多晶硅生產(chǎn)工藝流程

1、WORD格式多晶硅生產(chǎn)工藝流程 (簡(jiǎn)介 )-來(lái)自于網(wǎng)絡(luò)收集多晶硅生產(chǎn)工藝流程 ,多晶硅最主要的工藝包括，三氯氫硅合成、四氯化硅的熱氫化有的采用氯氫化，精餾，復(fù)原，尾氣回收，還有一些小的主項(xiàng)，制氫、氯化氫合成、廢氣廢液的處理、硅棒的整理等等。主要反響包括： Si+HCl-SiHCl3+H2 三氯氫硅合成;SiCl4+H2-SiHCl3+HCl 熱氫化;SiHCl3+H2-SiCl4+HCl+Si復(fù)原多晶硅是由硅純度較低的冶金級(jí)硅提煉而來(lái)，由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡一樣，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同； 進(jìn)而對(duì)應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測(cè)方法、過(guò)程平安等方面也存在差異，

2、各有技術(shù)特點(diǎn)和技術(shù)秘密，總的來(lái)說(shuō)，目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、 硅烷法和流化床法。改良西門子法是目前主流的生產(chǎn)方法，采用此方法生產(chǎn)的多晶硅約占多晶硅全球總產(chǎn)量的85。但這種提煉技術(shù)的核心工藝僅僅掌握在美、 德、日等 7 家主要硅料廠商手中。這些公司的產(chǎn)品占全球多晶硅總產(chǎn)量的90% ，它們形成的企業(yè)聯(lián)盟實(shí)行技術(shù)封鎖，嚴(yán)禁技術(shù)轉(zhuǎn)讓。短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會(huì)改變。西門子改良法生產(chǎn)工藝如下：這種方法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)能降耗顯著、本錢低、質(zhì)量好、采用綜合利用技術(shù)，對(duì)環(huán)境不產(chǎn)生污染，具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。改良西門子工藝專業(yè)資料整理WORD格式法生產(chǎn)多晶硅所用設(shè)備主要有：氯化氫合成爐

3、， 三氯氫硅沸騰床加壓合成爐，三氯氫硅水解凝膠處理系統(tǒng)，三氯氫硅粗餾、精餾塔提純系統(tǒng)，硅芯爐，節(jié)電復(fù)原爐， 磷檢爐，硅棒切斷機(jī)，腐蝕、清洗、枯燥、包裝系統(tǒng)裝置，復(fù)原尾氣干法回收裝置；其他包括分析、檢測(cè)儀器，控制儀表，熱能轉(zhuǎn)換站，壓縮空氣站，循環(huán)水站，變配電站，凈化廠房等。1石英砂在電弧爐中冶煉提純到 98%并生成工業(yè)硅，其化學(xué)反響 SiO2+CSi+CO22為了滿足高純度的需要，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無(wú)水氯化氫 (HCl) 與之反響在一個(gè)流化床反響器中，生成擬溶解的三氯氫硅 (SiHCl3) 。其化學(xué)反響 Si+HClSiHCl3+H2反響溫度為 300 度，該反響是放熱的。同時(shí)形成

4、氣態(tài)混合物( 2, 1,Si 13,SiC14,Si)。3第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解 :過(guò)濾硅粉，冷凝 Si 13,SiC14，而氣態(tài)2, 1返回到反響中或排放到大氣中。然后分解冷凝物 Si 13,SiC14，凈化三氯氫硅多級(jí)精餾。專業(yè)資料整理WORD格式4凈化后的三氯氫硅采用高溫復(fù)原工藝，以高純的SiHCl3 在H2 氣氛中復(fù)原沉積而生成多晶硅。其化學(xué)反響 SiHCl3+H2Si+HCl。多晶硅的反響容器為密封的，用電加熱硅池硅棒直徑5-10 毫米，長(zhǎng)度 1.5-2 米，數(shù)量 80 根，在 1050-1100 度在棒上生長(zhǎng)多晶硅，直徑可到達(dá) 150-200 毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反響，并生成多晶硅。剩余部分同2, 1,Si 13,SiC14從反響容器中別離。這些混合物進(jìn)展低溫別離