標準解讀

《GB/T 17574.10-2003 半導體器件　集成電路　第2-10部分：數字集成電路　集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范》這一標準主要針對數字集成電路中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的空白芯片制定了詳細的技術要求和測試方法。然而，您提供的信息中沒有直接給出另一個具體的標準進行對比，因此無法直接列出與某個特定前版或后續(xù)版本的具體變更內容。

不過，通常此類標準的更新會涉及以下幾個方面：

  1. 技術參數更新：可能會調整存儲器的性能指標，如訪問速度、功耗、數據保持能力、刷新周期等，以適應技術進步和市場需求。
  2. 測試方法優(yōu)化：隨著測試技術的發(fā)展，新的測試方法會被引入，以更準確、高效地評估存儲器的性能和可靠性。
  3. 封裝形式和引腳定義：隨著封裝技術的進步，標準可能會增加對新封裝形式的規(guī)定，或調整引腳排列和功能定義。
  4. 兼容性和互操作性要求：為了確保不同廠家的產品間能夠良好配合使用，標準可能會加入或修改兼容性及互操作性的相關規(guī)定。
  5. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護和用戶安全，標準可能會新增或加強關于材料、有害物質限制、能耗等方面的要求。

如果需要了解該標準與某一特定前版或后續(xù)版的具體變更詳情，建議直接查閱標準修訂說明或官方發(fā)布的標準比較文檔，這些資料會明確列出所有增刪改之處。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。

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  • 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2003-11-24 頒布
  • 2004-08-01 實施
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GB/T 17574.10-2003半導體器件集成電路第2-10部分：數字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17574.10-2003/IEC60748-2-10：1994QC790107集成電路半導體器件第2-10部分：數字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范Semiconductordevices-Integratedcircuits-Part2-10:DigitalintegratedcircuitsBlankdetailspecificationforintegratedcircuitdynamicread/writememoriesCIEC60748-2-10:1994.SemiconductordeviceslntegratedcircuitsPart2:DigitalintegratedcircuitsSection10:Blankdetailspecificationforintegratedcircuitdynamicread/writememories,IDT)2003-11-24發(fā)布2004-08-01實施中華人民共和國發(fā)布國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

GB/T17574.10—2003/IEC60748-2-10:1994《半導體器件集成電路、數寧集成電路》分為十三個部分：GB/T5965—2000半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第一篇雙極型單片數字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細規(guī)范（idtIEC748-2-1：1991)GGB/T9424—1998半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路·第五篇（CMOS數字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細規(guī)范（idtIEC748-2-5:1992)-GB/T17023—1997半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第二篇HHCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規(guī)范（idtIEC748-2-2：1992）—GB/T17024—1997半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第三篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54774HCT、54/74HCU系列空白詳細規(guī)范（idtIEC748-2-3:1992)-GB/T17572—1998半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第四篇CMOS數字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范(idtIEC748-2-4:1992)-IEC60748-2-6半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第六篇：微處理器集成電路空白詳細規(guī)范：第2部分：數字集成電路IEC60748-2-7半導體器件集成電路第七篇：熔絲式可編程雙極只讀存儲器集成電路空白詳細規(guī)范一IEC60748-2-8半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第八篇：集成電路靜態(tài)/寫存儲器空白詳細規(guī)范集成電路第2部分：數字集成電路-IEC60748-2-9半導體器件第九篇：MOS紫外線擦除電可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范IEC60748-2-10:1994半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第十篇：集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范第2部分：數字集成電路-IEC60748-2-11半導體器件集成電路第十一篇；單電源電可擦和可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范——IEC60748-2-12半導體器件集集成電路第2部分：數字集成電路第十二篇：可編程邏輯器件(PLDs)空白詳細規(guī)范第2部分：數字集成電路——IEC60748-2-20半導體器件集成電路第二十篇：低氣壓集成電路族規(guī)范本部分為第10部分，等同采用IEC60748-2-10:1994（QC790107）《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第10篇：集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范》英文版）本部分作了如下編輯性修改：1）刪除IEC原文中的前言。2）將所有引用文件放入本部分正文.已經等同轉化為國家標準的引用國家標準，否則引用IEC原文。本部分由中華人民共和國信息產業(yè)部提出。本部分由中國電子技術標準化研究所（CESI)歸口。本部分起草單位：中國電子技術標準化研究所（CESI)本部分主要起草人：王琪、李燕榮。

GB/T17574.10—2003/IEC60748-2-10:1994半導體器件集成電路第2-10部分：數字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范引言1EC電子元器件質量評定體系遵循IEC的章程,并在IEC的授權下進行工作。該體系的目的是確定質量評定程序.以這種方式使一個參加國按有關規(guī)范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受。本空白詳細規(guī)范是半導體器件的一系列空白詳細規(guī)范之一.并且與下列標準一起使用。GB/T4728.12一1996電氣簡圖用圖形符號第12部分：二進制邏輯元件(idtIEC617-12:1991)GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法(idtIEC749:1984，修改單1(1991).修改單2(1993））GB/T17574-1998半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路（idtIEC748-2：1985，修改單1（1991））IEC60068-2-17：1978環(huán)境試驗第2部分：試驗試驗Q:密封IEC60134:1961電子管、電真空管和類似的半導體器件的額定值體系IEC60747-10:1991/QC700000半導體器件：分立器件和集成電路子第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范1EC60748-11:1990/QC790100華導體器件集成電路第11部分：半導體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)要求的資料本頁和下頁括號內的數字與下列各項要求的資料相對應，這些資料應填入本規(guī)范相應的欄中詳細規(guī)范的識別【1」授權發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準機構名稱。C21詳細規(guī)范的IECQ編號?？傄?guī)范和分規(guī)范的編號及版本號詳細規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標準體系要求的其他資料器件的識別【57主要功能和型號L67典型結構(材料、主要工藝)和封裝資料。器件若具有若干種派生產品·則應指出其特性差異詳細規(guī)范應給出包括以下的簡短描述：-工藝(NM

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