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lte終端技術(shù)交流 天翼電信終端有限公司 2014.1,2,一、殊途同歸-無線通信制式演進路線,中國電信,中國聯(lián)通,隨著技術(shù)進步,當(dāng)前主流的三種3g制式wcdma、cdma、td-scdma均將演進到lte制式。,中國移動,3,二、高速、廣域、低延時-lte的技術(shù)特點,lte(long term evolution,長期演進)是3g的下一代演進技術(shù),其特點: 在20mhz頻譜帶寬能夠提供至少下行100mbps、上行50mbps的峰值速率; 降低系統(tǒng)延遲,用戶平面內(nèi)部單向傳輸時延低于5ms,控制平面從睡眠狀態(tài)到激活狀態(tài)遷移時間低于50ms,從駐留狀態(tài)到激活狀態(tài)的遷移時間小于 100ms; 支持100km半徑的小區(qū)覆蓋;改善小區(qū)邊緣用戶的性能;提高小區(qū)容量; 能夠為350km/h高速移動用戶提供100kbps的接入服務(wù),cdma,下行3.1mbps 上行1.8mbps,wcdma,下行384kbps 上行64kbps,td-scdma,下行384kbps 上行128kbps,lte 下行100mbps 上行50mbps,高帶寬、高品質(zhì)、實時性的業(yè)務(wù) 大容量高清實時視頻、電視 大型3d在線游戲,較低帶寬、實時性較差的業(yè)務(wù) 文字即時通訊 低畫質(zhì)、實時性差的社區(qū)應(yīng)用,4,三、lte對中國電信的影響,芯片,小眾,lte時代,芯片,主流,技術(shù),中國電信現(xiàn)狀,cdma是小眾群體,在世界范圍處于弱勢地位,產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模小,成本高,lte終端融入全球產(chǎn)業(yè)鏈,分?jǐn)傃邪l(fā)成本,實現(xiàn)語音與數(shù)據(jù)并發(fā),同時保留話音音質(zhì)好、保密性強,cdma芯片僅有兩家供應(yīng)商:高通和威盛,lte芯片供應(yīng)商有十幾家:,cdma,技術(shù),話音音質(zhì)好、保密性強、低輻射,但語音與數(shù)據(jù)不能并發(fā),其他制式,制式統(tǒng)一,5,可穿戴智能設(shè)備 隨拍隨傳高清視頻 移動醫(yī)療監(jiān)控(心電等) 車載設(shè)備 實時更新路況、街景導(dǎo)航 高清實時lte終端 高清視頻點播、高清視頻下載 移動高清視頻會議 大型3d在線互動游戲,腕帶,車載,四、強大、便利-lte時代的終端與業(yè)務(wù),即攝即傳設(shè)備,6,五、強勁數(shù)據(jù)處理能力-lte時代的終端元器件1,芯片性能更加強大 28nm制程,更先進工藝使得芯片功耗更低、面積更小 cortex a15架構(gòu),更先進的架構(gòu)技術(shù)使得芯片運算效率更高、處理能力更強 4+1或4+4協(xié)處理器技術(shù)及真八核處理技術(shù),多核并行處理,強化多任務(wù)能力 支持1080p直至4k*2k視頻編解碼,從而強化高清視頻表現(xiàn),存儲器規(guī)格提升 廣泛采用ddr3內(nèi)存直至ddr4內(nèi)存,新技術(shù)內(nèi)存的運行頻率更高、數(shù)據(jù)存取速度更快,極大優(yōu)化數(shù)據(jù)吞吐能力 rom容量達到32gb乃至更高,同時采用class10等更高級別的存儲元件,讀寫速度可達到10mb/s,五、高速數(shù)據(jù)存儲能力-lte時代的終端元器件2,五、更強力的電源-lte時代的終端元器件3,電池: 更高的能量密度,可達520wh/l 采用新技術(shù),例如升壓4.35v,硅碳陽極,納米陶瓷圖層等 最大充電電流能達到2a 一流 的供應(yīng)商 索尼、松下(三洋)、sdi、lgc等 充電器: 大的充電電流(2.0a) 出色的能量密度0.30w/cm3 出色的id設(shè)計,五、更強大圖像處理能力-lte時代的終端元器件4,攝像頭注重平衡像素和效果 大光圈,高動態(tài)范圍,提升低光時拍照效果 ultrapixel技術(shù)降低像素數(shù)以獲得更好拍攝效果 88超高廣角前置攝像頭,使得拍照范圍更廣闊 強化后處理能力,提升用戶體驗,全景拍照,人臉識別,五、超強多媒體表現(xiàn)能力-lte時代的終端元器件5,屏幕更注重平衡尺寸和美觀 全高清fhd(1920*1080)分辨率 更高ppi帶來更細膩畫質(zhì) 屏幕超窄邊設(shè)計使得握持更容易 顯示層與觸控層集成:in-cell/on-cell/ogs,使得屏幕更輕薄,通過軟件處理使圖像呈現(xiàn)更真實 開發(fā)圖像處理算法,提高圖像質(zhì)量和逼真度 根據(jù)以下幾方面建立一體式顯示解決方案: 顯示性能/算法/應(yīng)用場景,lte/cdma終端語音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺方案,page 12,不同3g制式演進到lte網(wǎng)絡(luò)時,均有fdd、tdd、fdd+tdd三種可能情況,采用不同lte演進方案的運營商舉例如下。,3g與lte網(wǎng)絡(luò)組網(wǎng)情況,lte終端語音承載方案,cdma/lte組網(wǎng)一共有5種語音承載形式。,page 13,sv-lte 硬件:無改造要求 軟件:無改造要求,14,sv-lte網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)及軟硬件改造說明,srlte 硬件:無改造要求 軟件:要求lte/epc網(wǎng)絡(luò)支持esr、承載掛起/恢復(fù)功能,15,srlte 網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)及軟硬件改造說明,16,volte硬件最簡單,單射頻芯片、基帶不需支持cdma svlte硬件最復(fù)雜,雙射頻芯片,基帶需支持cdma,不同語言方案lte終端硬件邏輯圖,lte/cdma終端語音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺方案,ehrpd是lte和evdo互通的橋梁,page 19,lte/cdma終端語音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺方案,page 20,中國電信lte終端要求:手機,模式: 2000元以上:5模7頻,t+f+c+w+g,wcdma和gsm用于國際漫游 2000元以下:4模6頻, t+f+c+g, gsm用于國際漫游,頻段:,語音方案: svlte或srlte,page 21,中國電信lte終端要求:手機,卡槽: 單卡手機或雙卡手機卡槽一尺寸要求為3ff,即 iphone 4s使用卡的大小 單卡手機或雙卡手機卡槽一鎖定中國電信卡 雙卡手機卡2不鎖卡,支持gprs數(shù)據(jù) 4g手機不要求兼容3g卡,插入3g卡要求提示用戶換卡。,國際漫游: 漫游使用wcdma或gsm 僅對不支持wcdma終端,在日韓地區(qū)要求支持cdma漫游 未來,考慮支持lte到gsm或wcdma的csfb,nfc: 必選支持,page 22,中國電信lte終端要求:mifi,模式: 5模7頻,t+f+c+w+g,wcdma和gsm用于國際漫游,頻段:,卡槽: 不鎖卡 不要求兼容3g卡,page 23,中國電信lte終端要求:數(shù)據(jù)卡,有線電腦接口:usb、pcmcia或minipci 卡槽: 不鎖卡 不要求兼容3g卡,模式: 3模4頻,t+f+c,頻段:,page 24,中國電信lte終端要求:cpe,cpe:customer premise equipment,客戶終端設(shè)備 中國電信4gcpe終端制式、頻段要求如下:,卡槽: 不鎖卡 不要求兼容3g卡,基帶芯片 gsm+lte/tds,用戶卡,天線開關(guān),gsm 射頻芯片,lte/tds 射頻芯片,三家運營商的單卡終端方案,基帶芯片 lte/wcdma/gsm,lte/wcdma/gsm 射頻芯片,天線開關(guān),用戶卡,用戶卡,基帶芯片 lte/td-scdma/gsm,lte/td/gsm 射頻芯片,基帶芯片 lte+cdma,用戶卡,天線開關(guān),cdma 射頻芯片,lte 射頻芯片,天線開關(guān),用戶卡,page 26,高通sv-lte終端平臺方案:單卡,sv-lte:lte和cdma雙待雙通。 左側(cè)射頻通路:lte 右側(cè)射頻通路:cdma 優(yōu)勢:cdma語音與lte數(shù)據(jù)雙通 劣勢:終端成本偏高,在國內(nèi)時,單卡終端實現(xiàn)cdma和lte雙待雙通。,page 27,高通sr-lte終端平臺方案:單卡,sr-lte:lte和cdma雙待單通。 射頻通路:lte或cdma,cdma優(yōu)先級高 優(yōu)勢:終端成本低 劣勢:cdma通話時無法使用lte,lte下載速率降低20%左右,在國內(nèi)時,單卡終端實現(xiàn)cdma和lte雙待雙通。,page 28,高通sv-lte終端平臺方案:雙卡,在國內(nèi)時,雙卡終端實現(xiàn)cdma、lte、gsm三待雙通,語音優(yōu)先。,基帶支持lte、cdma、gsm三待 兩套射頻最多支持雙通 左側(cè)射頻通路:gsm(卡2:異網(wǎng)卡)或lte(卡1:電信卡),lte數(shù)據(jù)下載時監(jiān)聽gsm,收到gsm尋呼切換至gsm 右側(cè)射頻通路:cdma(卡1:電信卡) 支持cdma+gsm雙通 支持cdma+lte雙通 支持evdo+gsm雙通,page 29,高通lte終端平臺方案總結(jié),單卡和雙卡終端在硬件上基本沒有區(qū)別,硬件成本差別不大 雙卡終端的lte數(shù)據(jù)性能由于射頻不斷監(jiān)聽gsm尋呼有些許下降 由于語音優(yōu)先,雙卡終端在gsm和cdma同時通話時無法使用數(shù)據(jù)業(yè)務(wù),page 30,lte/cdma終端語音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺方案,page 31,數(shù)據(jù)來源:isuppli,lte fdd基帶芯片市場份額(全球,2013 q3),高通和三星占有l(wèi)te fdd基帶市場95%以上的市場份額。 高通市場占比超過75%,仍處于絕對領(lǐng)先地位。,page 32,數(shù)據(jù)來源:isuppli,lte tdd基帶芯片市場份額(全球,2013 q3),lte tdd基帶芯片市場呈一大三小的格局,高通仍占主導(dǎo)地位。 展訊、marvell、海思三家約占市場50%的份額。,2核 1.2-1.4ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,現(xiàn)有方案以高通方案為主,包括低端的8930、8930ab,高端的8960、8960pro、8974。 小s樣機以8930平臺為主,單卡設(shè)計,支持cdma+lte fdd的sv-lte。由于高通未提供基于8930、8960的qrd方案,因此只能有實力的廠商自行研發(fā)。 via+gct方案需要gct lte基帶、via cdma基帶、應(yīng)用處理器三顆芯片,成本較高。,2012 2013 q1 2013 q2 2013 q3 2013 q4,msm 8960,msm 8930,高檔 lte,中檔 lte,入門lte,lte終端芯片平臺方案:現(xiàn)有方案,msm 8930ab,msm 8974,單核ap,2核 1.5ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 2.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,芯片上市,重點方案,2核 1.2-1.4ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,page 34,2012年 2013 q3 2013 q4 2014 q1 2014 q2 2014 q3 2014 q4,msm 8960/pro,msm 8930,msm 8930ab,重點方案,lte終端芯片平臺方案:高通方案,高通2013年q4后推出的lte芯片均支持cdma+gsm雙待雙通,wcdma(gsm)+gsm雙待雙通 高通2013年q4后退出的lte芯片均為4核,支持lte cat4,即fdd最大速率150/50mbps 高通在中低端lte芯片8926/8928上開發(fā)qrd方案。11底cs fdd的sv-lte方案(該版本無法升級),2014年2月中cs tdd的sv-lte方案,3月中cs fdd的sv-lte方案,4月cs雙卡sv-lte方案。,高檔 lte,中檔 lte,入門lte,2核 1.5-1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 2.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 1.4-1.6ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma cdma+gsm dsda,20nm 4 core lte cat7 gsm+cdma dsda,4核 1.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma cdma+gsm dsda,cortex a53 4*1.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma sr-lte、c+g dsds,page 35,lte fdd lte tdd cdma gsm 2*a12+4*a7,應(yīng)用處理器,應(yīng)用處理器,重點方案,lte終端芯片平臺方案:非高通方案,非高通lte終端方案由威盛cdma基帶+lte基帶+應(yīng)用處理器組成,主要通過三芯片或雙芯片實現(xiàn)。 目前已上市三星方案和gct方案,分別用在三星手機和宇龍手機上
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