納米材料與納米技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋魯東大學(xué)

納米材料與納米技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋魯東大學(xué)第一章單元測(cè)試

壁虎可以頭朝下在垂直墻面自由爬行是因?yàn)椋ǎ┑淖饔谩?/p>

A:吸盤B:范德華力C:粘液D:超能力

答案:范德華力DNA是由兩條多脫氧核苷酸鏈圍繞一個(gè)共同的中心軸盤繞，構(gòu)成雙螺旋結(jié)構(gòu)，DNA的直徑約為（）

A:100nmB:0.2nmC:2nmD:20nm

答案:2nm1999年巴西坎皮納斯大學(xué)的達(dá)尼埃爾·烏加爾特教授和美國(guó)佐治亞技術(shù)研究中心的沃特·希爾教授發(fā)明了世界上最小的“秤”，它是由（）材料制造的。

A:金B(yǎng):石墨烯C:硅D:碳納米管

答案:碳納米管藍(lán)閃蝶的翅膀呈現(xiàn)出耀眼的藍(lán)色是因?yàn)槠澉[片具有（）

A:黑色色素B:藍(lán)色色素C:藍(lán)色絨毛D:復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)

答案:復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)荷葉的自清潔效應(yīng)是因?yàn)楹扇~表面具有（）

A:親水性B:排斥性C:兩親性D:疏水性

答案:疏水性1990年，IBM公司用掃描隧道顯微鏡（STM)S實(shí)現(xiàn)了“讓原子排隊(duì)”，把35個(gè)（）原子排成“IBM”。

A:氫B:氦C:氧D:氙

答案:氙原子力顯微鏡（atomicforcemicroscope，簡(jiǎn)稱AFM）也稱（），是由IBM蘇黎士研究實(shí)驗(yàn)室的GerdBinning、CalvinQuate和ChristophGerber于1986年發(fā)明的。

A:掃描力顯微鏡B:掃描電子顯微鏡C:掃描透射顯微鏡D:掃描隧道顯微鏡

答案:掃描力顯微鏡“C60分子”包含有()個(gè)五邊形和（）個(gè)六邊形。

A:12；20B:20；12C:12；12D:16；20

答案:12；20二維納米材料是指兩個(gè)維度方向上為納米尺寸的材料。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)納米微粒屬于零維納米材料，其形態(tài)是球形。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第二章單元測(cè)試

球形納米顆粒的比表面積是指（）

A:表面積/直徑B:體積/表面積C:表面積/體積D:體積/直徑

答案:表面積/體積納米材料相比常規(guī)材料的表面積增加，表面能（）

A:增加B:不變C:不一定D:減少

答案:增加在制造變壓器的鐵芯或電磁鐵時(shí)，需要選擇矯頑力（）材料？以使電流切斷后盡快消失磁性。

A:任意B:大C:小

答案:小隱身戰(zhàn)斗機(jī)外表所包覆的材料中就包含有多種納米超微顆粒，它們對(duì)不同波段的電磁波有強(qiáng)烈的（）能力，以欺騙雷達(dá)，達(dá)到隱形目的。

A:衍射B:反射C:吸收

答案:吸收電源轉(zhuǎn)換器中的磁性材料使用的是（）

A:硬磁材料B:軟磁材料

答案:軟磁材料常溫常壓下，當(dāng)納米顆粒粒徑低于臨界尺寸時(shí)，量子尺寸效應(yīng)造成的能級(jí)離散性，所以材料的電阻（）

A:不一定B:不變C:降低D:升高

答案:升高光催化是當(dāng)半導(dǎo)體氧化物納米粒子受到大于禁帶寬度能量的光子照射后，電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，電子具有（)，空穴具有()。

A:還原性、氧化性B:氧化性、還原性C:氧化性、氧化性D:還原性、還原性

答案:還原性、氧化性納米微粒的量子尺寸效應(yīng)等使SiC和SiN等的吸收帶短波方向移動(dòng)，即出現(xiàn)（）現(xiàn)象。

A:紅移B:藍(lán)移C:紫移

答案:藍(lán)移量子尺寸效應(yīng)是指當(dāng)粒子尺寸下降到某一數(shù)值時(shí)，費(fèi)米能級(jí)附近的電子能級(jí)由離散變?yōu)闇?zhǔn)連續(xù)的現(xiàn)象。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)幾乎所有金屬在超微顆粒狀態(tài)都呈現(xiàn)為黑色。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

在溶膠-凝膠技術(shù)中，前驅(qū)體（金屬醇鹽或無(wú)機(jī)鹽）經(jīng)水解會(huì)形成（）。

A:納米粉體B:凝膠C:溶膠D:膠束

答案:溶膠微乳液是由兩種互不相溶液體在（）的作用下形成的熱力學(xué)穩(wěn)定的、各向同性、外觀透明或半透明的液體分散體系。

A:沉淀劑B:表面張力C:催化劑D:表面活性劑

答案:表面活性劑在液體介質(zhì)中，可采用哪些方法對(duì)納米粒子進(jìn)行分散？

A:共沸蒸餾B:加入分散劑C:有機(jī)物洗滌D:超聲分散

答案:共沸蒸餾；加入分散劑；有機(jī)物洗滌；超聲分散采用電阻加熱法制備納米粉體時(shí)，使用的加熱裝置是（）。

A:電子束B:高頻感應(yīng)線圈C:鎢電阻加熱器D:石墨加熱器

答案:鎢電阻加熱器；石墨加熱器以下制備納米粉體的方法中，屬于物理方法的是（）。

A:水熱法B:高溫蔓延合成法C:高能球磨法D:蒸發(fā)冷凝法

答案:高能球磨法；蒸發(fā)冷凝法在高能球磨法中，應(yīng)根據(jù)物料的性質(zhì)選取球磨罐及磨球的材質(zhì)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)采用高頻感應(yīng)法可制備低熔點(diǎn)金屬的納米粒子。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)在混合等離子法中，采用直流等離子電弧束主要是用來(lái)防止射頻等離子弧束受干擾。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)采用沉淀法制備納米粉體時(shí)，沉淀物的粒徑取決于核形成與核成長(zhǎng)的相對(duì)速度。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)硬團(tuán)聚形成的原因包括靜電力、范德華力以及化學(xué)鍵的作用。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

Shyne和Milewski在20世紀(jì)60年代提出晶須生長(zhǎng)的VLS機(jī)理，VLS法生長(zhǎng)的納米線直徑取決于（）

A:氣相反應(yīng)物B:反應(yīng)溫度C:催化劑尺寸D:反應(yīng)時(shí)間

答案:催化劑尺寸利用激光脈沖束將硅靶材瞬間加熱后經(jīng)過(guò)（）過(guò)程得到Si納米線。

A:液滴成核-氣化-固化析出-納米線B:氣化-液滴成核-固化析出-納米線C:液滴成核-氣化-納米線-固化析出D:氣化-固化析出-液滴成核-納米線

答案:氣化-液滴成核-固化析出-納米線以SnO粉作為熱蒸發(fā)的原料，SnO在一定溫度下分解低熔點(diǎn)的Sn，Sn吸附氣相分子SnO和O2生成過(guò)飽和的SnO2析出，最終形成SnO2納米線，屬于（）

A:VLS生長(zhǎng)法B:自催化VLS生長(zhǎng)法C:VS生長(zhǎng)D:SLS生長(zhǎng)法

答案:自催化VLS生長(zhǎng)法模板法是利用具有納米結(jié)構(gòu)的且形狀容易控制的物質(zhì)作為模板（模子），通常有硬模板和軟模板之分，下面屬于軟模板的是（）

A:陽(yáng)極氧化鋁膜B:高分子模板C:膠態(tài)晶體D:液晶模板

答案:液晶模板納米線通過(guò)VLS法生長(zhǎng)過(guò)程中，由于溫度降低，合金液滴凝固成固體顆粒，導(dǎo)致（）

A:反應(yīng)開始B:反應(yīng)停止C:納米線生長(zhǎng)D:固體析出

答案:反應(yīng)停止制備氧化鋁模板時(shí)需對(duì)鋁片進(jìn)行預(yù)處理，為了消除鋁片內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力的過(guò)程是（）

A:陰極氧化B:丙酮清洗C:電化學(xué)拋光D:退火

答案:退火當(dāng)螺旋角0°<θ<30°之間時(shí)，卷成的碳納米管稱為（）型

A:扶手椅B:鋸齒C:螺旋D:拉鏈

答案:螺旋碳納米管可具有吸附氣體的性質(zhì)，由此可以作為氣體檢測(cè)裝置的良好材料，可通過(guò)測(cè)量（）的變化來(lái)檢測(cè)氣體成分。

A:電流B:電阻C:電壓D:體積

答案:電阻當(dāng)表面活性劑分子濃度達(dá)到臨界膠束濃度時(shí)，表面活性劑分子在溶劑中開始形成膠束，臨界膠束濃度越小說(shuō)明表面活性劑形成膠束能力（）

A:無(wú)關(guān)B:越強(qiáng)C:越弱D:不一定

答案:越強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（CVD）法的源材料直接為氣體，在高溫或等離子條件下生長(zhǎng)一維納米材料。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

真空蒸發(fā)制膜中，蒸發(fā)源在高溫下會(huì)放氣，所以，在蒸發(fā)源通電加熱之前，可以（），然后對(duì)膜材加熱去氣。

A:用擋板擋住基片B:提高真空度C:提高真空室溫度D:增加蒸發(fā)源到基片的距離

答案:用擋板擋住基片直流濺射是利用直流輝光放電產(chǎn)生離子轟擊靶材進(jìn)行濺射鍍膜的技術(shù)，靶材固定在（）極。

A:陰B:陽(yáng)C:空

答案:陰通過(guò)物理法和化學(xué)法可以得到所需的納米薄膜材料，屬于物理法制備納米薄膜材料的是（）

A:溶膠-凝膠法B:磁控濺射法C:激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積D:金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積

答案:磁控濺射法兩極間接上射頻電源后，兩極間等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在基板表面成膜的技術(shù)是（）

A:磁控濺射B:直接三級(jí)濺射C:射頻濺射D:直流二級(jí)濺射

答案:射頻濺射在清潔的超高真空環(huán)境下，是具有一定熱能的一種或多種分子束流噴射到晶體襯底，在襯底表面發(fā)生反應(yīng)的成膜的技術(shù)是（）

A:多弧離子鍍B:化學(xué)氣相沉積C:分子束外延D:離子束輔助沉積

答案:分子束外延基片浸入預(yù)先制備好的溶膠中，以一定的速度將基片向上提出液面，這時(shí)在基片上會(huì)形成一層均勻的液膜，這種方法是（）

A:噴涂法B:刷涂法C:旋覆法D:浸漬提拉法

答案:浸漬提拉法觀察裝置圖，我們可以看出這是（）方法制備納米薄膜。

A:磁控濺射B:三級(jí)濺射C:四級(jí)濺射D:二級(jí)濺射

答案:四級(jí)濺射磁控濺射與二級(jí)濺射相比的特點(diǎn)是（）

A:靶材利用率高B:基片溫度低、損傷小C:鍍膜速率慢D:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單

答案:基片溫度低、損傷小制備好的溶膠可通過(guò)（）方法實(shí)現(xiàn)成膜。

A:旋覆法B:等離子體法C:浸漬提拉法D:噴涂法

答案:旋覆法；浸漬提拉法；噴涂法利用化學(xué)氣相沉積法制備Si納米薄膜只能通過(guò)熱分解反應(yīng)制得。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第六章單元測(cè)試

通過(guò)人工手段把原子或分子一層一層淀積來(lái)形成新的晶體結(jié)構(gòu)，從而造出新的物質(zhì)或者新的器件，這種方式稱為（）。

A:“自上而下”的納米加工技術(shù)B:“自下而上”的納米加工技術(shù)

答案:“自下而上”的納米加工技術(shù)X射線光刻技術(shù)與傳統(tǒng)光刻技術(shù)相比，是通過(guò)（）的手段來(lái)提高分辨率的。

A:減小波長(zhǎng)B:增加數(shù)值孔徑C:減小與系統(tǒng)有關(guān)的常數(shù)值

答案:減小波長(zhǎng)納米壓印技術(shù)的加工分辨率與（）有關(guān)。

A:曝光波長(zhǎng)B:數(shù)值孔徑C:模板圖案尺寸

答案:模板圖案尺寸在溫和的溶液中，氧化鋅納米棒會(huì)自組裝成為花狀聚集體,其誘導(dǎo)力主要為（）。

A:范德華力B:表面張力C:靜電力D:自組裝力

答案:靜電力取向搭接自組裝是指在其他內(nèi)部驅(qū)動(dòng)力較弱情況下，納米晶粒以相同的（）相互結(jié)合在一起形成有序圖案。

A:晶粒尺寸B:晶面C:晶體結(jié)構(gòu)

答案:晶面微乳液法也稱作表面活性劑模板法，其利用表面活性劑分子在溶液中可聚集形成的有序微結(jié)構(gòu)包括（）。

A:膠團(tuán)B:沉淀C:凝膠D:微乳液

答案:膠團(tuán)；微乳液微接觸印刷是一種用彈性模板結(jié)合自組裝單分子層技術(shù)在基片上印刷圖形的技術(shù)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)自組裝能否實(shí)現(xiàn)，取決于基本結(jié)構(gòu)單元的特性，比如表面形貌、形狀、表面功能團(tuán)和表面電勢(shì)等，組裝完成后其最終的結(jié)構(gòu)具有最低的自由能。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)分辨率決定了芯片上單個(gè)器件的最小尺寸。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)刻蝕催化圖形自組裝是通過(guò)刻蝕技術(shù)在100nm范圍內(nèi)形成可用于催化生長(zhǎng)的周期性排布的納米圖案。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

激光粒度儀分析利用顆粒對(duì)光的散射現(xiàn)象測(cè)量顆粒大小，其中根據(jù)散射光的強(qiáng)度可以估計(jì)顆粒的（）。

A:粒徑尺寸B:表面積C:體積D:數(shù)量

答案:數(shù)量樣品經(jīng)激光粒度儀檢測(cè)后，對(duì)粒度分析結(jié)果的表示方法有（）。

A:函數(shù)法B:圖形法C:表格法D:坐標(biāo)法

答案:函數(shù)法；圖形法；表格法電鏡-能譜分析方法是將EDS能譜儀和掃描電鏡或者透射電鏡聯(lián)用，在真空室下用電子束轟擊樣品表面，激發(fā)物質(zhì)發(fā)射出特征X射線進(jìn)行定性與半定量分析物質(zhì)元素。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)X射線熒光光譜儀是一種快速的、非破壞式的物質(zhì)測(cè)量方法，是用高能量X射線轟擊材料時(shí)激發(fā)出的次級(jí)X射線進(jìn)行元素分析檢測(cè)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)能量色散型光譜儀的靈敏度比波長(zhǎng)色散型光譜儀的靈敏度（）。

A:低B:高

答案:高激光拉曼光譜法是以拉曼散射為理論基礎(chǔ)的一種光譜分析方法，激發(fā)光的（）與作為散射中心的分子相互作用時(shí)發(fā)生了能量交換。

A:光子B:激子C:中子D:電子

答案:光子采用高頻電源來(lái)產(chǎn)生等離子體，激發(fā)態(tài)的粒子回收到穩(wěn)定的基態(tài)時(shí)要放出一定的能量(表現(xiàn)為一定波長(zhǎng)的光譜)，測(cè)定每種元素特有的譜線和強(qiáng)度的方法是（）

A:飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法B:電感耦合等離子體質(zhì)譜分析C:電感耦合等離子體光譜分析D:X射線光電子能譜分析

答案:電感耦合等離子體光譜分析電感耦合等離子體質(zhì)譜利用電感