超凈高純資料摘要

1、霍尼韋爾公司可為全球半導體行業(yè)供應雜質在100ppt（萬億分之一百）以下的高純度濕法電子化學品，如氫氟酸、氫氧化銨、過氧化氫和鹽酸等產品，其材料部每年可創(chuàng)出約10 億美元的收入，公司在美國、中國、韓國、日本、印度和新加坡都經營電子化學品業(yè)務。另外，公司最近對其設在新加坡的地區(qū)總部投資2500 萬美元，以發(fā)展其在亞太地區(qū)業(yè)務，并將重點發(fā)展在中國和印度的電子化學品業(yè)務通過對新型超凈高純試劑同常規(guī)CMOS 酸堿試劑同時進行CMOS 工藝中柵氧化前的清洗實驗,從清洗后硅片殘留金屬量的電感耦合高頻等離子體原子發(fā)射光譜分析、硅片表面形貌的AFM 分析和MOS 電容測量三個方面進行了應用實驗.結果表明,以超

2、凈高純乙腈為主要組分的新型試劑,其清洗效果總體優(yōu)于常規(guī)CMOS 酸堿試劑,可以考慮在半導體器件相應清洗工藝中采用。超凈高純試劑的主要用途,一是用于基片在涂膠前的濕法清洗,二是用于在光刻過程中的蝕 刻及最終的去膠,三是用于硅片本身制作過程中的清洗。硅圓片在進行工藝加工過程中,常常會被不同的雜質所沾污,這些雜質的沾污將導致IC 的產 率下降大約50%。為了獲得高質量、高產率的集成電路芯片,必須將這些沾污物去除干凈。氮化硅膜在室溫下用氫氟酸或磷酸進行蝕刻。半導體膜蝕刻：主要是指單晶硅和多晶硅的蝕刻,通常采用混合酸蝕刻液進行蝕刻。導體膜蝕刻：在Si 材料集成電路中,金屬導線常采用Al、Al-Si 合金

3、膜,濕法蝕刻圖形化后Al 和Al-Si 金屬膜常采用磷酸蝕刻液進行蝕刻。有機材料蝕刻：主要是指光刻膠在經過顯影和圖形轉移后的去膠。常用的正膠顯影液有四甲基氫氧化銨,去膠劑可采用熱的過氧化氫-硫酸氧化去膠或采用廠家提供的專用去膠劑或剝離液來去除膠膜。2007 年默克化工技術（上海）有限公司建立了松江基地Ashland亞什蘭集團在中國的業(yè)務穩(wěn)步增長，先后成立了四家全資子公司，勝牌（上海）潤滑油有限公司、亞什蘭（常州）化學有限公司、亞什蘭聚酯（昆山）有限公司、常州亞什蘭現(xiàn)代化學有限公司，一家合資企業(yè)康勝（上海）潤滑油有限公司，在北京、上海設立了銷售代表處。亞什蘭集團對常州和昆山的生產工廠進行擴建和升

4、級，其中在常州的項目2005 年投產。2006 年4 月，西格瑪·奧德里奇進軍中國，并收購了北京舒伯偉化工儀器公司。2008 年在無錫投資建廠，從事高純度化學品、生化試劑的規(guī)?；a及分裝，2009 年中國市場銷售額約6.5 億元。德國默克集團于1995 年開始開拓中國市場，2009 年在中國市場銷售額約7 億元，制藥業(yè)務和化工業(yè)務分別占6 成和4 成。2009 年國內化學試劑行業(yè)的市場規(guī)模約為80 億元，其中排名第一和第二的分別是默克和西格瑪·奧德里奇；西隴化工排名第三，當年實現(xiàn)營收6.36億元；國藥集團和光華化學分列第四和第五名。超凈高純硫酸占超凈高純試劑的27%-30

5、%。在標準的集成電路制造工藝流程中,涉及晶圓清洗或表面預處理的工藝就超過100 步之多,包括曝光后光刻膠的剝離、灰化殘留物的去除、本征氧化物的去除,甚至還有選擇性刻蝕超凈高純試劑鹽酸占超凈高純試劑的3%-8%。盡管干法工藝不斷發(fā)展,且在某些應用中具有獨特的優(yōu)勢,但是大多數(shù)晶圓清洗/表面預處理工藝還是濕法,即使用由多種化學物質組成的混合溶液,包括氫氟酸、鹽酸、硫酸、磷酸、雙氧水,以及大量用于稀釋與沖洗的去離子水。蘇州晶瑞化學有限公司2001.11.29 注冊成立，位于蘇州市吳中經濟開發(fā)區(qū)澄湖東路，是一家生產銷售微電子業(yè)用超純化學材料和其他精細化工產品的外資企業(yè)。品種包括氫氟酸、過氧化氫、氨水、鹽

6、酸、硫酸、硝酸、異丙醇、冰醋酸、混合酸（硅腐蝕液、鋁腐蝕液、鉻腐蝕液）等。目前主要產品的純度為，單項金屬雜質含量小于10ppb。產品廣泛應用于超大規(guī)模集成電路和TFT-LCD 面板制造過程及太陽能硅片的蝕刻與清洗。北京化學試劑研究所主要有9 大系列產品：鋰電池電解液、鋰離子電池電解液、超凈高純試劑、高純物質、新型擴散源、光刻膠及配套試劑、金屬表面處理專用化學品、標準溶液及實驗試劑、其他精細化學品.年產3000 噸生產規(guī)模。產品針對正極材料分為：鈷酸鋰用電解液、錳酸鋰用電解液、磷酸鐵鋰用電解液、鈷錳鎳三元材料用電解液四大系列。對于每一系列又細分為鋰離子動力電池電解液、高倍率放電電解液、高溫型電解

7、液、低溫型電解液及根據(jù)不同用戶特殊要求專門配制的電解液等多種產品。高純物質主要包括三氧化二硼、高純尿素溶液等。高純三氧化二硼用于半導體材料砷化鎵、磷化鎵、磷化銦晶體成長的液封劑、半導體材料的摻雜, 劑和制取多種硼化物、氟硼化物。年產3-5 噸。高純尿素溶液主要用于新型柴油發(fā)動機尾氣消除劑，使汽車尾氣排放達到歐標準，年生產能力達8000噸。新型擴散源主要用于半導體的基區(qū)和隔離區(qū)的擴散。質量達到進口同類產品水平，根據(jù)不同生產線的要求分為三種型號，還可根據(jù)用戶的要求配置專用型號的擴散源膠液，年生產能力15-20 噸。無錫華晶(器件、雙極、上華等)、福州福順、丹東安順、北京燕東、紹興華越、上海貝嶺、上

8、海先進、四川二十四所、吉林華微、深圳深愛、汕頭華汕、揚州晶來(新)、上海麗正等國內幾十家集成電路、半導體器件廠家;洛陽MCL、北京有研硅股、浙江海納、峨眉739、上海晶華等多家硅材料廠;上海貝爾等多家PCB 廠家使用。到目前，中國集成電路產業(yè)已經形成了IC 設計、芯片制造、封裝測試三業(yè)及支撐配套業(yè)共同發(fā)展的較為完善的產業(yè)鏈格局芯片制造業(yè)方面，20 世紀90 年代908 工程（無錫華晶項目）和909 工程（上海華虹NEC 項目）的建成，分別使我國擁有了第一條6 英寸和第一條8 英寸芯片生產線。2004 年中芯國際北京芯片生產線的建成投產則使中國擁有了首條12 英寸芯片生產線。截至到2007 年底

9、，國內已經有集成電路芯片制造企業(yè)近50 家，擁有各類集成電路芯片生產線50 條在國內封裝測試業(yè)的發(fā)展上，1995 年之前行業(yè)主體一直由無錫華晶（現(xiàn)華潤微電子）、華越、首鋼NEC 等芯片制造企業(yè)內部的封裝測試線和江蘇長電、南通富士通、天水永紅（現(xiàn)華天科技）等國內獨立封裝測試企業(yè)組成Freescale、Intel、ST、Renesas、Spansion、Infineon、Sansumg、Fairchild、NS 等眾多國際大型半導體企業(yè)來華建立封裝測試基地，國內封裝測試行業(yè)的產量和銷售額大幅增長，外資企業(yè)也開始成為封裝測試業(yè)行的一支主要力量。目前國內具有一定規(guī)模的集成電路封裝測試企業(yè)已超過70家，

10、其中年封裝量超過10 億塊的企業(yè)超過20 家。國內多條8 英寸生產線的建成量產，國內芯片大生產技術的主體已經由5、6 英寸，0.5 微米以上工藝水平過渡至8 英寸，0.25 微米0.18 微米，中芯國際（北京）、中芯國際（上海）以及海力士-意法無錫12 寸芯片廠的相繼投產標志著國內芯片大生產技術的最高水平已經達到12 英寸、90 納米乃至65 納米的國際先進水平傳統(tǒng)封裝形式：如DIP、SOP、QFP 等都已大批量生產，同時隨著跨國公司來華投資設廠和現(xiàn)有封裝企業(yè)的改造升級，PGA、BGA、MCM 等新型封裝形式已開始形成規(guī)模生產能力?！褒埿尽钡葹榇淼膰aCPU、中國華大、大唐微電子等開發(fā)的第二

11、代身份證卡芯片、中星微電子的“星光”系列音視頻解碼芯片、展訊通信的GSM/GPRS 基帶處理芯片和TD-SCDMA 手機核心芯片等大量國內具有自主知識產權的產品研制成功并投向市場，標志著國內集成電路設計業(yè)的設計水平已經開始步入世界先進行列中芯國際（上海、北京）、宏力半導體（上海）、和艦科技（蘇州）、臺積電（上海）等多個大型芯片制造項目，和包括Infineon（蘇州）、NS（蘇州）、Fairchild（蘇州）、Intel（成都）等一大批封裝測試項目相繼開工建設并陸續(xù)投產中國集成電路行業(yè)出現(xiàn)第一家上市公司上海貝嶺股份有限公司。已有杭州士蘭、長電科技等多家集成電路企業(yè)在國內上市珠海炬力、中星微、展訊

12、通信等多家企業(yè)在海外成功上市中國集成電路產業(yè)結構不斷趨于合理，IC 設計、制造、封裝測試三業(yè)開始接近于“3:4:4”的合理比重，芯片封裝悄然從長江三角洲地區(qū)向西部轉移，成都、西安以及甘肅的芯片封裝漸成氣候，開始與東部沿海地區(qū)的設計、制造形成錯位互補的發(fā)展態(tài)勢。士蘭微電子3 年投入8 億元研發(fā)高頻高壓器件工藝，在LED 顯示屏的研制中取得重要進展；北京君正充分發(fā)揮自主知識產權CPU 核Xbust 的潛能，北京創(chuàng)毅視訊抓住CMMB 標準帶來的機會，新一代產品已研發(fā)成功，預計2010 年兩個企業(yè)的銷售額均可望有2 倍到4 倍的提升；銳迪科微電子打破阻礙中國通信產業(yè)發(fā)展的瓶頸，可以提供 TD-SCDM

13、A、GSM/GPRS 等全系列移動通信核心射頻芯片?！案呙芏燃呻娐贩庋b技術國家工程實驗室”，由長電科技與中國科學院微電子研究所、中國科學院深圳先進技術研究院、清華大學等5 家單位聯(lián)合實施。中電科技中國電子和華潤集團都已經參與到相關整合中，對集成電路行業(yè)的整合有很好的推動作用。例如，晶門科技業(yè)績在近幾年出現(xiàn)下滑，原因是其業(yè)務的60%來自摩托羅拉手機京東方和CEC 合作，而且CEC 成為擁有29%股份的股東，這一合作立刻吸引了很多新的訂單。與此同時，士蘭、比亞迪、貝嶺、華為、中興通訊、海爾、京東方、長虹等整機企業(yè)積極與設計企業(yè)相結合，有可能打造出新型的IDM。展訊通信有限公司7 月30 日宣布，

14、其首款WCDMA 基帶芯片-SC7701B 已實現(xiàn)大規(guī)模量產格科微電子同比增長51%;聯(lián)芯科技同比激增92%。昂寶電子、盈方電子等一批新銳企業(yè)在國際國內市場份額中也名列前茅。以張江高科技園區(qū)為例，集成電路產業(yè)已占上海50%、全國15%，占全球1.5%，并形成了從芯片設計、制造、測試、封裝等完整的產業(yè)鏈條。作為集成電路產業(yè)最高端科技體現(xiàn)的芯片設計方面，全國前三位芯片設計公司均落戶在張江，帶動全國的集成電路產業(yè)向前跨越。與北京工業(yè)投資公司和中芯國際簽訂合作協(xié)議，共同出資在北京建設45-28 納米晶圓工藝、月產3.5 萬片12 英寸集成電路生產線。如此高技術水平和高產能的生產線，在國內尚屬首條。五年

15、內帶動 15 家相關企業(yè)落戶光谷武漢集成電路產業(yè)再添新軍。5 月21 日，新思科技武漢全球研發(fā)中心揭牌，其將為全球開發(fā)領先的知識產權產品，并帶動我市芯片設計產業(yè)集群式發(fā)展。武漢半導體產業(yè)促進懇談會同日舉行，中芯國際、臺積電、海思半導體等十多家企業(yè)云集現(xiàn)場。2012 年，武漢市電子信息產業(yè)產值超過2000 億元，東湖高新區(qū)已聚集芯片設計、制造企業(yè)50 余家，其中芯片設計企業(yè)30 余家，從業(yè)人員2000 余人。武漢已決心打造繼北京、上海之后的半導體產業(yè)“第三極”，竭盡全力為企業(yè)提供發(fā)展空間海思半導體來自全志科技的最新四核平板平臺，也可以了解集創(chuàng)北方的最新incell 觸控方案，可以了解格科微的CM

16、OS 傳感器方案，可以了解龍芯的最新多核嵌入式方案以及來自華力微、華芯的最新產品電子創(chuàng)新網CEO 張國斌就發(fā)表創(chuàng)客如何改變世界的演講，而深圳中微電科市場總監(jiān)費浙平將發(fā)表系統(tǒng)公司應用創(chuàng)新的若干思考，此外，半導體業(yè)界知名的風投企業(yè)華登國際總經理黃慶都將發(fā)表主題為中國高科技產業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)與投資的精彩演講。英特爾、臺積電、三星電子分別入股全球最大的光刻機廠商ASML，共同研發(fā)18 英寸生產線關鍵設備及技術。英特爾、三星電子、臺積電等7 家半導體企業(yè)大規(guī)模生產0.090.2m 技術用的超凈高純試劑，其中的過氧化氫、硫酸、異丙醇等主要品種一般在500010000 噸/年的規(guī)模，65nm 及以下技術用工藝化學品也已完成技術研究，具備相應的生產能力。離子液體是近年來興起并被廣泛關注的新型綠色試劑，是當今綠色化學和納米化學的前沿。儀器的發(fā)展對試劑的檢測及鑒定具有意義重大。超凈高純試劑的應用超凈高純試劑是集成電路和分立器件制作過程中的關鍵性基礎材料,其性能和質量直接影響芯片幾何圖形的能否實現(xiàn),因此可以說這些材料是直接制約微電子技術發(fā)展的最為關鍵的材料集成電路前工序生產所用的微電子化工材料約占集成電