GB/T 35158-2017俄歇電子能譜儀檢定方法

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35158—2017

俄歇電子能譜儀檢定方法

VerificationmethodforAugerelectronspectrometers

2017-12-29發(fā)布2018-11-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T35158—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

縮略語和符號

3……………1

縮略語

3.1………………1

符號

3.2…………………1

方法原理與系統(tǒng)構(gòu)成

4……………………4

方法原理

4.1……………4

系統(tǒng)構(gòu)成

4.2……………4

計量單位與技術(shù)指標(biāo)

5……………………4

計量單位

5.1……………4

技術(shù)指標(biāo)

5.2……………5

檢定環(huán)境

6…………………6

外觀要求

6.1……………6

安裝場所要求

6.2………………………6

電源

6.3…………………6

環(huán)境溫度與濕度

6.4……………………6

檢定項目與方法

7…………………………6

能量標(biāo)檢定

7.1…………………………6

強度標(biāo)檢定

7.2…………………………24

橫向分辨率檢定

7.3……………………31

離子槍檢定

7.4…………………………40

荷電控制與校正檢定

7.5………………50

報告檢定結(jié)果

8……………55

檢定周期

9…………………55

參考文獻

……………………56

Ⅰ

GB/T35158—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門大學(xué)清華大學(xué)

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人姚文清岑丹霞張增明徐建劉芬王水菊

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T35158—2017

引言

俄歇電子能譜儀廣泛用于材料的實驗性和常規(guī)性表面與界面分析為納米尺度的表面分析

(AES),

儀器我國目前有多家公司幾十臺不同型號的該類儀器由于沒有合適的檢定方法的綜合性國家標(biāo)

。。

準(zhǔn)儀器的能量標(biāo)強度標(biāo)濺射速率橫向分辨率等各項性能標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一因此需要制定檢定方法的國

,、,、,

家標(biāo)準(zhǔn)以實現(xiàn)獲取的譜圖數(shù)據(jù)的科學(xué)性和可比性這對于促進我國光電信息能源及新材料等相關(guān)領(lǐng)

,,、

域的科技與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展很有意義

。

Ⅳ

GB/T35158—2017

俄歇電子能譜儀檢定方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了俄歇電子能譜儀的檢定方法

(Augerelectronspectrometer)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于激發(fā)源為電子束且?guī)в袨R射清潔用離子槍的俄歇電子能譜儀

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

GB/T20175—2006

表面化學(xué)分析射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀強度標(biāo)的線性

GB/T21006—2007X

表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和射線光電子能譜橫向分辨率的測定

GB/T28632—2012X

表面化學(xué)分析俄歇電子能譜譜儀強度標(biāo)的重復(fù)性和一致性

GB/T29558—2013

表面化學(xué)分析高分辨俄歇電子能譜儀元素和化學(xué)態(tài)分析的能量標(biāo)校準(zhǔn)

GB/T29731—2013

表面化學(xué)分析中等分辨率俄歇電子能譜儀元素分析的能量標(biāo)校準(zhǔn)

GB/T29732—2013

表面化學(xué)分析俄歇電子能譜荷電控制與校正方法報告的規(guī)范要求

GB/T32998—2016

表面化學(xué)分析深度剖析和深度剖析時離子束對準(zhǔn)方法及相應(yīng)的

ISO16531:2013AESXPS

電流或電流密度測量

(Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodsforionbeamalignment

andtheassociatedmeasurementofcurrentorcurrentdensityfordepthprofilinginAESandXPS)

表面化學(xué)分析深度剖析濺射深度剖析時使用多層薄膜測定射線光電子能

ISO17109:2015X

譜俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射速率的方法

、(Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodfor

sputterratedeterminationinX-rayphotoelectronspectroscopy,Augerelectronspectroscopyandsecondary-io