽和區(qū)與截止區(qū)都可以學(xué)生演練當(dāng)電晶體欲作為線(xiàn)性放大器使用時(shí)，須工作於(A)飽和區(qū)（Saturation Region） (B)作用區(qū)（Active Region） (C)截止區(qū)（Cutoff Region） (D)空乏區(qū)（Deplet

12、ion Region）老師解說(shuō)電晶體當(dāng)作線(xiàn)性增量放大時(shí)主要是工作在(A)工作區(qū)(B)截止區(qū)(C)飽和區(qū)(D)反向模式。學(xué)生演練某電晶體處?kù)蹲饔脜^(qū)內(nèi)，若= 0.95，射極電流，逆向漏電流不計(jì)，則基極電流為(A)0.05mA (B)0.1mA (C)0.5mA (D)1mA【統(tǒng)整複習(xí)六】電晶體時(shí)間【觀念】老師解說(shuō)脈波的上升時(shí)間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？(A)0100(B)595(C)1090(D)1585。學(xué)生演練脈波的儲(chǔ)存時(shí)間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？小試身手飽和型電晶體開(kāi)關(guān)電路比非飽和型開(kāi)關(guān)速度慢，其主要因?yàn)?A)延遲時(shí)間較長(zhǎng)(B)上升時(shí)間較長(zhǎng)(C)下降時(shí)間較長(zhǎng)(D

13、)儲(chǔ)存時(shí)間較長(zhǎng)。 【統(tǒng)整複習(xí)七】組態(tài)比較【觀念】老師解說(shuō)對(duì)於電晶體的三種基本組態(tài)而言，下列敘述何者錯(cuò)誤?(A)共射極組態(tài)功率增益最大 (B)共基極組態(tài)中輸出與輸入信號(hào)相位180° (C)共集極組態(tài)常作為阻抗匹配之用 (D)共集極組態(tài)電壓增益約為1學(xué)生演練兼具電壓與電流放大作用的電晶體放大器是(A)共基極組態(tài) (B)共射極組態(tài) (C)共集極組態(tài) (D)達(dá)靈頓組態(tài)老師解說(shuō)電晶體共射極組態(tài)的電路中，其輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的相位(A)相同(B)相差45度(C)相差90度(D)相差135度(E)相差180度。學(xué)生演練電晶體放大器三種連接方式中，輸入阻抗最大的是(A)共基極放大器(B)共射極放大器

14、(C)共集極放大器(D)以上三者皆相同。老師解說(shuō)下列何者為射極隨耦器的特性？(A)輸入阻抗非常低(B)輸出阻抗非常高(C)電壓增益約為1(D)電流增益約為1(E)輸入信號(hào)與輸出信號(hào)相位相反。學(xué)生演練下列有關(guān)共基極組態(tài)電路之陳述何者不正確？(A)其高頻響應(yīng)較共極組態(tài)為佳(B)可做為定電流源使用(C)具有高輸入阻抗(D)電壓增益大於1。兼具電流放大與電壓放大作用的雙極性電晶體放大器為(A)共基極組態(tài) (B)共射極組態(tài) (C)共集極組態(tài) (D)射極隨耦器關(guān)於電晶體放大電路的三種基本組態(tài)(CE、CB、CC)，下列描述何者錯(cuò)誤?(A)輸入阻抗由大至小排列為:CC>CE>CB (B)輸出阻抗由

15、大至小排列為:CB>CE>CC (C)電壓增益由大至小排列為:CB>CE>CC (D)電壓增益由大至小排列為:CE>CC>CB老師解說(shuō)關(guān)於電晶體放大電路的三種基本組態(tài)(CE、CB、CC)，下列敘述何者錯(cuò)誤?(A)共基極(CB)電路具有最低的輸入阻抗及最高的輸出阻抗 (B)共集極(CC電路的電壓增益小於並趨近於一 (C)共射極(CE)電路具有最高的輸入阻抗及最低的輸出阻抗 (D)共基極(CB)電路的電流增益小於並趨近於一學(xué)生演練關(guān)於電晶體三種基本放大電路組態(tài)的特性比較，下列何者是錯(cuò)誤的?(A)電流增益最大的是共基極(CB) (B)電壓增益最小的是共集極(CC)

16、 (C)功率增益最大的是並射極(CE) (D)輸入阻抗最大的是共集極(CC) (E)輸出阻抗最大的是共基極(CB)老師解說(shuō)電晶體共射集(CE)，共基集(CB，共集極(CC)三種放大電路特性比較，下列敘述何者錯(cuò)誤?(A)輸入阻抗以CC電路最高 (B)輸入阻抗以CC電路最低 (C)功率增益以CB最高 (D)CC之電壓增益比1小，接近於1學(xué)生演練電晶體放大電組態(tài)(CE、CB、CC)的功率增益依序?yàn)?A)CC>CB>CE (B)CE>CB>CC (C)CB>CC>CE (D)CC>CE>CB小試身手下列敘述何者錯(cuò)誤？(A)共基極組態(tài)由於米勒效應(yīng)，所以頻寬

17、較共射極組態(tài)為窄 (B)共射極組態(tài)中，輸出與輸入向位差 (C)共集極組態(tài)可作為阻抗匹配之用 (D)共射極組態(tài)功率增益最高小試身手射極隨耦器之主要功用為下列何者？(A)提高電壓增益(B)降低電流增益(C)阻抗匹配用(D)推動(dòng)高阻抗負(fù)載用。小試身手電晶體的三種組態(tài)中，具有最低輸出阻抗為 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手電晶體的三種組態(tài)中，具有最高輸出阻抗為 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手電晶體的三種組態(tài)中，那一種組態(tài)具有最高輸入阻抗 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手兼具電

18、流與電壓放大作用的電晶體放大器是 （A）共基極組態(tài) （B）共射極組態(tài) （C）共集極組態(tài)。小試身手射極接地式電晶體放大電路之電流增益 （A）大於1 （B）等於1 （C）小於1 （D）等於零。小試身手電晶體之集極與射極對(duì)調(diào)連接則 （A）耐壓提高，增益低 （B）耐壓低，增益不變 （C）耐壓不變，增益降低 （D）耐壓低，增益亦低?！窘y(tǒng)整複習(xí)八】電晶體外型及編號(hào)【觀念】老師解說(shuō)功率電晶體之集極與外殼接在一起，其最主要的目的為(A)易於辦認(rèn) (B)散熱較佳 (C)製造方便 (D)美觀大方學(xué)生演練編號(hào)2SD261的電晶體 為下列哪一種用途及型態(tài)的元件?(A)高頻用NPN型 (B)低頻用NPN型 (C)高頻用PNP型 (D)低頻用PNP型老師解說(shuō)下列編號(hào)，何者不是電晶體(A)CS9014 (B)2N2222 (C)CS9013 (D)2N3055 (E)1N4001自我評(píng)量電流放大因數(shù)通常在(A)7080(B)8090(C)9099.5(D)比1大。若電晶體之值為0.99，則其值應(yīng)為：(A)79(B)86(C)91(D)99(E)97.5。某一電晶體電路，已知0.98，50，ICO10A，IE2mA，則IB (A)0.02mA (B)0.03mA (C)0.5mA (D)0