物電學(xué)院微電子制造技術(shù)試題2011級(jí)電信電子專(zhuān)業(yè)綜述

1、貴州師范大學(xué) 2013 2014 學(xué)年度第 二 學(xué)期微電子制造技術(shù)年級(jí) 專(zhuān)業(yè) 電 信 姓 名 江嵩 學(xué) 號(hào)110802010017一、 簡(jiǎn)答題1、什么是集成電路，集成電路有哪些主要工藝過(guò)程。集成電路是一種微型電子器件和部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管， 二極管，電阻，電感和電容及布線連接在一起。制作在一小塊合計(jì)小塊半導(dǎo)體晶體和介質(zhì)基片 上。然后封裝在一個(gè)盒內(nèi)，成為具有所需電路的功能和結(jié)構(gòu)，其中所有元件在結(jié)構(gòu)上成為了一 個(gè)整體，使電子元件成為微小型化。 低功能和可靠性方面邁進(jìn)了一步， 它的英文用字母 IC 表示。 工藝有外延工藝，氧化工藝，摻雜工藝，光刻工藝，制版工藝，隔開(kāi)工藝，表

2、面鈍化工藝。2、簡(jiǎn)述 PECV、D LPCVD、 APCV，D 并指出其區(qū)別。ECVD ：是借助微波或 射頻等使含有薄膜組成 原子的氣體電離，在局部形成 等離子體 ，而 等離子體化學(xué) 活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能 在較低的溫度下進(jìn)行， 利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)， 因而這種 CVD 稱為等離子體增強(qiáng) 化 學(xué)氣相沉積 （PECVD）.實(shí)驗(yàn)機(jī)理：是借助 微波或射頻等使含有薄膜組成 原子 的氣體，在局部形成等離子體，而 等離子體化學(xué) 活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。LPCVD 是大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路以及半導(dǎo)體光電器件上公

3、益領(lǐng)域里的主要工 藝之一， LPCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜成既有均勻性好，缺陷密度低，臺(tái)階覆蓋 性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備四氮化硅薄膜的主要方法，淀積時(shí)硅片放入反應(yīng)器中，間隙緊湊，大大 提高了設(shè)備的加工能力，有利益減低生產(chǎn)成本，提高經(jīng)濟(jì)效益。與水平放置的硅片的系統(tǒng)相比， 它避免了反應(yīng)器掉落微粒的玷污。常壓化學(xué)氣相淀積（ APCVD ）是指在大氣壓下進(jìn)行的一種化學(xué)氣相淀積的方法，這是 化學(xué)氣相淀積最初所采用的方法。這種工藝所需的系統(tǒng)簡(jiǎn)單，反應(yīng)速度快，但是均勻性較差， 臺(tái)階覆蓋能力差，所以一般用于厚的介質(zhì)淀積。除了常壓化學(xué)氣相淀積（ APCVD ）之外，還有低壓化學(xué)氣相淀積（ LPCVD ）

4、,等離子體增 強(qiáng)型淀積（ PECVD ）。目前，在芯片制造過(guò)程中，大部分所需的 薄膜材料 ，不論是導(dǎo)體、半導(dǎo) 體，或是介電材料 ，都可以用化學(xué)氣相淀積來(lái)制備。這些薄膜通常作為層間介質(zhì)（ ILD），保護(hù)性覆蓋物或者表面平坦化等。 LPCVD即低壓化學(xué)氣相 淀積，與 APCVD相比， LPCVD加入了真空系統(tǒng)，其真空度約為 0.1-5Torr ，反應(yīng)溫度一般為 300-800C。反應(yīng)腔內(nèi)真空度被降低，其效果是明顯增大了反應(yīng)氣體分子的平均自由度， 使得氣體分子更加容易擴(kuò)散至硅片表面，硅片表面的反應(yīng)氣體非常充分。基于這種氣體傳輸狀 態(tài)，反應(yīng)腔內(nèi)的氣流條件并不重要，允許反應(yīng)腔設(shè)計(jì)優(yōu)化以得到更高的產(chǎn)量。因

5、此與APCVD不同的是， LPCVD的淀積速度受到化學(xué)反應(yīng)速度的限制。 LPCVD系統(tǒng)有更低的成本，更高的產(chǎn)量、 更好的膜性能及具有臺(tái)階覆蓋能力和均勻性，具有廣泛的應(yīng)用。LPCVD常用于二氧化硅、 Si3N4和多晶硅薄膜的淀積。典型的 LPCVD工藝設(shè)備操作： 1）做好淀積前的準(zhǔn)備工作，包括按流程 卡確認(rèn)程序、 工藝、設(shè)備及硅片數(shù)量 2）硅片清洗 3）選擇程序 4）系統(tǒng)充氣 5）裝片 6） 按 START ，設(shè)備將按設(shè)定的程序進(jìn)爐 7）程序結(jié)束，自動(dòng)出舟，同時(shí)發(fā)出報(bào) 警聲，此時(shí)按面板上的 ACK ，報(bào)警聲消除 2014 年度細(xì)分行業(yè)報(bào)告匯集制造行 業(yè)報(bào)告 互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)報(bào)告 農(nóng)林牧漁行業(yè)報(bào)告 8）

6、經(jīng) 10min冷卻后，取下正片活測(cè)試片，放入 傳遞盒待檢驗(yàn)和測(cè)試。 APCVD和 LPCVD都是通過(guò)熱能來(lái)維持化學(xué)反應(yīng)。而等離子體輔佐 CVD主 要依賴于等離子體的能量。其優(yōu)點(diǎn)是：1）有更低的工藝溫度 2）對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力 3）淀積的膜對(duì)硅片有優(yōu)良的貼附能力4）有較高的淀積速度 5）有較少的針孔和空洞，因而有較高的膜密度6）腔體可以利用等離子體清洗3、簡(jiǎn)述 20世紀(jì)八十年代與 20 世紀(jì)九十年代的 CMOS工藝，并指出其區(qū)別答： 20世紀(jì) 80年代 CMOS工藝具有以下特點(diǎn)： 1）采用氧化工藝進(jìn)行器件間的隔離 2） 采用磷化硅玻璃和回流進(jìn)行平坦化 3）使用正性光刻膠進(jìn)行光刻 4）

7、采用蒸發(fā)的方法進(jìn)行金屬層 的淀積 5）使用發(fā)達(dá)的掩膜進(jìn)行成像 6）用等離子體刻蝕和濕法刻蝕工藝進(jìn)行圖形刻蝕其工藝流程如下： 1）硅片清洗：硅片在一系列化學(xué)溶液中的清洗，以去除顆粒，有機(jī)物和無(wú)機(jī)物沾 污及去除自然氧化層。漂洗、甩干2）墊氧化：熱生長(zhǎng) 15mm的氧化層，保護(hù)硅片表面免受沾污，阻止在主人過(guò)程中對(duì)硅片過(guò)度損傷，有助于控制注入過(guò)程中雜質(zhì)的注入深度。同時(shí)也減少 淀積的氮化層與硅片襯底的應(yīng)力3）低氣壓化學(xué)氣相淀積氮化層： 在低氣壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備中，氮?dú)夂投趸璺磻?yīng)，在硅片表面上生成一薄膜層氮化硅。作為局部氧化隔離生長(zhǎng)二氧化 硅的俺避蔽層 4）第一次光刻：涂覆光刻膠，已形成局部氧化區(qū)域5）

8、第一次掩膜版：硅局部掩膜版，決定了形成局部氧化區(qū)域6）（局部氧化）對(duì)準(zhǔn)和曝光：將掩膜版圖形直接刻在到涂膠的硅片上，包括曝光、顯影、堅(jiān)膜等步驟7）顯影：顯影液噴到硅片上，圖形在硅片上顯現(xiàn)出來(lái)，之后硅片進(jìn)行堅(jiān)膜，并對(duì)尺寸進(jìn)行檢測(cè)8）氮化物刻蝕：沒(méi)有光刻膠保護(hù)的氮化硅被強(qiáng)腐蝕性化學(xué)物質(zhì)刻蝕掉 9）去掉光刻膠：在每一步驟刻蝕工藝之后都要將硅片上的光刻膠去 除在一系列化學(xué)試劑中濕法清洗 10）隔離區(qū)注入：硼離子注入，目的是為了防止場(chǎng)區(qū)下硅表面 反型，產(chǎn)生寄生溝道 11）場(chǎng)氧化：利用氮化硅掩膜氧化功能，在沒(méi)有氮化硅層，并經(jīng)硼離子注 入的區(qū)域，生長(zhǎng)一層場(chǎng)區(qū)域氧化成，厚度約為 400mm 12）去除氮化物和墊

9、氧層，并清洗 13） 掩蔽氧化：通過(guò)氧化層生成一層 sio2 膜，用做雜質(zhì)擴(kuò)散掩蔽膜， 膜厚350mm 14）第二次光刻： 確定 n 阱區(qū)域， 在 N阱中制作 PMOS管。其中包括涂膠、 烘烤、 曝光、顯影等步驟 15）N阱注入： 為被光刻膠保護(hù)的區(qū)域允許高能粒子雜質(zhì)穿透表面進(jìn)入一定厚度16）N阱驅(qū)進(jìn)： 先去除光刻膠，之后將注入雜質(zhì)的硅片放入退火爐中進(jìn)行退火，使得雜質(zhì)向硅片更深處擴(kuò)散，達(dá)到所需深度， 同時(shí)可以消除注入引起的硅片損并將注入雜質(zhì)激活。 之后去除掩蔽氧化層 17）生長(zhǎng)柵氧化層： 在生長(zhǎng)柵氧化層之前先清洗硅片，去除沾污和氧化層，吧硅片放入氧化爐，在HCI 氣氛中，用于氧氧化生長(zhǎng)一層致密

10、的二氧化硅膜，厚度約為 40mm 18）淀積多晶硅：利用硅烷分解在硅 片表面淀積一層多晶硅，并馬上進(jìn)行多晶硅的摻雜，此步驟刻在同一工藝腔體中進(jìn)行，也可以 在不同的設(shè)備中進(jìn)行 19）第三次光刻：形成柵極和局部互連圖形，包括涂膠、烘烤、曝光、顯 影、堅(jiān)膜等步驟 20）多晶硅刻蝕：刻蝕多晶硅，形成多晶硅柵極和局部互連，之后去除光刻膠 21）第四次光刻：形成 N 型源漏極區(qū)掩膜版區(qū)域圖形，刻印硅片，以得到 NMOS管被注入?yún)^(qū)域，其他區(qū)域被光刻膠保護(hù)著，包括涂膠、曝光、顯影、堅(jiān)膜等步驟22）N 型源漏極區(qū)離子注入：磷離子注入， 形成 NMOS源，漏區(qū) 23）第五次光刻 第五次掩膜版 24）P 型源漏區(qū)離

11、子注入： 鵬離子注入，形成 PMOS源漏區(qū) 25）去除光刻膠 26）退火：在氮?dú)庀峦嘶?，并將源漏區(qū)推進(jìn)， 形成 0.3-0.5um 的源漏區(qū) 27）低氣壓化學(xué)氣相淀積屏蔽氮化物 28）化學(xué)氣相淀積 BPSG（鵬磷 硅玻璃）鈍化層 29） BPSG回流：目的是使得表面平滑 30）第六塊掩膜版：接觸空曝光，形成 金屬化接觸孔圖形。包括涂膠、曝光、顯影等 31）接觸孔刻蝕：刻蝕金屬化的接觸孔，之后去 除光刻膠 32）金屬淀積：采用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法淀積一層 AL-Cu-Si 合金，利于解決電遷移現(xiàn) 象和防止 AL 片斷裂 33）第七塊掩膜版金屬互連：包括涂膠，曝光，顯影和金屬刻蝕，去膠等， 形成金屬互

12、連 34）化學(xué)氣相淀積 USG（未摻雜的二氧化硅） 35）化學(xué)氣相淀積氮化物形成的鈍 化層 20 世紀(jì) 90 年代的 COMS工藝技術(shù)：數(shù)字通信設(shè)備、 個(gè)人計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)有關(guān)的應(yīng)用推進(jìn)了 COMS工藝技術(shù)的發(fā)展。特征尺寸從 0.8um 到 0.18um，晶園直徑從 150mm300m，m原 有的制作工藝已經(jīng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)如此小的特尺寸的制作。 20世紀(jì) 90 年代的 COMS工藝技術(shù)具有以下 特點(diǎn)： 1）器件制作在外延硅片上 2）采用淺槽隔離技術(shù) 3）使用側(cè)墻隔離（防止源漏極區(qū)進(jìn)行 更大劑量注入時(shí)，源漏極區(qū)雜質(zhì)過(guò)于接近溝道以至于可能發(fā)生源漏極穿透），鈦硅化合物和側(cè) 墻隔離解決了硅化合物問(wèn)題 4）多晶

13、硅柵和采用鎢硅化合物和鈦硅化合物實(shí)現(xiàn)局部互聯(lián)，減小 了電阻并提高了器件速度 5）光刻技術(shù)采用 G-line I-line 深紫外線 DUV光源曝光 6）用等 離子體刻蝕形成刻蝕圖形 7）濕法刻蝕用于覆蓋薄膜的去除 8）采用立式氧化爐，能使得硅片間距更小，更好地控制沾污 9）采用快速處理系統(tǒng)對(duì)離子注入之后的硅片進(jìn)行退火處理及形成硅 化物，能更快、更好地控制制造過(guò)程中的熱預(yù)算 10）用直流磁控濺射取代蒸發(fā)淀積金屬膜 11）采用多層金屬互聯(lián)技術(shù) 12）鎢 CVD和 CMP（或者反刻）形成鎢賽，實(shí)現(xiàn)層與層之間的互連 13） Ti 和 TiN 成鎢的阻擋層 14）Ti 作為 AL-Cu 沾附層，能減小接

14、觸電阻 15）TiN 抗反射涂層的應(yīng) 用，可以減小光刻曝光時(shí)駐波和反射切口16） BPSG通常被用作 PMD（金屬鉛絕緣層） 17）DCVD:PE-TEO（S采用等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯淀積二氧化硅）和03-TEOS（采用臭氧和正硅酸乙酯反應(yīng)淀積二氧化硅）來(lái)實(shí)現(xiàn)淺槽隔離、側(cè)墻、 PMD和 IMD（金屬層間絕緣層）的淀積 18） DCVD:PE硅- 烷來(lái)實(shí)現(xiàn) PMD屏蔽氮化物絕緣介質(zhì)的抗反射涂層和 PD氮化物的淀積 19）介質(zhì)采用 CMP使得表面平坦化 20） Cluster （計(jì)算機(jī)集群）工具變得非常普片 21）批處理系統(tǒng)任然使用， 可以使得普通工人的生成量也提高結(jié)課論文綜述國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體制造行業(yè)

15、最新進(jìn)展。半導(dǎo)體材料的研究綜述摘要：半導(dǎo)體材料的價(jià)值在于它的光學(xué)、電學(xué)特性可充分應(yīng)用與器件。隨著社會(huì)的進(jìn)步和現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體材料越來(lái)越多的與現(xiàn)代高科技相結(jié)合，其產(chǎn)品更好的服務(wù)于人類(lèi)，改變著人類(lèi)的生活及生產(chǎn)。文章從半導(dǎo)體材料基本概念的界定、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、半導(dǎo)體材料未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)我國(guó)近十年針對(duì)此問(wèn)題的研究進(jìn)行了綜述，希望能引起全社會(huì)的關(guān)注和重視關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體材料，研究，綜述20世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命； 20世紀(jì) 70年代初石英光導(dǎo)纖 維材料和 GaAs 激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)

16、產(chǎn)業(yè)，使人類(lèi)進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概 念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想，使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì) 工程”發(fā)展到“能帶工程” 。徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞?。在此筆者主要針對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、半導(dǎo)體材料的未來(lái)發(fā)展趨 勢(shì)等進(jìn)行綜述，希望引起社會(huì)的關(guān)注，并提出了切實(shí)可行的建議。一、關(guān)于半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)材料概念界定的研究陳良惠指出自然界的物質(zhì)、 材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、 半導(dǎo)體、和絕緣體三大類(lèi)。 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率在 10-3 109 歐厘米范圍。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大，這與金屬導(dǎo)體恰 好相反。凡具有上述兩種特征的材料都 可歸入半

17、導(dǎo)體材料的范圍。 1半導(dǎo)體材料 （ semiconductormaterial ）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。 半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（ U-3） 10（U-9）歐姆 /厘米范圍內(nèi)。 2隨著社會(huì)的進(jìn)步以及科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于半導(dǎo)體材料的界定會(huì)越來(lái)越精確。3二、關(guān)于半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀及解決對(duì)策的分析 王占國(guó)指出中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，市場(chǎng)規(guī)模的增速遠(yuǎn)高于全球平均水平。不過(guò)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大和市場(chǎng)的繁榮并不表明國(guó)內(nèi)企業(yè)分得的份額更大。相反，中國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)正日益成為外資公司的樂(lè)土朱黎輝說(shuō)基于市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，我們判

18、斷半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)內(nèi)有很大的增長(zhǎng)潛力。之所以這樣說(shuō)，主要是基于國(guó)家政策的支持，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開(kāi)國(guó)家政策的支持。 4 市場(chǎng)需求巨大。計(jì)算機(jī)、通訊、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的需求帶動(dòng)半導(dǎo)體 的需求。國(guó)際產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，芯片制造的封裝測(cè)試的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移比較明顯，國(guó)際大工廠紛紛在國(guó)內(nèi)設(shè)立工廠，或者把生產(chǎn)線交給國(guó)內(nèi) 公司制造。 5 王占國(guó)說(shuō)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)逐步完善。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展，已經(jīng)建立起基本的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。 近幾年的加速發(fā)展縮短了與國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的差距。 6美國(guó)是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地，但 20 世紀(jì) 80 年代美國(guó)作為半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)在全球的地位大幅度下降。為了應(yīng)對(duì)這種 狀況，美國(guó)政府以巨大的國(guó)防支出來(lái)資

19、助半導(dǎo)體業(yè)的研發(fā)。 7技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的立足之本，這個(gè)行業(yè)的技術(shù)更新速度迅速。國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司的發(fā)展面臨強(qiáng)大的壓力，生存環(huán)境 堪憂。一些學(xué)者在分析、總結(jié)的基礎(chǔ)上提出了一些建議。中國(guó)應(yīng)采取更加優(yōu)惠的政策、形成良好的投資環(huán)境吸引更多的資金流入到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 8 凌玲說(shuō)在短期內(nèi)，可以借鑒走引進(jìn)、消化、吸收、趕超的路子，重點(diǎn)發(fā)展市場(chǎng)需求大的半導(dǎo)體適用技術(shù)和產(chǎn) 品，通過(guò)技術(shù)改造、資本積累和市場(chǎng)開(kāi)拓的互動(dòng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平的滾動(dòng)發(fā)展。 9 王彥指出中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與突破， 人才是關(guān)鍵因素。 目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最缺乏的就是人才， 既包括技術(shù)人員， 也包括半導(dǎo)體企業(yè)有經(jīng)驗(yàn)的中高階層主管。 10 半導(dǎo)體

20、產(chǎn)業(yè)會(huì)在優(yōu)惠政策及便利的條件下朝著更快、更前的方向發(fā)展。三、關(guān)于半導(dǎo)材料的應(yīng)用及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的研究InSb 是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，還材料具有較窄的禁寬度和較高的電子遷移率，被廣泛應(yīng)用于光電原件、磁阻元 件及晶體管結(jié)之中。 11 光纖放大器是光纖通信發(fā)展三、關(guān)于半導(dǎo)材料的應(yīng)用及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的研究InSb 是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，還材料具有較窄的禁寬度和較高的電子遷移率，被廣泛應(yīng)用于光電原件、磁阻元件及晶體管結(jié)之中。 11 光纖放大器是光纖通信發(fā)展史上的一個(gè)重要里程碑，它能夠延長(zhǎng)通信系統(tǒng)距離、擴(kuò)大用戶分 配間的覆蓋范圍。而浙適波耦合半導(dǎo)體量子點(diǎn)光纖放大器將比傳統(tǒng)的光纖放大器更具有重要的實(shí)際意義和應(yīng)用價(jià)值。12鄭東梅指出 GaN具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)小等特點(diǎn) , 在高亮 度發(fā)光二極管、短波長(zhǎng)激光二極管、高性能紫外探測(cè)器和高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。 13 硅材料仍將是制造集成電路的主要材料，硅半導(dǎo)體器件和集成電路仍將是大 3 生產(chǎn)的主流產(chǎn)品。適應(yīng)大直徑、細(xì)線條、銅工藝將成為半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展面臨的核心技術(shù)挑戰(zhàn)。 14綜上所述，諸多學(xué)者對(duì)當(dāng)前半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)等進(jìn)行了多層次、多角度的探討。通過(guò)對(duì)這些文獻(xiàn)