TCSAE《汽車用雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器高溫工作壽命試驗規(guī)范》

ICS

CCS

團體標準

T/CSAExx－20xx

汽車雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器

(DDRSDRAM)工作壽命試驗規(guī)范高溫工作壽命測試評價方法

Evaluationofhightemperatureoperatinglifeforautomotivedoubledatarate

synchronousdynamicrandomaccessmemory

（征求意見稿）

DraftingguidelinesforcommercialgradesstandardofChinesemedicinalmaterials

在提交反饋意見時，請將您知道的該標準所涉必要專利信息連同支持性文件一并附上。

2024-xx-xx發(fā)布2024-xx-xx實施

中國汽車工程學會發(fā)布

T/CSAExx—20xx

目次

前言................................................................................II

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3術語和定義.........................................................................1

4符號和縮略語.......................................................................2

5試驗條件...........................................................錯誤!未定義書簽。

5.1樣品工作溫度等級...............................................錯誤!未定義書簽。

5.2抽樣原則.......................................................錯誤!未定義書簽。

5.3試驗裝置.......................................................錯誤!未定義書簽。

5.4應力條件.......................................................錯誤!未定義書簽。

6試驗程序...........................................................................3

6.1概述...........................................................................3

6.2功能和電性能測試...............................................................3

6.3加載應力.......................................................................4

6.4冷卻和移除偏置.................................................................4

6.5終點測試.......................................................................4

6.6失效判據.......................................................................4

6.7接受判定.......................................................................4

I

T/CSAExx—20xx

汽車雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器工作壽命試驗規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了汽車雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器工作壽命試驗的試驗裝置、樣品要求、試驗條

件和試驗程序。

本文件適用于汽車雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T2900.1—2008電工術語基本術語

GB/T14113—1993半導體集成電路封裝術語

GB/T36474—2018半導體集成電路第三代雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器（DDR3SDRAM）測試

方法

IEC60749-23半導體器件機械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命（Semiconductordevices

-Mechanicalandclimatictestmethods-Part23:Hightemperatureoperatinglife）

3術語和定義

GB/T2900.1—2008、GB/T14113—1993和GB/T36474—2018界定的以及下列術語和定義適用于本

文件。

3.1

雙倍數據速率doubledatarate；DDR

在每個時鐘周期內進行兩次數據傳輸的架構,分別在時鐘上升沿和下降沿傳輸數據。

[來源：GB/T36474—2018，3.4]

3.2

同步動態(tài)隨機存儲器synchronousdynamicrandomaccessmemory；SDRAM

以時鐘為數據同步基準,需要連續(xù)的刷新存儲數據,并隨機指定存儲地址的存儲器。

[來源：GB/T36474—2018，3.5]

3.3

結溫junctiontemperature；Tj

器件中主要發(fā)熱部分的半導體結的溫度。

[來源：GB/T14113—1993，5.34]

1

T/CSAEXXX—202X

4符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件。

LSL：規(guī)范下限值（LowerLimitofSpecification）

USL：規(guī)范上限值（UpperLimitofSpecification）

VDD：電源供電電壓（PowerSupply）

VDDQ：數據總線電壓（DQPowerSupply）

VPP：激活電壓（ActivatingPowerSupply）

5試驗條件

5.1樣品工作溫度等級

被測樣品應按其在車輛上的應用環(huán)境確定相應的工作溫度等級（見表1），在相應的工作溫度等級

應能正常工作。

表1工作溫度等級

等級工作溫度范圍

0-40℃～+150℃

1-40℃～+125℃

2-40℃～+105℃

3-40℃～+85℃

5.2抽樣原則

工作壽命試驗需3組不同批次的被測樣品，每批次應有77顆被測樣品。

5.3試驗裝置

試驗裝置應滿足IEC60749-23第4章的要求。

5.4應力條件

5.4.1溫度應力

被測樣品應在試驗箱進行試驗。試驗箱溫度Ta應按表1相應的工作溫度等級上限值進行設置，且溫

度偏差應小于等于±2℃。如多個樣品在試驗箱內，應保證所有被測樣品滿足溫度應力的要求。

對于有熱關閉功能的被測樣品，如按表1相應的工作溫度等級上限值施加溫度應力，會引起被測樣

品熱關閉，則可用Tj替代Ta使用。但被測樣品的Tj應大于等于最大工作結溫Tjopmax，且小于絕對最大額

定結溫。

5.4.2工作電壓

試驗時，被測樣品的工作電壓（VDD、VDDQ和VPP）應大于等于工作電壓范圍的最高電壓，小于等于

絕對最大額定電壓。對于有熱關閉功能的被測樣品，試驗過程中不應采用引起樣品熱關閉的偏置方式。

5.4.3工作應力

2

T/CSAExx—20xx

試驗時，被測樣品應在動態(tài)工作模式下工作，其數據傳輸率應符合標稱值。除測試系統占用的存儲

單元外，被測樣品的其他存儲單元應處于讀寫數據狀態(tài)。被測樣品的測試程序應平均覆蓋寫指令和讀指

令，讀寫指令應平均覆蓋數據0和數據1。

6試驗程序

6.1概述

工作壽命試驗前和試驗后，被測樣品應進行功能和電性能測試（測試不分先后）。功能和性能測試

后，對被測樣品加載應力進行工作壽命試驗。工作壽命試驗后，冷卻被測樣品并移除偏置，并再次進行

功能和電性能終點測試。

6.2功能和電性能測試

在室溫（＋23±5℃）、低溫（-40℃）和高溫（表1中被測樣品相應工作溫度等級的上限值）條

件下，分別對被測樣品進行功能、電性能測試，記錄測試數據。測試過程中，應剔除不合格的樣品，并

按第6章的要求補全合格的樣品數量。

功能和電性能測試項應包括下列內容：

a）功能測試項：

1）上電初始化功能；

2）寄存器讀寫功能；

3）數據讀寫功能；

4）自動刷新和自刷新功能；

5）全地址空間訪問功能。

b）電性能測試項（見表2）。

表2電性能測試參數和接受判據

電性能參數符號接受判據

靜態(tài)電源電流IDD＜USL

輸入高電平電壓VIH＞LSL，＜USL

輸入低電平電壓VIL＞LSL，＜USL

輸出高電平電壓VOH＞LSL

輸出低電平電壓VOL＜USL

命令地址建立時間tIS＞LSL

命令地址保持時間tIH＞LSL

寫數據建立時間tDS＞LSL

寫數據保持時間tDH＞LSL

寫恢復時間tWR＞LSL

3

T/CSAEXXX—202X

表2電性能測試參數和接受判據（續(xù)）

電性能參數符號接受判據

預充電命令等待時間tRP＞LSL

激活到內部讀或寫延遲時間tRCD＞LSL

激活行地址到關閉時間tRAS＞LSL，＜USL

時鐘高電平時間tCH＞LSL，＜USL

時鐘低電平時間tCL＞LSL，＜USL

平均時鐘周期tCK＞LSL，＜USL

6.3加載應力

按照5.4對被測樣品加載應力進行壽命試驗。施加的應力持續(xù)時間應不低于1000h。

6.4冷卻和移除偏置

加載應力后，應按IEC60749-23第6章的要求冷卻被測樣品，并移除偏置。

6.5終點測試

移除偏置后，應按照6.2對被測樣品進行功能、電性能終點測試，并記錄測試數據。

被測樣品的終點測試應在移除偏置后的168h內完成。如未在移除偏置后的168h內完成，則應在終

點測試前按表3追加應力持續(xù)時間，冷卻和移除偏置后再進行終點測試。

表3追加的應力持續(xù)時間

超過規(guī)定期限的時間

0＜t≤168168＜t≤336336＜t≤504其他

h

電測試前需要追加的應

每超過規(guī)定期限168h，則增

力持續(xù)時間244872

加24h應力持續(xù)時間

h

6.6失效判據

終點測試時，如被測樣品不滿足6.2中功能或電性能的要求，則判定被測樣品失效。

6.7接受判定

終點測試時，如所有被測樣品均未失效，則判定樣品的抽樣批次通過本試驗。

_________________________________

4

《汽車用雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器高溫工作壽

命試驗規(guī)范》編制說明

一、工作簡況

1.1任務來源

《汽車用雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器高溫工作壽命試驗規(guī)范》團體標準

由中國汽車工程學會批準立項。文件號中汽學標【2023】210號，任務號為2023-

095。本標準由中國汽車芯片產業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟提出，由北京國家新能源汽車技術

創(chuàng)新中心有限公司牽頭，聯合西安紫光國芯半導體有限公司、北京車和家信息技術

有限公司、深圳江波龍電子股份有限公司、廣電計量檢測集團股份有限公司、兆易

創(chuàng)新科技集團股份有限公司、北京郵電大學和北京新能源汽車股份有限公司共同研

究制定。

1.2編制背景與目標

隨著汽車“三化”程度的提高，車用存儲器的需求與日俱增，汽車的高性能計

算和圖像處理等應用均需要大量使用雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器(DDRSDRAM，

以下簡稱DDR)。近兩年，車用存儲器市場規(guī)模年均增長24%，其中，DDR約占整個

車用存儲器市場的56%。目前，車用DDR芯片研發(fā)技術被國外壟斷，已成為制約國

內相關行業(yè)發(fā)展的“卡脖子”技術，我國還沒有面向汽車用動態(tài)隨機存儲器的可靠

性檢驗規(guī)范，一定程度上阻礙了國產汽車用動態(tài)存儲器產品的上車應用和行業(yè)發(fā)展。

在此背景下，制定我國的汽車用DDR工作壽命試驗標準具有重要的作用，一方

面可以讓上游芯片設計企業(yè)明確產品和設計標準，另一方面也可以讓下游汽車主機

廠明確芯片選用標準，實現統一產業(yè)鏈上下游的技術語言。這將會為提高我國車用

動態(tài)隨機存儲器研發(fā)技術水平，促進國產動態(tài)隨機存儲器上車應用提供很大幫助。

本標準將汽車芯片的高可靠性和高安全性作為基本制定要求，依據汽車芯片的

環(huán)境剖面和實際任務剖面來確定具體的環(huán)境應力條件和工作負載條件，解決相關國

內外汽車用DDR工作壽命標準沒有規(guī)定具體工作負載和偏置要求的問題。本標準規(guī)

定的試驗方法，適用于指導汽車用DDR產品的工作壽命試驗，對其他等級的DDR產

品的工作壽命試驗也具有借鑒意義。

1.3主要工作過程

本標準按照下列時間節(jié)點開展預研、立項、起草等相關工作。

1

序號階段事項時間節(jié)點

1預研研討標準的必要性、先進性、可行性以及標準范圍2023.07.31

2立項完成標準立項2023.09.30

3起草初稿編制完成2023.03.31

4試驗驗證按照標準內容完成試驗驗證2023.03.31

(1)預研

深入研究動態(tài)隨機存取存儲器芯片的結構工藝、可靠性機理和性能指標，廣泛

調研國內外DDR芯片產品現狀和發(fā)展趨勢，全面分析國內外車規(guī)級集成電路可靠性、

工業(yè)級集成電路可靠性和其他DDR芯片壽命試驗相關標準，確定制定本標準的先進

性和必要性。同時，邀請汽車DDR芯片相關單位和專家，召開標準預研會，初步擬

定標準研究范圍，研討標準技術框架和內容，編制標準立項申請表、標準初稿等材

料。

(2)立項

根據標準預研成果，確定標準的研究范圍、技術框架和技術內容，邀請汽車DDR

芯片相關單位和專家，組織召開標準討論會議，研討標準技術框架和技術內容的合

理性和可行性。根據整車企業(yè)、芯片企業(yè)、科研院校等單位意見，修改標準立項申

請表、標準初稿等材料。2023年7月標準立項材料正式提報中國汽車工程學會，并

參加立項答辯。2023年9月該標準通過立項。

(3)起草

標準立項后，國創(chuàng)中心作為該標準牽頭單位，聯合整車企業(yè)、零部件企業(yè)、芯片

企業(yè)和科研單位7家單位，共同研制和完善標準草案。本階段共組織起草組會議三

次，會議研討過程中，起草組成員單位對標準內容積極討論，同時結合起草組成員

單位現有技術和經驗，提出標準修改意見，參與標準編制，給予試驗驗證支持等。

起草組第一次會議：

會議時間：2023年11月3日；

會議地點：國創(chuàng)中心會議室；

參會單位：北京國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心有限公司、西安紫光國芯半導體

有限公司、北京車和家信息技術有限公司、深圳江波龍電子股份有限公司、廣電計

量檢測集團股份有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司、北京郵電大學。

2

會議內容：國創(chuàng)中心作為主筆單位，對標準起草方案、標準框架和文本進行了介

紹。起草組成員就標準框架進行了詳細討論，并對標準范圍、環(huán)境溫度應力、工作

應力等重點章節(jié)進行了研討，形成改進意見約15項。會上，起草組成員還討論了標

準編制的初步分工以及下一步工作安排。

第二次會議：

會議時間：2023年12月12日；

會議地點：國創(chuàng)中心會議室；

參會單位：北京國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心有限公司、西安紫光國芯半導體

有限公司、北京車和家信息技術有限公司、深圳江波龍電子股份有限公司、廣電計

量檢測集團股份有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司、北京郵電大學和北京

新能源汽車股份有限公司。

會議內容：國創(chuàng)中心標準主筆人對整體進展和標準草案進行了介紹。起草組成

員就7.1.1應力通則、7.1.2環(huán)境溫度、7.1.4工作應力、7.3.2功能測試項、7.3.3

電性能測試項等重點章節(jié)進行了充分的討論，提出標準修改意見8項。同時，起草

組成員對標準補充意見分工和試驗驗證計劃進行討論。

第三次會議：

會議時間：2024年1月5日；

會議地點：國創(chuàng)中心會議室；

參會單位：北京國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心有限公司、西安紫光國芯半導體

有限公司、北京車和家信息技術有限公司、深圳江波龍電子股份有限公司、廣電計

量檢測集團股份有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司、北京郵電大學和北京

新能源汽車股份有限公司。

會議內容：國創(chuàng)中心標準主筆人對標準進展、標準草案修改內容、試驗驗證情況

進行了介紹。起草組成員就7.3.3電性能測試項進行了討論，提出標準修改意見5

項。

(4)試驗驗證

2023年12月~2月，起草組依據標準試驗條件和試驗程序，對汽車用DDR芯片

進行了試驗驗證。

二、標準編制原則和主要內容

2.1標準制定原則

3

本標準充分研究國內外關于汽車芯片工作壽命試驗方法相關標準，如AEC-Q100

《FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegrated

Circuits》、JESD22-A108《Temperature,bias,andoperatinglife》等，按照

GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》給

出的規(guī)則起草，并參考了GB/T36474—2018《半導體集成電路第三代雙倍數據速

率同步動態(tài)隨機存儲器（DDR3SDRAM）測試方法》、IEC60749-23《Semiconductor

devices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part23:Hightemperature

operatinglife》等相關標準。本標準依據汽車DDR車載應用的環(huán)境剖面和實際任

務剖面，基于工作壽命加速試驗原理，確定了標準中具體應力條件和工作負載條件。

標準同時規(guī)定了汽車DDR芯片工作壽命試驗程序和功性能測試項，為測試考核該類

芯片高可靠性提供標準依據。

2.1.1通用性原則

本標準提出的工作壽命試驗方法不僅適用于汽車DDR芯片顆粒的工作壽命試驗

和檢驗，其他電子元器件產品的工作壽命試驗和檢驗也可參考使用，具有較高的標

準通用性。

2.1.2指導性原則

本標準為汽車DDR工作壽命試驗提供了標準的試驗條件、試驗程序和測試項目，

并給出了試驗評價準則，對汽車DDR工作壽命試驗開展具有明確的指導作用。

依據本標準，可以實現汽車DDR工作壽命的規(guī)范試驗和檢測，可以讓研制方和

使用方準確地評價器件的工作壽命，實現統一產業(yè)鏈上下游的技術語言，促進汽車

DDR芯片的選型和應用。

2.1.3協調性原則

本標準提出的試驗方法和要求與目前國內外相關標準中的方法協調、統一。本

標準全面規(guī)定了汽車DDR工作壽命試驗的應力條件、工作負載、偏置條件和測試要

求。本標準是對當前國內外相關標準的有效補充和完善。

2.1.4兼容性原則

本標準提出的工作壽命試驗方法考慮了動態(tài)隨機存取存儲器芯片的設計工藝、

可靠性機理和性能指標，并充分考慮了汽車DDR芯片的特點和應用場景，具有普遍

適用性。

2.2標準主要技術內容

4

本標準共分為6章，規(guī)定了汽車雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存儲器工作壽命的

試驗方法，內容包括范圍、規(guī)范性引用文件、術語和定義、符號和縮略語、試驗條

件和試驗程序。

2.3關鍵技術問題說明

本標準試驗方法根據DDR的半導體器件機理，依據Aarrhenius加速模型，采

用溫度作為加速因子，對汽車DDR的工作壽命開展加速試驗，以期加速評估汽車

DDR的工作壽命指標，從而達到在較短時間內驗證汽車DDR長達15年以上使用時

間的目的。

本標準規(guī)定了汽車DDR器件的四個工作溫度等級（等級0-3），每個工作溫度

等級對應不同的車載應用溫度范圍。同時標準規(guī)定試驗樣品應滿足3組不同批次、

每組77顆的要求。

各工作溫度等級的器件應在規(guī)定的環(huán)境溫度下進行試驗，同時本標準也考慮了

使用器件結溫Tj作為試驗溫度應力的使用條件和要求。試驗過程中，器件的工作電

壓（VDD、VDDQ和VPP）應為工作電壓范圍的最高電壓。器件應工作在動態(tài)工作模式

下，并且應按其標稱數據傳輸率進行工作。試驗的測試程序應將盡可能多的器件存

儲單元處于讀寫數據狀態(tài)，并且測試程序應平均覆蓋寫指令和讀指令。根據本標準

基于的工作壽命加速試驗要求，試驗的應力持續(xù)時間應不低于1000小時。

試驗前和試驗結束后應對器件進行室溫、低溫和高溫下的電測試，電測試項包

括了DDR的功能測試項和電性能測試項。功能測試項包括寄存器讀寫、數據讀寫和

自動刷新及自刷新等測試項。電性能測試項包括靜態(tài)電流、寫恢復時間、預充電命

令等待時間和激活到內部讀或寫延遲時間等測試項。

本標準明確且詳細規(guī)定了汽車DDR高溫工作壽命試驗的試驗條件和試驗方法，

可以指導研用雙方規(guī)范開展汽車DDR的工作壽命試驗和檢測，可以使研用雙方準確

地評價汽車DDR的工作壽命指標。本標準是對國內外相關汽車芯片可靠性標準的有

益補充和完善。

2.4標準主要內容的論據

本標準的試驗條件和試驗方法依據汽車DDR芯片車載應用的環(huán)境剖面和任務剖

面，以及依據Aarrhenius加速模型來確定。Aarrhenius模型的理論依據是高溫能

使電子元器件及材料加快化學反應，造成產品提前失效。

Aarrhenius加速模型如下：

5

??=exp{（??/?）?[(1/??)?(1/??)]}

式中：

AF——加速因子；

Ea——激活能；

K——波爾茲曼常數；

Tu——芯片平均工作溫度；

Tt——芯片試驗溫度。

依據汽車DDR芯片車載應用的環(huán)境剖面和任務剖面可確定出器件車載應用下的

工作溫度和工作負載等條件。器件工作壽命試驗施加的環(huán)境溫度選擇125°C，試驗

持續(xù)時間選擇1000小時。根據上述試驗條件，依據Aarrhenius加速模型方程，可

以計算得出本工作壽命試驗的加速系數，進而可推出器件在正常車載使用條件下的

工作壽命界限。再根據常用汽車工況，可以驗證評價汽車DDR芯片產品是否滿足使

用時間大于15年的應用要求。

2.5標準工作基礎

北京國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心有限公司作為本標準標準牽頭單位，在汽車

芯片可靠性研究和檢測技術上在行業(yè)內處于領先地位，牽頭承擔了兩項汽車DDR芯

片技術方面的國家重點研究項目和北京市科委項目。國創(chuàng)中心在汽車DDR芯片的失

效模式、失效機理、壽命模型和測試系統開發(fā)等方面已開展較深入研究和開發(fā)工

作。汽車DDR芯片生產方和使用方共同起草標準，最大程度上保證了本標準的科學

性、可用性和實用性。本標準在成熟的設備上進行驗證，保證了標準驗證結果的準

確性，也證明了本標準的可操作性。

本標準起草組單位由國內整車廠、DDR芯片企業(yè)、高等院校和檢測機構組成，

涵蓋了汽車存儲芯片行業(yè)各個主要環(huán)節(jié)，具備完整的汽車電子知識體系和行業(yè)經

驗，能夠為本標準的制定提供強有力的技術和資源支持。

三、主要試驗（或驗證）情況分析

為驗證標準的合理性和可行性，起草組按照標準規(guī)定的試驗條件和試驗程序，

對汽車DDR芯片樣品進行了工作壽命試驗，并在芯片壽命試驗前后，按標準要求對

測試樣品進行了功能和性能項的測試。

3.1樣品情況

樣品類型：車規(guī)DDRDRAM芯片；

6

樣品數量：3組不同批次，每組77顆。

3.2試驗條件

試驗應力溫度：125℃；

偏置電壓：1.1×VDD；

工作負載：樣品按產品標稱數據傳輸率800Mbps運行測試程序；

試驗持續(xù)時間：1000小時。

3.3試驗結果

高溫工作壽命試驗后，樣品測試結果如下：

（1）功能測試項

測試項判斷標準測試結果

上電初始化按規(guī)范的初始化序列，可成功啟動DDR芯片，芯片可以響應基本的功能。通過

按規(guī)范的初始化序列指令，DDR芯片成功啟動后，對DDR芯片相應的模式寄

存器進行不同配置及模式的更改，進行對應的簡單操作驗證，DDR芯片工作

寄存器讀寫通過

狀態(tài)及模式符合所配置的期望狀態(tài)，且讀寫基本功能完全正確，無異常的讀

寫錯誤出現。

在符合DDR芯片工作規(guī)范的條件細啊，經過成功的初始化和模式寄存器配置

后，對DDR芯片進行一定程度用例的數據存儲操作，包括不用數據類型的組

數據讀寫功能通過

合，多樣化的存儲空間地址的訪問，數據讀取及寫入均正確執(zhí)行，無異常的

讀寫錯誤發(fā)生。

針對DDR芯片的數據保持能力，在操作DDR芯片的過程中，按照規(guī)范，進行

周期性的自動刷新指令，DDR芯片均可以可靠的完成數據的讀寫功能，無數

自動刷新和自刷新功

據獨處錯誤或位翻轉的異常發(fā)生。通過

能

或經過自刷新模式后，DDR芯片均可以可靠的完成數據的讀寫功能，無數據

獨處錯誤或位翻轉的異常發(fā)生。

在符合DDR芯片工作規(guī)范的條件下，經過成功的初始化和模式寄存器配置

全地址空間訪問功能后，對DDR芯片的全地址空間進行一定程度用例的數據存儲操作，包括不用通過

數據類型的組合，數據讀取及寫入均正確執(zhí)行，無異常的讀寫錯誤發(fā)生。

（2）電性能測試項

測試項測試條件測試下限測試上限測試值單位測試結果

IDD2P

(Prechargepower-downLowVDD,TCK=2.5ns,CL=5/30.0015.12mA通過

current)

IDD2N

(PrechargestandbyLowVDD,TCK=2.5ns,CL=5/40.0027.75mA通過

current)

IDD6LowVDD,TCK=2.5ns,CL=5/23.0012.78mA通過

7

(Selfrefresh

current)

VILCMDALLTCK=2.5ns,CL=5/200.0035.00mV通過

VIHCMDALLTCK=2.5ns,CL=5/200.0056.50mV通過

VILADALLTCK=2.5ns,CL=5/200.0053.75mV通過

VIHADALLTCK=2.5ns,CL=5/200.0042.50mV通過

VILDQTCK=2.5ns,CL=5/200.0053.75mV通過

VIHDQTCK=2.5ns,CL=5/200.0041.25mV通過

VILDQSTCK=2.5ns,CL=5/200.0080.25mV通過

VIHDQSTCK=2.5ns,CL=5/200.0077.50mV通過

VILDQMTCK=2.5ns,CL=5/200.0051.00mV通過

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