高中化學(xué)同步講義（選擇性必修二）第19講 3.7過渡晶體與混合晶體（教師版）

第19課過渡晶體與混合晶體

1.認(rèn)識(shí)過渡晶體和混合晶體結(jié)構(gòu)。

2.了解過渡晶體和混合晶體晶體的性質(zhì)。

一、過渡晶體

1.定義：介于典型晶體之間的晶體

2.第3周期元素氧化物的晶體類型不同及其原因：

（1）第三周期元素的氧化物中，化學(xué)鍵中離子鍵的百分?jǐn)?shù)

①化學(xué)鍵既不是純粹的離子鍵，也不是純粹的共價(jià)鍵；

②離子鍵的百分?jǐn)?shù)大于50%,當(dāng)作離子晶體處理；離子鍵的百分?jǐn)?shù)小于50%，偏向共價(jià)晶體,當(dāng)作共價(jià)晶體處

理；

③P2O5、SO3、Cl2O7等離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更小，共價(jià)鍵不再貫穿整個(gè)晶體，作分子晶體處理。

④一般,當(dāng)電負(fù)性的差值χ>1.7時(shí)，離子鍵的百分?jǐn)?shù)大于50%。可認(rèn)為是離子晶體。電負(fù)性差值越大，離子

鍵的百分?jǐn)?shù)越大?！?/p>

（2）第3周期元素氧化物的晶體類型

①純粹的典型晶體不多，大多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。

②一般偏向離子晶體的過渡晶體在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，通常當(dāng)作離子晶體來處理，如Na2O。

③偏向共價(jià)晶體的過渡晶體則當(dāng)作共價(jià)晶體來處理，如Al2O3、SiO2等。

④P2O5、SO3、Cl2O7等則視為分子晶體。

3.規(guī)律：

（1）四種典型晶體類型都存在過渡晶體；

（2）晶體性質(zhì)偏向某一晶體類型的過渡晶體通常當(dāng)作該晶體類型處理。

4.離子鍵的呈現(xiàn)規(guī)律：同周期主族元素從左到右，最高價(jià)氧化物中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)逐漸減小。

1

二、混合型晶體——石墨

1.概念：晶體內(nèi)同時(shí)存在若干種不同的作用力，具有若干種晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

2.石墨晶體結(jié)構(gòu)

(1)晶體模型

(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

①同層內(nèi)，碳原子采用sp2雜化，以共價(jià)鍵相結(jié)合形成正六邊形平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。所有碳原子的p軌道平行且

相互重疊，p電子可在整個(gè)平面中運(yùn)動(dòng)。

②層內(nèi)的碳原子的核間距為142pm,層間距離為335pm,說明層間沒有化學(xué)鍵相連，是靠范德華力維系的。

③最小的環(huán)：六元環(huán)。石墨中每個(gè)碳原子采取sp2雜化，形成3個(gè)sp2雜化軌道，分別與相鄰的3個(gè)碳原子

的sp2雜化軌道重疊形成鍵，6個(gè)碳原子在同一平面上形成正六邊形的環(huán)，伸展形成平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)，由

1

于每個(gè)碳原子為三個(gè)六元環(huán)所共用，即每個(gè)六元環(huán)擁有的碳原子數(shù)為6×=2，碳碳鍵為兩個(gè)六元環(huán)所共用，

3

1

每個(gè)六元環(huán)擁有的碳碳鍵數(shù)為6×=3,鍵角為120°。

2

④每個(gè)碳原子的配位數(shù)為3，每個(gè)碳原子還有1個(gè)與碳環(huán)平面垂直的未參與雜化的2p軌道，并含有1個(gè)未

成對(duì)電子，這些2p軌道互相平行，并垂直于碳原子sp2雜化軌道構(gòu)成的平面。由于所有的p軌道相互平行

而且相互重疊，使p軌道中的電子可在整個(gè)碳原子平面中運(yùn)動(dòng)。因此，石墨有類似金屬晶體的導(dǎo)電性，而

且，由于相鄰碳原子平面之間相隔較遠(yuǎn)，電子不能從一個(gè)平面跳躍到另一個(gè)平面，所以石墨的導(dǎo)電性只能

沿石墨平面的方向。

(3)晶體類型：既有共價(jià)鍵又有范德華力，同時(shí)還存在類似金屬鍵的作用力，兼具共價(jià)晶體、分子晶體、金

屬晶體特征的晶體，稱為混合型晶體。

(4)性質(zhì)：一種結(jié)晶形碳,灰黑色，成葉片狀、鱗片狀和致密塊狀，熔點(diǎn)很高（層內(nèi)碳原子之間全部為共價(jià)鍵，

共價(jià)鍵能大）、質(zhì)軟（具滑膩感）（原因：層與層之間依靠范德華力結(jié)合，范德華力小，層之間易于斷開

滑動(dòng)）、易導(dǎo)電（原因：石墨層中每個(gè)碳原子未雜化的平行P軌道上的電子形成離域大π鍵，其電子可在層

內(nèi)運(yùn)動(dòng)，成為自由電子）。化學(xué)性質(zhì)不活潑，耐腐蝕，在空氣或氧氣中強(qiáng)熱可以燃燒生成CO2。

(5)石墨用途：石墨可用作潤滑劑，可用于制造坩堝、電極、鉛筆芯等。

【研究與實(shí)踐-明礬晶體的制備p93】

1.有關(guān)明礬晶體四個(gè)知識(shí)點(diǎn)：

(1)明礬晶體的化學(xué)式為KAI(SO4)2?12H2O或K2SO4·Al2(SO4)3·24H20。

(2)明礬晶體易溶于水。

2

(3)明礬晶體在水中電離出K+和A13+兩種金屬陽離子和一種陰離子，它是一種復(fù)鹽。

(4)明礬晶體在水中發(fā)生水解反應(yīng)生成氫氧化鋁膠體，它可用作自來水的凈水劑。

2.【結(jié)果與討論】參考答案：

(2)問題一：因?yàn)殡s質(zhì)的存在會(huì)影響晶體生長的速度和大小。

問題二：晶種懸掛在溶液中央位置，有利于離子對(duì)稱地?cái)U(kuò)散、溶角解與結(jié)晶，有利于獲得外形對(duì)稱性較好

的晶體。如果晶體離燒杯底部太近，由于有沉底晶體生成，會(huì)與晶體長在一起，使得晶體形狀不規(guī)則；若

晶種離溶液表面太近，或靠近燒杯壁，都會(huì)產(chǎn)生同樣的結(jié)果。

(3)稱取約60g明礬，量取60mL蒸餾水倒入100mL燒杯中，將明礬溶解于水，邊攪拌邊加熱，加熱到90℃。

選擇晶形規(guī)則的晶體作得為晶種，用棉線拴住，待溶液溫度約下降5一6℃后，再將其吊在上方，使得晶體

處于溶液的中心位置。30min后，就會(huì)很明顯地觀象到約有1cm3大小的規(guī)則的八面體結(jié)構(gòu)的明礬晶體出現(xiàn)。

在此過程中，每隔幾分鐘，就可以觀察到晶體大小的明顯變化（此方案僅作參考)。

三、晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較

1．不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較

(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。

(2)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。

2．同種類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較

(1)共價(jià)晶體

原子半徑越小→鍵長越短→鍵能越大→熔、沸點(diǎn)越高，如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>硅。

(2)離子晶體

①一般地說,陰、陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越

高,如熔點(diǎn):MgO>NaCl>CsCl。

②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔、沸點(diǎn)越高,硬度越大。

(3)分子晶體

①分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常得高,如H2O>H2Te>H2Se>H2S。

②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。

③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如CO>N2、

CH3OH>CH3CH3。

④同分異構(gòu)體支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。如CH3CH2CH2CH2CH3>CH3CH(CH3)CH2CH3>CH3C(CH3)2CH3。

(4)金屬晶體

金屬離子半徑越小,離子電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。

?問題一過渡晶體概念及性質(zhì)

3

【典例1】下列說法不正確的是

A．Na2O中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為62%，則Na2O不是純粹的離子晶體，是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶

體

B．Na2O通常當(dāng)作離子晶體來處理，因?yàn)镹a2O是偏向離子晶體的非過渡晶體，在許多性質(zhì)上與純粹的離

子晶體接近

C．Al2O3是偏向共價(jià)晶體的過渡晶體，當(dāng)作共價(jià)晶體來處理；SiO2是偏向共價(jià)晶體的過渡晶體，當(dāng)作共價(jià)

晶體來處理

D．分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過渡型

【答案】B

【解析】A．Na2O中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為62%，還存在共價(jià)鍵，則Na2O不是純粹的離子晶體，是離子晶體

與共價(jià)晶體之間的過渡晶體，故A正確；B．Na2O通常當(dāng)作離子晶體來處理，因?yàn)镹a2O是偏向離子晶體

的過渡晶體，在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，是過渡晶體而不是非過渡晶體，故B錯(cuò)誤；C．Al2O3、

SiO2均是偏向共價(jià)晶體的過渡晶體，當(dāng)作共價(jià)晶體來處理，故C正確；D．根據(jù)微粒間存在的作用力分析，

分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過渡型；故D正確；故選B。

【解題必備】①純粹的典型晶體不多，大多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。

②一般偏向離子晶體的過渡晶體在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，通常當(dāng)作離子晶體來處理，如Na2O。

③偏向共價(jià)晶體的過渡晶體則當(dāng)作共價(jià)晶體來處理，如Al2O3、SiO2等。

④P2O5、SO3、Cl2O7等則視為分子晶體。

【變式1-1】下列晶體中屬于共價(jià)型過渡晶體的是

A．Al2O3B．Na2OC．NaOHD．石墨

【答案】A

【解析】A．Al2O3是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶體，偏向共價(jià)晶體，可當(dāng)作共價(jià)晶體處理，A符合

題意；B．Na2O是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶體，偏向離子晶體，B不符合題意；C．NaOH屬于離

子鍵構(gòu)成的離子晶體，C不符合題意；D．石墨是混合型晶體，不屬于共價(jià)型過渡晶體，D不符合題意；故

選A。

【變式1-2】下列關(guān)于過渡晶體的說法正確的是

A．石墨屬于過渡晶體

B．SiO2屬于過渡晶體，但當(dāng)作共價(jià)晶體來處理

C．絕大多數(shù)含有離子鍵的晶體都是典型的離子晶體

D．Na2O晶體中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為100%

【答案】B

【解析】A．石墨為混合晶體，只含一種物質(zhì)，不屬于過渡晶體，故A錯(cuò)誤；B．SiO2屬于過渡晶體，但性

質(zhì)上更偏向共價(jià)晶體，故當(dāng)作共價(jià)晶體來處理，故B正確；C．大多數(shù)含有離子鍵的晶體不是典型的離子晶

4

體，而是過渡晶體，故C錯(cuò)誤；D．金屬性越強(qiáng)，氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)越大，電負(fù)性相差越大，離子鍵

百分?jǐn)?shù)越大，與電負(fù)性有關(guān)，Na2O晶體中離子鍵的百分?jǐn)?shù)是62%，故D錯(cuò)誤；故選：B。

?問題二混合晶體結(jié)構(gòu)及性質(zhì)

【典例2】石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)(如圖)。以下有關(guān)石墨晶體的說法正確的一組是

①石墨中的C為sp3雜化；②石墨是混合晶體；③每個(gè)六元環(huán)完全占有的碳原子數(shù)是2個(gè)；④石墨熔點(diǎn)、沸

點(diǎn)都比金剛石低；⑤石墨中碳原子數(shù)和C—C鍵之比為1：2；⑥石墨和金剛石的硬度相同；⑦石墨層內(nèi)導(dǎo)

電性和層間導(dǎo)電性不同；A．①②④B．①②⑥C．②③⑦D．②

④⑤

【答案】C

【解析】①石墨層內(nèi)為平面結(jié)構(gòu)，因此石墨中的C為sp2雜化，錯(cuò)誤；②石墨中存在范德華力和共價(jià)鍵，還

有金屬鍵的特性，故石墨晶體兼有共價(jià)晶體、分子晶體、金屬晶體的特征，屬于混合晶體，正確；③每個(gè)

1

六元環(huán)全占有的碳原子數(shù)是6×=2，正確；④石墨的熔點(diǎn)比金剛石的高，錯(cuò)誤；⑤石墨中每個(gè)碳原子成3

3

個(gè)共價(jià)鍵，因此石墨中碳原子數(shù)和C-C個(gè)數(shù)之比為2:3，錯(cuò)誤；⑥石墨質(zhì)軟，金剛石的硬度大，錯(cuò)誤；⑦石

墨層內(nèi)存在大π鍵，電子能自由移動(dòng)，能夠?qū)щ?，而在層間只存在分子間作用力，因此層內(nèi)和層間導(dǎo)電性不

同，正確；故選：C。

【解題必備】1.混合晶體的概念：晶體內(nèi)同時(shí)存在若干種不同的作用力，具有若干種晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

2.石墨晶體的性質(zhì)：

（1）熔點(diǎn)很高（層內(nèi)碳原子之間全部為共價(jià)鍵，共價(jià)鍵能大）；

（2）質(zhì)軟（具滑膩感）（原因：層與層之間依靠范德華力結(jié)合，范德華力小，層之間易于斷開滑動(dòng)）；

（3）易導(dǎo)電（原因：石墨層中每個(gè)碳原子未雜化的平行P軌道上的電子形成離域大π鍵，其電子可在層內(nèi)

運(yùn)動(dòng)，成為自由電子）。

【變式2-1】氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)，六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，

有白色石墨之稱，具有電絕緣性，可作高溫潤滑劑。立方相氮化硼是超硬材料，硬度可媲美鉆石，常被用

作磨料和刀具材料。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，關(guān)于兩種晶體的說法，錯(cuò)誤的是

5

A．六方相氮化硼屬于混合晶體，其層間是靠范德華力維系，所以質(zhì)地軟

B．立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵，所以硬度大

C．六方氮化硼不能導(dǎo)電是因?yàn)槠鋵咏Y(jié)構(gòu)中沒有自由電子

D．相同質(zhì)量的六方相氮化硼和立方相氮化硼所含共價(jià)鍵數(shù)不相同

【答案】B

【解析】A.六方相氮化硼與石墨晶體相同，屬于混合晶體，其層間是靠范德華力維系，所以質(zhì)地軟，A正

確；B.立方相氮化硼含有共價(jià)鍵和配位鍵，為σ鍵，所以硬度大，B錯(cuò)誤；C.石墨層內(nèi)導(dǎo)電是由于層內(nèi)碳原

子形成大π鍵，有自由移動(dòng)的電子，而六方氮化硼不能導(dǎo)電是因?yàn)槠鋵咏Y(jié)構(gòu)中沒有自由電子，C正確；D.

六方相氮化硼中每個(gè)原子合1.5條鍵，而立方相氮化硼中每個(gè)原子合2條鍵，則相同質(zhì)量的六方相氮化硼和

立方相氮化硼所含共價(jià)鍵數(shù)不相同，D正確；答案為B

【變式2-2】下列有關(guān)石墨晶體的說法正確的是()

A．由于石墨晶體導(dǎo)電，所以它是金屬晶體

B．由于石墨的熔點(diǎn)很高，所以它是原子晶體

C．由于石墨質(zhì)軟，所以它是分子晶體

D．石墨晶體是一種混合晶體

【答案】D

【解析】石墨能導(dǎo)電、熔沸點(diǎn)高、質(zhì)軟，是因?yàn)槠渚w結(jié)構(gòu)中既有金屬鍵，又有共價(jià)鍵，還有范德華力，

因此它是一種混合晶體。答案選D。

?問題三晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較

【典例3】下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較，正確的是

A．SiO2<CO2B．CCl4<CF4C．HF>HID．NaCl<HCl

【答案】C

【分析】不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較：一般來說，原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；分子晶體中含有

氫鍵的熔沸點(diǎn)較高；同種類型的分子晶體相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高。

【解析】A、SiO2為原子晶體，CO2為分子晶體，熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋篠iO2＞CO2，故A錯(cuò)誤；B、CCl4與

CF4都為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，正確順序應(yīng)為：CCl4＞CF4，故B錯(cuò)誤；C、HF與

HI都為分子晶體，HF能形成分子間氫鍵，則熔沸點(diǎn)較高，所以順序?yàn)椋篐F＞HI，故C正確；D、NaCl是

離子晶體，HCl是分子晶體，則熔沸點(diǎn)順序?yàn)椋篘aCl＞HCl，故D錯(cuò)誤；故選C。

【解題必備】晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較

1．不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較

(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。

(2)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。

2．同種類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較

(1)共價(jià)晶體

6

原子半徑越小→鍵長越短→鍵能越大→熔、沸點(diǎn)越高，如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>硅。

(2)離子晶體

①一般地說,陰、陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越

高,如熔點(diǎn):MgO>NaCl>CsCl。

②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔、沸點(diǎn)越高,硬度越大。

(3)分子晶體

①分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常得高,如H2O>H2Te>H2Se>H2S。

②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。

③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如CO>N2、

CH3OH>CH3CH3。

④同分異構(gòu)體支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。如CH3CH2CH2CH2CH3>CH3CH(CH3)CH2CH3>CH3C(CH3)2CH3。

(4)金屬晶體

金屬離子半徑越小,離子電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。

【變式3-1】下列分子晶體中，關(guān)于熔、沸點(diǎn)高低的敘述正確的是

A．Cl2＞I2

B．SiCl4＜CCl4

C．NH3＞PH3

D．C(CH3)4＞CH3CH2CH2CH2CH3

【答案】C

【解析】A．氯氣和碘分子結(jié)構(gòu)相似，均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，因此熔、沸點(diǎn)：

Cl2＜I2，故A錯(cuò)誤；B．四氯化硅與四氯化碳分子結(jié)構(gòu)相似，均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)

越高，因此熔、沸點(diǎn)：SiCl4＞CCl4，故B錯(cuò)誤；C．氨氣和磷化氫分子結(jié)構(gòu)相似，均屬于分子晶體，但是氨

氣分子間存在氫鍵，熔、沸點(diǎn)高，所以熔、沸點(diǎn)：NH3＞PH3，故C正確；D．兩種有機(jī)物分子式相同，但

分子結(jié)構(gòu)不同，屬于同分異構(gòu)體關(guān)系，分子中支鏈少的熔、沸點(diǎn)高，因此熔、沸點(diǎn)：C(CH3)4＜

CH3CH2CH2CH2CH3，故D錯(cuò)誤；故選C。

【變式3-2】下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是

A．金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅B．CF4CBr4CCl4CH4

C．MgONa2OO2N2D．金剛石>生鐵>純鐵>鈉

【答案】C

【解析】A．它們均是共價(jià)晶體，熔、沸點(diǎn)與鍵長成反向關(guān)系，因?yàn)殒I長：CCSiOCSiSiSi，

所以熔、沸點(diǎn)：金剛石>二氧化硅>碳化硅>晶體硅，A錯(cuò)誤；B．組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)

量越大，熔沸點(diǎn)越高，所以溶、沸點(diǎn)：CBr4CCl4CF4CH4，B錯(cuò)誤；C．一般的離子晶體的溶、沸點(diǎn)

大于分子晶體，氧化鎂和氧化鈉均是離子晶體，鎂離子電荷數(shù)大于鈉離子、半徑小于鈉離子，因此氧化鎂

中晶格能大于氧化鈉，熔沸點(diǎn)：氧化鎂大于氧化鈉，氧氣和氮?dú)饩欠肿泳w，氧氣相對(duì)分子質(zhì)量較大，

7

熔沸點(diǎn)較高，因此熔沸點(diǎn)的大?。篗gONa2OO2N2，C正確；D．金剛石是共價(jià)晶體，熔沸點(diǎn)最高，

合金熔沸點(diǎn)比成分金屬低，因此純鐵熔沸點(diǎn)高于生鐵，鈉的熔沸點(diǎn)最低，所以熔沸點(diǎn)：金剛石>純鐵>生鐵>

鈉，D錯(cuò)誤；故選C。

1．下列說法不正確的是

A．Na2O通常當(dāng)作離子晶體來處理，因?yàn)镹a2O是偏向離子晶體的過渡晶體，在許多性質(zhì)上與純粹的離子

晶體接近

B．由于石墨晶體導(dǎo)電，所以它是金屬晶體，又由于它熔點(diǎn)很高，所以它是共價(jià)晶體，故石墨晶體屬于混合

晶體

C．分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過渡型

D．石墨晶體中既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵還有范德華力，是一種混合晶體

【答案】B

【解析】A．一般電負(fù)性差值大于1.7為離子鍵，電負(fù)性差值小于1.7為共價(jià)鍵，Na2O通常當(dāng)作離子晶體來

處理，因?yàn)镹a2O是偏向離子晶體的過渡晶體，在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，A正確；B．石墨晶

體中既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵和范德華力，所以是混合晶體但不屬于金屬晶體，B錯(cuò)誤；C．根據(jù)微粒間的

作用力分析，分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過渡型，C正確；D．石墨晶體中既有共價(jià)鍵，

又有金屬鍵和范德華力，是一種混合晶體，D正確；故選B。

2．下列說法正確的是

A．第三周期主族元素從左到右，最高價(jià)氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)逐漸增大

B．大多數(shù)晶體都是過渡晶體

C．過渡晶體是指某些物質(zhì)的晶體通過改變條件，轉(zhuǎn)化為另一種晶體

D．Na2O是純粹的離子晶體，SiO2是純粹的共價(jià)晶體

【答案】B

【解析】A．第三周期主族元素從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，與氧元素的電負(fù)性差值逐漸減小，則最

高價(jià)氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)逐漸減小，A錯(cuò)誤；B．純粹的典型晶體不多，大多數(shù)晶體是四類典型晶體之

間的過渡晶體，B正確；C．過渡晶體是介于離子晶體、共價(jià)晶體、分子晶體和金屬晶體之間的過渡狀態(tài)，

C錯(cuò)誤；D．Na2O、SiO2都不是純粹的典型晶體，而是離子晶體和共價(jià)晶體之間的過渡晶體，D錯(cuò)誤；故

選B。

3．下列敘述不正確的是

A．可以通過X射線衍射實(shí)驗(yàn)鑒別晶體與非晶體

8

B．混合晶體是混合物

C．等離子體是一種呈電中性的物質(zhì)聚集體，其中含有帶電粒子且能自由運(yùn)動(dòng)

D．納米晶體具有不同于大塊晶體特性的原因是晶體的表面積增大

【答案】B

【解析】A．構(gòu)成晶體的粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列，晶體的這一結(jié)構(gòu)特征可以通過X-射線

衍射圖譜反映出來，因此，可以通過X射線衍射實(shí)驗(yàn)鑒別晶體與非晶體，故A正確；B．石墨是混合晶體，

石墨屬于純凈物，故B錯(cuò)誤；C．等離子體是一種呈電中性的物質(zhì)聚集體，其中含有帶電粒子且能自由運(yùn)動(dòng)，

使等離子體具有導(dǎo)電性，故C正確；D．納米晶體的特殊性質(zhì)原因之一是它具有很大的比表面積，故D正

確；選B。

4．要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔、沸點(diǎn)高低和硬度大小一般取決于金屬鍵的強(qiáng)弱，

而金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬陽離子所帶電荷的多少及半徑大小相關(guān)。由此判斷下列說法正確的是

A．金屬鎂的硬度大于金屬鋁

B．堿金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)從Li到Cs是逐漸增大的

C．金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鈉

D．金屬鎂的硬度小于金屬鈣

【答案】C

【解析】A、鎂離子比鋁離子的半徑大而所帶的電荷少，所以金屬鎂比金屬鋁的金屬鍵弱，熔、沸點(diǎn)和硬度

都小，A錯(cuò)誤；B、從Li到Cs，離子的半徑是逐漸增大的，所帶電荷相同，金屬鍵逐漸減弱，熔、沸點(diǎn)和

硬度都逐漸減小，B錯(cuò)誤；C、因離子的半徑小而所帶電荷多，使金屬鎂比金屬鈉的金屬鍵強(qiáng)，所以金屬鎂

比金屬鈉的熔、沸點(diǎn)和硬度都大，C正確；D、因離子的半徑小而所帶電荷相同，使金屬鎂比金屬鈣的金屬

鍵強(qiáng)，所以金屬鎂比金屬鈣的熔、沸點(diǎn)和硬度都大，D錯(cuò)誤；答案選C。

5．下列各組物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低只與范德華力有關(guān)的是（）

A．Li、Na、K、PbB．HF、HCl、HBr、HI

C．LiCl、NaCl、KCl、RbClD．F2、Cl2、Br2、I2

【答案】D

【解析】A.Li、Na、K、Pb的熔沸點(diǎn)與金屬鍵有關(guān)，故A錯(cuò)誤；B.HF存在氫鍵，故B錯(cuò)誤；C.LiCl、NaCl、

KCl、RbCl的熔沸點(diǎn)與離子鍵有關(guān)，故C錯(cuò)誤；D.都是分子晶體，熔化或者蒸發(fā)的時(shí)候只克服范德華力，

所以熔沸點(diǎn)只與范德華力有關(guān)，故D正確；答案選D。

6．過渡晶體

(1)四類典型晶體是、、、。

(2)離子晶體和共價(jià)晶體的過渡標(biāo)準(zhǔn)是化學(xué)鍵中。離子鍵成分的，作為離子晶體處理，離子

鍵成分的，作為共價(jià)晶體處理。

(3)Na2O、MgO、Al2O3、SiO2、P2O5、SO3、Cl2O7七種氧化物中從左到右，離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)越來越小，

其中作為離子晶體處理的是；作為共價(jià)晶體處理的是；作為分子

9

晶體處理的是。

【答案】(1)分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體

(2)離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)百分?jǐn)?shù)大百分?jǐn)?shù)小

(3)Na2O、MgO；Al2O3、SiO2；P2O5、SO3、Cl2O7

【解析】四類典型晶體是分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體、離子晶體；離子晶體和共價(jià)晶體的過渡標(biāo)準(zhǔn)是

化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)。離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)大，作為離子晶體處理，離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小，作

為共價(jià)晶體處理。

1．黑鱗的晶體結(jié)構(gòu)是與石墨類似的層狀結(jié)構(gòu)，如圖所示。下列有關(guān)說法不正確的是

A．黑磷晶體中片層間作用力為范德華力B．黑磷與白磷均可導(dǎo)電

C．黑磷晶體的熔沸點(diǎn)比白磷高D．1mol黑磷晶體中含有1.5molP-P鍵

【答案】B

【解析】A．由黑鱗的晶體結(jié)構(gòu)是與石墨類似的層狀結(jié)構(gòu)，為混合型晶體，片層間作用力為范德華力，A正

確；B．白磷為分子晶體，黑磷結(jié)構(gòu)與石墨類似為混合型晶體，則黑鱗能導(dǎo)電、白磷不導(dǎo)電，B錯(cuò)誤；C．黑

磷結(jié)構(gòu)與石墨類似為混合型晶體，其熔沸點(diǎn)很高，故黑磷晶體的熔沸點(diǎn)比白磷高，C正確；D．可利用均攤

3

法得黑磷晶體中1個(gè)磷原子形成1.5個(gè)共價(jià)鍵，則1mol黑磷晶體中含有1.5molP-P，D正確；故選B。

2

2．下列現(xiàn)象與氫鍵有關(guān)的是

①NH3的沸點(diǎn)比PH3的高；②乙醇能與水以任意比混溶，而甲醚(CH3－O－CH3)難溶于水；③鄰羥基苯甲

酸的熔沸點(diǎn)比對(duì)羥基苯甲酸的低；④水分子在高溫下很穩(wěn)定；⑤冰的密度比液態(tài)水的密度?。虎轓H3易液化；

⑦NH3分子比PH3分子穩(wěn)定；⑧在相同條件下，H2O的沸點(diǎn)比H2S的沸點(diǎn)高

A．①②③⑤⑥⑧B．①②④⑤⑧C．②③⑥⑧D．①④⑥

【答案】A

【解析】①因ⅤA族中，N的非金屬性最強(qiáng)，氨氣分子之間存在氫鍵，則氨氣的熔、沸點(diǎn)比ⅤA族其他元素

氫化物的高，①正確；②因乙醇與水分子之間能形成氫鍵，則乙醇可以和水以任意比互溶，甲醚與水分子

之間不能形成氫鍵，則甲醚（(CH3－O－CH3）難溶于水，②正確；③對(duì)羥基苯甲酸易形成分子之間氫鍵，

而鄰羥基苯甲酸形成分子內(nèi)氫鍵，所以鄰羥基苯甲酸的熔、沸點(diǎn)比對(duì)羥基苯甲酸的低，③正確；④水分子

高溫下很穩(wěn)定，其穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān)，而與氫鍵無關(guān)，④錯(cuò)誤；⑤冰中存在氫鍵，氫鍵有一定的方向性。

水結(jié)冰后分子間的空隙變大，故其體積變大，則冰的密度比液態(tài)水的密度小，⑤正確；⑥NH3分子之間可

以形成氫鍵，故易液化，⑥正確；⑦氮磷在同一主族，氮的非金屬性大于磷所以NH3分子比PH3分子穩(wěn)

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定，⑦錯(cuò)誤；⑧H2O和H2S均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，但前者分子間存在氫鍵，所以在相同條件下，H2O的

沸點(diǎn)比H2S的沸點(diǎn)高，⑧正確；所以①②③⑤⑥⑧正確；故選A。

3．下列關(guān)于物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)結(jié)構(gòu)的敘述中，錯(cuò)誤的是

A．液晶具有液體的流動(dòng)性，在某些物理性質(zhì)方面具有類似晶體的各向異性

B．氧化鎂晶體中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為50%，氧化鎂晶體是一種過渡晶體

C．等離子體的基本構(gòu)成粒子只有陰、陽離子

D．石墨晶體屬于混合晶體

【答案】C

【解析】A．液晶像液體一樣具有流動(dòng)性，也具有晶體的各向異性，故A正確；B．氧化鎂晶體中離子鍵、

共價(jià)鍵的成分各占50%，所以氧化鎂晶體是一種過渡晶體，故B正確；C．等離子體主要是由電子和正離子

及中性粒子組成，故C錯(cuò)誤；D．石墨晶體結(jié)構(gòu)是層狀的，每一層原子之間由共價(jià)鍵組成正六邊形結(jié)構(gòu)，層

與層之間由范德華力互相吸引，石墨晶體屬于混合晶體，故D正確；選C。

4．將SiCl4與過量的液氨反應(yīng)可生成化合物Si(NH2)4。將該化合物在無氧條件下高溫灼燒，可得到氮化硅

（Si3N4）固體，氮化硅是一種新型的耐高溫、耐磨材料，在工業(yè)上有廣泛的應(yīng)用。則氮化硅所屬的晶體類

型是

A．共價(jià)晶體B．分子晶體C．混合晶體D．無法確定

【答案】A

【解析】根據(jù)在無氧條件下高溫灼燒，可得到氮化硅（Si3N4）固體，說明耐高溫。氮化硅是一種新型的耐

高溫、耐磨材料，屬于共價(jià)晶體的性質(zhì)，是原子晶體，選A。

5．如圖是石墨晶體的結(jié)構(gòu)及晶胞示意圖，有關(guān)說法錯(cuò)誤的是

A．石墨中存在共價(jià)鍵、金屬鍵以及范德華力，因此屬于混合晶體

B．C-C-C的夾角：石墨＜金剛石

C．石墨晶體沿片層與垂直片層方向的導(dǎo)電性不相同

124

D．石墨晶體的密度為(單位：g/pm3)ρ=3

N2ba2

A2

【答案】B

【解析】A．石墨中的碳原子用sp2雜化軌道與相鄰的三個(gè)碳原子以σ鍵結(jié)合，形成正六角形的平面層狀結(jié)構(gòu)，

而每個(gè)碳原子還有一個(gè)2p軌道，其中有一個(gè)2p電子．這些p軌道又都互相平行，并垂直于碳原子sp2雜化

11

軌道構(gòu)成的平面，形成了大π鍵，這些π電子可以在整個(gè)碳原子平面上活動(dòng)，類似金屬鍵的性質(zhì)；石墨層之

間存在分子間作用力，所以石墨中存在共價(jià)鍵、金屬鍵和范德華力，屬于混合晶體，故A正確；B．金剛石

中碳原子與周圍4個(gè)碳原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，碳原子采取sp3雜化，鍵角為109°28′，而石墨中碳原子與

周圍的碳原子形成3個(gè)C﹣C鍵，碳原子采取sp2雜化，鍵角為120°，故C﹣C鍵夾角大小為：石墨烯＞金

剛石，故B錯(cuò)誤；C．石墨晶體中片層中存在金屬鍵，導(dǎo)電性較強(qiáng)，垂直片層方向的作用力為分子間作用力，

導(dǎo)電性較弱，所以石墨晶體沿片層與垂直片層方向的導(dǎo)電性不相同，故C正確；D．石墨晶胞中C原子個(gè)

111111

數(shù)＝1+2×+4×+4×+2×+2×＝4，晶胞體積＝（apm）2×sin60°×2×（2bpm）＝3a2bpm3，石墨晶

2126362

M

4124

體密度＝N＝g/pm3，故D正確；故選：B。

A3a2bN

VA

6．下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低說法錯(cuò)誤的是

A．Li、Na、K、Rb、Cs的熔、沸點(diǎn)依次降低

B．MgO比NaCl熔點(diǎn)高

C．H2S、H2Se、H2Te的熔、沸點(diǎn)依次升高

D．分子晶體中共價(jià)鍵的鍵能越大，分子晶體的熔、沸點(diǎn)越高

【答案】D

【解析】A．堿金屬按Li、Na、K、Rb、Cs的順序，半徑依次增大，金屬鍵依次減弱，熔沸點(diǎn)依次降低，

故A正確；B．這兩種物質(zhì)都屬于離子晶體，r(O2-)＜r(Cl-)、r(Mg2+)＜r(Na+)，MgO陰陽離子所帶電荷大于

NaCl陰陽離子所帶電荷，所以晶格能MgO＞NaCl，則熔沸點(diǎn)：MgO＞NaCl，故B正確；C．非金屬性S＞

Se＞Te，所以氫化物的穩(wěn)定性：H2S＞H2Se＞H2Te；這幾種物質(zhì)都不能形成分子間氫鍵，分子間作用力：H2S

＜H2Se＜H2Te，所以熔沸點(diǎn)：H2S＜H2Se＜H2Te，故C正確；D．分子晶體熔沸點(diǎn)與分子間作用力、氫鍵有

關(guān)，與化學(xué)鍵的鍵能無關(guān)，故D錯(cuò)誤；故選：D。

7．根據(jù)要求，回答下列問題：

2

(1)3與能生成血紅色的，則中心離子的配位數(shù)是，N、O、S的第一電離

FeSCNFeSCNH2O5

能由大到小的順序?yàn)?；三氯化鐵的熔點(diǎn)為282C，易溶于乙醚(C2H5OC2H5)等溶劑中，則其為

(填晶體類型)晶體。

(2)Na2O為過渡晶體，通常當(dāng)作離子晶體來處理，原因是鈉氧鍵的百分?jǐn)?shù)較大，補(bǔ)鈣劑——抗壞血酸

鈣的組成為