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1.3場效晶體管課型: 新 課授課班級:153授課時數(shù):1教學(xué)目標(biāo):1掌握場效晶體管結(jié)構(gòu)特點和類型。2了解場效晶體管電壓放大原理。教學(xué)重點:1場效晶體管類型、結(jié)構(gòu)特點和工作原理。2場效晶體管與三極管的比較。教學(xué)難點:場效晶體管電壓放大原理。教學(xué)過程:A引入半導(dǎo)體三極管是利用輸入電流控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,稱為電流控制型器件。場效晶體管是利用輸入電壓產(chǎn)生電場效應(yīng)來控制輸出電流的器件,稱為電壓控制型器件。B新授課1.3場效晶體管1.3.1結(jié)型場效晶體管1符號和分類(1)電路符號和外形三個電極:漏極(D)、源極(S)、柵極(G),D和S可交換使用,電路符號和外形如圖所示。(2)分類結(jié)型場效晶體管可分為P溝道和N溝道兩種。2電壓放大作用(1)放大電路(2)總結(jié):場效晶體管共源極電路中,漏極電流受柵源電壓控制。場效晶體管是電壓控制器件,具有電壓放大作用。1.3.2絕緣柵場效晶體管柵極與漏、源極完全絕緣的場效晶體管,稱絕緣柵場效晶體管。1電路符號和分類四種場效晶體管的電路符號如圖所示。N溝道增強型P溝道增強型N溝道耗盡型 P溝道耗盡型 N溝道箭頭指向內(nèi)。溝道用虛線為增強型,用實線為耗盡型,N溝道稱NMOS管。 P溝道箭頭指向外。溝道用虛線為增強型,用實線為耗盡型,P溝道稱PMOS管。2結(jié)構(gòu)和工作原理以N溝道增強型MOSFET為例。(1)結(jié)構(gòu) N型區(qū)引出兩個電極:漏極(D)、源極(S)。 在源區(qū)和漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層很薄的絕緣層,再在絕緣層上覆蓋一層金屬薄層,形成柵極(G)。 從襯底基片上引出一個電極,稱為襯底電極。(2)工作原理工作原理示意圖如圖所示。 當(dāng)= 0時,漏極電流 0,處于截止?fàn)顟B(tài)。 增大,超過開啟電壓,形成漏區(qū)和源區(qū)間的導(dǎo)電溝道。若此時在漏極和源極之間加正向電壓 0,就會形成漏極電流。總結(jié):越大,導(dǎo)電溝道越寬,溝道電阻越小,越大。則通過調(diào)節(jié)可控制漏極電流。(3)輸出特性和轉(zhuǎn)移特性(與晶體管類似)。3電壓放大作用MOS場效晶體管放大電路與結(jié)型場效晶體管放大電路的工作原理相似。不同的是N溝道增強型場效晶體管的的正向電壓應(yīng)大于開啟電壓才能正常工作。而N溝道耗盡型場效晶體管的不僅可取負值,取正值和零均能正常工作。P溝道MOS管的工作電路只需將相應(yīng)的電壓方向改變即可。1.3.3MOSFET和三極管的比較1MOSFET溫度穩(wěn)定性好。2MOSFET輸入電阻極高,因此,MOSFET放大級對前級的放大能力影響極小。3MOSFET存放時,應(yīng)使柵極與源極短接,避免柵極懸空。4MOSFET的源極和漏極可以互換使用。C 練 習(xí):1場效晶體管是一種_控制器件,用_極電壓來控制_極電流。它具有高_和低_特性。2場效晶體管有_場效晶體管和_場效晶體管兩大類,每類又有_溝道和_溝道的區(qū)分。D小 結(jié):1場效晶體管分為結(jié)型場效晶體管和絕緣柵型場效晶體管。2場效晶體管
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