半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝編制說(shuō)明

《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

（征求意見(jiàn)稿）

編制說(shuō)明

2020年12月13日

第1頁(yè)共4頁(yè)

一、工作簡(jiǎn)況

1、任務(wù)來(lái)源

為了進(jìn)一步規(guī)范半導(dǎo)體用石英坩堝產(chǎn)品的技術(shù)要求，推進(jìn)半導(dǎo)體硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈的不

斷完善和發(fā)展。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)石英材料分會(huì)于2020年決定起草編制《半導(dǎo)體

單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

本標(biāo)準(zhǔn)由內(nèi)蒙古歐晶科技股份有限公司，錦州佑鑫石英科技有限公司，江西中昱新

材料科技有限公司起草。

2、主要起草編制過(guò)程

2020年7月成立標(biāo)準(zhǔn)編制組，調(diào)研了國(guó)內(nèi)外的半導(dǎo)體石英坩堝的使用標(biāo)準(zhǔn)和生產(chǎn)

廠家的現(xiàn)狀，進(jìn)一步比較充分地對(duì)比和評(píng)價(jià)國(guó)內(nèi)外相關(guān)產(chǎn)品指標(biāo)和性能，并明確了編制

組的工作職責(zé)和任務(wù)；

2020年9月在內(nèi)蒙古呼和浩特召開(kāi)了《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

及生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的立項(xiàng)評(píng)審會(huì)；同月在標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃得到立項(xiàng)批復(fù)后，編制標(biāo)準(zhǔn)的草案并對(duì)草案

進(jìn)行研討；

2020年11月標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)劃得到立項(xiàng)批復(fù)后，完成了《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的草案討論稿，并在浙江余姚召開(kāi)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)科研院所，大學(xué)

的專家，國(guó)內(nèi)有代表性的坩堝生產(chǎn)企業(yè)共同討論，對(duì)討論稿中的標(biāo)準(zhǔn)范圍、相關(guān)技術(shù)參

數(shù)和要求進(jìn)行分析和討論。

2020年12月完成《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的征求意見(jiàn)稿。

二、編制原則和主要內(nèi)容的依據(jù)

1、編制原則

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)注化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草

規(guī)則》的要求進(jìn)行編制。制定的原則是保持標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性和適用性，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均能

達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)水平。

2、主要內(nèi)容依據(jù)

本文件的編制主要參考《光伏單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》T/CEMIA004-2018，《光伏

單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》JC/T1048-2018。

3、標(biāo)準(zhǔn)主要制定內(nèi)容說(shuō)明

本標(biāo)準(zhǔn)界定了半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的術(shù)語(yǔ)和定義，規(guī)定了尺寸偏差、技術(shù)

第2頁(yè)共4頁(yè)

要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存等。確保石英坩堝品質(zhì)的統(tǒng)一性

和穩(wěn)定性。本標(biāo)準(zhǔn)與《光伏單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》T/CEMIA004-2018，《光伏單晶硅

生長(zhǎng)用石英坩堝》JC/T1048-2018的技術(shù)的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，主要對(duì)以下內(nèi)容進(jìn)行增加或

調(diào)整：

3.1本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)中新增了3.14崩邊，明確了石英坩堝切割面、端面、邊部的要求；

3.2本標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整了微氣泡、圓度偏差、壁內(nèi)、附著物、沾污、劃傷、雜質(zhì)點(diǎn)、晶紋、氣

泡群等做了英文翻譯和定義說(shuō)明，使其更能準(zhǔn)確針對(duì)石英坩堝的術(shù)語(yǔ)進(jìn)行表述；

3.3本標(biāo)準(zhǔn)中4.1外本標(biāo)準(zhǔn)形及表示中新增了Ci內(nèi)倒角、Co外倒角位置；

3.4調(diào)整了5.1尺寸偏差中縮小了大于22英寸坩堝的高度偏差縮小1個(gè)單位、厚度偏

差縮小0.5個(gè)單位；r弧度間隙縮小2個(gè)單位，加嚴(yán)了石英坩堝的尺寸偏差要求；

3.5調(diào)整了5.2.1外觀缺陷中調(diào)整了雜質(zhì)點(diǎn)、氣泡個(gè)數(shù)、氣泡群個(gè)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，如原有大于

22英寸坩堝雜質(zhì)點(diǎn)0.5mm＜Φ≤1.5mm的≤4個(gè)，現(xiàn)調(diào)整為0.mm5＜Φ≤1.5mm的調(diào)

整為≤3個(gè)；

3.6調(diào)整了5.2.2透明層內(nèi)單位體積的微氣泡密度個(gè)數(shù)，如下所示：

變更前變更后

位置D≤22英寸D＞22英寸D≤22英寸D＞22英寸

透明層≤15≤10≤10≤8

3.7新增了5.3.1內(nèi)層高純和內(nèi)層合成石雜質(zhì)元素含量的上限要求；

3.8調(diào)整了7.3.1總則c），由原來(lái)的停產(chǎn)4個(gè)月修改到2個(gè)月以上。

四、標(biāo)準(zhǔn)中如有涉及專利，應(yīng)有明確的知識(shí)產(chǎn)權(quán)說(shuō)明。

本標(biāo)準(zhǔn)的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

五、產(chǎn)業(yè)化、推廣應(yīng)用論證和預(yù)期達(dá)到的經(jīng)濟(jì)效果等情況。

隨著我國(guó)半導(dǎo)體單晶生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)石英坩堝的品質(zhì)要求越來(lái)越高。半導(dǎo)

體單晶用石英坩堝的標(biāo)準(zhǔn)制定有利于促進(jìn)石英坩堝的品質(zhì)提升，優(yōu)化產(chǎn)品各項(xiàng)性能。為

了增強(qiáng)國(guó)內(nèi)各個(gè)石英坩堝生產(chǎn)單位和使用單位對(duì)石英坩堝性能數(shù)據(jù)的對(duì)比，提升我國(guó)石

英坩堝產(chǎn)業(yè)化水平，急需規(guī)范評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，建立評(píng)價(jià)體系。因此，需盡快研討確定執(zhí)行標(biāo)

準(zhǔn)，提高行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。

六、采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)情況（采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的目的、意義和

一致性程度，我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)與被采用標(biāo)準(zhǔn)的主要差異及其原因；以及與國(guó)際、國(guó)外同類標(biāo)準(zhǔn)

第3頁(yè)共4頁(yè)

水平的對(duì)比情況）

石英坩堝無(wú)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)外主要參考邁圖企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)內(nèi)主要參考《光伏單晶硅生

長(zhǎng)用石英坩堝》T/CEMIA004-2018，《光伏單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》JC/T1048-2018。

七、重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)

無(wú)。

八、標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的建議說(shuō)明

建議本標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)為團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

九、貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議

本標(biāo)準(zhǔn)確定的指標(biāo)符合大多數(shù)石英坩堝研制和使用企業(yè)的實(shí)際情況。該標(biāo)準(zhǔn)可直接

在行業(yè)內(nèi)大多數(shù)企業(yè)貫徹實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)有助于提高相關(guān)行業(yè)的技術(shù)水平，建議盡早實(shí)施。

十、廢止現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

無(wú)。

十一、致謝