魯科版選修3 第3章第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體（第2課時） 作業(yè) (1).doc

第2課時離子晶體1一種金屬晶體與一種離子晶體相比較，正確的是()a金屬晶體一定比離子晶體微粒堆積得更密集b金屬晶體一定比離子晶體硬度大c金屬晶體一定比離子晶體熔點高d金屬晶體一定比離子晶體導電性強2下列關于nacl晶體結構的說法中正確的是()anacl晶體中，陰、陽離子的配位數(shù)相等bnacl晶體中，每個na周圍吸引1個clcnacl晶胞中的質點代表一個nacldnacl晶體中存在單個的nacl分子3下列有關離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是()a熔點：nafmgf2alf3b晶格能：nafnaclnabrc陰離子的配位數(shù)：csclnaclcaf2d硬度：mgocaobao4下列關于晶格能的敘述中正確的是()a晶格能是氣態(tài)原子形成1 mol離子晶體所釋放的能量b晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關c晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用d晶格能越大的離子晶體，其熔點越高、硬度越大5堿金屬鹵化物是典型的離子晶體，它們的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的異電性離子的核間距)。下面說法錯誤的是()晶格能/kjmol1離子半徑/pmliflicllibrlii1 031845807752linak6095133 nafnaclnabrnai915 787 736 686kfkclkbrki 812699689 632fclbri136181195216a.晶格能的大小與離子半徑成反比b陽離子相同陰離子不同的離子晶體，陰離子半徑越大，晶格能越小c陽離子不同陰離子相同的離子晶體，陽離子半徑越小，晶格能越大d金屬鹵化物晶體中，晶格能越小，氧化性越強6請按要求填空：科學家通過x射線探明，kcl、mgo、cao、nio、feo、cac2的晶體結構與nacl的晶體結構相似。(1)某同學畫出的mgo晶胞結構示意圖如下圖所示，請改正圖中錯誤：_。(2)mgo是優(yōu)良的耐高溫材料， mgo的熔點比cao的高，其原因是_。(3)ni2和fe2的離子半徑分別為69 pm和78 pm，則熔點nio _ (填“”)feo，nio晶胞中ni和o的配位數(shù)分別為_、_。(4)已知cao晶體密度為a gcm3，na表示阿伏加德羅常數(shù)，則cao晶胞體積為_cm3。(5)cac2晶體的晶胞結構如圖所示， cac2晶體中含有啞鈴形c，使晶胞沿一個方向拉長。cac2晶體中1個ca2周圍距離最近的c數(shù)目為_ 。答案精析1d一般來說，金屬晶體和離子晶體的微粒堆積方式均為密堆積，但具體到某一種金屬晶體或離子晶體，就很難說誰的微粒堆積更密集了。離子晶體的熔點和硬度普遍較高；金屬晶體的熔點和硬度有的很高，也有的很低。金屬晶體都有導電性，離子晶體熔融態(tài)時都導電，固態(tài)時不導電。2a氯化鈉晶體中，每個na周圍結合6個cl，而每個cl周圍結合6個na；nacl只表示na和cl個數(shù)比為11。3a由于r(na)r(mg2)r(al3)，且na、mg2、al3所帶電荷依次增大，所以naf、mgf2、alf3的離子鍵依次增強，晶格能依次增大，故熔點依次升高；r(f)r(cl)r(br)，故naf、nacl、nabr的晶格能依次減??；在cscl、nacl、caf2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4；r(mg2)r(ca2)r(ba2)，故mgo、cao、bao中離子鍵依次減弱，晶格能依次減小，硬度依次減小。4d晶格能是將1 mol離子晶體中的陰、陽離子完全氣化而遠離所吸收的能量，晶格能與離子所帶電荷的乘積成正比，與陰、陽離子核間距離成反比。晶格能越大，晶體的熔、沸點越高，硬度也越大，所以d項正確。5d由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比，可確定a項正確；由naf、nacl、nabr、nai晶格能的大小即可確定b項說法正確；由lif、naf、kf晶格能的大小即可確定c項說法正確；表中晶格能最小的金屬鹵化物是碘化物，因還原性fclbr66(4)(5)4解析(1)mg2和o2的半徑是o2mg2，故空心球應為o2，實心球應為mg2；圖中應該黑白球交替出現(xiàn)，故8號球應為實心球。(2)mgo與cao的離子電荷數(shù)相同，mg2半徑比ca2小，mgo晶格能大，熔點高。(3)nio晶胞與nacl晶胞相同，所以ni和o的配位數(shù)都是6，離子半徑ni2feo，所以熔點niofeo。(4)由于cao與nacl的晶胞同為