標準解讀

《GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法》這一國家標準詳細規(guī)定了用于測量碳化硅單晶片厚度及其總厚度變化的方法。標準適用于各種尺寸的碳化硅單晶片，旨在提供一致性和可重復(fù)性的測試結(jié)果。

該標準首先明確了術(shù)語定義，比如“厚度”指從一片碳化硅單晶片的一側(cè)表面到另一側(cè)表面之間最短的距離；而“總厚度變化”則表示在同一片樣品上不同位置測量得到的最大與最小厚度值之間的差異。通過這些定義，確保了行業(yè)內(nèi)對于相關(guān)概念理解的一致性。

接下來，《GB/T 30867-2014》描述了幾種可用于測定碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的具體技術(shù)手段，包括但不限于接觸式測厚儀、非接觸式光學干涉法等。每種方法都有其適用范圍、操作步驟以及對設(shè)備的要求。例如，在使用接觸式測厚儀時，需要保證探針與樣品表面垂直接觸，并且在多個點位進行重復(fù)測量以提高數(shù)據(jù)準確性；而非接觸式的光學干涉法則利用光波長變化來間接計算物體厚度，這種方法特別適合于超薄或易碎材料的無損檢測。

此外，本標準還強調(diào)了實驗條件的重要性，如溫度控制、環(huán)境濕度等因素都可能影響最終的測量結(jié)果。因此，在實際操作過程中應(yīng)嚴格按照規(guī)范要求調(diào)整實驗室內(nèi)的各項參數(shù)，確保測試環(huán)境符合標準規(guī)定。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof

monocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

GB/T30867—2014

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書號

:155066·1-49958

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30867—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所中國電子技術(shù)標準化研究院

:、。

本標準主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的測試方法包括接觸式和非接觸式兩種

(TTV),

方式

。

本標準適用于直徑不小于厚度為的碳化硅單晶片

30mm、0.13mm~1mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20101:

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41接觸式測量

.

接觸式測量采用五點法在碳化硅單晶片中心點和距碳化硅單晶片邊緣D的圓周上個對稱

。/104

點位置測量碳化硅單晶片厚度如圖所示單晶片中心點厚度為標稱厚度個厚度測量值中的最大

,1。,5

值和最小值的差值為碳化硅單晶片的總厚度變化

。

說明圖中D為碳化硅單晶片直徑

:。

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