GB/T 14264-2009半導(dǎo)體材料術(shù)語

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準

犌犅／犜１４２６４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３

半導(dǎo)體材料術(shù)語

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犿犪狋犲狉犻犪犾狊—犜犲狉犿狊犪狀犱犱犲犳犻狀犻狋犻狅狀狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

書

犌犅／犜１４２６４—２００９

前言

本標(biāo)準代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３《半導(dǎo)體材料術(shù)語》。

本標(biāo)準與ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３相比，有以下變化：

———增加了２１８項術(shù)語；

———增加了三個資料性附錄：包括６１項硅技術(shù)術(shù)語縮寫、１１項符號和標(biāo)準術(shù)語出處；

———修改了原標(biāo)準中８６項術(shù)語內(nèi)容。

本標(biāo)準的附錄Ａ和附錄Ｂ為資料性附錄。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準負責(zé)起草單位：中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準計量質(zhì)量研究所、有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、

杭州海納半導(dǎo)體有限公司和國瑞電子材料有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準參加起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、峨眉半導(dǎo)體材料廠、寧波立立電子股份有限公司、

南京國盛電子有限公司、南京鍺廠有限責(zé)任公司、萬向硅峰電子股份有限公司、云南東興集團、西安驪晶

電子技術(shù)有限公司、中科院半導(dǎo)體所、上海合晶硅材料有限公司。

本標(biāo)準主要起草人：孫燕、黃笑容、向磊、翟富義、盧立延、鄭琪、鄧志杰、賀東江。

本標(biāo)準所代替標(biāo)準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４２６４—２００９

半導(dǎo)體材料術(shù)語

１范圍

本標(biāo)準規(guī)定了半導(dǎo)體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面沾污等方面的主要術(shù)語和定義。

本標(biāo)準適用于元素和化合物半導(dǎo)體材料。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準的引用而成為本標(biāo)準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準。

ＡＳＴＭＦ１２４１硅技術(shù)術(shù)語

ＳＥＭＩＭ５９硅技術(shù)術(shù)語

３術(shù)語

以下術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準。

３．１

受主犪犮犮犲狆狋狅狉

半導(dǎo)體中的一種雜質(zhì)，它接受從價帶激發(fā)的電子，形成空穴導(dǎo)電。

３．２

電阻率允許偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狔狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片中心點或晶錠斷面中心點的電阻率與標(biāo)稱電阻率的最大允許差值，它可以用標(biāo)稱值的百分數(shù)

來表示。

３．３

厚度允許偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狋犺犻犮犽狀犲狊狊狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片的中心點厚度與標(biāo)稱值的最大允許差值。

３．４

各向異性犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮

在不同的結(jié)晶學(xué)方向具有不同的物理特性，又稱非各向同性，非均質(zhì)性。

３．５

各向異性腐蝕犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮犲狋犮犺

沿著特定的結(jié)晶學(xué)方向，呈現(xiàn)腐蝕速率增強的一種選擇性腐蝕。

３．６

退火犪狀狀犲犪犾犻狀犵

改變硅片特性的熱過程。

３．７

退火片犪狀狀犲犪犾犲犱狑犪犳犲狉