LED test spec

1、LED組件之環(huán)境試驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法前言LED元件之環(huán)境試法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version .00LED元件之環(huán)境試、驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 LED組件之環(huán)境試驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)適用范圍：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定LED組件之環(huán)境試驗(yàn)及耐久性試驗(yàn)方法試驗(yàn)項(xiàng)目：如表1所示表2.1環(huán)境試驗(yàn)13.23.33.43.53.63.73.83.耐久性試驗(yàn)1423444546474環(huán)境試驗(yàn)3.1溫度循環(huán)試驗(yàn)（參考JESD22-A104-C）3.1.1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于單一、兩個(gè)和三個(gè)爐體的溫度循環(huán)試驗(yàn)，若為單一爐體試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)樣品被放置于固定不動(dòng)的爐體中，由外界導(dǎo)入熱或冷空氣。若為兩個(gè)

2、爐體時(shí)，試驗(yàn)樣品被放置于一移動(dòng)平臺(tái)上，可在兩個(gè)保持固定溫度的固定爐體間進(jìn)行移動(dòng)變換位置。三個(gè)爐體時(shí)，樣品于3個(gè)爐體間移動(dòng)變換位置。本試驗(yàn)是為了LED組件及其各材料接面是否能承受由極端的高低溫切換情形下產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力。在此機(jī)械應(yīng)力下組件的電性或物理特性可能會(huì)產(chǎn)生永久性破壞。3.1.2術(shù)語(yǔ)及定義試驗(yàn)樣品(Load):指在爐內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)的LED組件與固定載具(含托盤，乘載架)。工作區(qū)(Workingzone):將試驗(yàn)樣品控制在指定溫度條件下的爐內(nèi)空間。樣品溫度(Sampletemperature:Ts):在試驗(yàn)期間試驗(yàn)樣品的溫度，可用熱電偶或等同的感溫器進(jìn)行量測(cè)，但熱電偶的安裝位置與方式需確保所量得的

3、溫度代表所有的樣品已穩(wěn)定達(dá)到要求的極端溫度。樣品在高溫區(qū)所量到的最高樣品溫度為TS(max),樣品在低溫區(qū)所量到的最低樣品溫度為Ts(niin)o最高溫度(NominalTs(max):循環(huán)試驗(yàn)的最高溫度，即是希望樣品達(dá)到的最高溫度,如表3.1.1所示。最低溫度(NominalTs(min):循環(huán)試驗(yàn)的最低溫度，即是希望樣品達(dá)到的最低溫度,如表3.1.1所示。表3.1.1溫度循環(huán)試驗(yàn)條件表測(cè)試條件最低溫度Ts(min)(C)最高溫度Ts(max)(C)A-55(40,-10)+85(+10,-0)B-55(40,-10)+125(+15,-0)C65(40,-10)+150(+15,0)G-4

4、0(40,-10)+125(+15,-0)H-55(40,-10)+150(+15,0)I-40(40,-10)+115(+15,-0)J-0(40,-10)+100(+15,-0)K-0(40,-10)+125(+15,-0)L-55(40,-10)+110(+15,-0)M-40(40,-10)+150(+15,0)N-40(40,-10)+85(+10,-0)(6)溫度差(NominalAT):溫度循環(huán)試驗(yàn)的最高溫度與最低溫度的差值(NominalTs(max)-NominalTs(min)。試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)移時(shí)間(Loadtiansfertime):在二或三個(gè)爐體的試驗(yàn)環(huán)境時(shí)，試驗(yàn)樣品由一爐

5、體轉(zhuǎn)移至另一爐體所需的時(shí)間。持溫時(shí)|Hj(Soaktime):樣品進(jìn)入高溫或低溫區(qū)時(shí)，樣品溫度落在持溫溫度范圍(Soaktemperatiire)的停留時(shí)間。持溫溫度范|(Soaktemperature):界定持溫時(shí)間的溫度范圍。高溫溫度范圍為NominalTs(max)-5CNominalTs(max)+10/+15C。低溫溫度范圍為NominalTs(min)-10CNominalTs(min)+10C。循環(huán)時(shí)間(Cycletime):由一溫度到下一個(gè)同一溫度點(diǎn)的時(shí)間，如圖3.1.1。Ts(min)溫度行程曲線Ts(max)UppersoaktimeLowersoakitimeW.Nomi

6、nalTs(max)jw/toleranceTsNominalTs(mrn)Cycletime時(shí)間(分)圖3.1.1溫度循環(huán)試驗(yàn)示意圖(11)升降溫速率(Ramprate):每單位時(shí)間下，樣品的溫度上升或下降的變化。一般是量取溫度變化曲線的線性區(qū)，約在溫度變化范圍的1070%之間，如圖3.1.1所示。3.1.3試驗(yàn)設(shè)備溫度控制爐：在工作區(qū)域內(nèi)放置最大試驗(yàn)樣品時(shí)，仍能提供良好的溫度控制和循環(huán)時(shí)間的控制。對(duì)不同爐體均能滿足各自的溫度需求。確定高低溫持溫溫度范圍、持溫時(shí)間、升降溫速率、試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)移時(shí)間都能符合表3.1.1試驗(yàn)條件范圍。使用溫度記錄器記錄爐體溫度溫度量測(cè)系統(tǒng)：需能滿足以下兩個(gè)對(duì)爐體的校

7、正要求使用儀器與最大試驗(yàn)樣品定期校正各爐體的溫度。并在試驗(yàn)期間，監(jiān)測(cè)治具的溫度，確保試驗(yàn)溫度的再現(xiàn)性。在試驗(yàn)時(shí)，以儀器或感溫組件放置在爐體內(nèi)最糟的溫度分如位置進(jìn)行監(jiān)測(cè)，如角落或試驗(yàn)樣品中心處。3.1.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)在試驗(yàn)期間，所有試驗(yàn)樣品需放置于不會(huì)阻礙爐內(nèi)的空氣流動(dòng)的位置，試驗(yàn)溫度與試驗(yàn)時(shí)間條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表LED元件之環(huán)境試、驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 LED元件之環(huán)境試、驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 3.1.2條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。試驗(yàn)中因樣品的抽檢或是電源或設(shè)備故障而中斷，試驗(yàn)可以重新

8、啟動(dòng)，從斷點(diǎn)繼續(xù)進(jìn)行試驗(yàn)，但若總中斷時(shí)間己超過(guò)10%的比例，則需重測(cè)。試驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)使用熱電偶或等同的感溫器進(jìn)行試驗(yàn)樣品溫度量測(cè)，量取到的最高和最低溫度應(yīng)在表3.1.1所選定試驗(yàn)條件范圍內(nèi)。熱電偶的黏著劑必須減至最少以避免影響溫度試驗(yàn)結(jié)果。使用的溫度量測(cè)方式需確保量測(cè)的溫度代表所有的試驗(yàn)樣品都已達(dá)到極端溫度與持溫范圍的需求。表3.1.2溫度循環(huán)試驗(yàn)條件髙低溫與停留時(shí)間高低溫轉(zhuǎn)移時(shí)間循環(huán)數(shù)-40C/30niin100C/30min5min100cycles3.1.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍光輸出較試驗(yàn)前衰減大于30%正向電壓較試驗(yàn)前變動(dòng)大于10%

9、3.1.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或散熱座(heatsink)尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.2熱沖擊試驗(yàn)(參考JESD22-A106-B)3.2.1適用范圍本試驗(yàn)進(jìn)行目的在于試驗(yàn)LED組件對(duì)突然暴露在極端溫度下的承受能力以及暴露在交替極端溫度下產(chǎn)生的效應(yīng)3.2.2術(shù)語(yǔ)及定義停留時(shí)10(dwelltime)：試驗(yàn)樣品存在冷槽或熱槽內(nèi)的時(shí)間。試驗(yàn)樣品(load)：試驗(yàn)中之組件及試驗(yàn)期間支撐組件之載具。最大試驗(yàn)樣品(maximumload)：試驗(yàn)槽所能容忍的最大試驗(yàn)樣品，其最惡劣樣品溫度(worst-caseload

10、temperahire)點(diǎn)的溫度須能符合試驗(yàn)條件下的時(shí)間規(guī)范。監(jiān)控傳感器(monitoringsensor)：放置已校正之溫度傳感器，監(jiān)控最惡劣樣品溫度(worst-caseloadtemperahire)點(diǎn)的溫度。轉(zhuǎn)移時(shí)間(transfertime)：從某一溫度槽移出試驗(yàn)樣品，轉(zhuǎn)移至另一溫度槽所花費(fèi)的時(shí)間。最惡劣樣品溫度(worst-caseloadtemperature):埋在指定樣品中，且位于試驗(yàn)樣品中心之熱電偶所量測(cè)到的溫度。3.2.3試驗(yàn)設(shè)備試驗(yàn)槽中放置最大試驗(yàn)樣品時(shí)，需足以提供且控制工作區(qū)域在規(guī)定的溫定下。熱容量及流體循環(huán)需使得工作區(qū)域及試驗(yàn)樣品能夠符合規(guī)定的條件及時(shí)間。試驗(yàn)期間，

11、最惡劣樣品溫度(worst-caseloadtemperature)點(diǎn)的溫度必須經(jīng)由監(jiān)控傳感器(monitoringsensor)持續(xù)監(jiān)控。3.2.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)組件需置于流體流動(dòng)順暢之處。試驗(yàn)槽的流體可為液體或氣體，其最惡劣樣品溫度(worst-caseloadtemperature)點(diǎn)的溫度須能符合試驗(yàn)條件與時(shí)間規(guī)范。試驗(yàn)溫度與試驗(yàn)時(shí)間條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表3.2.1條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。最惡劣樣品溫度點(diǎn)的溫度若無(wú)法于停留時(shí)間內(nèi)，達(dá)到試驗(yàn)條件所設(shè)定溫度，應(yīng)延長(zhǎng)停留時(shí)間。表3.2.1熱沖擊試驗(yàn)條件髙低溫與停留時(shí)間高低溫轉(zhuǎn)移時(shí)間循環(huán)數(shù)-4

12、0C/20min120C/20min20sec200cycles3.2.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍光輸出較試驗(yàn)前衰減大于30%正向電壓較試驗(yàn)前變動(dòng)大于10%3.2.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或散熱座(heatsink)尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.3機(jī)械沖擊(參考JESD22-B104_C)3.3.1適用范圍本規(guī)范是用來(lái)試驗(yàn)LED組件承受機(jī)械沖擊的能力。LED組件在處理、運(yùn)送或使用過(guò)程中，突然受到外力或突然變換動(dòng)作的機(jī)械沖擊下，會(huì)產(chǎn)生組件特性的改變，尤其是當(dāng)沖

13、擊脈沖波是連續(xù)性的。3.3.2術(shù)語(yǔ)及定義等效降落高度(Equivalentdropheiglit):以沖擊機(jī)執(zhí)行測(cè)試時(shí)，其沖擊速度變化須等同于物體在真空狀態(tài)下由指定高度自由掉落時(shí)之落下速度，此速度變化量系以當(dāng)對(duì)象掉落時(shí)無(wú)發(fā)生反彈現(xiàn)象之理論值，而理論值之落下高度僅提供該組件可能遭遇各種不同沖擊環(huán)境之參考用峰值加速度(peakacceleration):指在沖擊脈沖作用期間內(nèi)所產(chǎn)生之最大加速度值。脈沖時(shí)間(pulseduration):系扌旨加速度脈沖作用期間起點(diǎn)到終點(diǎn)的時(shí)程，起點(diǎn)及終點(diǎn)系以加速度峰值的10%位置所對(duì)應(yīng)到時(shí)間軸位置即為沖擊脈沖時(shí)間。脈沖的基本頻率值為2倍脈沖時(shí)間分之一。試驗(yàn)條件(S

14、eivicecondition):試驗(yàn)條件嚴(yán)格度之指定。速度變化(Velocitychange):加速度對(duì)完整之沖擊脈沖時(shí)間所進(jìn)行積分之總值。垂直方向(Verticaldirection):與地球重力平行的方向。加速度值的變異(Deviationfiomspecifiedaccelerationlevel):試驗(yàn)加速度值與量測(cè)加速度值之最大變異。3.3.3試驗(yàn)設(shè)備沖擊試驗(yàn)機(jī)需能在最高2900G的加速度沖擊下產(chǎn)生0.3到2ms脈沖時(shí)間，速度變化范圍在122543(cm/sec)。脈沖波型為半正弦波(halfsiiiewavefonn),在試驗(yàn)條件之峰值加速度條件下，波形最大可接受誤差范圍為+/2

15、0%。因轉(zhuǎn)換器(transducer)的自然頻率需具備5倍脈沖頻率，所以寬帶低頻濾波器(lowpassfilterbandwidth)濾波范圍至少要大于5倍的脈沖頻率。脈沖時(shí)間計(jì)算系以峰值加速度之最初脈沖上升階段及脈沖最后下降級(jí)段的10%范圍內(nèi)計(jì)算。絕對(duì)容忍值則在+/30%內(nèi)，測(cè)試速度的變化建議在+/-10%范圍內(nèi)。3.3.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)沖擊試驗(yàn)設(shè)備需架設(shè)在堅(jiān)固的實(shí)驗(yàn)桌或地板上并事先調(diào)校水平。試驗(yàn)中需預(yù)防回彈所造成的沖擊。試驗(yàn)條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表3.3.1選定條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。在指定的試驗(yàn)條件下，需對(duì)組件之每一軸向進(jìn)行5次沖擊(XI

16、,X2,Yl,Y2,Z1及Z2),六面共30次沖擊。試驗(yàn)前組件必須被固定或以外盒給予適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)，固定方式須在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。表3.3.1組件試驗(yàn)規(guī)范測(cè)試條件等效降落髙度(inches)/(cm)速度變化(in/s)/(cm/s)峰值加速度(G)脈沖時(shí)間(ms)H59/150214/54329000.3G51/130199/50520000.4B44/112184/46715000.5F30/76.2152/3869000.7A20/50.8124/3165001.0E13/33.0100/2543401.2D7/17.873.6/1872001.5C3/7.6248.1/1221002.03.

17、3.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍非因固定夾具造成的機(jī)械損壞如爆裂、碎屑或封裝破損會(huì)被視為失效3.3.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或外盒尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.4震動(dòng)試驗(yàn)(參考JESD22-B103-B)3.4.1適用范圍本規(guī)范是用來(lái)試驗(yàn)LED組件于運(yùn)輸過(guò)程或?qū)嵉夭僮鲿r(shí)承受到中度至重度振動(dòng)時(shí)的耐受能力。這種類型振動(dòng)可影響LED組件操作性能，特別是重復(fù)性的應(yīng)力會(huì)造成疲勞。3.4.2術(shù)語(yǔ)及定義均方根之加速度(RMSacceleration):動(dòng)過(guò)程中加速度的均方根

18、值。峰值加速度(Peakacceleration):在加速度在作用期間所產(chǎn)生之最大加速度值。對(duì)數(shù)掃描(Logaritlimicsweep):頻率的掃描按對(duì)數(shù)型態(tài)的變化，也就是相同的時(shí)間掃過(guò)的頻率倍頻的程數(shù)是一樣的。倍頻(Octave):一種頻率間隔的度量方式，指一定頻率范圍內(nèi)，將頻率以倍數(shù)向上累加,其倍頻N=(logf2/fl)/log2(flf2,fl和2指兩頻率區(qū)間)。10的倍頻(Decade):一種頻率間隔的度量方式，將頻率以10倍數(shù)向上累加，其倍頻D=(logf2/fl)/logl0(flf2,fl和f2指兩頻率區(qū)間)以cIB計(jì)量的PSD(DecibelmeasurementofPSD

19、,cIB):利用一比值R表示一個(gè)PSD(si)相對(duì)于另一個(gè)PSD(s2)的大小,R=201og(si/s2)/log10,R=6dB時(shí)兩個(gè)功率頻譜密度約呈雙倍關(guān)系(功率頻譜密度用來(lái)描述信號(hào)的能量特征與頻率的變化關(guān)系)。功率頻譜密度PSD(powerspectraldensity)：每單一的頻率對(duì)加速度作的積分，其單位為/Hz。速度變化(Velocitychange):加速度對(duì)完整之沖擊脈沖時(shí)間所進(jìn)行積分之總值。峰值對(duì)峰值位移(Peak-peakdisplacement):動(dòng)態(tài)試驗(yàn)期間，扌旨振動(dòng)位移時(shí)，最高和最低值之間的移動(dòng)量。高斯隨機(jī)振動(dòng)(Gaussianrandomvibration):在一

20、段時(shí)間內(nèi)的隨機(jī)振動(dòng)，加速度值為常態(tài)分配，頻率值為均勻分配。3.4.3試驗(yàn)設(shè)備試驗(yàn)設(shè)備要能提供頻率變換的振動(dòng)能力。3.4.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)正弦應(yīng)力試驗(yàn)(Requiiedstressapplication-sweptsinetest)試驗(yàn)前組件若以外盒給予適當(dāng)?shù)墓潭?，外盒與固定方式須在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。試驗(yàn)樣品應(yīng)良好的固定在震動(dòng)平臺(tái)上，避免發(fā)生共振。試驗(yàn)條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表3.4.1選定條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。每個(gè)振動(dòng)條件都包含在轉(zhuǎn)折頻率(Cross-overfrequency)前的位移振動(dòng)(峰值對(duì)峰值)及轉(zhuǎn)折頻率后的加速度振動(dòng)，不論是位移量及加

21、速度值的容許誤差范圍皆為10%。一個(gè)完整的頻率掃描乃是由此頻率范圍之低頻掃至高頻再由高頻掃回低頻。在4分鐘內(nèi)采對(duì)數(shù)掃描，其掃描速率為1decade/分鐘，每個(gè)軸向需掃4回(X、Y及Z軸)，共12回表3.4.1組件試驗(yàn)條件測(cè)試條件峰值加速度(G)位移峰值對(duì)峰值(in/nun)轉(zhuǎn)折頻率(Hz)最低/最高.頻率(Hz)1200.030/1.58020/20002100.040/1.07010/1000330.030/0.75455/500410.020/0.5315/50050.30.010/0.25245/50060.10.005/0.125205/50070.010.001/0.039145/5

22、0080.0010.0005/0.01276.25/500隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)(Optionalstressapplication-Randomvibrationtest)試驗(yàn)前組件若以外盒給予適當(dāng)?shù)墓潭?，外盒與固定方式須在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。試驗(yàn)樣品應(yīng)良好的固定在震動(dòng)平臺(tái)上，避免發(fā)生共振。試驗(yàn)條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表3.4.2選定條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。零件產(chǎn)品應(yīng)以高斯隨機(jī)振動(dòng)的方式進(jìn)行檢測(cè)，詳細(xì)的振動(dòng)頻率與功率頻譜密度對(duì)照表如表3.4.3至表3.4.6。圖3.4.1將所有的頻譜圖匯整在一起之示意圖測(cè)試時(shí)間為每個(gè)軸向測(cè)試30分鐘，(X、Y及Z軸)，共90分鐘

23、執(zhí)行測(cè)試中PSD值容許的誤差為+/-6dB，均方根值的誤差須在10%內(nèi)。表3.4.2組件隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)試驗(yàn)條件測(cè)試條件均方根值加速度(G)均方根值速度(in/sec)均方根值位移(in)6水均方根值位移，或3sigma峰值對(duì)峰值位移(in)A6.2729.00.9265.55B3.1013.20.4262.56C1.245.220.1781.07D1.111.640.03100.186E0.6860.7030.005430.0326F0.4160.4250.003550.0213G0.2460.2150.001710.0102H0.1230.1130.0008320.00499I0.06260.

24、05890.0003950.002237表3.4.3頻率終止點(diǎn)的功率頻譜密度的組件試驗(yàn)水平A、E、C測(cè)試條件A測(cè)試條件B測(cè)試條件c頻率(Hz)PSDlevel,Gsquarecl/HzPSDlevel,Gsquared/HzPSDlevel,Gsquared/Hz20.010.0030.001410.20.03810.20.03400.10.020.003500.30.080.013700.30.080.0132000.030.0080.0015000.010.0030.001表3.4.4頻率終止點(diǎn)的功率頻譜密度的組件試驗(yàn)水平D測(cè)試條件D頻率(Hz)PSDLevel,Gsquared/Hz30

25、.000160.003400.003500.013700.0132000.0015000.001表3.4.5頻率終止點(diǎn)的功率頻譜密度的組件試驗(yàn)水平E、F測(cè)試條件E測(cè)試條件F頻率(Hz)PSDlevel,Gsquarecl/HzPSDlevel,Gsquarecl/Hz50.000020.00001170.0010.0004400.0010.0004500.010.003600.010.003700.0010.00041500.0010.00042000.00050.00025000.00050.0002表346頻率終止點(diǎn)的功率頻譜密度的組件試驗(yàn)水平G、H、I測(cè)試條件G測(cè)試條件H測(cè)試條件I頻率(

26、Hz)PSDlevel,Gsquarecl/HzPSDlevel,Gsquared/HzPSDlevel,Gsquared/Hz50.0000020.00000050.0000001170.00010.00000220.000005400.00010.00000220.000005500.00080.00030.0001600.00080.00030.0001700.00010.00000220.0000055000.000010.00000220.000005ZH/Z0101.1.01.0010.00011E-51E-61E-710100頻率,Hz圖3.4.1隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)之功率頻譜密度3.4

27、.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍非因固定夾具造成的機(jī)械損壞如爆裂、碎屑或封裝破損會(huì)被視為失效346試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或外盒尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.5耐焊熱性試驗(yàn)(參考EIAJED-4701/300-3Testmethod301B)3.5.1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)估表面黏著(SurfaceMountDevices,SMD)LED組件的耐焊熱特性的方法。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)也適用于錫鉛和無(wú)鉛兩種焊錫膏。3.5.2術(shù)語(yǔ)及定義吸濕：LED組件進(jìn)行焊錫加熱試驗(yàn)前的前處理步驟，

28、用以仿真組件長(zhǎng)期放置在包裝袋中或開(kāi)封后到焊接前可能吸收的水氣。焊錫加熱：仿真LED組件與電路板焊接時(shí)，組件本體可能遭遇的溫度與時(shí)間。與組件同一電路板的其他組件焊接時(shí)，也會(huì)使己焊接完成的組件暴露在焊接高溫下。3.5.3試驗(yàn)設(shè)備高溫爐：除非另行規(guī)定，高溫爐必須能維持溫度在1255C至少24小時(shí)。濕度室：使用蒸飾水或是去離子水，在23。(3下PH值在6.07.2之間，電阻率至少為500dm。腔體材質(zhì)在高濕下必須保持穩(wěn)定，且必須要能維持溫度與相對(duì)濕度穩(wěn)定。紅外線回焊爐/對(duì)流回焊爐：必須要能滿足3.544(1)所要求之升降溫曲線，溫度量測(cè)點(diǎn)系位于SMDLED的表面。氣相回焊爐：必須要能滿足3.544(2

29、)所要求之升降溫曲線，溫度量測(cè)點(diǎn)系位于SMDLED的表面。波焊爐：必須要能滿足3.544(3)所要求之焊錫融熔溫度。焊錫?。罕仨氁軡M足3.544(4)所要求之焊錫融熔溫度。樣品架：試驗(yàn)時(shí)承載樣品的架子，應(yīng)使用玻璃纖維強(qiáng)化的環(huán)氧樹(shù)脂，聚酰亞胺，或氧化鋁基板制作。焊料：依組件規(guī)格要求使用錫鉛焊料或無(wú)鉛焊料。助焊劑：松香異丙醇溶液，重量百分比介于10%至35%之間。3.5.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)3.541初始量測(cè)：依照相關(guān)規(guī)格量測(cè)樣品的電氣特性，并在40借放大率的放大鏡下目視檢查裂紋和其他缺陷。如果需要的話，可使用掃描超音波斷層掃描(scanningacoustictomography)檢查樣品內(nèi)部

30、的裂縫與缺陷。3.542烘烤:在1255C下烘烤24小時(shí)3.543吸濕：依樣品的包裝方式不同，而采用不同的吸濕步驟若組件的相關(guān)規(guī)格中有規(guī)定組件在焊接前須先經(jīng)過(guò)烘烤的程序，則此種組件不需要經(jīng)過(guò)吸濕步驟。3.544的焊錫加熱程序必須要在吸濕步驟完畢4小時(shí)內(nèi)進(jìn)行。溫度變異量必須在土2。相對(duì)濕度變異量必須在5%。干式包裝的SMD的吸濕步驟(a)包裝前未烘烤：吸濕步驟分兩步，第一步為模擬在干式包裝內(nèi)長(zhǎng)期儲(chǔ)存的環(huán)境(30C,30%RH)o第二步為模擬拆封后的環(huán)境，且必須要在第一步驟完成后4小時(shí)內(nèi)進(jìn)行。實(shí)驗(yàn)條件如下表3.5.1。表3.5.1干式包裝的SMD的吸濕條件項(xiàng)目吸濕條件預(yù)期儲(chǔ)存條件注意吸濕第一步驟：

31、模擬在干式包裝內(nèi)長(zhǎng)期儲(chǔ)存的環(huán)境85C,30%相對(duì)濕度,168小時(shí)(吸濕直到水分達(dá)飽和)30C,30%相對(duì)濕度,1年仟式包裝內(nèi)的最惡劣條件)如果干式包裝的預(yù)期儲(chǔ)存狀態(tài)不同于所列條件，吸濕條件應(yīng)改為合適的條件，當(dāng)干式包裝內(nèi)環(huán)境低于30C,10%則可省略此步驟吸濕第二步驟：模擬拆封后的環(huán)境30C,70%相對(duì)濕度,168小時(shí)30C,70%相對(duì)濕度,168小時(shí)(b)包裝前已烘烤：此種包裝的SMD因?yàn)橐呀?jīng)過(guò)烘烤，所以可視為處于RHV30%,故第一步驟可省略。非干式包裝的SMD的吸濕步驟試驗(yàn)條件如下，條件A為模擬儲(chǔ)存于室內(nèi)(低于30C70%RH),條件B為更高的濕度。除非特別注明，條件A的吸濕時(shí)間為1682

32、4小時(shí)。表3.5.2非干式包裝的SMD的吸濕條件測(cè)試條件溫度(C)相對(duì)濕度(%)吸濕時(shí)間(11)A85265516824or336土24B852855168243.544焊錫加熱：由以下四種方法擇一進(jìn)行，再依組件使用錫鉛或無(wú)鉛焊料的不同設(shè)定不同的條件方法一：對(duì)于使用紅外線回焊/對(duì)流回焊等制程的組件I、樣品準(zhǔn)備：將樣品置于樣品架n、預(yù)熱：對(duì)于使用錫-鉛焊料的組件，將組件加熱至140C至160C之間維持9030秒。對(duì)于使用無(wú)鉛焊料的組件，將組件加熱至160C至190。之間維持11030秒。HI、焊錫加熱：無(wú)特別規(guī)定時(shí)，焊錫加熱的程序應(yīng)重復(fù)三次，每一次加熱后都應(yīng)降溫至50C對(duì)于使用錫鉛焊料的組件：使

33、用條件如下表3.5.3,如果樣品體積小于2,000mm3,則使用條件若大于2,000mm3,則使用條件B,樣品的升降溫曲線如圖3.5.1和圖3.5.2所示C401240C-5C103S160C9030S時(shí)冏表3.5.3紅外回焊/對(duì)流回焊加熱條件（Sn-Pb共晶接合）測(cè)試條件峰值溫度（C）達(dá)到實(shí)際峰值溫度5C以內(nèi)的時(shí)間I-I-A24段10土3I-I-B225$10土3圖351紅外及對(duì)流回焊升降溫度曲線（條件IIA）圖3.5.2紅外及對(duì)流回焊升降溫度曲線（條件I-I-B）（b）對(duì)于使用無(wú)鉛焊料的組件：接續(xù)預(yù)熱的步驟之后樣品被加熱到尖峰溫度，尖峰溫度值的設(shè)定值與組件厚度、體積有關(guān)如表3.5.4所列。

34、組件在尖峰溫度的維持時(shí)間一般而言設(shè)定為10秒。表354紅外線回焊及對(duì)流回焊封裝峰值溫度條件（無(wú)鉛）只(nun3)厚度(nun)2,0002.525童C24戰(zhàn)C24gC（2）方法二：對(duì)于使用氣相回焊制程的組件，本方法不適于使用無(wú)鉛焊料的組件。I、樣品準(zhǔn)備：將樣品置于樣品架n、預(yù)熱：對(duì)于使用錫-鉛焊料的組件，將組件加熱至140C至160C之間維持9030秒。HI、焊錫加熱：無(wú)特別規(guī)定時(shí)，焊錫加熱的程序應(yīng)重復(fù)三次，每一次加熱后都應(yīng)降溫至50Co加熱條件如下：表3.5.5氣相回焊加熱條件40+4S160Ci4or90+30S測(cè)試條件加熱溫度(C)加熱時(shí)間(s)注意n-A210：404參考圖3.5.3圖

35、3.5.3氣相回焊溫度分布(條件U-A)方法三：對(duì)于使用波焊制程的組件I、樣品準(zhǔn)備：將樣品的底面使用黏著劑黏貼于樣品架上。、預(yù)熱：于波焊爐中將組件加熱至80OC至140C之間維持3040秒。HI、焊錫加熱：接續(xù)預(yù)熱的步驟之后，樣品被浸置于流動(dòng)的融熔的焊錫液中如圖3.5.4(a)(b)所示。浸置條件由下表中作選擇，焊錫加熱的程序一次表3.5.6波焊加熱條件測(cè)試條件焊接溫度(C)浸置時(shí)間(s)注意m-A260土551單波m-B260土5101雙波(a)開(kāi)始浸置(b)浸置結(jié)束圖3.5.4波焊加熱方法方法四：將組件電極接腳浸置于融熔焊錫液中，模擬使用烙鐵加熱的情形。I、于室溫下將組件電極接腳浸置于助焊

36、劑中。、使用不銹鋼刀刮除融熔焊錫液表面的錫渣。HI、焊錫加熱：將組件電極接腳浸置于融熔焊錫液中，組件電極接腳分布在組件本體不同邊時(shí)，一次浸置一邊的接腳。浸置深度不宜超過(guò)本體。浸置上下的速率為25mm/So浸置上下的時(shí)間不計(jì)入浸置時(shí)間。浸置條件由下表中作選擇，焊錫加熱的程序一次IV、使用刷子清除助焊劑殘留表3.5.7融熔焊錫液浸置加熱條件測(cè)試條件焊液溫度(C)浸置時(shí)間IV-A350土103.50.53.545回復(fù)：在焊錫加熱試驗(yàn)后回復(fù)樣品規(guī)格所訂的環(huán)境條件3.546最后量測(cè)：樣品最后必須經(jīng)過(guò)電性量測(cè)與40倍顯微鏡或掃描聲學(xué)斷層掃描，檢查樣品內(nèi)部的裂縫與缺陷3.5.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：其中如果發(fā)現(xiàn)下列

37、任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍40X光學(xué)顯微鏡下可見(jiàn)外部裂縫目視發(fā)現(xiàn)封裝形狀膨脹或扭曲連接線、連接點(diǎn)有內(nèi)部裂痕發(fā)現(xiàn)由(leadfinger,cliip,die,attachpaddle)延伸至(leadfinger,cliip,die,attachpaddle)的內(nèi)部裂痕裂痕超過(guò)2/3內(nèi)部裝置至封裝表面的距離。芯片表面與模子之間發(fā)生剝離內(nèi)部器件發(fā)生剝離發(fā)現(xiàn)內(nèi)部裂痕3.5.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.6焊錫附著性試驗(yàn)(參考EIAJED-4701/300Testmethod303

38、)3.6.1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)估使用焊錫作為組件之間連接時(shí)，LED組件的試驗(yàn)端點(diǎn)或電極接腳的焊錫附著性試驗(yàn)。3.6.2術(shù)語(yǔ)及定義參考3.5.2節(jié)3.6.3試驗(yàn)設(shè)備焊錫?。耗軡M足焊錫浸泡試驗(yàn)時(shí)所需要之溫度精準(zhǔn)度。浸泡治具：能控制組件電極接腳的上下移動(dòng)速率、浸泡深度與浸泡時(shí)間。觀測(cè)儀器：放大倍率1020倍的光學(xué)顯微鏡。焊料：依組件規(guī)格要求使用錫鉛共晶焊料或無(wú)鉛焊料。助焊劑：松香異丙醇溶液，重量百分比介于10%至35%之間。364試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)組件準(zhǔn)備：組件表面必須保持收到組件時(shí)的原樣，組件表面不能以手或其他污染物碰觸；除了在詳細(xì)規(guī)格中若有規(guī)范，可將組件浸置在室溫的有機(jī)溶劑中以去除油漬之外，組

39、件試驗(yàn)前不能清潔。初始量測(cè)：目視或使用1020倍的光學(xué)顯微鏡檢測(cè)組件外觀或缺陷。焊錫試驗(yàn)：浸入助焊劑中：將組件的試驗(yàn)端點(diǎn)或電極接腳浸入助焊劑中。焊錫浸置：將浸泡過(guò)助焊劑的SMD形式的LED組件直接浸置焊錫中，具有外延腳的LED組件其本體離開(kāi)焊錫池液面11.5mm只浸置到電路板上的安裝位置。浸置與離開(kāi)焊錫池的速度為252.5mm/sec,組件浸入與離開(kāi)浸泡池的時(shí)間不應(yīng)計(jì)入浸置時(shí)間中。若有需要，組件可預(yù)熱。浸置條件如下表：表361焊錫浸置條件測(cè)試條件浸置溫度(C)浸置時(shí)間(s)注意A350土103.50.5波焊B215土510土0.5回焊一般來(lái)說(shuō)組件的所有試驗(yàn)端點(diǎn)或電極接腳都應(yīng)作焊錫試驗(yàn)，當(dāng)引腳間

40、隙過(guò)密有形成錫橋的疑慮時(shí)，得先將引腳切短或彎折。去除助焊劑：使用2丙醇(JIS標(biāo)準(zhǔn)k8839)或乙醇(JIS標(biāo)準(zhǔn)k8101)和軟布去除引腳與電極上的殘余助焊劑。終了量測(cè)：使用放大倍率1020借的光學(xué)顯微鏡觀測(cè)組件外觀。引腳末端的電鍍部位不在觀察范圍中。組件所有的焊接端點(diǎn)都應(yīng)該進(jìn)行檢視試驗(yàn)。3.6.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：其中如果發(fā)現(xiàn)下列任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍組件浸泡焊錫部位需要有95%以上被焊錫附著，其上不能有集中出現(xiàn)的孔洞、裂縫與缺陷，有缺陷的部位面積也不能超過(guò)整體面積的5%。3.6.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)

41、果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.7支架接腳強(qiáng)度與彎曲疲勞試驗(yàn)(參考JESD22-B105-C)3.7.1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于具有外延腳的插件式(tluougli-hole)LED和表面黏著型(SMD)LED,對(duì)組件的支架接腳進(jìn)行拉伸與重復(fù)彎曲試驗(yàn)，以檢測(cè)組件接腳與封裝本體的接合面強(qiáng)度或組件接腳本身的強(qiáng)度。3.7.2試驗(yàn)設(shè)備拉伸試驗(yàn)設(shè)備：須具備能牢固抓住LED封裝本體與支架接腳的夾治具，并提供待測(cè)接腳規(guī)定的拉伸應(yīng)力。彎曲試驗(yàn)設(shè)備：須具備能牢固抓住LED封裝本體與支架接腳的夾治具，并提供待測(cè)接腳規(guī)定的彎曲應(yīng)力與規(guī)定的彎曲角度。3.7.3試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)：3.73.1拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)：所施加之

42、拉伸應(yīng)力端視LED支架接腳之截面大小而定，女口表3.7.1所示。若LED的支架接腳已被加工成型(例如Z型、J型)應(yīng)先用適當(dāng)工具將支架接腳整理成直線型，整型之后的支架接腳表面不能出現(xiàn)明顯刮傷紋路。使用適當(dāng)?shù)膴A治具牢固抓住LED封裝本體與支架接腳末端，由表3.7.1中選擇適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)條件進(jìn)行支架接腳拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)，施力方向與直線型接腳成平行。不同接腳分開(kāi)試驗(yàn)。表3.7.1拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)條件接腳截面積(mm2)接腳線徑(圓形)(mm)拉伸應(yīng)力(公斤重)維持時(shí)間(秒)W0.07W0.30.3300.07至0.2以下0.3至0.5以下0.5300.02至0.5以下0.5至0.8以下1.0300.5至1.0以下

43、0.8至1.2以下2.530M1.0以下全1.24.53037.3.2彎曲疲勞試驗(yàn)：所施加之彎曲應(yīng)力端視LED支架接腳之截面大小而定，如表3.7.2所示。若LED的支架接腳已被加工成J型，應(yīng)先用適當(dāng)工具將支架接腳整理成直線型，整型之后的支架接腳表面不能出現(xiàn)明顯刮傷紋路。使用適當(dāng)?shù)膴A治具牢固抓住LED封裝本體與支架接腳末端，由表3.7.2中選擇適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)條件進(jìn)行支架接腳彎曲疲勞試驗(yàn)。施力方向與接腳成垂直，彎曲角度依支架接腳型式而有不同，可參考圖3.7.1和3.7.2設(shè)定彎曲角度并于試驗(yàn)報(bào)告中注明。直線型接腳的彎曲試驗(yàn)中，以離開(kāi)接腳的原始位置，到達(dá)設(shè)定的彎曲角度，再回到原始位置時(shí)算試驗(yàn)一回，每一回

44、試驗(yàn)在25秒鐘內(nèi)完成，每一個(gè)接腳試驗(yàn)3回。Z型接腳的彎曲試驗(yàn)中，以離開(kāi)接腳的原始位置，到達(dá)設(shè)定的彎曲角度，再反向到達(dá)原始位置另一方向所設(shè)定彎曲角度，最后回到原始位置時(shí)算試驗(yàn)一回，每一回試驗(yàn)在25秒鐘內(nèi)完成，每一個(gè)接腳試驗(yàn)3回。不同接腳分開(kāi)試驗(yàn)。表3.7.2彎曲疲勞試驗(yàn)條件接腳截面積(mm2)接腳線徑(圓形)(nun)拉伸應(yīng)力(公斤重)W0.07W0.30.10.07至0.2以下0.3至0.5以下0.250.02至0.5以下0.5至0.8以下0.50.5至1.0以下0.8至1.2以下1.0M1.0以下全1.21.5圖3.7.1直線型支架接腳彎曲疲勞試驗(yàn)圖3.7.2Z型支架接腳彎曲疲勞試驗(yàn)3.7.

45、4失效判定標(biāo)準(zhǔn)：其中如果發(fā)現(xiàn)下列任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍使用放大借率10X20X放大鏡觀察，LED支架接腳與封裝本體的接合面或支架接腳本身如果產(chǎn)生破裂或錯(cuò)位或松脫現(xiàn)象視為失效。3.7.5試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目LED組件型式與夾治具安裝方式的圖示試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況3.8鹽霧試驗(yàn)(參考JESD22A107-B)3.8.1適用范圍鹽霧試驗(yàn)是用來(lái)試驗(yàn)LED組件的抗腐蝕能力。這是一個(gè)加速試驗(yàn)，仿真組件暴露在海岸區(qū)的嚴(yán)厲鹽霧環(huán)境情形。這是一個(gè)破壞性試驗(yàn)，主要用來(lái)做批次生產(chǎn)的合格檢測(cè)、制程監(jiān)控與質(zhì)量檢

46、驗(yàn)。3.8.2試驗(yàn)設(shè)備具溫控能力的試驗(yàn)箱與具有抗腐蝕能力的組件承載支架。鹽溶液儲(chǔ)槽。(鹽溶液成分主要為氯化鈉，固態(tài)的氯化鈉中的碘化鈉含量不超過(guò)0.1%,及總雜質(zhì)不超過(guò)0.3%。使用的蒸懈水或其他水，不應(yīng)含有超過(guò)200ppm的固體雜質(zhì)。溶液應(yīng)先濾除其中的固體顆粒。)有合適的噴嘴和壓縮空氣，以霧化鹽溶液。加濕裝置，以較試驗(yàn)箱內(nèi)為高的溫度蒸發(fā)水氣加濕。倍率10X20X的放大鏡。3.8.3試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)將組件放入試驗(yàn)箱內(nèi)，組件不得相互接觸或是造成遮蔽，組件上的腐蝕物與沈淀物不應(yīng)掉落到另一組件上。箱內(nèi)在依所選的試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)應(yīng)維持穩(wěn)定一致的鹽霧環(huán)境,箱內(nèi)溫度應(yīng)為35C+3C/-0aCo在試驗(yàn)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生沉淀

47、物的速率應(yīng)在3010克每平方米每24小時(shí)。35C的鹽溶液的pH值應(yīng)保持在6.07.5之間。試驗(yàn)時(shí)間：從表3.&1選擇適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)條件(處在鹽霧環(huán)境的時(shí)間)，若無(wú)指定則使用B條件。表3.8.1各條件下的最低鹽霧試驗(yàn)時(shí)間試驗(yàn)條件試驗(yàn)時(shí)間A24小時(shí)B48小時(shí)C96小時(shí)D240小時(shí)試驗(yàn)完后，除另有規(guī)定外，組件上的沉淀物可以輕柔沖洗方式去除，或是浸在溫度不超過(guò)37.8C(100F)的溫水中以軟毛刷或是塑料硬毛刷輕輕刷洗。3.8.4失效判定標(biāo)準(zhǔn)組件若有下列的情形則判定為失效:LED發(fā)生open或short或閃爍在一般室內(nèi)照明環(huán)境下以13倍的放大倍率觀察時(shí)，指定的標(biāo)記均難以辨認(rèn)的時(shí)候。外觀或是封裝體的金屬部份

48、(如蓋子，引腳等)有超過(guò)5%以上的面積被腐蝕，引腳斷裂或遺失，組件漏電增加(超出組件規(guī)格標(biāo)示)，或是以10X20X借放大鏡觀察時(shí)有任何腐蝕區(qū)橫跨了整個(gè)組件。腐蝕的定義是指實(shí)際損害到材料結(jié)構(gòu)或外觀結(jié)構(gòu)。污漬或變色不被視為受損。引腳尖端的腐蝕(及因此腐蝕造成的結(jié)果)可以忽略不計(jì)。3.8.5試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目選用的試驗(yàn)條件。清潔步驟。失效判定標(biāo)準(zhǔn)。試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況耐久性試驗(yàn)4.1高溫運(yùn)作壽命試驗(yàn)(參考JESD22-A108C)4.1.1適用范圍在高溫環(huán)境下對(duì)LED組件施予電流(或電壓)加載試驗(yàn)，檢驗(yàn)其對(duì)運(yùn)作壽命的影響。這是一種模擬的加速壽命

49、試驗(yàn)方式，主要是用來(lái)對(duì)組件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)或是信賴度試驗(yàn)。4.1.2術(shù)語(yǔ)及定義最大運(yùn)作電壓(Maximumoperatingvoltage)：最高供電電壓，扌旨組件規(guī)格表內(nèi)所列可運(yùn)作的最大電壓。最大運(yùn)作電流(Maximumoperatingcunent):最高供電電流，扌旨組件規(guī)格表內(nèi)所列可運(yùn)作的最大電流。絕對(duì)最大額定電壓(Absolutemaximumratedvoltage)：組件所能承受的最高電壓,高于此電壓則可能發(fā)生損害或有潛在發(fā)生損害的危險(xiǎn)。絕對(duì)最大額定電流(Absolutemaximumratedcunent):組件所能承受的最高電流,高于此電流則可能發(fā)生損害或有潛在發(fā)生損害的危險(xiǎn)。絕

50、對(duì)最大額定接面溫度(Absolutemaximumratedjunctiontemperature):組件所能承受的最高接面溫度，高于此接面溫度則可能發(fā)生損害或有潛在發(fā)生損害的危險(xiǎn)。4.1.3試驗(yàn)設(shè)備電路部份供給的電流或電壓不能對(duì)組件過(guò)度加載或造成組件熱損毀現(xiàn)象(thermalmnaway)在試驗(yàn)過(guò)程中，試驗(yàn)電路必須確保當(dāng)試驗(yàn)樣品中部分組件損毀時(shí)，不會(huì)有額外的能量加載到其他組件。治具：需提供適當(dāng)?shù)纳崮芰Γ蛊鋵?duì)試驗(yàn)的負(fù)面影響降至最低。量測(cè)儀器與電源：量測(cè)儀器與電源必須定期校驗(yàn)并具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。環(huán)境試驗(yàn)箱：整個(gè)試驗(yàn)箱內(nèi)溫度容許變異量需在5C以內(nèi)。4.1.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)：若使用特殊固

51、定座或散熱座(heatsink)安裝LED組件，應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明細(xì)節(jié)。組件初始光電特性量測(cè)：試驗(yàn)前依LED組件規(guī)格進(jìn)行光電特性試驗(yàn)。將待測(cè)組件置于試驗(yàn)箱內(nèi)，待組件溫度達(dá)到選定的試驗(yàn)溫度(5C內(nèi))時(shí)，以選定的應(yīng)力(電流或電壓)條件進(jìn)行加載試驗(yàn)。組件的加載應(yīng)力條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定則以組件的最大運(yùn)作電流或電壓來(lái)進(jìn)行加載試驗(yàn)?？墒褂渺o態(tài)(直流或脈沖)或動(dòng)態(tài)的運(yùn)作模式。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。組件的試驗(yàn)溫度與試驗(yàn)時(shí)間條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表4.1.1條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。表4.1.1高溫試驗(yàn)條件試驗(yàn)溫度試驗(yàn)時(shí)間85C1000小時(shí)

52、試驗(yàn)組件在試驗(yàn)期間可依需要停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，再回到試驗(yàn)溫度繼續(xù)加載應(yīng)力試驗(yàn)，升降溫速率不宜大于3C/mino試驗(yàn)時(shí)間終了，停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，所使用的量測(cè)設(shè)備、量測(cè)環(huán)境溫度、與量測(cè)條件應(yīng)與組件初始光電特性量測(cè)時(shí)相同。4.1.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍光輸出較試驗(yàn)前衰減大于30%正向電壓較試驗(yàn)前變動(dòng)大于10%4.1.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或散熱座(heatsink)尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況4.2低溫運(yùn)作

53、壽命試驗(yàn)(參考JESD22-A108C)4.2.1適用范圍在低溫環(huán)境下對(duì)LED組件施予電流(或電壓)加載，檢驗(yàn)其對(duì)運(yùn)作壽命的影響。這是一種模擬的加速壽命試驗(yàn)方式，主要是用來(lái)對(duì)組件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)或是信賴度試驗(yàn)。4.2.2術(shù)語(yǔ)及定義參考4.1.2節(jié)4.2.3試驗(yàn)設(shè)備：電路部份供給電流或電壓不能對(duì)組件過(guò)度加載或造成組件熱損毀現(xiàn)象(thennalrunaway)o在試驗(yàn)過(guò)程中，試驗(yàn)電路必須確保當(dāng)試驗(yàn)樣品中部分組件損毀時(shí)，不會(huì)有額外的能量加載到其他組件。治具：需提供適當(dāng)?shù)纳崮芰Γ蛊鋵?duì)試驗(yàn)的負(fù)面影響降至最低。量測(cè)儀器與電源：量測(cè)儀器與電源必須定期校驗(yàn)并具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。環(huán)境試驗(yàn)箱：整個(gè)試驗(yàn)箱內(nèi)溫度容

54、許變異量需在5C以內(nèi)。4.2.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)：若使用特殊固定座或散熱座(heatsink)安裝LED組件，應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明細(xì)節(jié)。組件初始光電特性量測(cè)：試驗(yàn)前依LED組件規(guī)格進(jìn)行光電特性試驗(yàn)。將待測(cè)組件置于試驗(yàn)箱內(nèi)，待組件溫度達(dá)到選定的試驗(yàn)溫度(5C內(nèi))，以選定的應(yīng)力(電流或電壓)條件進(jìn)行加載試驗(yàn)。組件的加載應(yīng)力條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定則以組件的最大運(yùn)作電流或電壓來(lái)進(jìn)行加載試驗(yàn)?？墒褂渺o態(tài)(直流或脈沖)或動(dòng)態(tài)的運(yùn)作模式。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。組件的試驗(yàn)溫度與試驗(yàn)時(shí)間條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定，建議參考表4.2.1條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告

55、中。表4.2.1低溫試驗(yàn)條件試驗(yàn)溫度試驗(yàn)時(shí)間30(-10/-H)C1000小時(shí)試驗(yàn)組件在試驗(yàn)期間可依需要停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，再回到試驗(yàn)溫度繼續(xù)加載應(yīng)力試驗(yàn)，升降溫速率不宜大于3C/mino試驗(yàn)時(shí)間終了，停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，所使用的量測(cè)設(shè)備、量測(cè)環(huán)境溫度、與量測(cè)條件應(yīng)與組件初始光電特性量測(cè)時(shí)相同。4.4.2術(shù)語(yǔ)及定義LED元件之環(huán)境試法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 #4.4.2術(shù)語(yǔ)及定義LED元件之環(huán)境試法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 4.3.4試驗(yàn)程序與注意事項(xiàng)：LED元件之環(huán)境試法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案ver

56、sion2.00 4.2.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍光輸出較試驗(yàn)前衰減大于30%正向電壓較試驗(yàn)前變動(dòng)大于10%4.2.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或散熱座(heatsink)尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況4.3高溫高濕運(yùn)作壽命試驗(yàn)(參考EIAJED-4701/102)4.3.1適用范圍為試驗(yàn)高溫高濕環(huán)境下LED組件的可靠度，使用溫度、濕度、以及加載應(yīng)力(電流或電壓)來(lái)加速水氣穿透組件封裝的效果，或是加速水氣滲入保護(hù)材料與金屬電極間的效應(yīng)。4.3.2術(shù)語(yǔ)及定義參考4.

57、1.2節(jié)。4.3.3試驗(yàn)設(shè)備水：使用蒸懈水或去離子水，PH值在6.07.2,電阻率在23C時(shí)大于等于500Q-111電路部份供給的電流或電壓不能對(duì)組件過(guò)度加載或造成組件熱損毀現(xiàn)象(thermalrunaway)。在試驗(yàn)過(guò)程中，試驗(yàn)電路必須確保當(dāng)試驗(yàn)樣品中部分組件損毀時(shí)，不會(huì)有額外的能量加載到其他組件。治具：需提供適當(dāng)?shù)纳崮芰?，使其?duì)試驗(yàn)的負(fù)面影響降至最低。量測(cè)儀器與電源：量測(cè)儀器與電源必須定期校驗(yàn)并具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。環(huán)境試驗(yàn)箱：能控制試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度濕度到指定的溫濕度，并能長(zhǎng)期維持。其他需求如下：試驗(yàn)樣品區(qū)內(nèi)的溫度變異量小于5C、濕度變異量小于5%。試驗(yàn)箱內(nèi)的箱體材料不能在高溫高濕下有反應(yīng)

58、。箱內(nèi)凝結(jié)水不能滴落于樣品上。若使用特殊固定座或散熱座(heatsink)安裝LED組件，應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明細(xì)節(jié)。組件初始光電特性量測(cè)：試驗(yàn)前依LED組件規(guī)格進(jìn)行光電特性試驗(yàn)。將待測(cè)組件置于試驗(yàn)箱內(nèi)，待組件溫度與濕度達(dá)到選定的試驗(yàn)溫度(5C內(nèi))與濕度(5%內(nèi))時(shí)，以選定的應(yīng)力(電流或電壓)條件進(jìn)行加載試驗(yàn)。組件的加載應(yīng)力條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定則以組件的最大運(yùn)作電流或電壓來(lái)進(jìn)行加載試驗(yàn)?？墒褂渺o態(tài)(直流或脈沖)或動(dòng)態(tài)的運(yùn)作模式。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。組件的試驗(yàn)溫度、濕度與試驗(yàn)時(shí)間條件如有客戶約定，依約定條件試驗(yàn)，若無(wú)約定,建議參考表4.3.1條件作試驗(yàn)。試驗(yàn)條件應(yīng)記載于

59、試驗(yàn)報(bào)告中。表4.3.1高溫高濕試驗(yàn)條件試驗(yàn)溫度/濕度試驗(yàn)時(shí)間60C/90%1000小時(shí)試驗(yàn)組件在試驗(yàn)期間可依需要停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，再回到試驗(yàn)溫度繼續(xù)加載應(yīng)力試驗(yàn)，升降溫速率不宜大于3C/mino試驗(yàn)時(shí)間終了，停止加載應(yīng)力，使組件回到室溫下做光電特性量測(cè)，所使用的量測(cè)設(shè)備、量測(cè)環(huán)境溫度、與量測(cè)條件應(yīng)與組件初始光電特性量測(cè)時(shí)相同。4.3.5失效判定標(biāo)準(zhǔn)：任何一種情況，則認(rèn)定為失效LED發(fā)生open或short或閃爍光輸出較試驗(yàn)前衰減大于30%正向電壓較試驗(yàn)前變動(dòng)大于10%4.3.6試驗(yàn)結(jié)果報(bào)告應(yīng)注明下列項(xiàng)目固定座或散熱座(heatsink)尺寸規(guī)格與安裝方式試驗(yàn)條件樣

60、品數(shù)量試驗(yàn)后組件的外觀與光電特性量測(cè)結(jié)果組件于試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生任何的異常情況4.4功率與溫度循環(huán)試驗(yàn)(參考JESD22-A105-C)4.4.1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)之目的在于試驗(yàn)LED組件在一循環(huán)溫度范圍內(nèi)進(jìn)行特定次數(shù)的電源開(kāi)關(guān)時(shí)的表現(xiàn)能力(用以模擬在冷熱交替的極端環(huán)境下之操作應(yīng)用)。4.5.1適用范圍LED元件之環(huán)境試法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 LED元件之環(huán)境試、驗(yàn)法及耐久性試驗(yàn)法標(biāo)準(zhǔn)草案version2.00 溫度循環(huán)時(shí)間(Temperaturecycletime):從極端高溫到下一個(gè)極端高溫，或由一極端低溫到下一個(gè)極端低溫所需要的時(shí)間，如圖4.4.1所示。變化速率(Ramp