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文檔簡(jiǎn)介
課時(shí)分層作業(yè)(十九)
(建議用時(shí):25分鐘)
[合格基礎(chǔ)練]
1.下列敘述正確的是()
A.NazSiOs是硅酸鹽,但不能溶于水
B.電影銀幕用水玻璃浸泡,主要是了為防腐
C.建筑工業(yè)常用水玻璃作黏合劑
D.用水玻璃浸泡鐵道的木制枕木,主要是為了防火
C[NafiOs既是硅酸鹽,又是鈉鹽,硅酸鹽大多難溶于水,而鈉鹽均易溶于水;浸泡銀
幕主要是為了防火,而浸泡枕木主要是為了防腐;水玻璃有黏合作用,常作黏合劑。]
2.下列關(guān)于水玻璃的性質(zhì)和用途的敘述中不正確的是()
A.這是一種礦物膠,既不燃燒也不受腐蝕
B.在建筑工業(yè)上可以作黏合劑、耐酸水泥摻料
C.木材、織物浸過(guò)水玻璃后具有防腐性能且不易燃燒
D.水玻璃的試劑瓶可用磨口玻璃塞
D[水玻璃能夠粘結(jié)玻璃,試劑瓶塞應(yīng)用橡皮塞。]
3.下列說(shuō)法正確的是()
A.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)起反應(yīng)
B.SiOz是制造玻璃的主要原料之一,它在常溫下不與NaOH溶液反應(yīng)
C.電腦芯片的主要成分是SiOz
D.CO2通入水玻璃中可以得硅酸
D[A中硅常溫下能與F2、HF反應(yīng);B中SiOz常溫下可與NaOH溶液反應(yīng);C中電腦芯片
的主要成分是Si;D中反應(yīng)為NazSiOs+COz+HzOuHfiOs3+Na£03。]
4.昆侖玉的成分可簡(jiǎn)單看成是Ca2MgsSiGzSH),,則其用二氧化硅和金屬氧化物的形式可
表示為()
A.CaO?MgO?SiO2?H20
B.2CaO?5MgO?8SiO2?H20
C.2CaO?MgO?SiO2?2H20
D.5CaO?2MgO?8SiO2?H20
B[根據(jù)昆侖玉的化學(xué)式,將Ca、Mg、Si、H分別寫(xiě)成氧化物的形式,按較活潑金屬氧
化物一較不活潑金屬氧化物一SiOz-HzO的順序排列,再調(diào)整各氧化物前的計(jì)量數(shù)并使其與昆
侖玉化學(xué)式中一致,可得昆侖玉氧化物表示形式為2CaO-5MgO?8SiO2?上0。]
5.下列敘述正確的是()
A.CO?和SiO?都是酸性氧化物,所以?xún)烧呶锢硇再|(zhì)相似
高溫
B.因?yàn)镃aC03+Si02=CaSi0s+C02t,所以硅酸的酸性比碳酸強(qiáng)
C.CO?和SiO?都能與碳反應(yīng),且都作氧化劑
D.SiOz既能和NaOH反應(yīng),又能和HF反應(yīng),所以二氧化硅屬于兩性氧化物
C[CO?和SiO?都是酸性氧化物,和其物理性質(zhì)無(wú)因果關(guān)系,CO?熔、沸點(diǎn)低,硬度小,微
溶于水,Si02的熔、沸點(diǎn)高,硬度大,不溶于水。CO?和SiO?的物理性質(zhì)相差較大,A項(xiàng)不正
高溫
確;CaCO3+SiO2^=CaSiO3+CO2t,反應(yīng)進(jìn)行的原因是因?yàn)镾iO?沸點(diǎn)高,CO?沸點(diǎn)低,而“較
強(qiáng)酸制較弱的酸”是溶液中復(fù)分解反應(yīng)規(guī)律,B項(xiàng)不正確;CO?和SiO?都與碳反應(yīng),碳作還原
劑,CO?和SiOz作氧化劑,C項(xiàng)正確;SiO?與HF反應(yīng)是HF的特性,SiO,不與其他酸反應(yīng),故
SiOz不屬于兩性氧化物,D項(xiàng)不正確。]
6.為確認(rèn)HC1、H£03、HzSiOs的酸性強(qiáng)弱,某學(xué)生設(shè)計(jì)了如下圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置,一次實(shí)
驗(yàn)即可達(dá)到目的(不必選其他酸性物質(zhì))。請(qǐng)據(jù)此回答:
(1)錐形瓶中裝某可溶性正鹽溶液,分液漏斗所盛試劑應(yīng)為
(2)裝置B所盛的試劑是,其作用是
(3)裝置C所盛試劑是,C中反應(yīng)的離子方程式是
(4)由此得到的結(jié)論是:酸性>>o
[解析]根據(jù)強(qiáng)酸+弱酸鹽一弱酸+強(qiáng)酸鹽分析可知,分液漏斗中盛裝鹽酸,A中盛放
Na2C03,根據(jù)Na2C03+2HCl=2NaCH-H20+C02t可以知道酸性HC1強(qiáng)于H2CO3,然后將生成的
CO2通入NazSiOs溶液中,反應(yīng)為NaaSiOs+C02+H2O=H2SiO3I+Na2C03,由此判斷酸性
H2CO3>H2SiO3,但需注意的是A中反應(yīng)會(huì)有HC1氣體逸出,故通入NazSiOs溶液前需將HC1吸收,
但不能吸收CO2,故選用飽和NaHCOs溶液。
[答案](1)鹽酸(2)飽和NaHCOs溶液吸收HC1氣體(3)NazSi()3溶液SiO『+CO?+
H2O=H2SiO3I+COt(^SiOr+2CO2+2H2O=2HCOr+H2SiO3I)(4)HC1H2C03H2SiO3
[等級(jí)過(guò)關(guān)練]
7.將過(guò)量的CO?分別通入:①CaCL溶液②濃NazSiOs溶液③Ca(OH)?溶液④飽和NazCO:
溶液。最終溶液中有白色沉淀析出的是()
A.①②③④B.②④
C.①②③D.②③
B[CO?溶于水:C02+H20=H2C03,H2cO3的酸性比鹽酸弱,而比硅酸強(qiáng)。根據(jù)酸與鹽反應(yīng)
的規(guī)律,COz通入CaClz溶液無(wú)明顯現(xiàn)象;過(guò)量的COz通入濃NazSiOs溶液中有白色沉淀H2SiO3
生成;CO2通入Ca(OH)2溶液至過(guò)量,Ca(0H)2+C02=CaC03J+H2,CaCO3+H20+C02=Ca(HCO3)2,
最終生成Ca(HCO3)2而無(wú)沉淀;過(guò)量CO2通入飽和Na2cCh溶液中:Na2C03+H=0+C02=2NaHC03I,
生成的NaHCOs溶解度比NazCOs溶解度小而結(jié)晶析出。]
8.硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCL)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主
要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如圖所示:
跖英砂嗦耐573—,?上?際儂粗)產(chǎn)"
|高純硅I131K4SiHCb(純———
(1)寫(xiě)出由純SiHCL制備高純硅反應(yīng)化學(xué)的方程式:
(2)整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCL,遇水劇烈反應(yīng)生成HzSiOs、HC1和另一種
物質(zhì),寫(xiě)出配平的化學(xué)方程式:
也還原SiHCL過(guò)程中若混入可能引起的后果是
[解析](D根據(jù)質(zhì)量守恒定律可知,SiHCL與壓在高溫下反應(yīng),生成Si和HC1,反應(yīng)的
1357K
化學(xué)方程式為SiHCA+Hz=Si+3HClo(2)根據(jù)質(zhì)量守恒定律,SiHCL遇水劇烈反應(yīng)生成
H2SiO3>HC1和Hz,反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiHCl3+3H20=
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