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文檔簡(jiǎn)介
第26講不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)
(基礎(chǔ)課)
出復(fù)習(xí)目標(biāo)
1.能認(rèn)識(shí)晶體中粒子的空間排布存在周期性,認(rèn)識(shí)簡(jiǎn)單的晶胞,能根據(jù)晶胞
確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。知遒介于典型晶體之間的過(guò)渡晶體及混合
型晶體是普遍存在的。
2.能借助分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體、金屬晶體等模型說(shuō)明晶體中的微
粒及其微粒間的相互作用。
3.知道物質(zhì)的聚集狀態(tài)會(huì)影響物質(zhì)的性質(zhì),通過(guò)改變物質(zhì)的聚集狀態(tài)可能獲
得特殊的材料。
知識(shí)點(diǎn)一晶體與常見(jiàn)晶體的空間結(jié)構(gòu)模型
至皆知快梳理
1.晶體與非晶體
⑴晶體與非晶體比較
晶體非晶體
原子在三維空間里呈周原子無(wú)
結(jié)構(gòu)特征
期性直序排列序排列
自范性有無(wú)
性質(zhì)
熔點(diǎn)固定不固定
特征
異同表現(xiàn)各向異性無(wú)各向異性
二者區(qū)間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)
別方法科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X—射線衍射實(shí)驗(yàn)
⑵獲得晶體的途徑
①熔融態(tài)物質(zhì)凝固;
②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華);
③溶質(zhì)從溶液中析出。
2.晶胞
⑴概念:描述晶體結(jié)構(gòu)中基本的重復(fù)單元。
(2)晶體中晶胞的排列—無(wú)隙并置。
①無(wú)隙:相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙;
②并置:所有晶胞平行排列,取向相同。
(3)一般形狀為平行六面體。
(4)晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算——均攤法
晶胞任意位置上的一個(gè)微粒如果是被〃個(gè)晶胞所共有,那么,每個(gè)晶胞對(duì)
這個(gè)微粒分得的份額就是%
長(zhǎng)方體(包括立方體)晶胞中不同位置的微粒數(shù)的計(jì)算
⑸其他晶胞結(jié)構(gòu)中微粒數(shù)的計(jì)算
①三棱柱
②六棱柱
3.常見(jiàn)晶體模型的分析
(1)共價(jià)晶體—金剛石與SiO2
154pmklO9028'
金剛石及其晶胞二氧化硅
①a.金剛石晶體中,每個(gè)C與另外生個(gè)C形成共價(jià)鍵,碳原子采取他雜化,
C—C—C夾角是109°28z,最小的環(huán)是六元環(huán)。每個(gè)C被退_個(gè)六元環(huán)共用。
含有1molC的金剛石中形成的C—C有2moL
b.在金剛石的晶胞中,內(nèi)部的C在晶胞的體對(duì)角線的[處。每個(gè)晶胞含有
也個(gè)C。
②SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與生個(gè)O原子成鍵,每個(gè)O原子與之個(gè)Si原
子成鍵,最小的環(huán)是十二元環(huán),在“硅氧”四面體中,處于中心的是迎原子。1
molSiO2晶體中含Si—O鍵數(shù)目為4NA,在SiO2晶體中Si、O原子均采取立
雜化。
(2)分子晶體—干冰和冰
①干冰晶體中,每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有2個(gè),屬于
分子密堆積。晶胞中含有生個(gè)CO2分子。同類晶體還有晶體12、晶體02等。
干冰的結(jié)構(gòu)模型(晶胞)冰的結(jié)構(gòu)模型
②冰的結(jié)構(gòu)模型中,每個(gè)水分子與相鄰的生個(gè)水分子以氫鍵相連接,含1mol
H2O的冰中,最多可形成2moi氫鍵。晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似,含有8個(gè)H2O。
(3)離子晶體
?Na*oCl-℃s*oCa2*O廣
①NaCl型:在晶體中,每個(gè)Na卡同時(shí)吸引魚個(gè)CF,每個(gè)C「同時(shí)吸引6
個(gè)Na+,配位數(shù)為殍每個(gè)晶胞含生個(gè)Na+和生個(gè)C1,
②CsCl型:在晶體中,每個(gè)C「吸引&個(gè)Cs+,每個(gè)Cs+吸引貴個(gè)C「,配
位數(shù)為8o
③CaF2型:在晶體中,t的配位數(shù)為4,Ca2+的配位數(shù)為&晶胞中含4
個(gè)Ca2+,含貴個(gè)F,晶胞中Ca2+在體對(duì)角線的;處。
(4)混合型晶體——石墨晶體與二>
①石墨層狀晶體中,層與層之間的作用是范德華力。
②平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是擊c原子采取1.
的雜化方式是sp2。
③在每層內(nèi)存在共價(jià)鍵和金屬鍵。
④C—C的鍵長(zhǎng)比金剛石的C—C鍵長(zhǎng)短,熔點(diǎn)比金剛石的高。
⑤能導(dǎo)電,晶體中每個(gè)C形成3個(gè)共價(jià)鍵,C的另一價(jià)電子在電場(chǎng)作用下
可移動(dòng),形成電流。
(5)過(guò)渡晶體
定義:介于典型晶體之間的晶體。
①幾種氧化物的化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)
氧化物
Na2OMgOA12O3SiO2
離子鍵的百分?jǐn)?shù)/%62504133
從上表可知,表中4種氧化物晶體中的化學(xué)鍵既不是純粹的離子鍵也不是
純粹的共價(jià)鍵,所以這些晶體既不是純粹的離子晶體也不是純粹的共價(jià)晶體,
只是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過(guò)渡晶體。
②偏向離子晶體的過(guò)渡晶體在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近,因而通
常當(dāng)作離子晶體來(lái)處理,如NazO等。同樣偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶
體來(lái)處理,如AI2O3、SiO2等。
訓(xùn)練
【題點(diǎn)晶胞中微粒數(shù)、晶體化學(xué)式的確定
1.某FexNy的晶胞如圖1所示,Cu可以完全替代該晶體中a位置Fe或者
b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fea-")Cu“Ny。Fe*N),轉(zhuǎn)化為兩種Cu替代型產(chǎn)物
的能量變化如圖2所示,其中更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為.
能Cu替代b位置Fe型
?a位置Fe量
Ob位置Fe
Cu替代a位置
▲N
轉(zhuǎn)化過(guò)程
圖2
[解析]能量越低越穩(wěn)定,故更穩(wěn)定的Cu替代型為Cu替代a位置Fe型,
故晶胞中Cu為1個(gè),F(xiàn)e為3個(gè),N為1個(gè),故化學(xué)式為Fe3CuNo
[答案]Fe3CuN
2.如圖為甲、乙、丙、丁四種晶體的晶胞:
請(qǐng)回答:
⑴晶體甲、乙、丙、丁的化學(xué)式分別為
⑵乙晶體中每個(gè)A周圍最近等距離的B有個(gè)。
⑶丙晶體中每個(gè)D周圍最近等距離的E有個(gè)。
(4)甲晶體中X周圍的4個(gè)Y形成形。
[答案](1)X2YAB3cDEAB4c2(2)12(3)8(4)正四面體
I思維模型I
立方體中微粒周圍最近等距離其他微粒的個(gè)數(shù)
「①A周圍有4個(gè)B,B周圍有12個(gè)A
②A周圍有2個(gè)C,C周圍有6個(gè)A
③B周圍有6個(gè)D,D周圍有2個(gè)B
④B周圍有8個(gè)C,C周圍有8個(gè)B
⑤C周圍有12個(gè)D,D周圍有4個(gè)C
、⑥A周圍有4個(gè)D,D周圍有4個(gè)A
注意:該晶胞中含有A、B、C、D的個(gè)數(shù)分別為3、1、1、3o
題點(diǎn)?常見(jiàn)的晶體結(jié)構(gòu)
3.(2021?寧津模擬)有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中不正確的是()
A.在NaCl晶體中,距Na+最近的C「有6個(gè)
B.在CaF2晶體中,每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2+
C.在金剛石晶體中,最小的環(huán)上有6個(gè)C原子
D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE
D[以頂點(diǎn)Na+研究,與之最近的C「處于晶胞棱心且關(guān)于Na+對(duì)稱,即距
Na+最近的C廠有6個(gè),故A正確;在CaF2晶體中,Ca2+位于晶胞頂點(diǎn)和面心,
數(shù)目為8X:+6x[=4,即每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2+,故B正確;金剛石晶
0L
體中,由共價(jià)鍵形成的最小碳環(huán)上有6個(gè)碳原子,每個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵,
從而形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),故C
正確;該氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E、4個(gè)F原子,分子式應(yīng)為E4F4或F4E4,
故D錯(cuò)誤。]
4.(2021?泰安模擬)已知C3N4晶體很可能具有比金剛石更大的硬度,且原子
間以單鍵結(jié)合。下列有關(guān)C3N4晶體的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()
A.C3N4晶體與金剛石都屬于共價(jià)晶體
B.C3N4晶體中C—N鍵的鍵長(zhǎng)比金剛石中的C—C鍵的鍵長(zhǎng)長(zhǎng)
C.C3N4晶體中每個(gè)碳原子連接4個(gè)氮原子,每個(gè)氮原子連接3個(gè)碳原子
D.C3N4晶體中只含有C—N極性共價(jià)鍵,不含非極性共價(jià)鍵
B[C3N4晶體具有比金剛石更大的硬度,則C3N4晶體的硬度很大,是共價(jià)
晶體,故A正確;因N的原子半徑比C原子半徑小,則C3N4晶體中,C—N鍵
的鍵長(zhǎng)比金剛石中C—C鍵的鍵長(zhǎng)要短,故B錯(cuò)誤;原子間均以單鍵結(jié)合,則
C3N4晶體中每個(gè)C原子連接4個(gè)N原子,而每個(gè)N原子連接3個(gè)C原子,故
C正確;C3N4晶體中只含有C—N極性共價(jià)鍵,不含非極性共價(jià)鍵,故D正確
知識(shí)點(diǎn)二晶體的性質(zhì)及晶體類型
變陪婀諛
1.金屬晶體
(1)“電子氣理論”要點(diǎn)
該理論把金屬鍵描述為金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的
“電子氣”,被所有原子所共用,從而把所有的金屬原子維系在一起。
(2)金屬鍵的實(shí)質(zhì)是金屬陽(yáng)離子與電子氣間的靜電作用。
2.四種晶體類型比較
類型
分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體
比
金屬陽(yáng)離子
構(gòu)成微粒分子或原子原子陰、陽(yáng)離子
和自由電子
微粒間
分子間作用
的相互共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵
力、氫鍵
作用力
有的很大,
硬度較小很大較大
有的很小
熔、有的很高,
較低很高較高
沸點(diǎn)有的很低
大多易溶
難溶于任常見(jiàn)溶
溶解性相似相溶于水等極
何溶劑劑難溶
性溶劑
一般不導(dǎo)晶體不導(dǎo)電,
導(dǎo)電、一般不具電和熱的
電,溶于水水溶液中或熔
傳熱性有導(dǎo)電性良導(dǎo)體
后有的導(dǎo)電融態(tài)昱電
(@@@)石墨晶體為混合型晶體,為層狀結(jié)構(gòu)。硬度小、質(zhì)軟,熔點(diǎn)比金
剛石高,能導(dǎo)電。
3.晶體類型的兩種判斷
(1)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷
①金屬氧化物(K2。、Na2O2等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類
是離子晶體。
②大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬
氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。
③常見(jiàn)的單質(zhì)類共價(jià)晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見(jiàn)的化合物類
共價(jià)晶體有碳化硅、二氧化硅等。
④金屬單質(zhì)是金屬晶體。
(2)根據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷
一般來(lái)說(shuō),低熔、沸點(diǎn)的化合物屬于分子晶體;熔、沸點(diǎn)較高,且在水溶
液中或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物為離子晶體;熔、沸點(diǎn)很高,不導(dǎo)電,不溶
于一般溶劑的物質(zhì)屬于共價(jià)晶體;能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的晶體為金屬晶
體。
4.晶體熔'沸點(diǎn)比較的一般思路
(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律為:共價(jià)晶體〉離子晶體〉金屬
晶體〉分子晶體。
(2)同種類型晶體,晶體內(nèi)粒子間的作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高。
①離子晶體:一般地說(shuō),陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,離子
鍵越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgO>MgCh,NaCl>CsCL
②共價(jià)晶體:原子半徑越小、鍵長(zhǎng)越短、鍵能越大,晶體的熔、沸點(diǎn)越高,
如熔點(diǎn):金剛石〉碳化硅>晶體硅。
③分子晶體
a.分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體,熔、
沸點(diǎn)反常地高,如H2O>H2Te>H2Se>H2So
b.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越鹿,如
SnH4>GeH4>SiH4>CH4。
c.組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、
沸點(diǎn)越高,如CO>N2,CH3OH>CH3cH3。
d.同分異構(gòu)體,支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低,
如CH3—CH2—CH2—CH2—CH3>
CH
CH.—CH—CH,—CH;>CH,—C—CH;。
I,I
CH:;CH:t
④金屬晶體:一般來(lái)說(shuō),金屬陽(yáng)離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其
金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<AL
訓(xùn)練
1.根據(jù)表中給出物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)(AlCb沸點(diǎn)為260°C),判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤
的是()
晶體NaClMgOSiC14AlCb晶體硼
熔點(diǎn)/℃8012852-701802500
A.MgO中的離子鍵比NaCl中的離子鍵強(qiáng)
B.SiCh晶體是分子晶體
C.AlCb晶體是離子晶體
D.晶體硼是共價(jià)晶體
C[根據(jù)表中各物質(zhì)的熔點(diǎn),判斷晶體類型。NaCl和MgO是離子化合物,
形成離子晶體,故熔、沸點(diǎn)越高,說(shuō)明晶格能越大,離子鍵越強(qiáng),A項(xiàng)正確;
SiC14是共價(jià)化合物,熔、沸點(diǎn)較低,為分子晶體,硼為非金屬單質(zhì),熔、沸點(diǎn)
很高,是共價(jià)晶體,B、D項(xiàng)正確;AlCb雖是由活潑金屬和活潑非金屬形成的
化合物,但其晶體熔、沸點(diǎn)較低,應(yīng)屬于分子晶體,C項(xiàng)錯(cuò)誤。]
2.(l)Mn與Re屬于同一族,研究發(fā)現(xiàn),Mn的熔點(diǎn)明顯高于Re的熔點(diǎn),
原因可能是。
(2)CUSO4的熔點(diǎn)為560℃,CU(NO3)2的熔點(diǎn)為115℃,CuSO4熔點(diǎn)更高的
原因是_____________________________________________________________
(3)NaF的熔點(diǎn)(填”或[BF6的熔點(diǎn),
其原因是_________________________________________________________
(4)SiO2比C02熔點(diǎn)高的原因是___________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O
[答案](l)Mn的金屬鍵比Re的金屬鍵強(qiáng)
(2)CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO/所帶電荷比NOi■多,故C11SO4
離子鍵較強(qiáng),熔點(diǎn)較高
(3)>兩者均為離子化合物,且陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)均為1,但后者的離子
半徑較大,離子鍵較弱,因此其熔點(diǎn)較低
(4)Si(h為共價(jià)晶體,CO2為分子晶體
3.(1)(2019?全國(guó)I卷,節(jié)選)一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示:
氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2
熔點(diǎn)/℃1570280023.8-75.5
解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因:
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O
⑵(2020?山東等級(jí)考,節(jié)選)NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?/p>
(填化學(xué)式,下同),還原性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?/p>
,鍵角由大到小的順序?yàn)椤?/p>
[解析](l)Li2。、MgO為離子晶體,P4O6、SO2為分子晶體。離子鍵強(qiáng)度:
MgO>Li2O,分子間作用力(相對(duì)分子質(zhì)量):P4O6>SO2,所以熔點(diǎn)大小順序是
Mg0>Li20>P406>S02o⑵NH3中存在分子間氫鍵,導(dǎo)致其沸點(diǎn)比與N元素同
主族的P、As元素的氫化物PH3、AsH3的沸點(diǎn)要高,而PH3、AsH3中均不存在
分子間氫鍵,故影響PH3、AsHb沸點(diǎn)的因素為范德華力,相對(duì)分子質(zhì)量越大,
沸點(diǎn)越高,則沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹H3、ASH3、PH3O通常同主族元素隨著
原子序數(shù)的遞增,氣態(tài)氫化物的還原性逐漸增強(qiáng),則還原性由強(qiáng)到弱的順序是
ASH3、PH3、NH3,同主族元素,隨著原子序數(shù)的遞增,電負(fù)性逐漸減弱,則其
氣態(tài)氧化物中的成鍵電子對(duì)逐漸遠(yuǎn)離中心原子,致使成鍵電子對(duì)的排斥力降低,
鍵角逐漸減小,故鍵角由大到小的順序是NH3、PH3、ASH3O
[答案](l)Li2。、MgO為離子晶體,P4O6、SO2為分子晶體。離子鍵強(qiáng)度:
MgO>Li2O,分子間作用力(相對(duì)分子質(zhì)量):P4O6>SO2
(2)NH3、ASH3、PH3ASH3、PH3、NH3NH3、PH3、ASH3
[真題驗(yàn)收,新題預(yù)測(cè)湍潞二]
真題。驗(yàn)收
1.(2021?山東等級(jí)考,Ti6節(jié)選)非金屬氟化物在生產(chǎn)、生活和科研中應(yīng)用
廣泛?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基態(tài)F原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。
(2)0、F、C1電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?OF2分子的空間構(gòu)型為
;OF2的熔、沸點(diǎn)(填“高于”或“低于”)CLO,原因是
[解析](1)基態(tài)F原子共有9個(gè)核外電子,則每個(gè)電子都有對(duì)應(yīng)的軌道和自
旋狀態(tài),所以核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有9種。
(2)電負(fù)性一定程度上相當(dāng)于得電子能力,半徑越小,得電子能力越強(qiáng),電
負(fù)性越大,半徑由小到大的順序?yàn)镕、O、C1,所以電負(fù)性大小順序?yàn)镕>O>C1;
根據(jù)VSEPR理論有2+”手q=4,去掉2對(duì)瓠對(duì)電子,知OF2分子的空間構(gòu)
型是角(V)形;OF2和C12O都是分子晶體,結(jié)構(gòu)相似,OF2的相對(duì)分子質(zhì)量小,
熔、沸點(diǎn)低。
[答案](1)9⑵F>O>C1角(V)形低于OF2和C12O都是分子晶體,結(jié)
構(gòu)相似,OF2的相對(duì)分子質(zhì)量小
2.(2020?全國(guó)H卷,T35節(jié)選)Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如表所示,TiF4熔點(diǎn)高于
其他三種鹵化物,自TiCL至Tih熔點(diǎn)依次升高,原因是
化合物
TiF4TiChTiBr4Til4
熔點(diǎn)/℃377-24.1238.3155
[解析]TiF4為離子化合物,故熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物,TiCksTiBm、
Tih為共價(jià)化合物,且結(jié)構(gòu)相似,隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大分子間作用力增大,故
自TiCk至Tih熔點(diǎn)逐漸升高。
[答案]TiF4為離子化合物,熔點(diǎn)高,其他三種均為共價(jià)化合物,隨相對(duì)分
子質(zhì)量的增大分子間作用力增大,熔點(diǎn)逐漸升高
3.(2020?全國(guó)I卷,T35節(jié)選)LiFePCh的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如(a)所示。其中O
圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體,它們通過(guò)共頂點(diǎn)、共棱形成空間鏈
結(jié)構(gòu)。每個(gè)晶胞中含有LiFePCh的單元數(shù)有
(a)LiFePO4(b)Lii-xFePO4(c)FePO4
電池充電時(shí),LiFePCh脫出部分Li+,形成Lii-xFeP04,結(jié)構(gòu)示意圖如(b)
所示,則x=,zi(Fe2+)'?i(Fe3+)=。
[解析]由題圖可知,小白球表示鋰原子,由圖(a)知,每個(gè)晶胞中的鋰原子
數(shù)為8X1/84-4x1/4+4X1/2=4,故一個(gè)晶胞中有4個(gè)LiFePCh單元。由圖(b)
知,Li-xFePO4結(jié)構(gòu)中,一個(gè)晶胞含有13/4個(gè)鋰原子,此時(shí)鋰原子、鐵原子的
個(gè)數(shù)比為13:16,進(jìn)而推出x=3/16。設(shè)Lii3Fei6(PO4)i6中二價(jià)鐵離子的個(gè)數(shù)為
a,三價(jià)鐵離子的個(gè)數(shù)為九由2。+36+13=48,a+b=16,得到a"=13:3,
即
zi(Fe2+):n(Fe3+)=13:3。
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