標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 13539.7-2005 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，專注于低壓熔斷器領(lǐng)域，特別是針對半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用的熔斷體規(guī)定了額外的要求。該標(biāo)準(zhǔn)分為幾個(gè)部分，其中提及的第4部分著重于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求，而第1至第3篇則提供了標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體的具體示例。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽：

  1. 適用范圍：明確了本部分標(biāo)準(zhǔn)適用于哪些類型的熔斷器，特別是設(shè)計(jì)用于保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備免受過電流損害的熔斷體。這些熔斷器通常需要具備快速響應(yīng)和精確的過載保護(hù)特性，以適應(yīng)半導(dǎo)體器件對電路保護(hù)的特殊需求。

  2. 術(shù)語和定義：定義了在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)使用的專業(yè)術(shù)語，確保讀者對討論的各項(xiàng)內(nèi)容有統(tǒng)一的理解基礎(chǔ)。

  3. 技術(shù)要求：詳細(xì)列出了半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體應(yīng)滿足的一系列技術(shù)指標(biāo)，包括但不限于額定電壓、額定電流、分?jǐn)嗄芰?、熔斷特性（如熔斷時(shí)間與電流的關(guān)系）、環(huán)境工作條件（如溫度、濕度）及電氣性能和機(jī)械性能要求。

  4. 試驗(yàn)方法：規(guī)定了驗(yàn)證熔斷器是否符合上述技術(shù)要求的具體測試程序和方法，包括型式試驗(yàn)、例行試驗(yàn)和特殊試驗(yàn)等，以確保產(chǎn)品的可靠性和安全性。

  5. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存：說明了熔斷器在出廠時(shí)應(yīng)如何進(jìn)行標(biāo)識，以及包裝、運(yùn)輸和儲存時(shí)應(yīng)遵循的標(biāo)準(zhǔn)和預(yù)防措施，以防止損壞并保持產(chǎn)品質(zhì)量。

  6. 示例：第1至第3篇提供了標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體的具體實(shí)例，展示了一系列符合標(biāo)準(zhǔn)要求的設(shè)計(jì)方案、尺寸規(guī)格和材料選擇，為制造商提供了實(shí)際操作的參考模板，有助于統(tǒng)一行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)產(chǎn)品間的互換性。


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  • 2005-08-03 頒布
  • 2006-04-01 實(shí)施
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GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第1頁
GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第2頁
GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第3頁
GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第4頁

文檔簡介

ICS29.120.50K31中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇:標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例Low-voltagefuses-Part4-1：Supplementaryrequirementforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices-SectionTtoⅡI：Examplesoftypesofstandardizedfuse-links(IEC60269-4-1:2002,IDT)2005-08-03發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1：2002三次前言100000000000000000000000000000001總則第1A篇A型螺栓連接熔斷體1.1范圍·····7設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)條件7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第1B篇B型螺栓連接熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)：：：5第1C篇型螺栓連接熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第2A篇A型接觸片式熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第2B篇B型接觸片式熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第3A篇A型圓筒形帽熔斷體1.1范圍：························107.1機(jī)械設(shè)計(jì)10

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002前《低壓熔斷器》是系列標(biāo)準(zhǔn)，目前包括以下7個(gè)部分GB13539.1-2002《低壓熔斷器第1部分：基本要求》(idtIEC60269-1:1998)GB/T13539.2—2002《低壓熔斷器第2部分:專職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)》idtIEC60269-2:1986)GB13539.3—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于家用和類似用途的熔斷器)》(idtIEC60269-3,1987)GB/T13539.4—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》(idtIEC60269-4:1986）GB/T13539.5—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求（主要用于家用和類似用途的熔斷器)標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(idtIEC60269-3-1:1994）GB/T13539.6—2002《低壓熔斷器第2部分：專職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)第1至5篇;標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(idtIEC60269-2-1:2000）GB/T13539.7—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求：第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(IEC60269-4-1:2002.IDT)本部分為《低壓熔斷器》系列標(biāo)準(zhǔn)的第7部分.系等同采用IEC60269-4-1:2002《低壓熔斷器第4-1部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》.本部分為推薦性標(biāo)準(zhǔn).規(guī)定了用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的具體型式的熔斷體的尺寸.而沒有規(guī)定熔斷體特性，使用時(shí)應(yīng)和GB13539.1-2002和GB/T13539.4-2005配合使用。本部分圖1(1B)中的通孔h..1EC原文為h.疑有誤。應(yīng)為h。。本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出，本部分由全國低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本部分負(fù)責(zé)起草單位：上海電器科學(xué)研究所，本部分參加起草單位：西安西整熔斷器廠、西安熔斷器廠、上海電器陶瓷廠本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云，本部分參加起草人：章永孚、伍麗華、劉雙庫、劉羅曼、林海鷗。

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇;標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例本部分與國家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.1和GB/T13539.4共同使用.因此本部分的條款和分條款的編號與他們的編號相對應(yīng)。1總則本部分只規(guī)定了尺寸，而沒有規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)特性。本部分的目的在于提供各種類型熔斷體尺寸示例下文所涉及的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體應(yīng)符合以下標(biāo)準(zhǔn)的所有條款：GB13539.1《低壓熔斷器第1部分：基本要求》GB/T13539.4《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》并應(yīng)符合下文相關(guān)部分的要求。本部分共分為3篇，每篇涉及一些標(biāo)準(zhǔn)尺寸的熔斷體舉例第1篇：螺栓連接培斷體人型B型C型第2篇：接觸片式熔斷體人型B型第3篇：圓簡形帽熔斷體A型用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體也可以具有與以下熔斷體相同的尺寸：GB/T13539.6-2002中第1篇GB/T13539.6-2002中第3篇GB/T13539.5-1999中第1篇熔斷體的耗散功率除應(yīng)滿足GB/T13539.4的要求外,同時(shí)不應(yīng)超出配合使用的熔斷器底座和熔斷器支持件的接受功率。如果熔斷體的耗散功率大于標(biāo)準(zhǔn)熔斷器底座或支持件的接受功率,制造廠

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