畢業(yè)論文-取向生長bi4ti3o12鐵電薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度

本科畢業(yè)論文設(shè)計題目取向生長BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度學(xué)院物理科學(xué)學(xué)院專業(yè)材料物理姓名指導(dǎo)教師2012年6月12日摘要稀土摻雜層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的BI4TI3O12鐵電薄膜具有居里溫度高，自發(fā)極化大，耐疲勞性好的特點，適用于制作鐵電儲存器。由于BI4TI3O12鐵電薄膜的自發(fā)極化矢量靠近A軸，近A軸生長的BI4TI3O12鐵電薄膜具有大的剩余極化強(qiáng)度。對比研究了隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜和A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度。結(jié)果表明A/B軸高擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為低頻段F0043E008；高頻段F021E008。A/B軸低擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系在高頻和低頻統(tǒng)一為F007E0131。ABSTRACTTHERAREEARTHDOPEDFERROELECTRICBI4TI3O12OFLAYEREDPEROVSKITEWHICHHASHIGHCURIETEMPERATURE,LARGESPONTANEOUSPOLARIZATIONANDGOODFATIGUERESISTANCE,ISONEOFTHECANDIDATEMATERIALSFORNONVOLATILEFERROELECTRICMEMORYAPPLICATIONDUETOTHESPONTANEOUSPOLARIZATIONOFTHEBI4TI3O12THINFILMSISCLOSETOTHEAAXIS,THEAAXISORNEARAAXISGROWTHBI4TI3O12THINFILMSHASALARGEREMANENTPOLARIZATIONTHESCALINGBEHAVIOROFTHEDYNAMICHYSTERESISONA/BAXESORIENTEDANDRANDOMLYORIENTEDBI4TI3O12THINFILMSWASINVESTIGATEDTHESCALINGRELATIONSOFA/BAXESORIENTEDBI4TI3O12OFHIGHPREFERENTIALORIENTATIONDEGREETHINFILMSWEREF0043E008WHENFF021E008WHENF1/ETHESCALINGRELATIONSOFA/BAXESORIENTEDBI4TI3O12OFLOWPREFERENTIALORIENTATIONDEGREETHINFILMSWEREF005E00917WHILETHESCALINGRELATIONSOFRANDOMLYORIENTEDBI4TI3O12THINFILMSF007E0131目錄第一章鐵電材料綜述111鐵電材料的定義112鐵電薄膜213取向生長BI4TI3O12鐵電薄膜3第二章動力學(xué)標(biāo)度及其意義421電滯回線的產(chǎn)生422回線動力學(xué)標(biāo)度423進(jìn)行回線動力學(xué)標(biāo)度的意義424鐵電材料動力學(xué)標(biāo)度的研究現(xiàn)狀5第三章實驗方法731實驗方案732測量電滯回線的原理和方法733數(shù)據(jù)處理方法8第四章BI4TI3O12薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度1041隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜（1）的回線動力學(xué)標(biāo)度1042A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（2）的回線動力學(xué)標(biāo)度1243A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（3）的回線動力學(xué)標(biāo)度1444BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的比較及結(jié)論16結(jié)論19致謝20參考文獻(xiàn)21第一章鐵電材料綜述11鐵電材料的定義鐵電材料定義為具有自發(fā)極化且自發(fā)極化方向可隨外電場翻轉(zhuǎn)的電介質(zhì)材料。自發(fā)極化是由于晶胞內(nèi)原子位置變化導(dǎo)致正負(fù)電荷中心不重合而產(chǎn)生的。宏觀表現(xiàn)為極化矢量與外電場之間存在電滯回線關(guān)系1，即具有鐵電性。PSPPRECEEC0PR圖11鐵電體的電滯回線鐵電材料的發(fā)展歷史，大體可分為四個階段2羅息鹽時期發(fā)現(xiàn)鐵電性，1920年，VALASEK發(fā)現(xiàn)RS（羅息）鹽在外電場E作用下，其極化強(qiáng)度P有如圖1所示的滯后回線關(guān)系，表現(xiàn)出特殊的非線性介電行為。此發(fā)現(xiàn)奠定了兩個里程碑第一次表明羅息鹽自身存在持久極化，首次給出了電荷和電場之間的回線。VALASEK是在介電領(lǐng)域使用自發(fā)極化和居里點這兩個概念的第一人。KDP時期鐵電熱力學(xué)理論，在RS為唯一的已知的鐵電體的將近20年期間，關(guān)于鐵電性的微觀機(jī)理仍然無從分析，直到1935年至1938年，BUSCH和SCHERRER發(fā)現(xiàn)磷酸二氫鉀（KDP）及其許多同構(gòu)晶體也具有類似于RS的特殊介電行為。更有意義的是KDP型晶體的結(jié)構(gòu)比RS簡單得多，每個晶胞只有16個原子，因此，SLATER在1941年得以類比于鐵磁體中電子自旋有序化理論提出了KDP的鐵電性的質(zhì)子位置有序化微觀模型。在理論研究方面，MULLER首先將熱力學(xué)理論應(yīng)用于鐵電體，并將這一理論應(yīng)用于更一般的情況。DEVONSHIRE將其進(jìn)行完善，發(fā)展為朗道德文希爾理論。鈣鈦礦時期鐵電軟膜理論，1925年左右發(fā)現(xiàn)了鈦酸鹽陶瓷具有很高的介電常數(shù)。1945年發(fā)現(xiàn)了室溫相對介電常數(shù)高達(dá)1000至3000的鈦酸鋇（BARIUMTITANATE，BATIO3，簡稱為BT）陶瓷，而后在1945年和1946年WUL和GOLDMAN報道了鈦酸鋇陶瓷的鐵電性。1950年，SLATER提出了鈦離子位移模型，用來解釋鈦酸鋇的鐵電性。1958年的第二屆電介質(zhì)會議上ANDERSON提出了軟膜理論，而COCHRAN則獨(dú)立地進(jìn)行了更詳細(xì)的研究。BARKER和TINKHAM運(yùn)用紅外光譜以及隨后的COWLEY利用非彈性中子散射進(jìn)行了實驗驗證。到1970年，關(guān)于鐵電相變晶格動力學(xué)的主要思想已經(jīng)闡明。鐵電薄膜及器件時期小型化。90年代以前，并沒有器件真正用到鐵電材料的鐵電性，而主要是利用鐵電材料的壓電性和熱釋電性等。隨著80年代中期薄膜制備技術(shù)取得了突破性進(jìn)展，高質(zhì)量鐵電薄膜的應(yīng)用成為可能。12鐵電薄膜具有納米量級厚度的鐵電性薄膜被稱為鐵電薄膜，它是一種重要的功能材料，具有良好的壓電、介電、鐵電、光電以及熱釋電性。隨著鐵電薄膜制備技術(shù)的迅速發(fā)展，鐵電薄膜的應(yīng)用也日益廣泛。鐵電薄膜以其尺寸小、質(zhì)量輕、集成方便、低工作電壓、翻轉(zhuǎn)速度快等優(yōu)點，在集成光學(xué)、微電子學(xué)、光電子學(xué)等商業(yè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用2,3，表1列出了鐵電薄膜不同物理效應(yīng)對應(yīng)的應(yīng)用。表1鐵電薄膜的主要性能及應(yīng)用物理效應(yīng)對應(yīng)的應(yīng)用介電性動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM，薄膜陶瓷電容，微波器件諧振器、探測器、波導(dǎo)，薄膜傳感器、與硅太陽能電池集成的儲能電容器壓電性SAW，微型壓電驅(qū)動器，線性位置控制器件熱釋電性熱釋電探測器及探測器列陣鐵電性鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM，鐵電激光光盤電光效應(yīng)全內(nèi)反光開關(guān)，光波導(dǎo)，光偏振器，光記憶與顯示器聲光效應(yīng)聲光偏轉(zhuǎn)器光折變效應(yīng)光調(diào)制器，光全息存儲器非線性光學(xué)效應(yīng)光學(xué)倍頻器二次諧波發(fā)生其中鐵電存儲器是鐵電薄膜的最主要應(yīng)用，具有低工作電壓、低能耗、讀寫速度快等優(yōu)點，包括鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM、鐵電效應(yīng)晶體管FEET以及鐵電動態(tài)隨機(jī)存取存儲器FDRAM。13取向生長BI4TI3O12鐵電薄膜BI4TI3O12鐵電薄膜為鉍系層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，如圖1所示。具有大的剩余極化強(qiáng)度和良好的抗疲勞特性等優(yōu)點，用其制成的鐵電存儲器具有較高的儲存壽命和極低的漏電流等優(yōu)點，且可以極大的縮小器件體積，有利于器件集成1。AAXISAAXISCAXISPSPSCAXIS45圖12BI4TI3O12晶體結(jié)構(gòu)圖BI4TI3O12鐵電薄膜有很大的各向異性，其自發(fā)極化方向位自發(fā)極化矢量位于AC平面，靠近A軸（與A軸成約45度）。隨機(jī)取向的BI4TI3O12鐵電薄膜的應(yīng)用具有很大的局限性，因為晶胞排列雜亂無章，分散了其各向異性。而不同應(yīng)用領(lǐng)域的器件對性能的要求不同，要求利用其不同方向?qū)?yīng)的不同性能，如非揮發(fā)性鐵電存儲器NVFRAM對極化強(qiáng)度的要求很高13、而MEMS要求好的壓電性能，只有不同均勻取向的薄膜才能滿足這些不同要求。因此對取向生長的BI4TI3O12鐵電薄膜進(jìn)行研究有重要意義。第二章動力學(xué)標(biāo)度及其意義21電滯回線的產(chǎn)生鐵電體的極化翻轉(zhuǎn)可以用電疇翻轉(zhuǎn)來描述，晶體的自發(fā)極化會使晶體兩端產(chǎn)生束縛電荷，從而產(chǎn)生一個退極化場，結(jié)果會使靜電能升高。同時自發(fā)極化的自發(fā)應(yīng)變也使得應(yīng)變能增加，能量升高是一種不穩(wěn)定狀態(tài)的表現(xiàn)，體系不能穩(wěn)定存在。晶體會分成多個小區(qū)域，每個小區(qū)域的自發(fā)極化方向一致，不同區(qū)域間自發(fā)極化方向趨向不同方向，這些自發(fā)極化區(qū)域一致的小區(qū)域就叫做電疇，疇邊界稱為疇壁，電疇的存在分散抵消了靜電荷，降低了靜電能和應(yīng)變能，同時引入了疇壁能，當(dāng)總能量極小值時體系既達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。當(dāng)引入超過矯頑場大小的外加電場后，極化方向沿電場方向的疇會通過新疇核的形成和疇壁運(yùn)動而擴(kuò)展，其他方向的疇則會縮小甚至消失，宏觀表現(xiàn)出總的極化強(qiáng)度P指向外電場E的方向。由于疇翻轉(zhuǎn)需要消耗能量，該能量即為外電場所做的功，因此極化強(qiáng)度P在交變電場E的作用下其變化表現(xiàn)出落后于電場E的變化，構(gòu)成PE雙值函數(shù)，又稱作電滯回線。22回線動力學(xué)標(biāo)度疇結(jié)構(gòu)以及其極化翻轉(zhuǎn)是理解和預(yù)測鐵電材料結(jié)構(gòu)和性能間關(guān)系的基礎(chǔ)，測量觀察電滯回線可以得到疇翻轉(zhuǎn)的一些信息?；鼐€的面積隨外電場的幅值E0和頻率F的變化而變化，而回線動力學(xué)標(biāo)度就是研究回線面積與外電場幅值E0和頻率F的函數(shù)關(guān)系方法。表示為AB0AEF回線的面積代表一個周期內(nèi)疇極化翻轉(zhuǎn)消耗的能量，也就是疇翻轉(zhuǎn)的多少，A值表征了面積隨頻率F的變化趨勢，B值表征了面積隨電場的幅值E0的變化趨勢，從而通過動力學(xué)標(biāo)度就可以在宏觀上推測鐵電疇的成核、生長過程。23進(jìn)行回線動力學(xué)標(biāo)度的意義鐵電材料的重要特征就是極化翻轉(zhuǎn)與外電場間存在電滯回線關(guān)系，因此對鐵電材料進(jìn)行動力學(xué)標(biāo)度對了解鐵電材料的疇翻轉(zhuǎn)過程有重要意義。主要的方面有第一，回線的面積代表疇翻轉(zhuǎn)消耗的能量既疇翻轉(zhuǎn)數(shù)量的多少，電滯回線是由于鐵電疇在外電場的驅(qū)動下翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致的，翻轉(zhuǎn)包括新疇成核和生長兩個過程。傳統(tǒng)理論是以直流電場為驅(qū)動電場，并不完全適用于交變電場。通過觀察回線的面積和形狀隨交變電場外電場幅值E0和頻率F的變化規(guī)律可以得到新疇成核和長大的細(xì)節(jié)4。第二，以鐵電儲存器為代表的器件在微電子領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，對其鐵電性能的認(rèn)識需求進(jìn)一步加深，特別是當(dāng)其工作頻率越來越高達(dá)到幾十兆赫茲時，在這種超高頻率下，用實驗的方法來了解其的響應(yīng)情況很難實現(xiàn)，這時可以通過回線面積與電場幅值E0和頻率F在高頻下的關(guān)系來外推至超高頻率，從而預(yù)測在該頻率下的響應(yīng)情況和工作狀態(tài)5。第三，可以了解疇翻轉(zhuǎn)過程中過程中動力學(xué)行為，比如，通過動力學(xué)標(biāo)度，面積隨頻率的變化關(guān)系可以得到極化翻轉(zhuǎn)的特征時間，從而推測材料極化翻轉(zhuǎn)充分進(jìn)行所需時間，進(jìn)而應(yīng)用于指導(dǎo)電子器件的設(shè)計和應(yīng)用。24鐵電材料動力學(xué)標(biāo)度的研究現(xiàn)狀在二十世紀(jì)初，MRAO等人從三維ON對稱性的22和23模型推導(dǎo)出回線面積在低頻和高頻時的標(biāo)度關(guān)系，低頻下2/301/AEF高頻下該標(biāo)度關(guān)系最初是應(yīng)用于鐵磁系統(tǒng)，鑒于鐵電體和鐵磁體的回線形成機(jī)制類似，它進(jìn)而被推廣到鐵電系統(tǒng)中，并通過實驗驗證了其合理性。43劉俊明等對PZT陶瓷、SBT、BNDT085薄膜的進(jìn)行了回線動力學(xué)標(biāo)度，得出疇翻轉(zhuǎn)特征時間1與外電場幅值成反比的結(jié)論。YIMNIRUN等得到軟PZT陶瓷和硬PZT陶瓷在高低E0下的標(biāo)度關(guān)系10,12，得出低電場時氧空位導(dǎo)致的磁疇釘扎使得兩者標(biāo)度關(guān)系的不同，高電場時標(biāo)度關(guān)系的主要影響因素變?yōu)榭煞D(zhuǎn)疇的多少。表2各種材料的標(biāo)度關(guān)系材料體系標(biāo)度關(guān)系結(jié)論參考文獻(xiàn)22和23模型F0F1/3E02/3FF1E025AVRAMI模型1EXPF1/DE011PBZR,TIO3薄膜低頻下F1/3E02/3高頻下F1/3E03WEA,E06軟PZT陶瓷低E0F1/3E03高E0F1/4E0110硬PZT陶瓷低E0F043E0319高E0FO2空位的引入影響疇壁的運(yùn)動難易程度，高電場下電疇形態(tài)成為標(biāo)度關(guān)系的決定因素。9028E0089BNT薄膜低頻F1/3E02/3高頻F2/3E027SBT9薄膜低頻F2/3E02/3高頻F1/3E02813PLT（PB095LA005TIO3）低頻F2/3E02/3高頻F1/3E02存在電疇翻轉(zhuǎn)的特征時間且特征時間E反比于外電場幅值E015由上述研究結(jié)果可以知道，由理論模型推導(dǎo)出的標(biāo)度關(guān)系并不能完全適用于各種不同類型的鐵電材料體系，圖表中各種材料的標(biāo)度關(guān)系并都不相同，通過對這些材料體系進(jìn)行標(biāo)度得到了許多有指導(dǎo)意義的結(jié)論。而且關(guān)于取向生長BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的研究并沒有完善，因此對其動力學(xué)標(biāo)度關(guān)系進(jìn)行研究，以了解不同取向晶粒極化翻轉(zhuǎn)的差異，是非常必要的。第三章實驗方法31實驗方案分別對沿A/B軸擇優(yōu)取向和隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜進(jìn)行標(biāo)度，得到不同擇優(yōu)取向的BI4TI3O12鐵電薄膜的動力學(xué)標(biāo)度關(guān)系，對比研究標(biāo)度關(guān)系的差異，并對比其電疇翻轉(zhuǎn)過程的不同。32測量電滯回線的原理和方法422鐵電體的自發(fā)極化強(qiáng)度并不是整個晶體為同一個方向，而是不同極化方向區(qū)域的疊加，既不同電疇的極化強(qiáng)度矢量疊加。由于熱運(yùn)動的影響，不加電場狀態(tài)下鐵電體內(nèi)電疇取向雜亂，不同電疇間極化強(qiáng)度矢量疊加抵消，對外不呈現(xiàn)極化。外加電場超過矯頑場后，沿電場方向的電疇通過成核和疇壁運(yùn)動體積擴(kuò)大，其他極化方向的電疇體積減小或消失，宏觀表現(xiàn)出總的極化方向沿外電場方向。所以表面電荷Q同外加電場E之間構(gòu)成出電滯回線關(guān)系，表面電荷Q表征極化強(qiáng)度P。422實驗采用美國RANDIANTTECHNOLOGY公司生產(chǎn)的RTPREMIER型標(biāo)準(zhǔn)鐵電測試儀，采用虛地模式進(jìn)行鐵電測量。測試波形采用三角波，圖3為測試波形，1SVOLTAGESTEPSIZEVOLTAGESTEPDELAYSIGNALSAMPLEPOINTTIME/MS圖4測試電滯回線的脈沖波形VOLTAGE/V首先施加一個預(yù)極化脈沖將樣品極化到負(fù)極化狀態(tài)，以便在加一個周期測試波形后測得一條完整的電滯回線。間隔一秒后開始施加一個周期的測量三角波來測試記錄數(shù)據(jù)，三角波采用臺階形電壓，隔一定時間上升一段電壓，記錄一次數(shù)據(jù)，通過積分感應(yīng)電流計算出電極表面電荷，單位面積上的電荷即為剩余極化強(qiáng)度值。即2CQVINTERGAOVLTSSENCAPCITORCMAREAMPAR423薄膜樣品處理方法，用粒子濺射法在BI4TI3O12鐵電薄膜樣品的上表面刷上分離點狀電極，下表面為導(dǎo)電基底，測試時，在顯微操作臺上將兩個測量探針輕輕壓在其中兩個點電極上（要防止刺穿薄膜樣品），即構(gòu)成一個厚度兩倍于薄膜厚度的電容器結(jié)構(gòu)。424操作步驟1）啟動鐵電測試儀，運(yùn)行鐵電測試軟件。2）將信號輸出端和接收端連接到待測材料電容結(jié)構(gòu)的兩個電極。3）運(yùn)行電滯回線測量程序，設(shè)定測試電壓和頻率進(jìn)行測試。4）執(zhí)行程序得到電滯回線，并導(dǎo)出數(shù)據(jù)。5）改變測試的電場強(qiáng)度和頻率測量一系列電滯回線。33數(shù)據(jù)處理方法1）將導(dǎo)出的TEXT格式文件數(shù)據(jù)用作圖軟件（如ORIGIN）打開，繪制電滯回線圖。2）測量電滯回線的面積，方法為用PHOTOSHOP打開電滯回線圖，將回線連接成為封閉回路，選取該封閉回線，查看回線的像素面積S，并測量橫、豎坐標(biāo)軸的像素長度分別記錄為X、Y。觀察得到坐標(biāo)軸坐標(biāo)長度X、Y就可以計算回線的物理面積，SX/XY/Y，記錄數(shù)據(jù)。3）得到不同頻率F和電場幅值E0下對應(yīng)的面積，就可以繪制某一電場幅值E0下回線面積隨頻率F的變化圖和某一頻率下回線面積隨電場幅值E0的變化圖。（坐標(biāo)軸調(diào)整為LOG10形式以便于觀察A、B值的變化）4）觀察隨頻率F的變化圖和回線面積隨電場幅值E0的變化圖，判斷A、B值的變化情況，選取合適的頻率F和電場幅值E0值區(qū)間計算該區(qū)間（高頻低頻、高電場低電場）下的A、B值。5）計算指數(shù)A、B方法，A值計算方法為選取電場E0相同頻率F不同的數(shù)據(jù)組，ALOGA1/A2/LOGF1/F2，對每組A值求均值，再求出總的均值即為指數(shù)A；B值計算方法類似，選取不同電場幅值E0相同頻率F的數(shù)據(jù)組，BLOGA1/A2/LOGE01/E02，對每組B值求均值，再求出總的均值即為指數(shù)B。6）得到A、B值后，計算不同面積對應(yīng)的FAE0B值，繪制面積隨FAE0B的變化圖，并進(jìn)行擬合得到擬合優(yōu)度R2。第四章BI4TI3O12薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度41隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜（1）的回線動力學(xué)標(biāo)度圖41是隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜樣品（1）的XRD掃面圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜的對比圖，可以看出該樣品的XRD掃描圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜十分相似，（117）衍射峰最強(qiáng)約是（200/020/0012）的五倍左右，這可以證明樣品薄膜結(jié)構(gòu)特征類似于粉末樣品，無取向分布趨勢，表明該樣品為隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜。10203040501010203040500406081720/20/014PT1PTCUK2DEGRINTESITYAU10圖41隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖1086042020460810215050510520PR/C/CM2U/V61KV/CM54820/137KVCFHZ102030405607110/CV/CM3E/KVCMF10HZ圖42A電滯回線及B回線面積隨外電場幅值的變化規(guī)律1055254658/CV/CM3F/HZE052KV/CM806040202040608021001020PR/C/CM2U/V50HZ13Z圖43A電滯回線及B回線面積隨外電場頻率的變化規(guī)律圖42AB為外電場頻率F1000HZ情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場幅值E0的變化關(guān)系，頻率幅值E0范圍136643KV/CM。圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場EC值都隨電場幅值E0的增大而增大，并且其增大趨勢隨E0的值的增加而趨向平緩，回線形狀趨向飽和，說明這時電疇極化翻轉(zhuǎn)已經(jīng)基本完成。最大剩余極化強(qiáng)度PR小于10C/CM2。圖42AB為外電場幅值E0520KV/CM情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場頻率的變化關(guān)系，頻率范圍是5005000HZ。一般情況下，晶體各向異性越強(qiáng)，極化反轉(zhuǎn)時的離子位移就會越大，消耗的能量也越高，宏觀就表現(xiàn)出矯頑場越高，回線矩形度越好。電疇極化翻轉(zhuǎn)需要一段時間來完成，所以交變電場的頻率也會影響電疇翻轉(zhuǎn)的多少，宏觀表現(xiàn)出回線形狀也跟隨隨頻率的變化而變化。圖中顯示測試區(qū)間內(nèi)電滯回線的面積隨外電場頻率F的增大而單調(diào)減小。通常認(rèn)為，外電場頻率F較小時疇翻轉(zhuǎn)速度能跟上外電場翻轉(zhuǎn)速率，但是由于疇翻轉(zhuǎn)對外電場的滯后共振效應(yīng)面積達(dá)不到最大值，隨著外電場頻率F的增大回線面積會增大；外電場頻率F增大到一定程度后，電場翻轉(zhuǎn)速率超過電疇翻轉(zhuǎn)速率，會因一部分疇翻轉(zhuǎn)跟不上外電場變化而導(dǎo)致回線面積隨外電場頻率F的增大而減小。圖形并沒有出現(xiàn)峰值，說明特征時間對應(yīng)頻率不包括在測量區(qū)間內(nèi)，而是在區(qū)間左側(cè)。因此，可以由特征頻率小于04HZ推測其特征時間應(yīng)大于25MS。用43中的方法求得標(biāo)度關(guān)系指數(shù)為，A007，B131。因此，標(biāo)度關(guān)系表示為F007E0131，圖44為與F007E0131的關(guān)系圖，用直線擬合，擬合優(yōu)度R20997。101502025030234567850HZ1Z20H5Z340HZ5/CV/CM3F07E013R209974圖44隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的擬合圖42A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（2）的回線動力學(xué)標(biāo)度圖45擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖圖45是A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品（2）的XRD圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末圖譜的對比圖，可以看到該樣品的XRD圖譜的（117）衍射峰和（200/020/0012）衍射峰的相對強(qiáng)度與隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜樣品（1）相比存在較大差異，擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品的（200/020/0012）衍射峰要強(qiáng)于其（117）衍射峰，強(qiáng)度比值為四倍，可以斷定該樣品在（200/020/0012）衍射峰對應(yīng)的方向即A/B方向具有較強(qiáng)的擇優(yōu)取向度，可以判斷該樣品是沿A/B軸擇優(yōu)取向的BI4TI3O12薄膜。604020204060430210102304PR/C/CMU/V450KV/CM67/FHZ4505050606507075016718920123245/CV/CME/KVCMF20HZ圖46A電滯回線及B回線面積隨外電場幅值的變化規(guī)律10161718E045KV/CM/CV/CM3F/HZ302101023042010120340PR/C/CM2U/V40HZ1圖47A電滯回線及B回線面積隨外電場頻率的變化規(guī)律圖46AB為外電場頻率F2000HZ情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場幅值E0的變化關(guān)系。觀察電滯回線形狀隨幅值E0的變化可知，在電場幅值E0的測試區(qū)間（450750KV/CM）內(nèi),回線都趨于飽和。圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場EC值都隨電場幅值E0的增大而增大。最大剩余極化強(qiáng)度值PR在20C/CM2左右。圖47AB為外電場幅值E0450KV/CM情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場頻率的變化關(guān)系。頻率區(qū)間為4006000HZ，圖中顯示電滯回線的面積隨外電場頻率F的增大而減小。同樣沒有出現(xiàn)峰值，說明E0450KV/CM對應(yīng)的特征頻率小于500HZ，所以特征時間大于2MS。求得標(biāo)度關(guān)系指數(shù)為A005，B0917，標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。圖48為圖44為隨F005E00917變化的關(guān)系圖，用直線擬合，擬合優(yōu)度R20967。8101214161820216204283640450KV/CM26/75KVC0/M/CV/CMF05E097R20967圖48擬合圖43A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（3）的回線動力學(xué)標(biāo)度10203040501020304050100406081720/2014PT1TCUK2DEGRINTESITYAU10圖49A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖圖49是A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品（3）的XRD圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末圖譜的對比圖，可以看到該樣品的XRD圖譜的（117）衍射峰和（200/020/0012）衍射峰的相對強(qiáng)度比值更大，擇優(yōu)取向3樣品的（200/020/0012）衍射峰要遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于其（117）衍射峰，強(qiáng)度比超過八倍，可以斷定該樣品在（200/020/0012）衍射峰對應(yīng)的方向即A/B方向具有很高的擇優(yōu)取向度，并且其擇優(yōu)取向度要高于2樣品。4020020408040480PR/C/CM2U/V13KV/CM967/KVC2040608010201411010/CV/CM3EKV/CMF150HZ圖410A電滯回線及B回線面積隨外電場幅值的變化規(guī)律1010901010120/CV/CM3F/HZE012KV/CM4020020401086042020460810PR/C/CMU/V40HZ820Z圖411A電滯回線及B回線面積隨外電場頻率的變化規(guī)律圖410AB是外電場頻率F1500HZ情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的電滯回線隨外電場幅值E0（區(qū)間為3331333KV/CM）的變化關(guān)系，圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場EC值都隨電場幅值E0的增大而增大，并且其增大趨勢隨E0的值的增加而趨向平緩，回線形狀趨向飽和。最大剩余極化強(qiáng)度PR值在50C/CM2左右。圖410AB為外電場幅值E01200KV/CM情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場頻率（頻率區(qū)間為3338000HZ）的變化關(guān)系。圖中顯示，低頻階段，電滯回線的面積隨頻率F的增加而增加，這時電疇翻轉(zhuǎn)速率能跟得上外電場翻轉(zhuǎn)；當(dāng)電場頻率增加到高頻階段后，面積隨頻率F的增加而減小，說明這時電疇翻轉(zhuǎn)的速率跟不上外電場翻轉(zhuǎn)速率了。圖410（B）峰值在1000HZ1500HZ之間，特征時間E為09MS左右。由圖410B，A值在高頻和低頻不同，分別在高頻和低頻條件下求解。得到的標(biāo)度關(guān)系分別為，低頻下（FF0043E008，高頻F1000HZ下F021E008。圖412和圖413分別為高頻和低頻的擬合圖，擬合優(yōu)度R2分別為098和0982。253035408010120140150HZ240Z5HZ670Z8/CV/CM3F21E08202242610101201303HZ5067Z80H9/CV/CM3F043E08R2098圖412高頻擬合圖圖413低頻擬合圖44BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的比較及結(jié)論表3各樣品的標(biāo)度關(guān)系的對比圖樣品（峰值比）取向度標(biāo)度關(guān)系1（5/1）隨機(jī)取向F007E013121/4A/B軸低擇優(yōu)取向度F005E0091731/8）A/B軸高擇優(yōu)取向度低頻下F0043E008高頻下F021E008理論模型F0F1/3E02/3FF1E021三種取向度的BI4TI3O12薄膜的標(biāo)度關(guān)系均與22和23模型不同，這是因為實際薄膜中疇翻轉(zhuǎn)過程不僅受頻率和和幅值的影響，薄膜中的缺陷引起的疇壁釘扎對疇翻轉(zhuǎn)過程也有影響。2指數(shù)A反映了回線面積隨電場頻率F變化的快慢，指數(shù)A為正值時，回線面積隨電場頻率F的增大而增大；指數(shù)A為負(fù)值時，回線面積隨電場頻率F的增大而減小。隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜（621）的標(biāo)度關(guān)系中，指數(shù)A在測試區(qū)間（5005000HZ）內(nèi)為負(fù)值，說明測試區(qū)間內(nèi)，隨外電場頻率增加隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜中有越來越多的疇翻轉(zhuǎn)速率跟不上外電場的變化。同樣的，在A/B軸低擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜（2）的測試區(qū)間（10006000HZ）內(nèi)，指數(shù)A也是負(fù)值，說明隨電場頻率F增加有越來越多的疇翻轉(zhuǎn)速率跟不上外電場的變化。而在A/B軸高擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜（3的標(biāo)度關(guān)系中，指數(shù)A在低頻段為正值，說明頻率較低時回線面積隨電場頻率F的增加而增加（幅度很?。?，這時電疇翻轉(zhuǎn)速率能跟得上外電場的變化；頻率增大到高頻段后指數(shù)A變?yōu)樨?fù)值，這時A/B軸高擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜的回線面積隨電場頻率F的增大而減小。對比同一電場幅值E0下回線面積隨頻率F的變化及A值大小，可以得出同一電場幅值E0下，隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜中疇翻轉(zhuǎn)速率比A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的要慢。3指數(shù)B的大小反映回線面積隨電場幅值E0變化的快慢。在高電場高頻條件下，B值大小為22和23模型隨機(jī)取向A/B軸低取向度A/B軸高取向度,這說明BI4TI3O12薄膜的回線面積受電場幅值的影響比起22和23型要小，而且這種影響隨著沿A/B軸擇優(yōu)取向度的提高而減小。101011010123/CV/CM3E0/KV/CM圖414隨E0變化對比圖2000HZ圖414是F2000HZ條件下三種薄膜樣品的回線面積隨外電場幅值的變化對比圖?？梢缘弥?dāng)回線達(dá)到飽和時，隨機(jī)取向樣品（1），A/B軸低擇優(yōu)取向度樣品（2）和A/B軸高擇優(yōu)取向度樣品（3）三者回線面積相比較，隨機(jī)取向樣品的回線面積要小于A/B軸低擇優(yōu)取向度樣品小于A/B軸高擇優(yōu)取向度樣品，這說明隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜翻轉(zhuǎn)過程中消耗的能量隨取向度的增大而增大?？梢哉J(rèn)為，鐵電疇翻轉(zhuǎn)消耗能量為，其中COSEVPWSV是晶?；蚓Ш说捏w積，PS電疇自發(fā)極化矢量，E為外電場，是自發(fā)極化矢量PS與外電場E之間的夾角2。翻轉(zhuǎn)過程中消耗的總能量等于對應(yīng)不同的電疇消耗能量的積分。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜中電疇取向方向分布平均，而沿A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的電疇取向方向分布與電場方向趨于一致（|0，|COS|1），因此總的積分值會增大。所以A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜大于隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜翻轉(zhuǎn)過程中消耗的能量。BI4TI3O12薄膜中只包含90和180疇及反向疇14。90疇翻轉(zhuǎn)的過程中伴隨著應(yīng)變能，所以90疇一般發(fā)生在較高的外加電場作用下。在A/B軸擇優(yōu)取向的BI4TI3O12薄膜中，電場幅值E0較低時，對應(yīng)于非A/B軸取向晶粒180疇的極化翻轉(zhuǎn)，隨著電場幅值E0的增大，對應(yīng)于非A/B軸取向晶粒90疇及沿A軸取向的晶粒180疇的極化翻轉(zhuǎn)，最后是沿B軸取向的晶粒90疇的極化翻轉(zhuǎn)。不同取向電疇消耗的能量不同，發(fā)生極化翻轉(zhuǎn)所需的外電場值也不同，與外電場方向越接近平行越易翻轉(zhuǎn)。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜中電疇取向方向分布平均，隨著E0值增大，電疇按照對應(yīng)|COS|值由大到?。O化翻轉(zhuǎn)由難到易）依次翻轉(zhuǎn)，回線面積隨E0變化表現(xiàn)出變化較為平緩。A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜中電疇方向分布不平均，|COS|接近1（易翻轉(zhuǎn)）的電疇多，其他方向分布的電疇（翻轉(zhuǎn)隨|COS|的變小而變得困難）相對較少，因此其隨E0變化表現(xiàn)出隨電場變大迅速增大，易翻轉(zhuǎn)電疇翻轉(zhuǎn)完成后，難翻轉(zhuǎn)電疇開始翻轉(zhuǎn)，但與隨機(jī)取向薄膜相比數(shù)量要少，因此隨E0的增加會更平緩。如圖414所示，這在標(biāo)度關(guān)系中的表現(xiàn)就是飽和回線的標(biāo)度指數(shù)中B值大小關(guān)系為，隨機(jī)取向大于A/B軸擇優(yōu)取向。結(jié)論1結(jié)果表明，高電場條件下隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F007E0131。A/B軸低擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。A/B軸高擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為低頻段F0043E008；高頻段F021E008。2BI4TI3O12薄膜飽和回線面積，即電疇翻轉(zhuǎn)消耗的總能量，隨A/B軸取向度的增強(qiáng)而增大。3BI4TI3O12薄膜取向度越高，飽和回線對應(yīng)的疇翻轉(zhuǎn)越充分。致謝本文是在導(dǎo)師盧朝靖教授和張永成老師的悉心指導(dǎo)下完成的。盧老師誨人不倦的高尚情操、勤奮嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)風(fēng)范和淵博的學(xué)識將使我終身受益。研究選題體現(xiàn)了導(dǎo)師高瞻遠(yuǎn)矚開闊敏銳的思維，實驗工作凝聚了導(dǎo)師大量的心血。在此，謹(jǐn)向盧老師表示誠摯的感謝和深深的敬意。特別感謝張永成老師在鐵電性能測試方面與回線動力學(xué)標(biāo)度方面給予我耐心細(xì)致具體的指導(dǎo)。感謝實驗室?guī)熜謳熃愫屯瑢W(xué)對我的支持、鼓勵和幫助。最后衷心感謝我的父母，感謝他們給予我無私的愛與堅強(qiáng)的支持參考文獻(xiàn)1殷之文電介質(zhì)物理學(xué)M北京科學(xué)出版社,20032李超,葉萬能,張永成等沿A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動力學(xué)標(biāo)度青島大學(xué)學(xué)報自然科學(xué)版,2010,23212163喬燕BI4TI3O12鐵電薄膜及鐵電儲存器江漢大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版），200401002034SCOTTJFINTHINFILMFERROELECTRICMATERIALSANDDEVICES,EDITEDBYRRAMESHKLUWERACADEMIC,BOSTON,1997,P1155LISP,CAOWWANDCROSSLETHEEXTRINSICNATUREOFNONLINEARBEHAVIOROBSERVEDINLEADZIRCONATETITANATEFERROELECTRICCERAMICJJAPPLPHYS,1991,69721972246RAOMANDPANDITRMAGNETICANDTHERMALHYSTERESISINTHEONSYMMETRIC23MODELJPHYSREVB,1991,43337333867LIUJM,CHANHL,LCHOYCSCALINGBEHAVIOROFDYNAMICHYSTERESISINMULTIDOMAINSPINSYSTEMSJMATERLETT2002,522132198LIUJM,PANB,YUH,ETALDYNAMICHYSTERESISDISPERSIONSCALINGOFFERROELECTRICNDSUBSTITUTEDBI4TI3O12THINFILMSJJPHYSCONMATT,2004,16118911959LIUJM,YUH,PANB,ETALDYNAMICSCALINGOFHYSTERESISDISPERSIONINFERROELECTRICSJMATERSCIEANDENGIB,2005,1182610YIMNIRUNR,LAOSIRITAWORNY,WONGSAENMAIS,ETALSCALINGBEHAVIOROFDYNAMICHYSTERESISINSOFTLEADZIRCONATETITANATEBULKCERAMICSJAPPLPHYSLETT,2006,8916290111ORIHARAH,HASHIMOTOS,ISHIBASHIYATHEORYOFDEHYSTERESISLOOPBASEDONTHEAVRAMIMODELJJPHYSSOCJPN,1994,631031103512YIMNIRUNR,WONGMANEERUNGR,WONGSAENMAIS,ETALDYNAMICHYSTERESISANDSCALINGBEHAVIOROFHARDLEADZIRCONATETITANATEBULKCERAMICSJAPPLPHYSLETT,2007,9011290813CHAPMANDWSOMETHINFILMPROPERTIESOFANEWFERROELECTRICCOMPOSITIONJJAPPLPHYS,1969,402381238514DINGY,LIUJS,QINHX,ETALWHYLANTHANUMSUBSTITUTEDBISMUTHTITANATEBECOMESFATIGUEFREEINAFERROELECTRICCAPACITORWITHPLATINUMELECTRODESJAPPLPHYSLETT,2001,784175417715LIUJM,YUH,PANB,CHEN,X,Y,ETALDYNAMICSCALINGOFHYSTERESISDISPERSIONINFERROELECTRICSJMATERSCIEANDENGIB,2005,11826A您好，為你提供優(yōu)秀的畢業(yè)論文參考資料，請您刪除以下內(nèi)容，O_O謝謝ANATIONALSURVEYWASRECENTLYLAUNCHEDTOEVALUATETHEEYEHEALTHOFCHINESECHILDRENANDTEENAGERSONJUNE6,CHINASANNUALNATIONALDAYFOREYECARE,THECHINAYOUTHDEVELOPMENTSERVICECENTERANDZHEJIANGMEDICINE,ALEADINGLISTEDCHINESEPHARMACEUTICALCOMPANY,JOINTLYANNOUNCEDTHEKICKOFFOFTHESURVEYINABOUTONEMONTH,AQUESTIONNAIRECOMPILEDBYTOPEYECAREMEDICALEXPERTSINCHINAWILLBEDISTRIBUTEDTHROUGHMULTIPLEONLINEPARTNERS,INCLUDINGHEALTHSOHUCOM,ASWELLASTHROUGHOFFLINESURVEYEVENTSHELDINUNIVERSITIES,MIDDLESCHOOLSANDPRIMARYSCHOOLSACROSSTHECOUNTRYAREPORTWILLBERELEASEDBASEDONTHESURVEYSTATISTICSANDANALYSIS,ANDMOSTIMPORTANTLY,GUIDELINESFORPARENTSANDYOUTHONHOWTOCAREFORTHEEYESANDPREVENTMYOPIAAGROWINGPROBLEMINCHINASDIGITIZEDSOCIETY,WILLALSOBEATTACHEDONTHEREPORT“MYOPIAISNOTONLYADISEASETHATMAKESPEOPLESEETHINGSBLURRILY,BUTALSOLEADSTOSEVERECOMPLICATIONS,SUCHASGLAUCOMAINCREASEDPRESSUREWITHINTHEEYEBALL,ANDCANCAUSEBLINDNESS,“SAIDZHOUYUEHUA,ANESTABLISHEDEYECARESPECIALISTWITHBEIJINGTONGRENHOSPITAL“ITISVERYIMPORTANTFORPARENTSANDCHILDRENTOKNOWABOUTTHERISKANDCAREFORTHEIREYES“THEREAREABOUT450MILLIONMYOPIAPATIENTSINCHINAAMONGCHINESEMYOPIAPATIENTS,30MILLIONARESEVEREPATIENTS,ACCORDINGTOZHOUTHEPREVALENCEOFMYOPIAAMONGHIGHSCHOOLANDCOLLEGESTUDENTSISMORETHAN70PERCENT,ANDTHESITUATIONISCONTINUOUSLYWORSENING,HEADDEDSUNZHU,DIRECTORWITHTHECHINAYOUTHDEVELOPMENTSERVICECENTER,SAIDLONGHOURSOFSTUDY,LACKOFEXERCISE,ESPECIALLYOUTDOORACTIVITIES,ANDATTACHMENTTOELECTRONICSCREENARESOMEOFTHETOPREASONSBEHINDTHEWIDESPREADMYOPIAPROBLEMS,ANDTHEINCREASEOFYOUNGERPATIENTS,ALTHOUGHCHINAHASMADEGREATPROGRESSINIMPROVINGTHEHARDWAREFACILITIESANDLIGHTINGCONDITIONSINSCHOOLSHESAIDHEHOPESTHESURVEYWILLALERTPEOPLEONTHETHREATENINGSITUATION,ANDALSOHELPMEDICALEXPERTSTOBETTERGUIDELINEPARENTSANDCHILDRENSBEHAVIORSTOCAREFOREYES,BASEDONTHETIMELYANDFACTUALSTATISTICSTHESURVEYCOLLECTEDASERIESOFFOLLOWUPEVENTSWILLALSOBEHELDINSIXCITIES,INCLUDINGJINANINSHANDONGPROVINCE,ANDCHANGSHAINHUNANPROVINCE,TOEDUCATEPEOPLEONHOWTOCAREFOREYESAFTERTHESURVEYSTARTEDMOREANDMORECHINESEAREJOGGINGTOGETANDSTAYFITMOSTJOGGERSWILLRUNALONE,BUTSOMEWILLJOGWITHFRIENDSOREVENCOACHESTHEBEIJINGOLYMPICFORESTPARKISONEOFTHEMOSTPOPULARSPOTSITISPACKEDWITHRUNNERSINTHEAFTERNOON,USUALLYAFTERWORK,ANDATWEEKENDSJOGGINGAFTERAWHOLEDAYSWORKCANBEAWAYTOUNWINDITISTRUEFORHEWENJUN,WHOSEWORKPLACEISRIGHTNEARTHEFORESTPARKSHEDISCOVEREDHERATHLETICAPTITUDEATTHEAGEOFSEVEN,WHENSHEBEGANPLAYINGTENNISTHENSHETURNEDTOJOGGING,ANDSHEHASPERSEVEREDWITHITFOR10YEARS“ICOMETOJOGALMOSTEVERYDAYAFTERWORK,WHENEVERIHAVETIMEITHINKJOGGINGISGOODFORMYHEALTHANDFORME,AGIRL,ITHELPSMETOACHIEVETOETERNALGOAL,TOKEEPSLIM,“HESAIDHESAYSSHEPREFERSJOGGINGALONE,SOSHECANFOCUSBETTERSHELOVESJOGGING,EVENDURINGBEIJINGSSMOGGYDAYS“IFTHESMOGISSEVERE,ILLHOLDOFFJOGGINGFORAWHILEBUTIFIREALLYWANTTOGETAWAYFROMWORK,ILLWEARAMASK,ORJUSTIGNORETHESMOGANDGOONJOGGING,“SHESAIDFORTHOSEWHOARENOTSOATHLETIC,JOGGINGALSOHASITSATTRACTIONSWUHOUBINSTARTEDROUGHLYTWOYEARSAGO,WHENHEWASSEVERELYOBESEWITHINTWOMONTHS,HISWEIGHTDROPPEDFROM82KILOGRAMSTO64KILOGRAMSTHESUCCESSHELPEDHIMRECOVERHEALTH,ANDHEHASMADEFRIENDS“JOGGINGDOESNOTREQUIRESPEED,BUTSTAMINAIFYOUWANTTOSTICKTOTHEGAME,YOUNEEDTOTAKEITASAMISSION,AHABIT,ANDTHENEVENTUALLYAHOBBY,“WUSAIDBUTPERSEVERINGWITHJOGGINGISNOTALWAYSEASYJOGGINGISBENEFICIALFORHEARTLUNGFUNCTION,ANDTHESKELETALSYSTEM,BUTDOCTORSSAYIMPROPERTECHNIQUEDAMAGESTHEJOINTS,ESPECIALLYTHEKNEESANDANKLES“EXCESSIVEJOGGINGWEARSDOWNTHEBODY,ANDHARMSONESHEALTHPOORTECHNIQUEHARMSTHEMUSCLESANDSKELETON,ANDCANCAUSESECONDARYINJURESAND,JOGGINGINABADENVIRONMENTCANCAUSECIRCULATIONPROBLEMS,“SAIDLUZHIYONG,ATTENDINGDOCTOR,SPORTSHOSPITAL,GENERALADMINOFSPORTSDRLUHASSOMETIPSFORJOGGERS,ANDTHOSEWHOARETHINKINGOFTAKINGITUPHESAYSPEOPLESHOULDFIRSTEVALUATETHEIRPHYSICALCONDITION,TODECIDETHEAMOUNTANDTYPEOFEXERCISE,ANDJOGGINGINTHEOPENAIRISBETTERRUNNINGONATREADMILLCONRADMACAOWILLRUNSPECIALPROGRAMSFORT