標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14030-1992 半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路的測(cè)試原則、方法及要求，旨在確保時(shí)基電路產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。然而，您提供的對(duì)比參照物不完整，無(wú)法直接進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比分析。通常，當(dāng)對(duì)比兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或版本時(shí)，會(huì)關(guān)注以下幾個(gè)方面來(lái)識(shí)別變更內(nèi)容：

  1. 測(cè)試方法和技術(shù)更新：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更先進(jìn)的測(cè)試技術(shù)或方法，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品發(fā)展的需求，提高測(cè)試精度和效率。
  2. 參數(shù)指標(biāo)調(diào)整：隨著應(yīng)用要求的提升，標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)時(shí)基電路的關(guān)鍵性能指標(biāo)（如穩(wěn)定度、頻率準(zhǔn)確度、溫度系數(shù)等）提出更嚴(yán)格的要求。
  3. 兼容性與互操作性：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增加關(guān)于與其他電子元件或系統(tǒng)兼容性測(cè)試的相關(guān)規(guī)定，以確保時(shí)基電路在復(fù)雜系統(tǒng)中的有效運(yùn)作。
  4. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護(hù)和用戶安全，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)加入更多關(guān)于材料、制造過程以及產(chǎn)品廢棄處理的環(huán)保要求，以及電氣安全測(cè)試規(guī)范。
  5. 術(shù)語(yǔ)與定義更新：為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌或反映行業(yè)最新共識(shí)，標(biāo)準(zhǔn)中的專業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義可能會(huì)有所更新或增補(bǔ)。
  6. 測(cè)試設(shè)備與校準(zhǔn)要求：隨著測(cè)量技術(shù)的發(fā)展，可能會(huì)對(duì)測(cè)試所用的儀器設(shè)備及其校準(zhǔn)方法提出新的要求，以保證測(cè)試結(jié)果的可靠性。

由于缺乏具體的對(duì)比對(duì)象，以上僅是一般性的變更方向概述。如果有具體的另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或該標(biāo)準(zhǔn)的新版信息，可以進(jìn)一步詳細(xì)對(duì)比其具體變更內(nèi)容。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 1992-12-18 頒布
  • 1993-08-01 實(shí)施
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GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理_第1頁(yè)
GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理_第2頁(yè)
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GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

UDC621.382：681.11L55中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14030－92半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理GB/T14030-92Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路(以下簡(jiǎn)稱器件或時(shí)基電路)電參數(shù)測(cè)試方法的基本原理時(shí)基電路與CMOS電路相同的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試可參照GB3834《半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理》。總的要求若無(wú)特殊說明，測(cè)試期間，環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定12測(cè)試期間，施于被測(cè)器件的電參量應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。1.3測(cè)試期間，應(yīng)避免外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響。測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。1.4被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開時(shí)，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。1.5若有要求時(shí)，應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的順序接通電源，1.6測(cè)試期間，被測(cè)器件應(yīng)連接器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的外圍電路和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。17若電參數(shù)值是由幾步測(cè)試的結(jié)果經(jīng)計(jì)算而確定時(shí)，這些測(cè)試的時(shí)間間隔應(yīng)盡可能短。1.8本標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)定義按如下規(guī)定的真值表給出，如被測(cè)器件與本規(guī)定不符合時(shí)，可對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。復(fù)位路引出端名稱閔值端觸發(fā)端輸出端引出端符號(hào)RESTHTROUT規(guī)范+HH表中：L為低電平,H為高電平,X為任意電平。2參數(shù)測(cè)試2.1復(fù)位電壓Va2.1.1目的在器件輸出電壓為低電平時(shí),測(cè)試復(fù)位端施加的臨界輸入電壓2.1.2測(cè)試原理

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