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芒市第一中學2015-2016學年下學期期末考試高二化學試卷 時間:90分鐘 滿分:100分 班級 姓名 學號 成績 1、 選擇題(本題包括13小題,每題3分,共39分。每小題只有一個選項符合題意。)1下列能層中,有f能級的是() ak bl cm dn2根據(jù)電子排布的特點,銅元素在周期表屬于() as區(qū) bp區(qū) cd 區(qū) dds區(qū)3. 在基態(tài)多電子原子中,關于核外電子能量的敘述錯誤的是()a最易失去的電子能量最高bl層電子比k層電子能量高cp軌道電子能量一定高于s軌道電子能量d在離核最近區(qū)域內運動的電子能量最低4下列化合物分子中一定既含鍵又含鍵的是() ach4 bnh3 cc2h4 dh2o25下列說法或有關化學用語的表達正確的是()a在基態(tài)多電子原子中,p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量b基態(tài)fe原子的外圍電子排布圖為c因氧元素電負性比氮元素大,故氧原子第一電離能比氮原子第一電離能大d根據(jù)原子核外電子排布的特點,cu在元素周期表中位于s區(qū)6.下面的排序不正確的是() a晶體熔點由低到高:cf4ccl4cbr4ci4 b硬度由大到?。航饎偸蓟杈w硅 c熔點由高到低:namgal d晶格能由大到小:nafnaclnabrnai7. 下列分子或離子中,vsepr模型名稱與分子或離子的立體構型名稱不一致的是()aco2 bh2occo dccl48現(xiàn)有三種元素的基態(tài)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p4;ls22s22p63s23p3;1s22s22p5。則下列有關比較中正 確的是()a第一電離能:b原子半徑:c電負性:d最高正化合價:9膦(ph3)又稱為磷化氫,在常溫下是一種無色有大蒜臭味的有毒氣體,電石氣的雜質中常含之它的分子是三角錐形以下關于ph3的敘述中,正確的是() aph3是非極性分子 bph3分子中有未成鍵的電子對 cph3是強氧化劑 dph3分子中的ph鍵是非極性鍵10.關于化學式ticl(h2o)5cl2h2o的配合物的下列說法中正確的是()a配位體是cl和h2o,配位數(shù)是9b中心離子是ti4,配離子是ticl(h2o)52c內界和外界中的cl的數(shù)目比是12d加入足量agno3溶液,所有cl均被完全沉淀 11.最近發(fā)現(xiàn)一種由鈦(ti)原子和碳原子構成的氣態(tài)團簇分子,分子模型如圖所示,其中圓圈表示鈦原子,黑點表示碳原子,則它的化學式為() atic bti13c14 cti4c7 dti14c13 12.有5種元素x、y、z、q、t。x原子m層上有2個未成對電子且無空軌道;y原子的特征電子構型為3d64s2;z原子的l電子層的p能級上有一個空軌道;q原子的l電子層的p能級上只有一對成對電子;t原子的m電子層上p軌道半充滿。下列敘述不正確的是()a元素y和q可形成化合物y2o3bt和z各有一種單質的空間構型為正四面體形cx和q結合生成的化合物為離子化合物 dzo2是極性鍵構成的非極性分子13.下列敘述錯誤的是()離子鍵沒有方向性和飽和性,而共價鍵有方向性和飽和性配位鍵在形成時,是由成鍵雙方各提供一個電子形成共用電子對金屬鍵的實質是金屬中的“自由電子”與金屬陽離子形成的一種強烈的相互作用在冰晶體中,既有極性鍵、非極性鍵,又有氫鍵化合物nh4cl和cuso45h2o都存在配位鍵nacl、hf、ch3ch2oh、so2都易溶于水,但原因不完全相同()a bc d二、非選擇題(本題包括4小題,共61分)14.(16分)砷化鎵(gaas)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題:(1)寫出基態(tài)as原子的核外電子排布式_。(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑ga_as,第一電離能ga_as。(填“大于”或“小于”)(3)ascl3分子的立體構型為_,其中as的雜化軌道類型為_。(4)gaf3的熔點高于1000,gacl3的熔點為77.9,其原因是_。(5)gaas的熔點為1238,密度為gcm-3,其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為_,ga與as以_鍵鍵合。ga和as的摩爾質量分別為mga gmol-1和mas gmol-1,原子半徑分別為rga pm和ras pm,阿伏伽德羅常數(shù)值為na,則gaas晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。15.(15分)鍺(ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛?;卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)ge原子的核外電子排布式為ar_,有_個未成對電子。(2)ge與c是同族元素,c原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結構角度分析,原因是_。(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因_。gecl4gebr4gei4熔點/49.526146沸點/83.1186約400(4)光催化還原co2制備ch4反應中,帶狀納米zn2geo4是該反應的良好催化劑。zn、ge、o電負性由大至小的順序是_。(5)ge單晶具有金剛石型結構,其中ge原子的雜化方式為_微粒之間存在的作用力是_。(6)晶胞有兩個基本要素:原子坐標參數(shù),表示晶胞內部各原子的相對位置,下圖為ge單晶的晶胞,其中原子坐標參數(shù)a為(0,0,0);b為(,0,);c為(,0)。則d原子的坐標參數(shù)為_。晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm,其密度為_gcm-3(列出計算式即可)。16.(15分)東晉華陽國志南中志卷四中已有關于白銅的記載,云南鎳白銅(銅鎳合金)文明中外,曾主要用于造幣,亦可用于制作仿銀飾品?;卮鹣铝袉栴}:(1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為_,3d能級上的未成對的電子數(shù)為_。(2)硫酸鎳溶于氨水形成ni(nh3)6so4藍色溶液。ni(nh3)6so4中陰離子的立體構型是_。在ni(nh3)62+中ni2+與nh3之間形成的化學鍵稱為_ ,提供孤電子對的成鍵原子是_。氨的沸點_(“高于”或“低于”)膦(ph3),原因是_;氨是_分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類型為_。(3)單質銅及鎳都是由_鍵形成的晶體:元素銅與鎳的第二電離能分別為:icu=1958kj/mol,ini=1753kj/mol,icu ini的原因是_。(4)某鎳白銅合金的立方晶胞結構如圖所示。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_。若合金的密度為dg/cm3,晶胞參數(shù)a=_nm17.(15分)硅是重要的半導體材料,構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題:(1)基態(tài)si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。(4)單質硅可通過甲硅烷(sih4)分解反應來制備。工業(yè)上采用mg2si和nh4cl在液氨介質中反應制得sih4,該反應的化學方程式為 。(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:化學鍵ccchcosisisihsio鍵能/(kjmol-1356413336226318452硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是 。sih4的穩(wěn)定性小于ch4,更易生成氧化物,原因是 。(6)在硅酸鹽中,sio4- 4四面體(如下圖(a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中si原子的雜化形式為 ,si與o的原子數(shù)之比為 ,化學式為 。高二化學試題答案 一、選擇題(本題包括13小題,每題3分,共39分。每小題只有一個選項符合題意。)題號12345678910111213答案ddccbcbabcdcb二、非選擇題(本題包括4小題,共61分)14(每空2分,共16分):(1)ar3d104s24p3(2分)(2)大于小于(每空2分,共4分)(3)三角錐形 sp3(每空1分,共2分)(4)gaf3為離子晶體,gacl3為分子晶體(2分)(5)原子晶體 共價 (每空2分,6分) 15(15分)(除注明1分外,其它都為2分)(1)3d104s24p2 ;(1分) 2;(1)分(2)鍺的原子半徑大,原子之間形成的單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成鍵;(3)gecl4、gebr4、gei4熔、沸點依次增高;原因是分子結構相似,相對分子質量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強;(4)ogezn;(5)錯誤!未找到引用源。;共價鍵(1分);(6)(;);。16.(15)(除注明2分外,其它都為1分)(1)1s22s22p63s23p63d84s2或ar 3d84s2 2(2)正四面體配位鍵 n高于 nh3分子間可形成氫鍵 極性 sp3(3)金屬 銅失去的是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子(4)3:1(2分) (2分)17.(1)m 9 4 ( 2)二氧化硅 (3)共價鍵 3(4)

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