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1,逆變器的驅(qū)動(dòng),本講主要內(nèi)容:(1)逆變器驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù);(2)逆變器驅(qū)動(dòng)電路的要求;(3)逆變器驅(qū)動(dòng)電路的原理;(4)常用逆變器驅(qū)動(dòng)芯片的使用方法;,2,本講要求:(1)掌握逆變器驅(qū)動(dòng)電路的作用;(2)掌握逆變器驅(qū)動(dòng)電路的要求;(3)掌握逆變器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理;(4)掌握TLP250、IR2110、IR2130三種驅(qū)動(dòng)芯片的原理及使用方法;,3,1、驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù),驅(qū)動(dòng)電路是主電路與控制電路之間的接口電路。驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)轉(zhuǎn)換為加在器件控制回路中的電壓或者電流。,4,2、驅(qū)動(dòng)電路的要求,具有一定的功率,使器件能夠可靠地開(kāi)通或關(guān)斷。具有盡可能短的開(kāi)關(guān)時(shí)間和盡可能小的開(kāi)關(guān)損耗。具有電氣隔離環(huán)節(jié),一般采用光隔離或磁隔離。工作可靠。具有較低的成本。,5,3、驅(qū)動(dòng)電路的分類(lèi),按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì),可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類(lèi)。驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為分立元件的,但目前的趨勢(shì)是采用專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路常稱(chēng)為觸發(fā)電路。,6,4、典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路,輸入正負(fù)電源VCC;電氣隔離環(huán)節(jié):光耦;電壓放大環(huán)節(jié):運(yùn)算放大器A;功率放大環(huán)節(jié):推挽電路V2、V3;,7,電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓,要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻。使電力MOSFET開(kāi)通的柵源極間驅(qū)動(dòng)電壓一般取1015V,使IGBT開(kāi)通的柵射極間驅(qū)動(dòng)電壓一般取1520V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓(一般取-5-15V)有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻(數(shù)十歐左右)可以減小寄生振蕩,該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動(dòng)器件電流額定值的增大而減小。電力MOSFET包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分;當(dāng)無(wú)輸入信號(hào)時(shí)高速放大器A輸出負(fù)電平,V3導(dǎo)通輸出負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓,當(dāng)有輸入信號(hào)時(shí)A輸出正電平,V2導(dǎo)通輸出正驅(qū)動(dòng)電壓。,電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路,8,5、MOSFET和IGBT的集成驅(qū)動(dòng)芯片,TLP250;IR2110;IR2130HCPL-316;EXB841;中國(guó)落木源電子的系列產(chǎn)品;,9,6、集成芯片TLP250的原理,TLP250是東芝公司生產(chǎn)的光電耦合器,它是具有驅(qū)動(dòng)能力的快速光耦,可以驅(qū)動(dòng)50A的IGBT或MOSFET。TLP250的最大輸入電流為20mA,最大輸出電流為1.5A,芯片的工作電壓為10V35V,一般取20V。,10,TLP250的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖及管腳定義如下:,11,TLP250的原理:,12,TLP250組成的驅(qū)動(dòng)電路原理:,13,7、集成芯片IR2110的原理,IR2110是國(guó)際整流器(IR)公司生產(chǎn)的高壓芯片,一片IR2110可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)一個(gè)橋臂的兩個(gè)全控型電力電子器件(MOSFET或IGBT),只需要一路輸入電源。,14,IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖:,15,IR2110的管腳定義:,LO(引腳1)低端輸出;COM(引腳2)公共端;Vcc(引腳3)低端固定電源電壓;Nc(引腳4)空端;Vs(引腳5)高端浮置電源偏移電壓;VB(引腳6)高端浮置電源電壓;HO(引腳7)高端輸出;Nc(引腳8)空端;,VDD(引腳9)邏輯電源電壓;HIN(引腳10)邏輯高端輸入;SD(引腳11)關(guān)斷;LIN(引腳12)邏輯低端輸入;Vss(引腳13)邏輯電路地電位端,其值可以為0V;Nc(引腳14)空端,16,IR2110的驅(qū)動(dòng)原理:IR2110基于自舉技術(shù)設(shè)計(jì),只需單電源就可同時(shí)驅(qū)動(dòng)一個(gè)橋臂的兩個(gè)開(kāi)關(guān)管。,17,圖中C1、VD1分別為自舉電容和二極管,C2為VCC的濾波電容。假定在S1關(guān)斷期間C1已充到足夠的電壓(VC1VCC)。當(dāng)HIN為高電平時(shí)VM1開(kāi)通,VM2關(guān)斷,VC1加到S1的門(mén)極和發(fā)射極之間,C1通過(guò)VM1,Rg1和S1門(mén)極柵極電容Cgc1放電,Cgc1被充電。此時(shí)VC1可等效為一個(gè)電壓源。當(dāng)HIN為低電平時(shí),VM2開(kāi)通,VM1斷開(kāi),S1柵電荷經(jīng)Rg1、VM2迅速釋放,S1關(guān)斷。經(jīng)短暫的死區(qū)時(shí)間(td)之后,LIN為高電平,S2開(kāi)通,VCC經(jīng)VD1,S2給C1充電,迅速為C1補(bǔ)充能量。如此循環(huán)反復(fù)。,18,8、集成芯片IR2130的原理,IR2130是國(guó)際整流器(IR)公司生產(chǎn)的高壓芯片,一片IR2130可以直接驅(qū)動(dòng)一個(gè)中小容量的6個(gè)全控型電力電子器件(MOSFET或IGBT),并且也只需要一路輸入電源。IR2130實(shí)質(zhì)上就是內(nèi)部有三片IR2110芯片,其原理與IR2110相同。IR2130可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250mA,而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500mA;,19,IR2130的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖:,20,IR2130輸入輸出真值表:,21,IR2110的管腳定義:VB1VB3:是懸浮電源連接端,通過(guò)自舉電容為3個(gè)上橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)部懸浮電源,VS1VS3是其對(duì)應(yīng)的懸浮電源地端。HIN1HIN3、LIN1LIN3:逆變器上橋臂和下橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端,低電平有效。ITRIP:過(guò)流信號(hào)檢測(cè)輸入端,可通過(guò)輸入電流信號(hào)來(lái)完成過(guò)流或直通保護(hù)。CA-、CAO、Vso:內(nèi)部放大器的反相端、輸出端和同相端,可用來(lái)完成電流信號(hào)檢測(cè)。H01H03、L01L03:逆變器上下橋臂功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸出端。FAULT:過(guò)流、直通短路、過(guò)壓、欠壓保護(hù)輸出端,該端提供一個(gè)故障保護(hù)的指示信號(hào)。它在芯片內(nèi)部是漏極開(kāi)路輸出端,低電平有效。Vcc、Vss:芯片供電電源連接端,Vcc接正電源,而Vss接電源地。,22,IR2130的驅(qū)動(dòng)原理:IR2130基于自舉技術(shù)設(shè)計(jì),只需單電源就可同時(shí)驅(qū)動(dòng)一個(gè)橋臂的兩個(gè)開(kāi)關(guān)管。,23,9、逆變器的輔助電源,在橋式逆變電路中,一個(gè)橋

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