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文檔簡介

3.7雙極晶體管的功率特性

1、對基區(qū)輸運系數(shù)的影響

3.7.1大注入效應

緩變基區(qū)小注入時，

均勻基區(qū)小注入時，

發(fā)生大注入時，

2、對注入效率的影響

3、對電流放大系數(shù)的影響

3.7.2基區(qū)擴展效應

當越過基區(qū)的載流子以一定的濃度和一定的速度進入集電結勢壘區(qū)時，載流子電荷會對勢壘區(qū)中的電荷及電場分布產生影響，其重要后果之一，就是當集電結電壓不變，集電極電流增加時，中性基區(qū)會變寬，從而導致基區(qū)渡越時間變長。這個現(xiàn)象稱為

基區(qū)擴展效應，或

克爾克（Kirk）效應。

基極電流通過基極電阻時產生的壓降，會使晶體管發(fā)射結上不同區(qū)域的偏壓不相等。由于發(fā)射極電流與發(fā)射結偏壓之間有指數(shù)關系，所以發(fā)射結偏壓只要略有差異，發(fā)射極電流就會有很大的變化。當晶體管的電流很大時，基極電阻產生的壓降也就很大，這會使得發(fā)射極電流在發(fā)射結上的分布極不均勻。實際上發(fā)射極電流的分布是離基極接觸處越近電流越大，離開基極接觸處較遠的地方電流很快下降到很小的值。這個現(xiàn)象稱為

發(fā)射結電流集邊效應，又稱為

基極電阻自偏壓效應。

3.7.3發(fā)射結電流集邊效應

3.7.4晶體管的熱學性質

3.7.5二次擊穿和安全工作區(qū)

1、電流集中型二次擊穿當晶體管的VCE逐漸增大到某一數(shù)值時，集電極電流急劇上升，出現(xiàn)通常的雪崩擊穿，這個首次出現(xiàn)的擊穿稱為一次擊穿，這是非破壞性的。當VCE再稍有增大，使IC增大到某一臨界值時，晶體管上的壓降突然降低，電流仍繼續(xù)增大，這個現(xiàn)象稱為二次擊穿。在二次擊穿過程中，從高電壓低電流區(qū)急速地過渡到低電壓大電流區(qū)，出現(xiàn)負阻現(xiàn)象，同時晶體管發(fā)生不可恢復的損壞。

由于發(fā)射結的摻雜不均勻及晶格缺陷等原因，晶體管內電流的初始分布不可能是完全均勻的。又由于電流具有正溫度系數(shù)，這種初始的不均勻在一定的條件下可能產生惡性循環(huán)，使電流和溫度分布的不均勻越來越嚴重，最后導致電流和溫度集中在一個極小的區(qū)域內

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