生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程_第1頁
生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程_第2頁
生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程_第3頁
生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程_第4頁
生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程_第5頁
已閱讀5頁，還剩2頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

會計實操文庫7/7生產(chǎn)管理-原料硅生產(chǎn)工藝流程一、?粗硅制備?碳熱還原反應(yīng)?在電弧爐中混合硅石（SiO?含量≥99%）與焦炭、木炭（質(zhì)量比3:1），加熱至1500-2000℃進(jìn)行還原反應(yīng)，生成冶金級粗硅（純度96-99%）?；反應(yīng)方程式：SiO2+2C→高溫Si+2CO↑SiO2 ?+2C高溫 ?Si+2CO↑雜質(zhì)去除?粗硅熔融后通入氧氣/空氣混合氣體，去除鈣、鋁等金屬雜質(zhì)（氧含量降至≤0.3%）?；通過電磁分選或酸洗進(jìn)一步去除鐵、硼等非金屬雜質(zhì)?。二、?化學(xué)提純?氯化處理?將粗硅粉碎至粒徑≤1mm，在流化床反應(yīng)器中與HCl反應(yīng)生成三氯硅烷（SiHCl?），溫度控制在300-350℃?；反應(yīng)方程式：Si+3HCl→SiHCl3+H2↑Si+3HCl ?SiHCl3 ?+H2 ?↑精餾與還原?通過多級精餾塔分離SiHCl?中的雜質(zhì)（如BCl?、PCl?），純度提升至≥99.9999%?；在氫氣氣氛中還原SiHCl?，生成高純度多晶硅（純度≥99.9999999%）?：SiHCl3+H2→1100℃Si+3HClSiHCl3 ?+H2 ?1100℃ ?Si+3HCl三、?單晶硅制備?直拉法（CZ法）?將高純度多晶硅裝入石英坩堝，在氬氣保護(hù)下加熱至1420℃熔融?；用單晶籽晶接觸熔體，緩慢提拉（速度0.3-2mm/min）并旋轉(zhuǎn)，形成單晶硅棒（直徑200-300mm）?。區(qū)熔法（FZ法）?通過移動加熱線圈局部熔化多晶硅棒，利用熔區(qū)移動實現(xiàn)雜質(zhì)再分配，適用于超高純度單晶硅（電阻率≥1000Ω·cm）?。四、?后處理與加工?切片與拋光?單晶硅棒用金剛石線切割成厚度0.1-1mm的硅片，表面粗糙度控制為Ra≤0.5nm?；采用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)消除切割損傷層?。清洗與檢測?使用SC-1（NH?OH/H?O?/H?O）溶液去除有機(jī)殘留，SC-2（HCl/H?O?/H?O）溶液去除金屬雜質(zhì)?；通過X射線衍射（XRD）檢測晶體缺陷，電阻率波動需≤±5%?。核心工藝指標(biāo)?：能耗：直拉法單晶硅生產(chǎn)能耗≤45kWh/kg，區(qū)熔法≤60kWh/kg?；成品率：8英寸硅片良品率≥95%，12英寸硅片≥90%?。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論