標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 32651-2016標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法（GDMS）對(duì)太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素進(jìn)行測(cè)量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能級(jí)硅材料，特別是那些需要高精度分析以確定其中存在的微量雜質(zhì)元素的情況。通過(guò)這種方法，可以檢測(cè)到包括但不限于鋰、鈉、鎂、鋁等在內(nèi)的多種元素。

標(biāo)準(zhǔn)首先介紹了采用的測(cè)試方法的基本原理：輝光放電質(zhì)譜法是一種將樣品放置于高壓放電環(huán)境中，利用產(chǎn)生的離子束進(jìn)入質(zhì)譜儀進(jìn)行質(zhì)量分離并檢測(cè)的技術(shù)。此技術(shù)具有極高的靈敏度和精確度，特別適合用于半導(dǎo)體材料如太陽(yáng)能級(jí)硅中的超痕量元素分析。

接著，文件明確了實(shí)驗(yàn)所需的主要儀器設(shè)備及其性能要求，比如輝光放電質(zhì)譜儀必須具備足夠的質(zhì)量分辨率來(lái)區(qū)分不同同位素或相鄰質(zhì)量數(shù)的干擾峰；還應(yīng)配備有適當(dāng)?shù)倪M(jìn)樣系統(tǒng)以保證樣品能夠被均勻地引入到放電源中而不受污染。

此外，GB/T 32651-2016也提供了詳細(xì)的樣品制備指導(dǎo)，強(qiáng)調(diào)了如何正確處理及準(zhǔn)備待測(cè)樣品的重要性，確保其表面清潔且無(wú)外來(lái)污染物影響最終結(jié)果準(zhǔn)確性。對(duì)于不同類型或狀態(tài)（例如塊狀、粉末）的樣品，給出了具體的處理步驟。

在分析過(guò)程中，標(biāo)準(zhǔn)指出了關(guān)鍵的操作參數(shù)設(shè)置建議，比如放電條件的選擇、掃描模式以及數(shù)據(jù)采集方式等，并且討論了可能遇到的問(wèn)題及其解決辦法。同時(shí)，為了驗(yàn)證所獲得數(shù)據(jù)的有效性和可靠性，還提出了質(zhì)量控制措施，包括但不限于使用已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行校準(zhǔn)、實(shí)施空白試驗(yàn)以及重復(fù)性檢驗(yàn)等手段。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-04-25 頒布
  • 2016-11-01 實(shí)施
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GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法_第1頁(yè)
GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法_第2頁(yè)
GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法_第3頁(yè)
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GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中

痕量元素的測(cè)試方法

Testmethodformeasuringtraceelementsinphotovoltaic-grade

siliconbyhigh-massresolutionglowdischargemassspectrometry

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32651—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位國(guó)家太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心無(wú)錫市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心江

:()、

蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司國(guó)家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心江西賽維太陽(yáng)能高科

、、LDK

技有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何莉吳建國(guó)王琴周瀅劉曉霞魯文鋒陳進(jìn)封麗娟李建德黃雪雯

:、、、、、、、、、、

孫紹武馮亞彬裴會(huì)川

、、。

Ⅰ

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中

痕量元素的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能級(jí)硅材料中痕量元素的測(cè)定其中鐵鉻鎳銅鋅

,(Fe)、(Cr)、(Ni)、(Cu)、(Zn)、

硼磷鈣鈉鎂鋁砷鈧鈦釩錳鈷鎵

(B)、(P)、(Ca)、(Na)、(Mg)、(Al)、(As)、(Sc)、(Ti)、(V)、(Mn)、(Co)、

等元素的測(cè)定范圍為本方法適用于分析多種物理形態(tài)的以及添加任何種類

(Ga)5μg/kg~50mg/kg。

和濃度摻雜劑的硅材料例如多晶硅粉末顆粒塊錠片和單晶硅棒塊片等

,、、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

氬

GB/T4842

分析實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格和試驗(yàn)方法

GB/T6682—2008

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

高質(zhì)量分辨率highmassresolution

大于的質(zhì)量分辨率

3500。

32

.

光伏硅原料或太陽(yáng)能級(jí)硅PVSifeedstockorsolargradesilicon

特性滿足生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)能電池要求的硅固體材料

。

33

.

標(biāo)準(zhǔn)樣品referencematerial

具有一種或多種足夠均勻且穩(wěn)定規(guī)定特性的材料已被確定其符合測(cè)量過(guò)程的預(yù)期用途

,。

34

.

試樣specimen

從標(biāo)準(zhǔn)樣品或測(cè)試樣品上切割下來(lái)的

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