標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11071-2018 區(qū)熔鍺錠》相比于《GB/T 11071-2006 區(qū)熔鍺錠》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 產(chǎn)品分類與等級: 新版標(biāo)準(zhǔn)對鍺錠的分類和等級要求進(jìn)行了細(xì)化，明確了不同等級鍺錠的適用范圍和質(zhì)量指標(biāo)，以適應(yīng)市場和技術(shù)發(fā)展的新需求。

  2. 技術(shù)要求: 增加或修訂了多項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，如純度、雜質(zhì)含量、物理性能等指標(biāo)，提高了對鍺錠品質(zhì)的要求。這些變化反映了生產(chǎn)技術(shù)和檢測手段的進(jìn)步，旨在提升產(chǎn)品質(zhì)量和國際競爭力。

  3. 試驗(yàn)方法: 更新了樣品的制備、分析及測試方法，引入更先進(jìn)的檢測技術(shù)和分析手段，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。這有助于企業(yè)更加科學(xué)、精確地控制生產(chǎn)過程，提高產(chǎn)品質(zhì)量控制水平。

  4. 檢驗(yàn)規(guī)則: 調(diào)整了產(chǎn)品檢驗(yàn)的規(guī)則和程序，增加了抽樣檢驗(yàn)的靈活性和針對性，同時(shí)對不合格品的處理和復(fù)檢規(guī)定進(jìn)行了明確，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的可操作性。

  5. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存: 新版標(biāo)準(zhǔn)對鍺錠的標(biāo)識、包裝材料、包裝方式以及在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中的保護(hù)措施提出了更具體的要求，以減少損壞風(fēng)險(xiǎn)，保障產(chǎn)品安全到達(dá)客戶手中。

  6. 規(guī)范性引用文件: 更新了規(guī)范性引用文件清單，納入了最新的國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的時(shí)效性和一致性，為生產(chǎn)、檢驗(yàn)提供了更準(zhǔn)確的技術(shù)依據(jù)。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-12-28 頒布
  • 2019-07-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS77150

H66.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11071—2018

代替

GB/T11071—2006

區(qū)熔鍺錠

Zone-refinedgermaniumingot

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11071—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替區(qū)熔鍺錠與相比除編輯性修改外主要技

GB/T11071—2006《》,GB/T11071—2006,

術(shù)變化如下

:

范圍進(jìn)一步明確為本標(biāo)準(zhǔn)適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經(jīng)區(qū)熔提純工藝制備得到

———“,

的區(qū)熔鍺錠區(qū)熔鍺錠主要用于制備半導(dǎo)體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶

。ZGe-0;ZGe-1

區(qū)熔鍺錠主要用于制備紅外光學(xué)用的鍺單晶太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金

、-、-

等見第章

”(1)。

增加了區(qū)熔鍺錠在下電阻率的要求見

———(23±0.5)℃(3.2)。

同一根鍺錠的最大與最小截面面積之差不大于平均截面面積的修改為同一根區(qū)熔鍺

———“15%”“

錠的頭尾兩端的高度差不大于見年版的

4mm”(3.3,20063.3)。

錠長修訂為長度應(yīng)不小于見年版的

———“100mm~500mm”“100mm”(3.3,20063.3)。

增加了區(qū)熔鍺錠的表面應(yīng)無孔洞的要求見版的

———(3.4,20063.4)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有研光電新材料有限責(zé)任公司中鍺科技有限

:、、

公司衡陽恒榮高純半導(dǎo)體材料有限公司廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司錫林郭勒通力鍺業(yè)有限責(zé)任公

、、、

司云南東昌金屬加工有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人包文東普世坤李賀成馮德伸惠峰范德勝朱知國李正美董汝昆朱劉

:、、、、、、、、、、

尹士平王曉華

、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11071—1989、GB/T11071—2006。

Ⅰ

GB/T11071—2018

區(qū)熔鍺錠

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了區(qū)熔鍺錠的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單

、、、、、、、

或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經(jīng)區(qū)熔提純工藝制備得到的區(qū)熔鍺錠區(qū)

,。ZGe-0

熔鍺錠主要用于制備半導(dǎo)體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶區(qū)熔鍺錠主要用于制備紅外光學(xué)

;ZGe-1

和太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金等

-、-。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

區(qū)熔鍺錠電阻率測試方法兩探針法

YS/T602

3要求

31產(chǎn)品分類

.

區(qū)熔鍺錠按電學(xué)性能分為兩個(gè)牌號

:ZGe-0、ZGe-1。

ZGe-□

阿拉伯?dāng)?shù)字表示產(chǎn)品等級

,

表示區(qū)熔鍺錠

32電學(xué)性能

.

區(qū)熔鍺錠的電學(xué)性能應(yīng)符合表的規(guī)定電阻率可選擇采用在或的條件下進(jìn)行測試

1。20℃23℃,

并滿足表的規(guī)定

1。

表1電學(xué)性能

電阻率檢測單晶的參數(shù)

/(Ω·cm)(77K)

牌號載流子濃度載流子遷移率

(20±0.5)℃(23±0.5)℃-3-3

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