標準解讀

《YS/T 1053-2015 電子薄膜用高純鈷靶材》是一項針對用于電子薄膜制備的高純度鈷靶材的標準。該標準主要規(guī)定了這類材料的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容，適用于生產(chǎn)、使用及質(zhì)量控制過程中的指導(dǎo)與參考。

在技術(shù)要求部分，對鈷靶材的化學(xué)成分進行了詳細的規(guī)定，包括主元素鈷的含量以及其他可能存在的雜質(zhì)元素的最大允許含量。此外，還對物理性能如密度、硬度等提出了具體指標，以確保材料能夠滿足特定的應(yīng)用需求。對于表面質(zhì)量也有明確的要求，比如不允許存在裂紋、氣孔等缺陷，且表面粗糙度需符合一定的標準。

試驗方法章節(jié)則列舉了一系列檢測手段來驗證上述技術(shù)參數(shù)是否達標，這涵蓋了從取樣到最終分析結(jié)果報告的整個流程。常用的測試項目包括但不限于：電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測定金屬雜質(zhì)含量、X射線熒光光譜儀測量非金屬雜質(zhì)、密度測試采用阿基米德原理等科學(xué)方法。

檢驗規(guī)則方面，標準明確了抽樣方案、判定準則等內(nèi)容，確保每批次產(chǎn)品均能通過嚴格的質(zhì)量控制程序。同時，對于不合格品如何處理也給出了相應(yīng)的建議措施。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-04-30 頒布
  • 2015-10-01 實施
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文檔簡介

ICS7715070

H62..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T1053—2015

電子薄膜用高純鈷靶材

High-puritycobaltsputteringtargetusedinelectronicfilm

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T1053—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準負責(zé)起草單位寧波江豐電子材料股份有限公司有研億金新材料有限公司

:、。

本標準主要起草人王學(xué)澤李勇軍鄭文翔羅俊鋒袁海軍熊曉東陳勇軍劉丹陸彤袁潔

:、、、、、、、、、、

張濤

。

Ⅰ

YS/T1053—2015

電子薄膜用高純鈷靶材

1范圍

本標準規(guī)定了電子薄膜用高純鈷靶材以下簡稱高純鈷靶的要求試驗方法檢驗規(guī)則和標志包

()、、、

裝運輸貯存質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標準適用于電子薄膜制造用的各類高純鈷靶

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

一般公差未注公差的線性和角度尺寸的公差

GB/T1804

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

金屬平均晶粒度測定方法

GB/T6394

金屬板材超聲板波探傷方法

GB/T8651

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗方法

YS/T837-

高純鈷化學(xué)分析方法雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T1011

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

靶材target

濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形式

。、

脫離陰極而在陽極表面沉積

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

411高純鈷靶按純度分為兩個級別

..4N5(99.995%)、5N(99.999%)。

412高純鈷靶按焊接方式分為釬焊和非釬焊

..。

42化學(xué)成分

.

高純鈷靶化學(xué)成分及雜質(zhì)元素要求應(yīng)符合表的規(guī)定

1。

43晶粒尺寸

.

高純鈷靶的晶粒尺寸應(yīng)符合表的規(guī)定需方如有特殊要求時由供需雙方商定并在訂貨單或

2

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