YB3209-1982鍛鋼冷軋工作輥超聲波探傷方法.pdf

丫ill中華人民共和國(guó)冶金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)-YB 3 209-8 2鍛鋼冷軋工作輥超聲波探傷方法1 9 8 2一 0 8一1 3 發(fā)布1 9 8 3 一 0 7 一 0 1 實(shí)施中華人民 共和 國(guó)冶 金工業(yè)部批準(zhǔn)中華人民共和國(guó)冶金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB 3 2 09 -9 2鍛鋼冷軋工 作輥超聲波探傷方法 本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢驗(yàn)鍛鋼冷軋工作輥 ( 包括軋制有色金屬薄板及箔材、光亮鋼板及鋼帶、普通鋼板及鋼帶用冷軋工作輥，平整機(jī)工作輥，有色金屬冷開(kāi)坯工作輥等)的鍛件和成品。1 儀器裝置 1 . 1 探傷所用儀器，應(yīng)符合J B 1 8 3 4 -7 6 ( A型脈沖反射式超聲波 探傷儀 技術(shù)條 件的要求。 1 . 2 采用單晶片直探頭，工作頻率 2 - - 2 . 5 MHz ， 必要時(shí)可采用 其它類(lèi)型 探頭或變換 探傷頻率進(jìn)行探測(cè) 。2 探傷方法 2 . 1 采用接觸法探傷，以適當(dāng)?shù)臋C(jī)油作為禍合劑。 2 . 2 軋輥鍛件探傷，應(yīng)先將鍛件加工成簡(jiǎn)單圓柱體 ( 各部位凹槽、 盤(pán)鼓狀、 各段臺(tái)階過(guò)渡及內(nèi)孔等，應(yīng)在探傷后加工)，探傷表面的光潔度應(yīng)不低于p5 . 2 . 3 探傷掃描速度不大于l 0 0 m m / s , 探頭移動(dòng)掃描時(shí)，晶片直徑的覆蓋應(yīng)不 小于1 0 % , 2 . 4 探測(cè)面以圓柱面為主， 必要時(shí)應(yīng)對(duì)端面進(jìn)行探測(cè)， 鑒于低倍缺陷的方向性和探頭超聲場(chǎng)的特性，被 探軋輥 應(yīng)放在使軋輥可以自由 轉(zhuǎn)動(dòng)的支架上，以 保證整個(gè)圓周面能 被掃 描。 2 . 5 起始靈敏度: 根 據(jù)D G S ( A V G )法，在工件 完好 部位， 按誘 2 m m 平 底孔當(dāng) 量，將 底波調(diào)至2 0 %屏高。 2 . 6 對(duì)穿透性不良部位，允許重新退火后再探。驗(yàn)收條件 3 . 1 不允許有白 點(diǎn)、裂紋、縮管殘 余及線(xiàn)性波形 與游 動(dòng)性波型缺 陷。對(duì)無(wú)丙孔的 軋輥 允許有不大于輥身直徑1 2 %的中心疏松。 3 . 2 第四次底反射應(yīng)不小于7 0 %滿(mǎn)屏高。 3 . 3 軋輥按圖 1 和圖2所示的部位分區(qū)，各區(qū)允許存在的缺陷不應(yīng)超過(guò)表 1 的規(guī)定。圖 1 D 2 5 0 mmI 表面區(qū):S 二 。 . 3 D, S , 二 。 . 2 D ( 電渣鋼)、 0 . 1 5 D ( 非電渣鋼);11 中已 、 區(qū):S2 二0 . 1 h;班 中間區(qū);IV-輥頸非傳 動(dòng)端區(qū)，當(dāng)兩端 均為傳 動(dòng)端或兩端輥頸 需表面淬火時(shí)，則 屬111 區(qū)。 表 1區(qū)別輥身直徑D，mm4 2 5 0夕 2 5 0允 許存 在的 缺陷I在規(guī)定的靈敏度 ，不允許有缺陷波0允許有零星分散的、小于功3.m當(dāng)徽缺陷允許有零星分散的、不大于0Z mm當(dāng)量的缺陷m 允許有單個(gè)零星分散的、嬌2 一4 mm當(dāng)量缺陷，其間距應(yīng)不小于s o . m。在輥身部分，此種缺陷應(yīng)不多于1 0 個(gè)I V 允許有單個(gè)零星分散的02 一6 mm當(dāng) ,.缺陷，其中0 9 一 6 m m 當(dāng) 最 缺 陷 不 得 多 于 5 個(gè) ， 且 其 間 距 應(yīng) 不 小 于5 0 m m; 允許有不大于 02 -m 當(dāng)員的缺陷密集區(qū)3 處，每個(gè)密集區(qū)的面積應(yīng)不大于g c .2 ,各密集以問(wèn)距應(yīng)不， 、 于1 5 0 .-4 檢驗(yàn)與報(bào)告 4 . 1 軋 輥 的 探 傷 應(yīng) 由 制 造 廠 進(jìn) 行 ， 用 戶(hù) 可 以 復(fù) 驗(yàn) ; 也 可 經(jīng) 雙 方 協(xié) 議 ， 由 用 戶(hù) 進(jìn) 行 ， 探 傷 結(jié) 果 如 不 合格，應(yīng)由制造廠負(fù)責(zé)。 4 , 2 探傷報(bào)告應(yīng)對(duì)存在的缺陷作詳細(xì)記錄，記錄可用文字說(shuō)明， 也可以用圖形與數(shù)字或符號(hào)來(lái)表明缺陷的性質(zhì)、大小和位置。對(duì)零星分散的小于功2 mm當(dāng)量的缺陷可不作記錄。Y B 32 0 9- 9 2 附錄A缺 陷 的 測(cè) 定 ( 補(bǔ)充件)A. 1 單個(gè) 缺陷大小 缺陷尺寸小于探頭晶片 直徑時(shí)， 按DGS ( AV G)法 確定缺 陷當(dāng) 量; 缺陷尺寸 大于 探頭晶 片直徑時(shí)， 采用半波高法 確定缺 陷大小。A. 2 密 集缺陷 缺陷數(shù)量在3 個(gè)以上，且其間距小于缺 陷平 均直徑的3 倍 ( 對(duì)不大于砂 2 m m 缺陷， 其間距按不大于6 m m 計(jì))，或在 探測(cè)方向上無(wú)法區(qū) 分缺陷大小的3 個(gè)以上缺 陷的區(qū)域， 稱(chēng)為密集缺陷，其面 積從 探頭中 心算 起， 并通過(guò)幾何計(jì)算所求得的實(shí) 際缺 陷面積。A. 3 線(xiàn)性缺 陷 按半波 高法測(cè)定長(zhǎng) 度不小于3 0 m m 的連 續(xù)線(xiàn)性缺陷;或?qū)⑻筋^ 移動(dòng)3 0 m m，在同一 深度上 斷續(xù)出現(xiàn)3 個(gè)以 上缺陷信號(hào)，且間距小于缺陷平均尺寸3 倍的斷續(xù)線(xiàn)性缺 陷。A. 4 游 動(dòng)信號(hào) 隨著探頭的 移動(dòng)， 在示波 屏上出 現(xiàn)明顯游動(dòng)的缺 陷信號(hào)。A. 5 中心疏松在探傷掃描的靈敏度下，中心出現(xiàn)的草狀波 ( 必要時(shí)以較低頻率核對(duì))，這些缺陷信號(hào) 按D G S ( A V G )法衰減至 該位置價(jià) 2 m m當(dāng) 量波 高為2 0 %屏高時(shí)，反射 信號(hào)應(yīng)在屏上消失或少于5 %滿(mǎn)屏高。A. 6 穿透性不良區(qū)底反射的次數(shù)和高度小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值的區(qū)域。V B 3 2 0. 一 日 2 附錄B探傷報(bào)告的缺陷記錄 ( 補(bǔ)充件) 當(dāng) 采用符號(hào)與數(shù) 字來(lái)記 錄缺 陷時(shí).為 使記錄 能為 雙方所確認(rèn)，推薦下述的記錄方法。B. 1 缺陷記錄B. 1 . 1 缺陷記錄方法，采用三段記錄形式: 第一 段一 第二段一 第三 段 第一 段記錄缺陷在軸向剖面上投影的位置。 用D ; 表示 缺 陷所在的 軸段( 以打印端 的軸段為D , ) ,用數(shù)字表示缺陷與該軸段基準(zhǔn)面 ( 近打印端方向的端面)的距 離 ( mm ) ,游 動(dòng)信號(hào)則加上小 括號(hào)并以分子表示距離、分母表示深度。 第側(cè)段 記錄缺 陷在徑向剖面上 投影 的位 置。 以 倪表 示4 個(gè)等分圓周的 基準(zhǔn)點(diǎn)， 順時(shí)針?lè)?向排列( 其中: 與 “ 打印位置”方位相同) ， 用分?jǐn)?shù)表示缺陷位置， 其中分子 表示距基準(zhǔn)點(diǎn)周向距 離( m m )分母表示缺陷徑向深度。游動(dòng)信號(hào)則加上小括號(hào)，小括號(hào)的下角表示對(duì)應(yīng)的軸向距離。 第三段記錄缺陷大小及性質(zhì)。 當(dāng) 量缺陷以當(dāng) 量值表示， 例如04。 線(xiàn) 性缺陷以當(dāng) 量值和長(zhǎng)度 ( m m )表示，例如嬌 4 x 5 0 ; 大于探頭晶片直徑的缺陷以方括號(hào)內(nèi)的面 積 ( m m 2 )表 示，例如 2 0 x 3 0 )。 密集缺陷用當(dāng) 量大小及大括號(hào)內(nèi)的面 積( cm, ) 表示， 例如0 4 3 x 4 ( 當(dāng)缺陷當(dāng) 量不大于 0 2 m m時(shí)， 缺陷當(dāng)量符號(hào)可以省略)。B. 1之 記錄示例，參看圖B. 1 。 圖 1 3 1 例1 D , 5 0 一 G Z 1 2 0 / 4 0 一 功4 表 示缺 陷A在第一 軸段，軸向 距端面 5 0 m m ， 周向FPG : 點(diǎn)1 2 0 m m ,徑向深度4 0 m m ， 缺陷大小為0 4 mm當(dāng)量。 例2 D 2 2 0 0 一( * , 1 0 0 , 1 5 0 一06 5 0 表 示缺 陷B在第二軸段，軸向 距基準(zhǔn)端面 2 0 0 - I n , 19 1p 1 距G , 1 0 0 m m ,徑向深 度5 0 m m ，缺陷為Y B32 0 9 - 8 2功 6 m m 當(dāng) 員、 長(zhǎng)S O m m 的線(xiàn) 性缺陷。 例3 D 2 ( 1 4 0 / 7 0 一 2 0 0 / 3 0 )一 G 3 ( 8 0 / 4 0 一1 6 0 / 3 0 ) 2 0 0 表 示缺 陷為游 動(dòng)信號(hào)c在第二 軸段，軸向距離1 4 0 m m , 深度7 0 m m , 游動(dòng)到軸向距離2 0 0 m m, 深度3 0 m m 。在軸向 距離2 0 0 m m 處該缺 陷從距G 3 8 0 m m, 深4 0 m m 游動(dòng)至距G 3 1 6 0 m m, 深度為3 0 m m o 例4 D, 1 5 0 一 G 3 1 2 0 / 4 0 一 2 0 x 3 0 ) 表示缺陷在第一軸 段， 軸向距基準(zhǔn)面1 5 0 mm ， 周向距G3 1 2 0 m m ,徑向 深度4 0 m m，為大于 探頭晶片直徑的缺 陷，其尺寸為 2 0 x 3 0 _ _3 , 例5 D2 1 8 0 一 G 4 1 6 0 / 5 0 一 0 3 i 3 x 4 i 表 示該缺 陷為 功3 m m 密集缺陷， 缺陷軸向位置在第2 軸 段， 距 基準(zhǔn)面 8 0 m m ， 周向距G 4 點(diǎn)1 6 0 m m,徑向深 度5 0 m m ,缺 陷面 積為 3 x 4 c m “ 。B. 2 底反射次數(shù)記錄B. 2 . 1 記錄方法 D ;( x 一x ) / x 只 表示所在軸段， ( x 一x ) 表示起點(diǎn)與終