標準解讀
GB/T 14140.2-1993是一項中國國家標準,其標題為《硅片直徑測量方法 千分尺法》。本標準詳細規(guī)定了使用千分尺來測量硅片直徑的具體操作步驟、測量條件、測量精度要求以及數據處理方法,旨在確保硅片尺寸測量的準確性和一致性,適用于半導體行業(yè)中硅片生產與加工的質量控制環(huán)節(jié)。
標準內容概覽:
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范圍:明確標準適用的硅片類型及直徑范圍,通常涉及單晶硅片,具體直徑根據實際標準內容確定。
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規(guī)范性引用文件:列出實施該標準時需要參考的其他相關標準或文件,這些文件可能包含千分尺的校準方法、硅片的預處理要求等。
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術語和定義:對標準中使用的專業(yè)術語進行解釋,比如“直徑”、“千分尺”等,確保讀者對關鍵概念有共同的理解。
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測量前準備:
- 硅片狀態(tài):規(guī)定硅片應處于清潔、無損傷的狀態(tài)。
- 千分尺選擇與校準:要求使用符合精度標準的千分尺,并定期進行校準,確保測量工具的準確性。
- 環(huán)境條件:可能包括溫度、濕度等環(huán)境因素的要求,以減少外部環(huán)境對測量結果的影響。
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測量方法:
- 測量點選擇:規(guī)定在硅片邊緣特定位置進行測量,可能包括多個等距點,以求得平均直徑。
- 測量操作:詳細描述如何正確使用千分尺接觸硅片表面,避免對硅片造成損傷,以及讀取和記錄數據的方法。
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數據處理:說明如何處理多次測量的數據,可能包括計算平均值、評估測量誤差等,確保結果的可靠性。
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精度與重復性:設定測量結果的允許誤差范圍,以及重復測量時結果的一致性要求。
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報告:規(guī)定測量結果的記錄格式和內容,可能需要包括測量時間、環(huán)境條件、所用設備信息、測量值及其不確定性等。
注意事項:
- 該標準強調了測量過程的標準化與規(guī)范化,任何偏離標準的操作都可能影響測量結果的準確性。
- 實施時需關注千分尺的維護與校正,以及操作人員的培訓,確保測量技能的標準化。
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文檔簡介
UDC669.782H21中華人民共和國國家標準GB/T14140.2-93硅片直徑測量方法千分尺法Siliconslicesandwafers-Measuringofdiameter-Micrometermethod1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術監(jiān)督局,發(fā)布
中華人民共和國國家標準硅片直徑測量方法千分尺法GB/T14140.2-93Siliconslicesandwaters-Measuringofdiameter-Micrometermethod主主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了用干分尺測量硅片直徑的方法、本標準適用于測量圓形硅片的直徑。測量范圍為25~100mm。本標準不適用于測量硅片的不圓度,本標準不作為仲裁測量方法。2引用標準GB2828逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB12962:硅單晶3測量工具3.1干分尺,測量范圍為25~125mm,精度為0.01mm.4試驗樣品4.1從一批硅片中按GB2828計數抽樣方案或商定的方案抽取試樣,5測量步驃5.11測量在23±5℃下進行。干分尺測量桿端面應清凈。5.2按硅片的導電類型確定要測量的三條直徑的位置,見圖1。硅片參考面位置應符合GB12962的規(guī)定5.2.1對于P(111>和N<100)硅片,要測量的三條直徑是平行于主參考面的直徑和與該直徑成45"角的另二條直徑。5.2.2對于P(100)硅片,第一條直徑位于主、副參考面的中間,第二條直徑垂直于第一條直徑,第三條直徑與第二條直徑成30°角。5.2.3對于N<11I)硅片,第一條直徑平行于主參考面,第二條直徑與第一條直徑成30°角,第三條直徑與第二條直徑也成30°角。5.3校正干分尺零點、5.4旋出測量桿,放入被測硅片,使待測直徑處于測量位置5.5旋進測量桿到終止位置。5.6記錄干分尺的讀數,取下硅片。5.7重復5.4~5.6條測量步
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