2023年通信電子計算機技能考試-半導體芯片制造工考試歷年重點考核試題含答案

2023年通信電子計算機技能考試-半導體芯片制造工考試歷年重點考核試題含答案（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.參考題庫(共50題)1.解釋空氣質(zhì)量凈化級別。2.離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）3.白光照射二氧化硅時，不同的厚度有不同的（）。4.從離子源引出的是：（）A、原子束B、分子束C、中子束D、離子束5.操作人員的質(zhì)量職責是什么？6.什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標準高斯分布有什么區(qū)別？7.對于大尺寸的MOS管版圖設計，適合采用什么樣的版圖結構？簡述原因。8.簡述幾種典型真空泵的工作原理。9.例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。10.簡述硼和磷的退火特性。 11.硅MOSFET和硅JFET結構相同。（）12.非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。A、小于0.1mmB、0.5～2.0mmC、大于2.0mm13.什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應？14.變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。A、正偏電流B、反偏電壓C、結溫15.離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。A、能量B、劑量16.例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。17.解釋離子束擴展和空間電荷中和。18.簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？19.例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。20.離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？21.離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。A、能量B、劑量22.典型的GaAsMESFET結構IC的工藝流程？24.描述化學機械平坦化工藝。25.液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結晶。（）26.設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）27.簡述雜質(zhì)在SiO2的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO2的物理性質(zhì)。28.什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問題是什么？29.拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）30.簡述幾種常用的氧化方法及其特點。31.什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？32.什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。33.根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？34.應力分為壓應力和張應力，下圖的形狀是由于哪種應力產(chǎn)生的？請在圖上標出應力的方向。如果要讓上面的結構材料變得平整，要怎么做？35.低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）36.最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。37.下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。 38.雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。39.晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）40.解釋下列名詞：互連、接觸、通孔和填充塞。41.例舉出傳統(tǒng)裝配的4個步驟。42.例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。43.位錯的形成原因是（）。A、位錯就是由彈性形變造成的B、位錯就是由重力造成的C、位錯就是由范性形變造成的D、以上答案都不對44.二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應用？45.描述金屬復合層中用到的材料？46.什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？47.硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。48.名詞解釋：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。49.以P2O5為例，多晶硅中雜質(zhì)擴散的方式及分布情況。50.引線焊接有哪些質(zhì)量要求？第1卷參考答案一.參考題庫1.正確答案:凈化級別標定了凈化間的空氣質(zhì)量級別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。這一數(shù)字描繪了要怎樣控制顆粒以減少顆粒玷污。凈化級別起源于美國聯(lián)邦標準2009。如果凈化間級別僅用顆粒數(shù)來說明，例如1級凈化間，則只接受1個0.5um的顆粒。這意味著每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的顆粒最多允許一個。2.正確答案:正確3.正確答案:干涉色4.正確答案:D5.正確答案: 操作人員的質(zhì)量職責是：（1）按規(guī)定接受培訓考核，以達到所要求的技能、能力和知識；（2）嚴格按工藝規(guī)范和工藝文件進行操作，對工藝質(zhì)量負責；（3）按規(guī)定填寫質(zhì)量記錄，對其準確性、完整性負責；（4）做好所使用的儀器、設備、工具的日常維護保養(yǎng)工作；（6）對違章作業(yè)造成的質(zhì)量事故負直接責任。6.正確答案: 非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負值表明雜質(zhì)分布在表面一側的濃度增加，即x＜Rp區(qū)域濃度增加?；冇们投圈拢╧urtosis）表示：峭度越大，高斯曲線的頂部越平，標準高斯曲線的峭度為3。LSS的理論是呈標準的高斯分布，不同的雜質(zhì)會不同程度地偏離對稱的高斯分布。如圖中所示。 7.正確答案: （1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結構。 采用并聯(lián)晶體管結構后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結電容被減小，對提高電路的動態(tài)性能很有好處。 （2）寸器件在版圖設計時還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。 因為器件的尺寸大，即叉指的個數(shù)較多，如果采用簡單并列的方式，將由于叉指到信號引入點的距離不同引起信號強度的差異。同時，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導致最左端的叉指和最右端的叉指所對應的并聯(lián)器件在參數(shù)和結構上產(chǎn)生失配。8.正確答案: 幾種典型的真空泵結構：①活塞式機械泵；②旋片式機械泵；③增壓器——羅茨泵；④油擴散泵；⑤渦輪分子泵；⑥低溫吸附泵；⑦鈦升華泵；⑧濺射離子泵.①活塞式機械泵：吸氣階段，氣體經(jīng)過右側閥進入汽缸。壓縮階段，兩個閥均關閉，氣體被壓縮。排氣階段，氣體經(jīng)過左側閥被排出到高壓力區(qū)。②旋片式機械泵：采用旋片代替活塞進行抽氣和壓縮運動。單級旋片式機械泵的終極真空大約為20mTorr，兩級泵則能達到1mTorr以下。此類壓縮泵工作時，水蒸氣的凝聚可能導致腐蝕。需要泵油，可能會對真空腔室產(chǎn)生污染。③增壓器——羅茨泵：羅茨泵可被作為常規(guī)的旋片式機械泵的預壓縮裝置使用，用來提高入口壓力，增加排量。④油擴散泵：真空泵油經(jīng)電爐加熱沸騰后，產(chǎn)生一定的油蒸汽沿著蒸汽導流管傳輸?shù)缴喜?，?jīng)由三級傘形噴口向下噴出，形成一股向出口方向運動的高速蒸汽流。油分子與氣體分子碰撞，把動量交給氣體分子自己慢下來，而氣體分子獲得向下運動的動量后便迅速往下飛去。 在射流的界面內(nèi)，氣體分子不可能長期滯留，因而界面內(nèi)氣體分子濃度較小。由于這個濃度差，使被抽氣體分子得以源源不斷地擴散進入蒸汽流而被逐級帶至出口，并被前級泵抽走。 慢下來的蒸汽流向下運動過程中碰到水冷的泵壁，油分子冷凝，沿著泵壁流回蒸發(fā)器繼續(xù)循環(huán)使用。⑤渦輪分子泵：利用高速旋轉的動葉輪將動量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動而抽氣的真空泵。由許多級組成，每個級上都包括以大于2000r/min的極高轉速的風機葉片和一套被稱為定子的靜止的葉片，定子和轉子之間的間隙為1mm量級。每一級的壓縮比不大，但級數(shù)很多，整個泵的壓縮比可達𝟏𝟎𝟗。渦輪分子泵的優(yōu)點是啟動快，能抗各種射線的照射，耐大氣沖擊，無氣體存儲和解吸效應，無油蒸氣污染或污染很少，能獲得清潔的超高真空。⑥低溫吸附泵：由閉合循環(huán)冷凍機組成，冷凍機的冷頭一般維持在20K左右，封裝在泵體里并連接到真空系統(tǒng)，通過低溫凝聚氣體分子。需前級泵，具有最高極限真空度，無回油污染問題，但工作后需再生處理。⑦鈦升華泵：加熱Ti絲，使Ti原子蒸發(fā)出來。Ti與反應室內(nèi)的氣體分子反應，凝結在腔壁上。⑧濺射離子泵：陽極和陰極間加高壓，電子在陽極被加速，在磁場作用下旋轉。氣體分子與旋轉的電子碰撞而電離（潘寧放電），氣體離子被加速向陰極運動，被陰極材料（如Ti）吸附，并且把表面的Ti濺射出來。濺射出來的Ti原子還可以與氣體離子反應，使抽速增大。9.正確答案:離子注入的優(yōu)點： （1）精確控制雜質(zhì)含量和分布 （2）很好的雜質(zhì)均勻性 （3）對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制 （4）產(chǎn)生單一離子束 （5）低溫工藝 （6）注入的離子能穿透薄膜 （7）無固溶度極限 離子注入的缺點： （1）高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對晶體結構產(chǎn)生損傷 （2）注入設備的復雜性10.正確答案: 硼退火特性電激活比例：自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比對于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。對于高劑量情況，可以把退火溫度分為三個區(qū)域：在區(qū)域I中，隨退火溫度上升，點缺陷的移動能力增強，因此間隙硼和硅原子與空位的復合幾率增加，使點缺陷消失，替位硼的濃度上升，電激活比例增加，自由載流子濃度增大。當退火溫度在500-600℃的范圍內(nèi)，點缺陷通過重新組合或結團，降低其能量。因為硼原子非常小，和缺陷團有很強的作用，很容易遷移或被結合到缺陷團中，處于非激活位置，因而出現(xiàn)隨溫度的升高而替位硼的濃度下降的現(xiàn)象，也就是自由載流子濃度隨溫度上升而下降的現(xiàn)象（逆退火特性）。在區(qū)域Ⅲ中，硼的替位濃度以接近于5eV的激活能隨溫度上升而增加，這個激活能與升溫時Si自身空位的產(chǎn)生和移動的能量一致。產(chǎn)生的空位向間隙硼處運動，因而間隙硼就可以進入空位而處于替位位置，硼的電激活比例也隨溫度上升而增加。實際退火條件，要根據(jù)注入時靶溫、注入劑量及對材料性能的要求來選擇。注入劑量低，不發(fā)生逆退火現(xiàn)象，退火溫度不需要太高。1012/cm2，800度，幾分鐘。 室溫注入與靶溫較高時注入時，產(chǎn)生非晶區(qū)的臨界劑量不同，退火要求也不同。磷退火特性圖中虛線所表示的是損傷區(qū)還沒有變?yōu)榉蔷訒r的退火性質(zhì)，實線則表示非晶層的退火性質(zhì)。對于1X1015/cm2和5X1015/cm2時所形成的非晶層，退火溫度在600℃左右，低于劑量為1014左右沒有形成非晶層時的退火溫度，這是因為兩種情況的退火機理不同。非晶層的退火效應是與固相外延再生長過程相聯(lián)系的，在再生長過程中，V族原子實際上與硅原子是難以區(qū)分，被注入的V族原子P在再結晶過程中與硅原子一樣，同時被結合到晶格位置上。11.正確答案:錯誤12.正確答案:B13.正確答案: 溝道效應：對晶體靶進行離子注入，當離子速度方向平行于主晶軸時，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運動，注入深度很深。由于溝道效應，使注入離子濃度的分布產(chǎn)生很長的拖尾，對于輕原子注入到重原子靶時，拖尾效應尤其明顯。解決辦法：A.偏離軸注入，采用7°的傾斜角，但并不能完全消除溝道效應。B.注入前破壞晶格結構，使用Si、F或Ar離子注入完成硅的預非晶化。C.使用薄的屏蔽氧化層，使離子進入晶體前的速度方向無序化，但會將部分氧注入晶體。（1）偏軸注入：一般選取5～7傾角，入射能量越小，所需傾角越大（2）襯底非晶化預處理：進行一次高劑量Ar+注入，使硅表面非晶化（3）非晶層散射：表面生長200～250?二氧化硅（ScreenOxidE.，使入射離子進入硅晶體前方向無序化（4）注入雜質(zhì)的自非晶化效應：重雜質(zhì)（As），高劑量注入。14.正確答案:B15.正確答案:A16.正確答案:連續(xù)噴霧顯影、旋覆浸沒顯影。 顯影溫度，顯影時間，顯影液量，硅片洗盤，當量濃度，清洗，排風。17.正確答案:由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包括正電荷的離子束本身是不穩(wěn)定的，容易造成離子束的膨脹即離子束的直徑在行進過程中不斷的增大，最終導致注入不均勻。離子束可以用二次電子中和離子的方法緩解，被稱為空間電荷中和。18.正確答案: 1.光刻是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得到所需圖形的工藝。 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應的幾何圖形，從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是晶圓加工過程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準備。決定了芯片的性能，成品率，可靠性。19.正確答案:硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟： （1）預淀積：表面的雜質(zhì)濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種梯度使雜質(zhì)剖面得以建立 （2）推進：這是個高溫過程，用以使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，在硅片中形成期望的結深 （3）激活：這時的溫度要稍微提升一點，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質(zhì)。這個過程激活了雜質(zhì)原子，改變了硅的電導率。20.正確答案:氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。21.正確答案:B22.正確答案: 存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形成金屬互連---集成電路成品。23.屬于絕緣體的23.正確答案是（）。A、金屬、石墨、人體、大地B、橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷C、硅、鍺、砷化鎵、磷化銦D、各種酸、堿、鹽的水溶液正確答案:B24.正確答案:CMP：通過比去除低處圖形更快的速率去除高處圖形以獲得均勻表面，是一種化學和機械作用結合的平坦化過程。它通過硅片和一個跑光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有磨料，并同時施加壓力。CMP設備也常稱為拋光機。在一臺拋光機中，硅片放在一個硅片固定器或載片頭上，并面向轉盤上的拋光墊。硅片和拋光墊之間的相對運動由設備制造商進行不同的控制。大部分拋光機都采用旋轉運動或軌道運動。25.正確答案:正確26.正確答案:錯誤27.正確答案: 熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關的化合物，其結構如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生的反應是一個氧橋還原為兩個氫氧基。Si：O：Si→Si：O：H+H：O：Si網(wǎng)絡構成者——一些雜質(zhì)會被有意摻入熱淀積SiO2中，用來改善它的物理性質(zhì)和電學特性，例如硼、磷，稱為網(wǎng)絡構成者，它們可以調(diào)節(jié)有氧橋和無氧橋的比例，使得SiO2的強度上升或者下降。當B替代Si之后，頂角上的四個O只有三個O可以同B形成共價鍵，剩余的一個O因無法與中心的B形成共價鍵，而變成了非橋鍵O，因此SiO2網(wǎng)絡中非橋鍵O增加，強度下降。當P替代Si之后，與原有的四個O形成共價鍵，還多余一個價電子，這個多余的價電子還可以與近鄰的一個非橋鍵O形成橋鍵O，因此SiO2網(wǎng)絡強度增加。網(wǎng)絡改變者——存在于SiO2網(wǎng)絡間隙的雜質(zhì)為網(wǎng)絡改變者。一般以離子形式存在，離子半徑較大，替代硅的可能性很小。例如Na、K、Pb、Ba等都是網(wǎng)絡改變者。網(wǎng)絡改變者往往以氧化物形式進入SiO2中。進入網(wǎng)絡之后便離化，并把氧離子交給SiO2網(wǎng)絡。Na2O+ΞSi-O-SiΞ→Si–O-+Osup>—<SiΞ+2Na+網(wǎng)絡中氧的增加，使非橋鍵氧的濃度增大，SiO2網(wǎng)絡的強度減弱。28.正確答案:自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長始于潮濕，當硅片表面暴露在空氣中時，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。 自然氧化層引起的問題是： ①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。 ②另一個問題在于金屬導體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。 ③對半導體性能和可靠性有很大的影響29.正確答案:錯誤30.正確答案: 制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好，是集成電路的重要工藝之一。熱氧化法：Si與氧或水汽等氧化劑在高溫下發(fā)生化學反應生成SiO2。熱氧化法制備SiO2的特點：具有很高的重復性和化學穩(wěn)定性，其物理性質(zhì)和化學性質(zhì)不太受濕度和中等溫度熱處理的影響；降低Si表面的懸掛鍵，使表面態(tài)密度減?。缓芎玫乜刂平缑嫦葳搴凸潭姾?。（1）.干氧氧化在高溫下，氧氣與硅反應生成SiO2。氧化溫度為900-1200℃，為了防止外部氣體的玷污，爐內(nèi)氣體壓力應比一個大氣壓稍高些，可通過氣體流速來控制。優(yōu)點：結構致密、干燥、均勻性和重復性好，掩蔽能力強，與光刻膠黏附好，目前制備高質(zhì)量的SiO2薄膜基本上都是采用這種方法。缺點：干氧氧化法的生長速率慢，所以經(jīng)常同濕氧氧化方法相結合生長SiO2。（2）.水汽氧化在高溫下，硅與高純水產(chǎn)生的蒸氣反應生成SiO2。產(chǎn)生的H2分子沿Si-SiO2界面或者以擴散方式通過SiO2層―逃離‖。因為水比氧氣在SiO2中有更高的擴散系數(shù)和大得多的溶解度，所以水汽氧化的生長速率一般比較高。（3）.濕氧氧化濕氧氧化的氧化劑是通過高純水的氧氣，高純水一般被加熱到95℃左右。通過高純水的氧氣攜帶一定水蒸氣，所以濕氧氧化的氧化劑既含有氧，又含有水汽。因此，SiO2的生長速率介于干氧和水汽氧化之間，與氧氣流量、水汽的含量有著密切關系。如果水汽含量很少，SiO2的生長速率和質(zhì)量就越接近于干氧氧化的情況，反之，就越接近 水汽氧化情況。水汽含量與水溫和氧氣流量有關。氧氣流量越大，水溫越高，則水汽含量就越大。氫氣和氧氣，H2+O2→H2O采用高溫合成技術進行水汽氧化，在這種氧化系統(tǒng)中，氧化劑是由純氫和純氧直接反應生成的水汽。（4）.快速熱氧化工藝（RTO）制備深亞微米器件的柵極氧化層，非常薄<30?在實際生產(chǎn)中，根據(jù)要求選擇干氧氧化、水汽氧化或濕氧氧化。對于制備較厚的SiO2層來說，往往采用的是干氧-濕氧-干氧相結合的氧化方式。這種氧化方式既保證SiO2表面和Si-SiO2界面質(zhì)量，又解決了生長效率的問題。31.正確答案: 光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。 對光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準確；介質(zhì)膜或金屬膜上無針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無殘留的被腐蝕物質(zhì)。32.正確答案: 濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結晶性只有當入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺射，每種物質(zhì)的濺射閾值與被濺射物質(zhì)的升華熱有一定的比例關系。隨著入射離子能量的增加，濺射率先是增加，其后是一個平緩區(qū)，當離子能量繼續(xù)增加時，濺射率反而下降，此時發(fā)生了離子注入現(xiàn)象。濺射產(chǎn)額與入射離子種類的關系：濺射產(chǎn)額S依賴于入射離子的原子量，原子量越大，則濺射率越高。濺射產(chǎn)額也與入射離子的原子序數(shù)有密切的關系，呈現(xiàn)出隨離子的原子序數(shù)周期性變化關系，凡電子殼層填滿的元素作為入射離子，則濺射率最大。因此，惰性氣體的濺射率最高，氬通常被選為工作氣體，氬被選為工作氣體的另一個原因是可以避免與靶材料起化學反應。濺射產(chǎn)額與入射角度的關系：濺射產(chǎn)額對角度的依賴性于靶材料及入射離子的能量密切相關。 金、鉑、銅等高濺射產(chǎn)額材料一般與角度幾乎無關。Ta和Mo等低濺射產(chǎn)額材料，在低離子能量情況下有明顯的角度關系，濺射產(chǎn)額在入射角度為40°左右時最大。低能量時，以不完整余弦的形式分布，最小值存在于接近垂直入射處；高能量濺射產(chǎn)額近似為：，θ為靶的法線與入射離子速度矢量的夾角。33.正確答案: 干法刻蝕是采用等離子體進行刻蝕的技術，根據(jù)原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學）、反應離子刻蝕（物理+化學）。 干法刻蝕與濕法刻蝕相比具有以下優(yōu)點：①刻蝕剖面是各向異性，具有非常好的側壁控制；②良好的CD控制③最小的光刻膠脫落或粘附問題④良好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性⑤較低的化學制品使用和處理費用 然而干法刻蝕也存在一些缺點，最主要的是對下層材料的選擇比不高、等離子體帶來的器件損傷以及昂貴的設備。34.正確答案: 張應力（張的時候產(chǎn)生的應力）與壓應力（壓的時候產(chǎn)生的應力） 在張應力作用下，薄膜會相對襯底進行收縮?可能由薄膜與襯底的熱膨脹系數(shù)差異引起?懸浮的薄膜如果是通過兩個錨點與襯底相連，薄膜會被襯底拉伸而保持平整在壓應力作用下，薄膜相對于襯底膨脹?懸浮的薄膜如果通過兩個錨點與襯底相連，薄膜會彎曲35.正確答案:正確36.正確答案:電阻；電子束；濺射37.正確答案: SiCL4濃度較小，SiCL4被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原子在襯底上生成單晶硅速度，化學反應速度控制外延層的生長速率；增加SiCL4濃度，化學反應速率加快，生長速度提高。濃度大到一定程度，化學反應釋放硅原子速度大于硅原子在襯底表面的排列生長速度，此時生長速率受硅原子在襯底表面排列生長的速度控制。進一步增大SiCL4濃度（Y=0.1）生長速率減??；當Y=0.27時，逆向反應發(fā)生硅被腐蝕；反向腐蝕越嚴重，生長速率下降，當Y>0.28時，只存在腐蝕反應。38.正確答案:替位；間隙39.正確答案:錯誤40.正確答案