冶金傳輸原理-質(zhì)量傳輸-第9章第10章-試題庫學(xué)習(xí)資料_第1頁
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文檔簡介

第9、10章質(zhì)量傳輸基本概念題1、由O2(組分A)和CO2（組分B）構(gòu)成的二元系統(tǒng)中發(fā)生一維穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。已知試計(jì)算：（1）解：（1）則（2）則（3）則題2、在101.3Kpa,52K條件下，某混合氣體各組分的摩爾分?jǐn)?shù)分別為：CO2為0.080；O2為0.035；H2O為0.160；N2為0.725。各組分在z方向的絕對速度分別為：2.44m/s;3.66m/s;5.49m/s;3.96m/s。試計(jì)算：（1）混合氣體的質(zhì)量平均速度u;(2)混合氣體的摩爾平均速度um;(3)組分CO2的質(zhì)量通量（4）組分CO2的摩爾通量解：已知（1）（2）（3）（4）題3、求1.013×105Pa氣壓下，298K的空氣與飽和水和水蒸氣的混合物中的水蒸氣濃度。已知該溫度下飽和水蒸氣壓強(qiáng)pA=0.03168×105Pa,水的相對分子質(zhì)量MA=18，空氣相對分子質(zhì)量MB=28.9.解：空氣的分壓水蒸氣濃度摩爾分?jǐn)?shù)質(zhì)量分?jǐn)?shù)物質(zhì)的量濃度質(zhì)量濃度題4、半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝中，包圍硅片的氣體中含有大量的雜質(zhì)原子，雜質(zhì)不斷地通過硅片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，在以下兩種情況下試確定該硅片的邊界條件。（1）半導(dǎo)體的擴(kuò)散工藝是恒定表面濃度擴(kuò)散，即硅片表面的雜質(zhì)濃度保持一定；（2）半導(dǎo)體的擴(kuò)散工藝是限定源擴(kuò)散，沒有外來的雜質(zhì)通過硅片表面進(jìn)入硅片。解：（1）由于半導(dǎo)體的擴(kuò)散工藝是恒定表面濃度擴(kuò)散，硅片的邊界就是它的表面z=0和z=l,可以看成一維問題，邊界上雜質(zhì)的濃度保持為常數(shù)c0,此時邊界條件可寫為（2）由于半導(dǎo)體的擴(kuò)散工藝是限定源擴(kuò)散，沒有外來的雜質(zhì)通過硅片，僅有硅片表面已有的雜質(zhì)向

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