2023高職 表1 單選題試題（賽項賽題）

理論機考模塊題庫（試題）

Intelligentproductionandtestingofnew

賽項名稱新材料智能生產(chǎn)與檢測英語名稱

materials

賽項編號GZ007歸屬產(chǎn)業(yè)新材料

高職組

0學(xué)生組□教師組口師生同賽試點賽項

題目類型0單選題□多選題口是非題

總數(shù)單選多選是非

1043480144419

題目內(nèi)容題目選項題目答案難度系數(shù)

A,單晶生長一整形一切片一晶片研磨及磨邊

一蝕刻一拋光f硅片檢測~打包

B、單晶生長一切片一整形一晶片研磨及磨邊

~蝕刻-?拋光一硅片檢測~打包

硅片制備主要工藝流程是（）。中

C、單晶生長一整形一切片一蝕刻一晶片研磨

及磨邊~拋光~硅片檢測一打包

I）,單晶生長一整形一切片一晶片研磨及磨邊

一拋光~蝕刻一硅片檢測T"打包

A,越高

半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材B,不確定

易

料的電阻率（）。C、越低

D,不變

A、90%

B、92%

在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在（）以上。易

C、95%

D、97%

A、上升

B、下降

當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)增培中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）。易

C、不變

D、不確定

A,空帶

在本征半導(dǎo)體Si和Ge中摻入少量的五價原子（如P、As）時，就形成n型半導(dǎo)體，

B,滿帶易

這種摻入后多余的電子的能級在禁帶中緊靠（）處。

C、價帶

D、導(dǎo)帶

A、CL

B、SiHCl

通常用（）來提純工業(yè)級Si生產(chǎn)多晶硅。3易

C、HC1

D、SiCL,

A、純度

B、原子排列方式

單晶硅與多晶硅的根本區(qū)別是（）O易

C、導(dǎo)電能力

D、原子結(jié)構(gòu)

A、非平衡載流子濃度成正比

B,平衡載流子濃度成正比

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。中

C,非平衡載流子濃度成反比

D,平衡載流子濃度成反比

A、300

B、400

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護氣中，在（）攝氏度以上進行常規(guī)熱處理。易

C、500

D、600

A,布里曼法

下列鑄造多晶硅的制備方法中，（）沒有培埔的消耗，降低了成本，同時又可減B.熱交換法

易

少雜質(zhì)污染長度。C、電磁鑄錠法

D.澆鑄法

A、分凝

B、蒸發(fā)

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）。易

C、增病污染

D、損壞

A、化學(xué)清洗法

B.超聲清洗法

下面哪個不是硅片的清洗方法（）。易

C、真空高溫清洗法

D、清水清洗法

A、調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng)，使熱場的徑向溫

度梯度增大

B、調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù)，例如對于凸向熔體

的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用

下列說法錯誤的是（）。易

結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦

C、調(diào)整晶體或者培埔的轉(zhuǎn)速，調(diào)整高溫液流

的增減

1）、增大增埸內(nèi)徑與晶體直徑的比值

A,硅是非金屬元素，它的單質(zhì)是灰黑色有金

屬光澤的固體

B,硅的導(dǎo)電性能介于金屬與絕緣體之間，是

良好的半導(dǎo)體材料

下列關(guān)于硅的說法不正確的是（）。易

C、硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物

質(zhì)反應(yīng)

D、加熱到一定溫度時，硅能與氫氣、氧氣等

非金屬發(fā)生反應(yīng)

A,能

正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這B.不能

易

個階段（）。C、不確定

I）、有時可以，有時不可以

A,上部和邊緣部分

在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）易

B,中部和邊緣部分

C、上部和底部

D、底部和邊緣部分

A,SiO?是酸性氧化物，但不與水反應(yīng)

B、泡花堿屬于鹽類

下列說法中，不正確的是（）。C.明磯和漂白粉均可用于自來水的殺菌、消易

毒

D、玻璃和陶瓷都屬于傳統(tǒng)硅酸鹽材

A,硅是非金屬元素，晶體硅是灰黑色有金屬

光澤的固體

B、硅的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是

良好的半導(dǎo)體

下列關(guān)于硅的說法中，不正確的是（）。易

C,硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物

質(zhì)反應(yīng)

1）、加熱到一定溫度時，硅能與氯氣、氧氣等

非金屬反應(yīng)

A、高純度的單質(zhì)硅被廣泛用于制作計算機芯

片

有些科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”，這主要是由于作為半B、硅可由二氧化硅還原制得

導(dǎo)體材料的硅在太陽能發(fā)電過程中具有重要的作用。下列關(guān)于硅的說C、低溫時硅與水、空氣、鹽酸、硝酸、硫酸易

法不正確的是（）。不反應(yīng)，但能與氫氟酸反應(yīng)

D、自然界硅元素的貯量豐富，并存在大量的

單質(zhì)硅

A、Na2SiO3

將足量CO2氣體通入水玻璃（NafiCh溶液）中，然后加熱蒸B、NaC0,NaSOa

23易

干，再在高溫下充分灼燒，最后得到的固體物質(zhì)是（）?

C、Na2cO3、SiO2

1）、SiO2

A、①②⑥

現(xiàn)有物質(zhì)：①氫氟酸②濃HcSO,③燒堿溶液④Na2cos固體⑤氧化鈣⑥濃HNQ，其中B.全部

中

在一定條件下能與Sia反應(yīng)的有（）。C、①③④⑤

D、②③⑥

A、原硅酸鈉（Na,SiO,）能迅速水解，溶液呈

堿性,故NaSiO,為弱電解質(zhì)

B、石英玻璃、普通玻璃、陶瓷及水泥均屬于

化學(xué)家Seidel指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與0H一反應(yīng)，生成SiO,然后硅酸鹽產(chǎn)品

中

SiO迅速水解生成H,SiO”下列有關(guān)說法正確的是（）。C、2HCH-Na2SiO3===H2SiO31+2NaCl,說明

Cl的非金屬性大于Si

D,半導(dǎo)體工業(yè)所說的“從沙灘到用戶”是指：

將二氧化硅制成晶體硅

A、試樣全長度

B、初始標(biāo)距

斷裂伸長率是試樣斷裂時標(biāo)線間距離的增加量與（）之比，以百分率表示。中

C、平行部分長度

1）,試樣斷裂時長度

A、50±0、5七

B、200±0.rc

環(huán)境應(yīng)力開裂實驗的環(huán)境介質(zhì)的溫度是（）。易

C、190±0,1℃

1）、10±0.5℃

A,環(huán)境效應(yīng)

B、尺寸效應(yīng)

采用不同方法制得不同尺寸的試樣進行性能測試，結(jié)果會不同。這種現(xiàn)象稱為（）。中

C、方法效應(yīng)

I）,體積效應(yīng)

A、1.06

若測定結(jié)果為1.0650,現(xiàn)需保留三位有效數(shù)字，下列數(shù)據(jù)處理正確的是（）＜,中

B、1.060

C、1.10

D、1.07

A,不少于68h

B、不少于78h

按我國標(biāo)準(zhǔn)要求，塑料試樣狀態(tài)調(diào)節(jié)的處理時間為（）。易

C、不少于88h

1）,不少于96h

A、50℃/h

B、100℃/h

測定熱變形溫度時的升溫速率要求為（）。易

C、120℃/h

D、150℃/h

A,缺口正對擺錘刀口

B,缺口背對擺錘刀口

用簡支梁沖擊試驗機測試帶缺口試樣的沖擊強度時，試樣應(yīng)（）放置。中

C、缺口側(cè)面正對擺錘刀口

1）、沒有要求

A、使試樣發(fā)生彈性和塑性形變所需的能量

B、使試樣產(chǎn)生裂紋和裂紋擴展斷裂所需的能

在沖擊試驗過程中有以下幾種能量消耗，其中特別是對消耗沖擊能量小的脆性材料需量

中

要進行修的選項是（）。C、試樣斷裂后飛出所需的能量

D、擺錘運動時，試驗機固有的能量損失如空

氣阻尼、機械振動、指針回轉(zhuǎn)的摩擦等

A、10%?85%

根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，簡支梁沖擊試驗應(yīng)根據(jù)試樣破壞時所需的能量選擇擺錘，并使消B、10%?80%

中

耗的能量在擺錘總能量的（）范圍內(nèi)。C、10%?75%

D、10%?90%

A、通用塑料

塑料邵氏硬度試驗分邵氏-A、邵氏-I）兩種，邵氏-A適用于測定（）。中

B、軟質(zhì)塑料

C、硬質(zhì)塑料

D、工程塑料

A、1mm

Bx3mm

測試邵氏硬度時，GB/T2411-2008規(guī)定試樣的厚度規(guī)定不小于（）。中

C、4mni

D、5mm

A、9,6

測試邵氏硬度時，測定點與試樣邊緣的距離不小于（）mm。各測定點之間的距離B、8,6

中

不小于（）mnioC、9,10

【）、10,6

A、Inim

B、2mm

彎曲試驗時，試樣的厚度小于（）時不作彎曲試驗。中

C、3mm

1）、4mm

A,1倍

根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)塑料彎曲性能試驗方法，彎曲試驗時規(guī)定撓度是試樣厚度的（）時B、1.2倍

中

的撓度。C、1.5倍

1）,1.8倍

A、14

根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)塑料彎曲性能試驗方法，三點式彎曲試驗時跨度與厚度比可以選擇B、16

中

（）OC、18

D、12

A,上半部分受壓，下半部分受壓

B、上半部分受拉，下半部分受拉

彎曲試驗時，將試樣橫跨在兩個支座上，在彎曲負(fù)荷作用下，試樣（）。中

C、上半部分受拉，下半部分受壓

1）、上半部分受壓，下半部分受拉

A、高阻計法和直接法

B、檢流計法和直接法

測定塑料材料電阻率常用的方法是（）。易

C、直接法和比較法

D、比較法和惠斯登電橋法

A、50±2七

在測量塑料吸水性的試驗方法中，試樣首先應(yīng)在（）的烘箱內(nèi)干燥24h,然后在干B、60+2X：

中

燥器內(nèi)冷卻至室溫。C、70±2七

1）、80±2t

A、5S

B、IOS

垂直法燃燒實驗點燃試樣的時間是（）。易

C、30S

D、20S

A,硬度

B、拉伸強度

反映高分子材料高速載荷下而致破壞能力的指標(biāo)為（）。中

C、沖擊強度

D、斷裂伸長率

A,斷裂應(yīng)力

B、應(yīng)力點

在應(yīng)力-應(yīng)變曲線上，應(yīng)力不隨應(yīng)變增加的初始點稱為（）。中

C、屈服點

1）,強度值

A、50±0.1七

B、25±0.1℃

測量密度的恒溫水浴的溫度是（）。中

C、20±0.1℃

1）、23±0.\℃

A、表面電阻率

平行材料中電流方向的電位梯度與電流密度之比稱為（）。中

B、平行電阻率