標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 34900-2017 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對使用光學(xué)干涉技術(shù)來測量MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）中微結(jié)構(gòu)的殘余應(yīng)變。該標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的方法和技術(shù)指南，旨在確保測量結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。

標(biāo)準(zhǔn)首先定義了術(shù)語和定義部分，明確了與MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量相關(guān)的專業(yè)術(shù)語及其含義。接著，在原理章節(jié)里介紹了基于光學(xué)干涉法進(jìn)行測量的基本理論依據(jù)，包括但不限于白光干涉、激光干涉等技術(shù)的工作機(jī)制。

在設(shè)備要求方面，《GB/T 34900-2017》規(guī)定了實(shí)施此類測量所需儀器的具體規(guī)格與性能指標(biāo)，如光源類型、探測器靈敏度以及數(shù)據(jù)處理軟件的功能要求等。此外，還對環(huán)境條件進(jìn)行了限定，比如溫度控制精度、振動隔離等級等，以保證測試過程中外界因素對結(jié)果影響最小化。

對于樣品準(zhǔn)備，《GB/T 34900-2017》給出了詳細(xì)的指導(dǎo)步驟，包括清洗、固定方式及表面狀態(tài)調(diào)整等，這些都是為了確保待測MEMS器件處于最佳狀態(tài)以便準(zhǔn)確獲取其內(nèi)部應(yīng)力分布情況。

測量程序部分則詳述了從初步設(shè)置到最終數(shù)據(jù)分析的整個流程，涵蓋了參數(shù)設(shè)定、圖像采集、信號處理等多個環(huán)節(jié)，并且特別強(qiáng)調(diào)了重復(fù)性和再現(xiàn)性的考量，通過多次獨(dú)立實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果的有效性。


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....

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  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-05-01 實(shí)施
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GB/T 34900-2017微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法_第1頁
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GB/T 34900-2017微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34900—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

殘余應(yīng)變測量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T34900—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測量方法

4…………………1

影響測量不確定度的主要因素

5…………6

附錄資料性附錄光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點(diǎn)

A()…………………7

附錄規(guī)范性附錄擬合表面輪廓線余弦函數(shù)和計(jì)算變形量

B()………9

Ⅰ

GB/T34900—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位天津大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心南

:、、、

京理工大學(xué)中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人郭彤胡曉東李海斌于振毅裘安萍程紅兵崔波朱悅

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T34900—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

殘余應(yīng)變測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結(jié)構(gòu)表面形貌進(jìn)行殘余應(yīng)變測量的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面反射率不低于且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁

4%

結(jié)構(gòu)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)微幾何量評定總則

GB/T26113(MEMS)

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)基于光學(xué)干涉的微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量

GB/T34893—2017(MEMS)MEMS

方法

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。

31

.

殘余應(yīng)變r(jià)esidualstrain

存在于材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部因塑性變形不均勻溫度分布不均勻相變而形成的并保持平衡的內(nèi)應(yīng)變

、、、。

4測量方法

41總則

.

411微雙端固支梁由于工藝引入的殘余應(yīng)力導(dǎo)致梁結(jié)構(gòu)發(fā)生彎曲變形通過彎曲變形的測量

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