最新史上最全的半導體材料工藝設備匯總名師資料合集

1、小編為您解讀半導體生產過程中的主要設備概況。1、單晶爐Seed crystalSinds crystal siliconInsulation cylinder-HesterCrucible supportSpill trayH ElectrodeQuartz crucibleWater-cacled chamberGraphite crucible設備名稱：單晶爐。設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續(xù)半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。主要企業(yè)（品牌）：國際：德國PVA TePla AG公司、日本 Ferrotec 公司、美國 QUANTUM DESIGN司、德國 Gero公司、美國K

2、AYE延司。國內：北京京運通、七星華創(chuàng)、北京京儀世紀、河北晶龍陽光、西安理工晶科、常州華盛天龍、上海漢虹、 西安華德、中國電子科技集團第四十八所、上海申和熱磁、上虞晶盛、晉江耐特克、寧夏晶陽、常州江南、 合肥科晶材料技術有限公司、沈陽科儀公司。2、氣相外延爐設備名稱：氣相外延爐。設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實現在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對應的關系。主要企業(yè)(品牌)：國際：美國CVD Equipment公司、美國 GT公司、法國 S

3、oitec公司、法國 AS公司、美國 ProtoFlex 公司、 美國科特萊思科(Kurt J.Lesker )公司、美國 Applied Materials 公司。國內：中國電子科技集團第四十八所、青島賽瑞達、合肥科晶材料技術有限公司、北京金盛微納、濟南力冠電子科技有限公司。3、分子束外延系統(tǒng)( MBE Molecular Beam Epitaxy System )設備名稱：分子束外延系統(tǒng)。設備功能：分子束外延系統(tǒng)，提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國際：法國Ri

4、ber公司、美國 Veeco公司、芬蘭 DCA Instruments 公司、美國SVAssociates 公司、美國 NB必司、德國 Omicron 公司、德國 MBE-Komponenten公司、英國 Oxford Applied Research （OAR 公司, 國內：沈陽中科儀器、北京匯德信科技有限公司、紹興匡泰儀器設備有限公司、沈陽科友真空技術有限公 司。4、氧化爐（VDE設備名稱：氧化爐。設備功能：為半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是 半導體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。主要企業(yè)（品牌）：國際：英國 Thermco公司、德國 Cent

5、rothermthermal solutions GmbH Co.KG 公司。國內：北京七星華創(chuàng)、青島福潤德、中國電子科技集團第四十八所、青島旭光儀表設備有限公司、中國電子科技集團第四十五所。5、低壓化學氣相淀積系統(tǒng)( LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition System設備名稱：低壓化學氣相淀積系統(tǒng)設備功能：把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCV/備的反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國際：日本日立國際電氣公司、國內：上海馳艦半導體科技有限公司、中國電子科技集團第四十八所、中國電

6、子科技集團第四十五所、北京儀器廠、上海機械廠。6、等離子體增強化學氣相淀積系統(tǒng)( PECVD Plasma Enhanced CVD)設備名稱：等離子體增強化學氣相淀積系統(tǒng)設備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。主要企業(yè)(品牌)：國際：美國Proto Flex 公司、日本Tokki公司、日本島津公司、美國泛林半導體( Lam Research)公司、 荷蘭ASM®際公司。國內：中國電子科技集團第四十五所、北京儀器廠、上海機械廠。7、磁控濺射臺(MagnetronSputter Apparatus )設備名稱：磁控濺射臺。設備功能：通過二極濺

7、射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。主要企業(yè)（品牌）：國際：美國PVD公司、美國 Vaportech公司、美國 AMA隹司、荷蘭 Hauzer公司、英國Teer公司、瑞士 Platit 公司、瑞士 Balzers 公司、德國 Cemecon公司。國內：北京儀器廠、沈陽中科儀器、成都南光實業(yè)股份有限公司、中國電子科技集團第四十八所、科睿設備有限公司、上海機械廠。8、化學機械拋光機(CMP Chemical Mechanical Planarization )設備名稱

8、：化學機械拋光機設備功能：通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光 主要企業(yè)（品牌）：國際：美國Applied Materials 公司、美國諾發(fā)系統(tǒng)公司、美國 Rtec公司、。國內：蘭州蘭新高科技產業(yè)股份有限公司、愛立特微電子。9、光刻機(Stepper , Scanner)設備名稱：光刻機。設備功能：在半導體基材上（硅片）表面勻膠，將掩模版上的圖形轉移光刻膠上，把器件或電路結構臨時“復制”到硅片上。主要企業(yè)（品牌）：國際：荷蘭阿斯麥（ASML公司、美國泛林半導體公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美國ABM司、德國德國SUS券司、美國MYCR公司。

9、國內：中國電子科技集團第四十八所、中國電子科技集團第四十五所、上海機械廠、成都南光實業(yè)股份有限公司。10、反應離子刻蝕系統(tǒng)( RIE, Reactive Ion Etch System )設備名稱：反應離子刻蝕系統(tǒng)。設備功能：。平板電極間施加高頻電壓，產生數百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實現JuSung公司TES公司。) riJ kftt主要企業(yè)（品牌）化學反應刻蝕和物理撞擊，實現半導體的加工成型。北京儀器廠、北京七星華創(chuàng)電子有限公司、成都南光實業(yè)股份有限公司、中國電子科技集團第四十Evatech公司、美國NANOMASTER司、新加坡 RES司11、ICP 等離子體刻蝕系統(tǒng)(

10、ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System設備名稱：ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)。設備功能：一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，一方面等離子體中的活性基團與待刻蝕表面材料發(fā)生化學反應，生成可揮發(fā)產物；另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導和加速，實現對待刻蝕表面進行定向的腐蝕和加速腐蝕。主要企業(yè)（品牌）：國際：英國牛津儀器公司、美國 Torr公司、美國Gatan公司、英國Quorum公司、美國利曼公司、美國 Pelco公司。國內：北京儀器廠、北京七星華創(chuàng)電子有限公司

11、、中國電子科技集團第四十八所、戈德爾等離子科技（香港）控股有限公司、中國科學院微電子研究所、北方微電子、北京東方中科集成科技股份有限公司、北京創(chuàng)世威納科技。12、離子注入機(IBI , Ion Beam Implanting )設備名稱：離子注入機。設備功能：對半導體表面附近區(qū)域進行摻雜。主要企業(yè)（品牌）：國際：美國維利安半導體設備公司、美國CHA公司、美國AMA必司、Varian半導體制造設備公司（被 AMAT收購）。國內：北京儀器廠、中國電子科技集團第四十八所、成都南光實業(yè)股份有限公司、沈陽方基輕工機械有限公司、上海硅拓微電子有限公司。13、探針測試臺(VPT, Wafer prober

12、Test )設備名稱：探針測試臺。設備功能：通過探針與半導體器件的 pad接觸，進行電學測試，檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。主要企業(yè)（品牌）：國際：德國Ingun公司、美國 QA公司、美國 MicroXact公司、韓國 Ecopia公司、韓國 Leeno公司。國內：中國電子科技集團第四十五所、北京七星華創(chuàng)電子有限公司、瑞柯儀器、華榮集團、深圳市森美協爾科技。14、晶片減薄機(Back-sideGrinding )»設備名稱：晶片減薄機。設備功能：通過拋磨，把晶片厚度減薄。主要企業(yè)（品牌）：國際：日本DISCO公司、德國 G&N司、日本 OKAMOTO司、以色列 Camtek公司。國內：蘭州蘭新高科技產業(yè)股份有限公司、深圳方達研磨設備制造有限公司、深圳市金實力精密研磨機器 制造有限公司、煒安達研磨設備有限公司、深圳市華年風科技有限公司。cS Die Saving)設備名稱：晶圓劃片機。設備功能：把晶圓，切割成小片的