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_1、連續(xù)X射線譜:具有連續(xù)波長(zhǎng)的X射線,也稱多色X射線。2、標(biāo)識(shí)(特征)X射線譜:在連續(xù)譜的基礎(chǔ)上疊加若干條具有一定波長(zhǎng)的譜線。也稱單色X射線。3、短波限:電子與靶相撞,其能力(EV)全部轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛涔庾幽芰?,此時(shí)光子能量最大,波長(zhǎng)最短,因此連續(xù)譜有一個(gè)下線波長(zhǎng)&0,即為短限波4、同步輻射X射線源:當(dāng)電子被加速到足夠能量時(shí),它便像圓周的切線方向輻射X射線波段范圍的電磁波,把這種輻射稱為同步輻射X射線源。(特點(diǎn)1)通量大,亮度高;(2)頻譜寬,連續(xù)可調(diào);(3)光束準(zhǔn)直性好;(4)有特定的時(shí)間結(jié)構(gòu);(5)偏振性好,在電子軌道平面上基本是100&的線偏振。5、X射線強(qiáng)度:垂直X射線傳播方向的單位面積上在單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的光子數(shù)目能量總和,常用單位是J/cm2.s。6、激發(fā)電壓:開始產(chǎn)生標(biāo)識(shí)譜線的臨界電壓。7、K系激發(fā):當(dāng)K層電子被激活時(shí),原子的系統(tǒng)能量便由基態(tài)升高到K激發(fā)態(tài),把這個(gè)過(guò)程稱K系激發(fā)。8、K系輻射:產(chǎn)生K系激發(fā)后,K層的空位被高能級(jí)電子填充,這時(shí)產(chǎn)生的輻射稱為K系輻射。9、相干散射:物質(zhì)中電子在X射線電場(chǎng)的作用,產(chǎn)生強(qiáng)迫振動(dòng),每個(gè)受迫振動(dòng)電子便成為新電磁波源向空間的各個(gè)方向輻射同頻率的電磁波,這些新的散射波之間可以發(fā)生干涉作用,把這種散射現(xiàn)象稱為相干散射。(它不損失X射線的能量,而只是改變了它的傳播方向,但對(duì)X射線方向來(lái)說(shuō)確是起到了強(qiáng)度衰減的作用。)10、非相干散射:當(dāng)X射線光子與束縛力不大的外層電子或自由電子碰撞時(shí),電子獲得一部分動(dòng)能稱為反沖電子,光子也離開原來(lái)方向,碰撞后的光子能量減少,波長(zhǎng)增加,這樣的散射現(xiàn)象稱為非相干散射。11、X射線的吸收:物質(zhì)對(duì)X射線的吸收指的是X射線能量在通過(guò)物質(zhì)時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪芰俊?2、光電效應(yīng):以光子激發(fā)原子所發(fā)生的激發(fā)和輻射過(guò)程稱為光電效應(yīng),被擊出的電子稱為光電子。輻射出的次級(jí)標(biāo)識(shí)X射線稱為熒光X射線(或稱第二標(biāo)識(shí)X射線)。13、熒光輻射:光子激發(fā)原子所發(fā)生的激發(fā)和輻射過(guò)程中發(fā)出熒光X射線,稱為熒光輻射。14、俄歇效應(yīng):原子在入射的X射線光子或電子的作用下失掉一個(gè)K層電子變成K激發(fā)態(tài)。若該過(guò)程中所釋放的能量用來(lái)產(chǎn)生二次電離,使另一個(gè)核外電子脫離原子變?yōu)槎坞娮拥默F(xiàn)象。(產(chǎn)生的二次電子的能量具有固定值,這種具有特征的能量電子稱為俄歇效應(yīng)。)15、穿透系數(shù):X射線通過(guò)物體衰減后的強(qiáng)度與入射強(qiáng)度的比值稱為穿透系數(shù),既Ih/Ic=e-uH。16、線衰減系數(shù):?jiǎn)挝惑w積物質(zhì)對(duì)X射線強(qiáng)度的衰減程度,它與物質(zhì)的密度成正比(u=ump)。17、質(zhì)量衰減系數(shù):表示單位重量物質(zhì)對(duì)X射線強(qiáng)度衰減程度。當(dāng)物質(zhì)狀態(tài)發(fā)生改變時(shí),它保持不變。(um)18、吸收限:物質(zhì)對(duì)電磁輻射的吸收隨輻射波長(zhǎng)的減小而減小,當(dāng)波長(zhǎng)減小至某一限度時(shí)質(zhì)量衰減系數(shù)驟增,此時(shí)的波長(zhǎng)稱為吸收限。(吸收限為X射線性狀的特殊標(biāo)識(shí),并與原子的能級(jí)的精細(xì)結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)。)19、點(diǎn)陣:從晶體結(jié)構(gòu)抽象出來(lái)的,描述結(jié)構(gòu)基元空間分布周期性的幾何點(diǎn),總體稱為晶體的空間點(diǎn)陣??臻g點(diǎn)陣是從晶體結(jié)構(gòu)中抽象出來(lái)的幾何圖形,它反映了晶體結(jié)構(gòu)中最基本的幾何特征,不能脫離晶體的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。(空間點(diǎn)陣+結(jié)構(gòu)基元=晶體結(jié)構(gòu)。)20、陣點(diǎn):空間點(diǎn)陣中的幾何點(diǎn)。21陣胞:在空間點(diǎn)陣中按照一定得方式選取一個(gè)平行六面體,作為空間點(diǎn)陣的基本單元稱為陣胞,它是空間點(diǎn)陣幾何形象的代表。22簡(jiǎn)單陣胞:只在頂點(diǎn)上有陣點(diǎn)的陣胞23點(diǎn)陣參數(shù):用來(lái)描述陣胞的形狀和大小的,相交于某一個(gè)點(diǎn)的三個(gè)棱邊上的點(diǎn)陣周期a,b,c以及他們之間的夾角。24等同晶面:空間位向性質(zhì)完全相同的晶面集合25倒易點(diǎn)陣:在晶體點(diǎn)陣的基礎(chǔ)上按照一定得對(duì)應(yīng)關(guān)系建立起來(lái)的集合圖形。它是晶體點(diǎn)陣的另一種表達(dá)形式,它的許多性質(zhì)與晶體點(diǎn)陣存在倒易關(guān)系。26倒易矢量:從倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)向任一倒易陣點(diǎn)所連接的矢量27倒易矢量的性質(zhì):1倒易矢量垂直于正點(diǎn)陣的HKL晶面,2倒易矢量長(zhǎng)度等于HKL晶面的面間距的倒數(shù)。28晶帶:在晶體結(jié)構(gòu)或空間點(diǎn)陣中,與某一取向平行的所有晶面均屬于同一個(gè)晶帶。其中通過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn)的那條直線稱為晶帶軸,晶帶軸的晶向指數(shù)即為該近代的指數(shù)。29晶帶定律:Hu+Kv+Lw=0,即凡是屬于【uvw】晶帶的晶面,他們的晶面指數(shù)(HKL)都必須符合上式。把這個(gè)關(guān)系叫做晶帶定律。30廣義晶帶定律:在每個(gè)過(guò)原點(diǎn)的倒易陣點(diǎn)平面的上邊和下邊都有與其平行的N層不過(guò)原點(diǎn)的倒易陣點(diǎn)平面,它們所遵循的條件是Hu+Kv+Lw=N,稱上式為廣義晶帶定律31選擇反射:X射線投射到原子面上時(shí),只有當(dāng)d三者滿足布拉格方程2dsin=n時(shí)才能使衍射加強(qiáng),發(fā)生反射,X射線的這種反射稱為選擇反射。32.干涉面:把(hkl)晶面n級(jí)反射成為與(hkl)晶面平行,面間距為=的晶面的一級(jí)反射。面間距為的晶面并不一定是晶體中的原子面,而是為了簡(jiǎn)化布拉格方程所引入的反射面,這樣的反射面稱為干涉面。33.干涉指數(shù):干涉面的面指數(shù)稱為干涉指數(shù)。干涉指數(shù)互為質(zhì)數(shù)時(shí),它就代表一組真實(shí)的晶面。34.晶面指數(shù)和晶向指數(shù):在晶體學(xué)中陣點(diǎn)平面和陣點(diǎn)直線的空間取向分別用晶面指數(shù)和晶向指數(shù)來(lái)表示。35.布拉格定律:當(dāng)滿足衍射條件時(shí),衍射矢量的方向就是衍射晶面的法線方向,衍射矢量的長(zhǎng)度與反射晶面族面間距的倒數(shù)成比例而相當(dāng)于比例系數(shù)。36.反射球:在厄瓦爾德圖解中,以矢量/的起端為中心,從1/為半徑所畫的一個(gè)球。37.原子散射因子:f,表征一個(gè)原子散射和一個(gè)電子散射之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,(即一個(gè)原子的相干散射強(qiáng)度為,f稱為原子散射因子)f=38.原子的反常散射:當(dāng)入射波長(zhǎng)接近某一吸收限,如時(shí),原子散射因子f的值就會(huì)出現(xiàn)明顯的波動(dòng),這種現(xiàn)象稱為原子的反常散射。39.結(jié)構(gòu)因子:用來(lái)表征單胞的相干散射與單電子散射之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的參量:它是倒空間的衍射強(qiáng)度分布函數(shù)。40. 系統(tǒng)消光:由于結(jié)構(gòu)因子而使衍射線消失的現(xiàn)象成為系統(tǒng)消光(包括點(diǎn)陣消光和結(jié)構(gòu)消光)41.點(diǎn)陣消光:在復(fù)雜點(diǎn)陣中,由于體心或者面心上有附加點(diǎn)陣而引起的結(jié)構(gòu)因子F=0的消光現(xiàn)象。 42.結(jié)構(gòu)消光:起源于晶體結(jié)構(gòu)中存在含平移的復(fù)合對(duì)稱動(dòng)作對(duì)應(yīng)的對(duì)稱元素,即螺旋軸或滑移面,如晶體結(jié)構(gòu)在b軸方向有滑移面n存在,則hol類衍射中,h+l=奇數(shù)的衍射將系統(tǒng)消失,這類消光稱為結(jié)構(gòu)消光。 43.倒易球:粉末試樣由許多小晶粒組成,各晶粒取向?yàn)槿我獾?。?duì)于某一衍射晶面(HKL)而言,其取向隨各晶粒也呈任意分布。故其倒易矢量的方向在倒易空間中也是任意分布的,因其數(shù)目為無(wú)限,則這些晶面對(duì)于的倒易點(diǎn)就均勻地分布在以1/dHKL為半徑的球面上,此球稱為倒易球。 44.多重因子:同族晶面HKL的等同晶面數(shù)P稱為衍射強(qiáng)度的多重因子。45.洛倫茨因子: 在角因子職工由具體的衍射幾何引力的一個(gè)與角度有關(guān)的式子。46.角因子:洛倫茨因子和偏振因子之積稱為角因子。47溫度因子:為了校正原子熱振動(dòng)對(duì)衍射強(qiáng)度的影響而在積分強(qiáng)度公式中乘上一個(gè)與溫度有關(guān)的因子e-2m48吸收因子:為了校正試樣吸收對(duì)衍射線強(qiáng)度的影響而在積分強(qiáng)度公式中乘上一個(gè)因子A( )它表示試樣吸收對(duì)衍射強(qiáng)度影響的百分?jǐn)?shù)。49消光效應(yīng):由于晶面多次反射和入射線與反射線的相干作用對(duì)入射線強(qiáng)度的衰減稱為消光效應(yīng)。50初級(jí)消光:x射線與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的二次反射波的方向與入射波方向相同,但它們之間存在著半波相位差,因此,二次反射波消減入射波的振幅,使入射波的強(qiáng)度衰減,這種消光效應(yīng)稱為初級(jí)消光,(入射線通過(guò)的晶面越多,初級(jí)消光越顯著,并且初級(jí)消光只能在鑲嵌塊內(nèi)產(chǎn)生.51.次級(jí)消光;各鑲嵌塊之間均有很小的取向角差,在這許多鑲嵌塊中總會(huì)有一些取向相同的,單這些同向的鑲嵌塊處于反射位置時(shí),則入射線強(qiáng)度每通過(guò)一個(gè)處于反射位置的鑲嵌塊就會(huì)有一部分能量被反射,從而使入射線強(qiáng)度衰減,這種消光效應(yīng)稱為次級(jí)消光.52.理想不完整晶體;既不存在初級(jí)消光也不存在次級(jí)消光的晶體稱為理想不完整晶體.53.運(yùn)動(dòng)學(xué)理論;在理想不完整晶體的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的衍射強(qiáng)度理論稱為運(yùn)動(dòng)學(xué)理論.54.動(dòng)力學(xué)理論;在理想完整晶體的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的衍射強(qiáng)度理論稱為動(dòng)力學(xué)理論.55.勞厄法;用連續(xù)x射線投射到不動(dòng)的單晶體試樣上產(chǎn)生衍射的一種試驗(yàn)方法.56.衍射圓錐;在厄瓦爾德圖解中,反射球與倒易球相交,其交線為一系列垂直于x射線的圓.從反射球中心向這些圓周連線組成數(shù)個(gè)從x射線為公共軸的共頂圓錐.圓錐的母線就是衍射線的方向,錐頂角等于4!,這樣的圓錐稱為衍射圓錐.57.前反射區(qū);衍射角2 小于90的衍射范圍稱為前反射區(qū).58.背反射區(qū);衍射角2 大于90的衍射范圍稱背反射區(qū)/59.指數(shù)化;衍射花樣的指數(shù)化就是確定每個(gè)衍射圓環(huán)所對(duì)應(yīng)的干涉指數(shù)HKL,這是測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)的重要程序之一.60.衍射儀的基本組成;x射線發(fā)生器,衍射測(cè)角儀,輻射探測(cè)器,測(cè)量電路以及控制操作和運(yùn)行軟件的電子計(jì)算系統(tǒng)61.測(cè)角儀平面:X射線管焦點(diǎn)F和接受光闌G位于同一圓周上,把這個(gè)圓周測(cè)角儀圓,該圓所在的平面稱為測(cè)角儀平面62.PDF卡片:以DI數(shù)據(jù)組代替衍射花樣而制備的衍射數(shù)據(jù)卡片63.織構(gòu)圓錐:如果通過(guò)某個(gè)與織構(gòu)成一定角度的(HKL)反射面來(lái)描述絲織構(gòu)時(shí),則該反射面的倒易矢量R與織構(gòu)軸承固定的取向關(guān)系,其夾角為P,由于絲織構(gòu)具有軸對(duì)稱特性,因此就形成了以2P為錐定焦,R為母線和以織構(gòu)軸為中心軸的對(duì)頂織構(gòu)圓錐。66、干涉指數(shù):晶面(hkl)的任何一級(jí)衍射均可看作是(HKL)衍射面的一級(jí)衍射。(HKL)稱為衍射面的衍射指數(shù)或干涉指數(shù)。 67.面角守恒定律:晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中,往往由于外界客觀環(huán)境的影響,造成形態(tài)上發(fā)生不同程度的畸變,從而形成歪晶。但是,無(wú)論晶體形態(tài)上如何變化,同種晶體間,對(duì)應(yīng)晶面夾角恒等。這就是面角守恒定律。68質(zhì)量吸收系

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