模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料+期末試題A及答案

第一章 半導(dǎo)體二極一半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)。半導(dǎo)體--—導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅 Si、鍺Ge。2。特性—--光敏、熱敏和摻雜特性。3。本征半導(dǎo)體—--—純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。。兩種載流子-—-—帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子 .雜質(zhì)半導(dǎo)體——-—在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻特性。＊P型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素 (多子是空穴，少子是電子）。*N型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子 少子是空穴)。雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性-體電阻——-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻 .＊轉(zhuǎn)型———通過改變摻雜濃度一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體 .PN結(jié)PN結(jié)的接觸電位差———硅材料約為0.6～0.8V，鍺材料約為。2～。3V。PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴珜?dǎo)通。PN結(jié)的伏安特性二。半導(dǎo)體二極管---＊二極管伏安特性———-同ＰＮ結(jié)。＊正向?qū)▔航?--。6～0.7V，鍺管。2～0.3V。＊死區(qū)電壓———-——硅管0。5V,鍺管0.1V。。分析方法-———--將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 :若V陽>V陰（正偏二極管導(dǎo)通（短路） ;若V陽〈V陰（反偏(開路圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn) Q。2) 等效電路法? 直流等效電路法＊總的解題手段--——將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 :若V陽〉V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通短路若V陽〈V陰（反偏（開路）。*三種模型? 微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路＊穩(wěn)壓二極管的特性———正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接.第二章 三極管及其基本放大電一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)--分為NPNPNP.-面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高與基區(qū)接觸面積較大。二. 三極管的工作原理1。三極管的三種基本組態(tài)2。三極管內(nèi)各極電流的分配共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件式子 稱為穿透電流。3。共射電路的特性曲線-＊輸出特性曲線（飽和管壓降,用UCES表示-集電結(jié)反偏。。溫度影響溫度升高輸入特性曲線向左移動(dòng) .溫度升高ICBO、ICEO 、IC以及β均增加三. 低頻小信號(hào)等效模型（簡化 )hie-——輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；hfe--—輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；四。基本放大電路組成及其原則VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。組成原則————能放大、不失真、能傳輸。五。放大電路的圖解分析法1。直流通路與靜態(tài)分析＊概念—-—直流電流通的回路.-—電容視為開路。-VCC=ICRC+UCE確定的直線。＊電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響改變RbQ點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。改變RcQ點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2。交流通路與動(dòng)態(tài)分析＊概念---交流電流流通的回路＊作用———分析信號(hào)被放大的過程 .交流負(fù)載線--連接Q點(diǎn)和VCCVCC'=UCEQ+ICQRL靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真（1)截止失真產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過低＊失真現(xiàn)象———NPN管削頂，PNP管削底.Rb，提高Q。（2)飽和失真＊產(chǎn)生原因———Q點(diǎn)設(shè)置過高-—NPN,PNP管削頂。＊消除方法—--增大Rb、減小Rc、增大VCC。4。放大器的動(dòng)態(tài)范圍(1）Uopp-（范圍*當(dāng)（UQ－US）＞（VC－UQ）時(shí)，受截止失真限制， UOPP=2UOMAX=2IQRL.＊當(dāng)（UCEQ－UV－UCEQ)時(shí)受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2(UCEQ－UCES）.(UCEQUCES)＝（V－UCEQ)，放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法靜態(tài)分析靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū) 應(yīng)滿足RB＞βRc。放大電路的動(dòng)態(tài)分析＊放大倍數(shù)輸入電阻＊輸出電阻七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射放大電路的等效電路法靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容 Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容 Ce后輸出電阻八.共集電極基本放大電路靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析電壓放大倍數(shù)＊輸入電阻＊輸出電阻3。電路特點(diǎn)＊電壓放大倍數(shù)為正且略小于稱為射極跟隨器 ,簡稱射隨器。＊輸入電阻高輸出電阻低.第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電一. 結(jié)型場效應(yīng)管(JFET ）1。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)。 輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP---——截止電壓二。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET)分為增強(qiáng)型（EMOS)和耗盡型（DMOS）結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.特性曲線＊NEMOS的輸出特性曲線＊N—EMOS 的轉(zhuǎn)移特性曲線式中,IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。NDMOS的輸出特性曲線注意：可正、可零、可負(fù)轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓 UP，此曲線表示式結(jié)型場效應(yīng)管一致。三。場效應(yīng)管的主要參數(shù)1。漏極飽和電流IDSS。夾斷電壓 Up。開啟電壓 UT4.直流輸入電阻RGS。低頻跨導(dǎo) gm （表明場效應(yīng)管是電壓控制器件 )四。場效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型EMOS 的跨導(dǎo)五.共源極基本放大電路1。自偏壓式偏置放大電路靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則2.分壓式偏置放大電路靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則六。共漏極基本放大電路＊靜態(tài)分析或動(dòng)態(tài)分析第四章 多級(jí)放大電一.級(jí)間耦合方式1。阻容耦合———-各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。變壓器耦合———各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立 可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換體積大,成本高，無法用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。-低頻特性好便于集成點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。*零點(diǎn)漂移————當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使 uo二。單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)中頻段（fLffH）波特圖———幅頻曲線是20lgAusm相頻曲線是φ=。低頻段（ffL）‘高頻段（ffH)完整的基本共射放大電路的頻率特性三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻 率響應(yīng)下限頻率的估算上限頻率的估算四。 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)1。頻響表達(dá)式2.波特圖第五章 功率放大電路一。功率放大電路的三種工作狀態(tài)1。甲類工作狀態(tài)導(dǎo)通角為ICQ大，管耗大，效率低.2。乙類工作狀態(tài)ICQ，導(dǎo)通角為，效率高.3。甲乙類工作狀態(tài)導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二。乙類功放電路的指標(biāo)估算1.工作狀態(tài)?任意狀態(tài)：Uom≈Uim?盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES?理想狀態(tài)：Uom≈VCC2。輸出功率。直流電源提供的平均功率管耗 Pc1m=0.2Pom5。效率理想時(shí)為78.5%三。甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路問題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真 ——交越失真(本質(zhì)上是截止失真）。2。解決辦法? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器 OCL——--利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓.動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器 OTL——--電容C2上靜態(tài)電壓為VCC/2，并取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用 VCC/2代替四。復(fù)合管的組成及特點(diǎn)前一個(gè)管子c—e極跨接在后一個(gè)管子的 c極間。類型取決于第一只管子的類型。。 β=β1·β2第六章 集成運(yùn)算放大電路一. 集成運(yùn)放電路的基本組1。輸入級(jí)——--采用差放電路,以減小零漂。。中間級(jí)——--多采用共射（或共源）放大電路 以提高放大倍數(shù)。。輸出級(jí)————多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力 .。偏置電路——-—多采用電流源電路為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流 .二.長尾差放電路的原理與特點(diǎn)1。抑制零點(diǎn)漂移的過程——-—T↑→iC1、iC2↑→iE1、iE2↑→u↑→uBE1、uBE2↓→iB1、iB2↓→iC1、iC2↓。Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻 ".2靜態(tài)分析1）計(jì)算差放電路ICUB，則UE=0.7V，得2)計(jì)算差放電路UCE? 雙端輸出時(shí)?? 單端輸出時(shí)（設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1:對(duì)于VT2：3。動(dòng)態(tài)分析差模電壓放大倍數(shù)? 雙端輸出?? 單端輸出時(shí)VT1單端輸出:VT2單端輸出:差模輸入電阻差模輸出電阻? 雙端輸出：? 單端輸出：三. 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間,運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法1。理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征＊開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞；＊差模輸入電阻 Rid→∞;輸出電阻Ro0；＊共模抑制比KCMR→∞；2。理想集成運(yùn)放的分析方法運(yùn)放工作在線性區(qū):＊電路特征——引入負(fù)反饋:“虛短"-——“虛斷”———2）運(yùn)放工作在非線性區(qū)＊電路特征—-開環(huán)或引入正反饋電路特點(diǎn)--輸出電壓的兩種飽和狀態(tài)：u+〉u-uoUomu+〈uuoUom兩輸入端的輸入電流為零：i+=i-=0第七章 放大電路中的反一.反饋概念的建立＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－ Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－ Ａｆ反饋深度－－－１＋ＡＦ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ:當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋 .＝０時(shí)，表明反饋效果為零。當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋 .當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “自激振蕩”狀態(tài)二．反饋的形式和判斷1。反饋的范圍—-——本級(jí)或級(jí)間。-.直流通路中存在反饋則為直流反饋 交流通路中在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。3。反饋的取樣————電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。(輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失 )。反饋的方式--反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號(hào)反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加.Rs越小反饋效果越好反饋信號(hào)反饋到非輸入端 )。反饋極性—-瞬時(shí)極性法：（假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正 (用+表示并設(shè)信的頻率在中頻段。(2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用+表示，降低用 －表示)。（3)確定反饋信號(hào)的極性.（根據(jù)Xi與Xf的極性,確定凈輸入信號(hào)的大小。 Xid減小為負(fù)饋；Xid增大為正反饋.三.反饋形式的描述方法某反饋元件引入級(jí)間(本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流 )串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋.四。負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.擴(kuò)展頻帶減小非線性失真及抑制干擾和噪聲改變放大電路的輸入、輸出電阻串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加 1+AF倍＊并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小 1+AF倍電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小 1+AF倍＊電流負(fù)反饋使輸出電阻增加 1+AF五。自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋 .產(chǎn)生自激振蕩的條件若表示為幅值和相位的條件則為：第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)——--——“虛斷”和“虛短"一.基本運(yùn)算電路反相比例運(yùn)算電路R2=R1//同相比例運(yùn)算電路R2=R1//Rf反相求和運(yùn)算電路R4=R1//R3//Rf。 同相求和運(yùn)算電路R1//R2//R3//=Rf//R55. 加減運(yùn)算電路R1////Rf=R3//R4//R5二.積分和微分運(yùn)算電路積分運(yùn)算微分運(yùn)算第九章 信號(hào)發(fā)生電路一.正弦波振蕩電路的基本概念產(chǎn)生正弦波振蕩的條件 (人為的直接引入正反饋?zhàn)约ふ袷幍钠胶鈼l件 :即幅值平衡條件：相位平衡條件：幅值條件：相位條件：正弦波振蕩器的組成（放大電路—-建立和維持振蕩。正反饋網(wǎng)絡(luò)-—-—與放大電路共同滿足振蕩條件 .(3）選頻網(wǎng)絡(luò)——-——-—以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩 (4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-———---使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好 .＊正弦波振蕩器的分類（RC振蕩器—————振蕩頻率較低,1M;（LC--振蕩頻率較高,1M以上；（石英晶體振蕩器---二。RC正弦波振蕩電路RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路RC移相式正弦波振蕩電路三LC正弦波振蕩電路變壓器耦合式LC振蕩電判斷相位的方法 :斷回路、引輸入、看相位三點(diǎn)式LC振蕩器＊相位條件的判斷———-——“射同基反”或 “三步曲法”(1) 電感反饋三點(diǎn)式振蕩器（哈特萊電路 )（2) 電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（考畢茲電路）（3) 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）四。石英晶體振蕩電路并聯(lián)型石英晶體振蕩器串聯(lián)型石英晶體振蕩器第十章 直流電源一.直流電源的組成框圖? 電源變壓器:將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓 .? 整流電路:將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。? 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓 .? 穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。? 二.單相半波整流電路輸出電壓的平均值 UO（）輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù) S正向平均電流ID（最大反向電壓URM三.單相全波整流電路輸出電壓的平均值 UO（輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù) S正向平均電流ID(AV)最大反向電壓URM四。單相橋式整流電路UO（AV)、ID（AV)與全波整流電路相同，URM與半波整流電路相同。五。電容濾波電路放電時(shí)間常數(shù)的取值。輸出電壓的平均值 UO（）。輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù) S4。整流二極管的平均電流 ID（AV)六. 三種單相整流電容濾波電路的比較七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路。 穩(wěn)壓電路及其工作原理＊當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓變化時(shí)的穩(wěn)壓過程:當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過程 ：電路參數(shù)的計(jì)算穩(wěn)壓管的選擇常取UZ=UOIZM=（1。5~3)IOmax＊輸入電壓的確定一般取UI(AV）=(2～UO限流電阻R的計(jì)算R的選用原則是：IZmin〈IZ〈IZmax.R的范圍是:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷、在本征半導(dǎo)體中加入 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 元素可形成P型半導(dǎo)體.五價(jià) B。四價(jià) C.三價(jià)、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。A。正向?qū)?B。反向截止 C.反向擊穿、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 。A。前者反偏、后者也反偏B。前者正偏、后者反偏C。前者正偏、后者也正偏、(2）當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 .A。增大 B。不變 C.減小、U0V時(shí)能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有 。A。結(jié)型管 B。增強(qiáng)型MOS管 。耗盡型MOS管6、直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是 。A。電阻阻值有誤差 B.晶體管參數(shù)的分散性C。晶體管參數(shù)受溫度影響 D.電源電壓不穩(wěn)定7、選用差分放大電路的原因是 。A?？朔仄?B. 提高輸入電阻 C。穩(wěn)定放大倍數(shù)8、差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 ，共模信號(hào)是個(gè)輸入端信號(hào)的 .A.差 B。和 C。平均值、用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re，將使電的 。A。差模放大倍數(shù)數(shù)值增大 B。抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng)C。差模輸入電阻增大、在輸入量不變的情況下，若引入反饋后 ，則說明引入的反饋是反饋.A．輸入電阻增大 B．輸出量增大C．凈輸入量增大 D．凈輸入量減小、交流負(fù)反饋是指 .ABC、功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指 .A．輸出功率與晶體管所消耗的功率之比B．最大輸出功率與電源提供的平均功率之比C．晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比、整流的目的是 。A。將交流變?yōu)橹绷鰾.C.將正弦波變?yōu)榉讲ā⒋?lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對(duì)象是 。A?；鶞?zhǔn)電壓 B. 采樣電壓 C. 基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差、開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 。調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) B。輸出端有LC濾波電路C.可以不用電源變壓器二、判斷下列說法是否正確，正確的用“√ "錯(cuò)誤的“×”表示判斷結(jié)果填入下表內(nèi) 、因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子 ,所以它帶負(fù)電。（ ）、PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零 .( ）、處于放大狀態(tài)的晶體管 集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的 ( 。、若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。 （ ）5、只有電路既放大電流又放大電壓,才稱其有放大作用)6、可以說任何放大電路都有功率放大作用）7、放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的）8、阻容耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的Q點(diǎn)相互獨(dú)立,它只能放大交流信號(hào)（ ）9、互補(bǔ)輸出級(jí)應(yīng)采用共集或共漏接法.（ ）、若放大電路引入負(fù)反饋，則負(fù)載電阻變化時(shí)，輸出電壓基本不變（ )

AdKCMR （ )Ac、凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系.( )、當(dāng)集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)，輸出電壓不是高電平 就是低電平。( ）、如果一個(gè)滯回比較器的兩個(gè)閾值電壓和一個(gè)窗口比較器的相同 那么當(dāng)它們的輸入電相同時(shí)，它們的輸出電壓波形也相同 .（ )15、若 U2為電源變壓器副邊電壓的有效值,則半波整流電容濾波電路和全波

2。( ）＝60

rb'=100Ω(1）求解Q

AuRi和Ro（8)（2）

Us＝10mV( ）

Ui＝

Uo＝C3

Ui＝？Uo＝(7）β均為0r

=100Ω，UBEQ0.7。RWT1管和T2IEQAd和Ri。(10 分)VCC＝16VRL＝4Ω,T1和T2UCES│＝2V,輸入電壓足夠大。試問（1）最大輸出功率Pom和效率η各為多少?(5 分）（2)晶體管的最大功耗PTmax為多少?(5 分）（3）Pom(5）六、直流穩(wěn)壓電源如圖所示。(1）說明電路的整流電路、濾波電路、調(diào)整管、基準(zhǔn) 電壓電路、較放大電路、采樣電路等部分各由哪些元件組成。(5分）（2）（2）（1）（8）圖P10.15云南師范大學(xué)課程考試試卷參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)課程名稱：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 考試班級(jí)：物電 05級(jí)電子A、B試卷編號(hào)：A命題教師簽名:姜濤 06年12月28日一、單、多項(xiàng)選擇題 （每小題 2分，共30分，答案必須填寫在下表中，否則不予分。）123456789101112131415ACCBAACCDAACBDCBACA二、判斷下列說法是否正確，正確的用“√ "錯(cuò)誤的“×”表示判斷結(jié)果填入下表內(nèi)。 （每題1分，共15分，答案必須填寫在下表中，否則不予記分。）123456789101112131415×√×××√×√√×√√√×√＝

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=10