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文檔簡介
半導體中的雜質(zhì)和缺陷
實際半導體晶格偏離理想情況雜質(zhì)缺陷原子在平衡位置附近振動雜質(zhì)和缺陷原子的周期性勢場受到破壞在禁帶中引入能級決定半導體的物理和化學性質(zhì)雜質(zhì)：半導體中存在的與本體元素不同的其它元素。缺陷點缺陷，如空位、間隙原子等線缺陷，如位錯等面缺陷，如層錯、晶粒間界等SiP●
Li雜質(zhì)出現(xiàn)在半導體中時，產(chǎn)生的附加勢場使嚴格的周期性勢場遭到破壞。雜質(zhì)能級位于禁帶之中EcEv雜質(zhì)能級
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