東北大學(xué)20秋學(xué)期《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ》在線平時(shí)作業(yè)1輔導(dǎo)答案

【奧鵬】-[東北大學(xué)]20秋學(xué)期《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ》在線平時(shí)作業(yè)1注：每學(xué)期試題都會(huì)有所不同，請認(rèn)真做好復(fù)習(xí)！一、單選題(共20道試題,共80分)欲使JK觸發(fā)器按Qn+1=Qn工作，可使JK[A]-J=K=0[B選項(xiàng)]-J=Q，{圖}[C選項(xiàng)]-{圖}K=Q[D]-J=0，{圖}4【參考選擇】：C半導(dǎo)體E2PROM，寫入的內(nèi)容，可以通擦除（[A選]-紫外線照射[B選項(xiàng)]-電信號(hào)[C選項(xiàng)]-口令[D選項(xiàng)]-DOS命令解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A如下CMOS[A[B[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：C用二進(jìn)制碼表示指定離散電平的過程稱為（[A[B[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：D將幅值上、時(shí)間上離散的階梯電平統(tǒng)一歸并到最鄰近的指定電平的過程稱為（[A[B[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B半導(dǎo)體E2PROM，寫入的內(nèi)容，可以通擦除（[A選]-紫外線照射[B選項(xiàng)]-電信號(hào)[C選項(xiàng)]-口令[D選項(xiàng)]-DOS命令解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A下列邏輯等式中不成立的是[A[B選項(xiàng)]-{圖}[C]-A+AB=A解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A下列邏輯等式中不成立的有（。[A選項(xiàng)]-A+BC=A(+B)(A+C)[B[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B（[A]-ABC[B選項(xiàng)]-1+BC[C選項(xiàng)]-A[D選項(xiàng)]-{圖}解析：試題難度4顆星【參考選擇】：D3[A]-F=}B[B選項(xiàng)]-F=A{圖}[C選項(xiàng)]-F=AB[D選項(xiàng)]-F={圖}解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A對于EPROM而言，只信號(hào)同時(shí)有效時(shí)才能輸出所需要的數(shù)據(jù)[A選]-OE、CE[B]-CE、[C]-OE、4[D選項(xiàng)]-OE、RD解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A施密特觸發(fā)器的輸出信號(hào)和輸入信號(hào)的關(guān)系為（[A[B選項(xiàng)]-不是邏輯非關(guān)系[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：A半導(dǎo)體二極管截止時(shí)，外加電壓uD為()[A]-<1.4v[B選項(xiàng)]-<1v[C]-<0.7v[D]-<0.5v解析：試題難度4顆星【參考選擇】：D圖示電路完成的邏輯功能( (設(shè)該電路是CMOS電){圖}[A]-0[B]-1[C[D解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B15.N個(gè)觸發(fā)器可以構(gòu)成最大計(jì)數(shù)長度（進(jìn)制數(shù)）為（）的計(jì)數(shù)器。[A選項(xiàng)]-N[B]-2N[C]-N2[D]-2N解析：試題難度4顆星【參考選擇】：D把一個(gè)五進(jìn)制計(jì)數(shù)器與一個(gè)四進(jìn)制計(jì)數(shù)器串聯(lián)可得到（）[A]-4[B]-5[C]-9[D選項(xiàng)]-20【參考選擇】：D（）可以肯定使F=[A]-A=0,BC=1[B]-B==1[C]-C==0[D]-BC==解析：試題難度4顆星【參考選擇】：D欲設(shè)計(jì)0，1，2，3，4，5，6，7（）級(jí)觸發(fā)器[A]-2[B]-3[C]-4[D]-8解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B只讀存儲(chǔ)器的類型不包括（[A]-ROM[B]-.DROM[C]-EPROM[D]-E2PROM解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B測得某邏輯門輸入B和輸出F4所示，則F（A，B）的表達(dá)式為（）{圖}[A]-F=AB[B[C解析：試題難度4顆星【參考選擇】：B二、判斷題(共5道試題,共20分)RS觸發(fā)器的約束條件RS=0表示不允許出現(xiàn)R=S=14【參考選擇】：正確A/D【參考選擇】：正確對邊沿JK觸發(fā)器，在CP為高電平期間，當(dāng)J=K=14【參考選擇】：錯(cuò)誤24.D觸發(fā)器的特征方程Qn+1=D，而與Qn無關(guān)，所以，D觸發(fā)